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MCP6281/1R/2/3/4/5
450 μA , 5 MHz的轨至轨运算放大器
特点
增益带宽积: 5兆赫(典型值)
电源电流:我
Q
= 450 μA (典型值)
电源电压: 2.2V至6.0V
轨到轨输入/输出
扩展级温度范围: -40 ° C至+ 125°C
提供单,双和四包
单用CS ( MCP6283 )
双用CS ( MCP6285 )
描述
Microchip Technology Inc.的MCP6281 / 1R / 2/3/ 4/5
系列运算放大器(运放)提供较宽
带宽的电流。这家拥有500 MHz的增益
带宽积( GBWP )和65°相位裕度。
该系列还采用单电源电压工作
低至2.2V ,同时绘制450 μA (典型值)的静态
电流。此外,该MCP6281 / 1R / 2/3 /4/5载体
轨到轨输入和输出摆幅,具有共模
V的输入电压范围
DD
+ 300 mV至V
SS
- 300毫伏。
该系列运算放大器在设计中采用
Microchip先进的CMOS工艺。
该MCP6285具有片选( CS)输入双运
放大器采用8引脚封装。此设备被制造
通过级联两个运算放大器(运放A的输出
连接到运算放大器B的非反相输入端) 。该
CS输入将器件置于低功耗模式。
在MCP6281 / 1R / 2/3/ 4/5系列工作在
扩展温度范围为-40 ° C至+ 125°C 。它
还具有2.2V至6.0V的电源电压范围。
应用
汽车
便携式设备
光电二极管放大器器
模拟滤波器
笔记本电脑和PDA
电池供电系统
设计工具
SPICE宏模型
FilterLab设
软件
Mindi电路设计&模拟器
MAPS ( Microchip高级器件选型)
模拟演示和评估板
应用笔记
封装类型
MCP6281
PDIP , SOIC , MSOP
NC 1
V
IN
_
MCP6281
SOT-23-5
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+ 3
-
4 V
IN
+
5 V
DD
MCP6281R
SOT-23-5
V
OUT
1
V
IN
+ 3
+
V
DD
2
-
4 V
IN
5 V
SS
MCP6282
PDIP , SOIC , MSOP
V
OUTA
1
V
INA-
2
V
INA
+ 3
V
SS
4
- +
+ -
8 V
DD
7 V
OUTB
6 V
INB-
5 V
INB
+
8 NC
-
+
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
2
V
IN
+ 3
V
SS
4
MCP6283
PDIP , SOIC , MSOP
NC 1
V
IN
_
MCP6283
SOT-23-6
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+ 3
6 V
DD
-
5 CS
_
4 V
IN
MCP6284
PDIP , SOIC , TSSOP
V
OUTA
1
V
INA
_
8 CS
-
+
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
14
V
OUTD
MCP6285
PDIP , SOIC , MSOP
V
OUTA
/V
INB
+ 1
V
INA-
2
V
INA
+ 3
V
SS
4
- +
+ -
2
2
- + + -
13
V
IND ±
12
V
IND
+
11
V
SS
10
V
INC。
+
-+ +-
9
V
_
INC。
8
V
OUTC
8 V
DD
7 V
OUTB
_
6 V
INB
V
IN
+ 3
V
SS
4
+
V
INA
+
3
V
DD
4
V
INB
+
5
V
INB-
6
V
OUTB
7
5 CS
2008 Microchip的技术公司
DS21811E第1页
MCP6281/1R/2/3/4/5
1.0
电动
特征
注意:
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在操作列表中标明本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,其
期间可能会影响器件的可靠性。
SEE
第4.1.2节“输入电压和电流限制” 。
绝对最大额定值
V
DD
– V
SS
........................................................................7.0V
在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安
模拟输入(V
IN
+, V
IN
–) ........ V
SS
= 1.0V至V
DD
+ 1.0V
所有其它输入和输出......... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流.................................连续
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
储存温度....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温(T
J
) ......................... .+150°C
ESD保护所有引脚( HBM , MM )
.............. ≥
4千伏; 400V
DC电气规格
电气特性:
除非另有说明,T
A
= +25 C,V
DD
= + 2.2V至+ 5.5V ,V
SS
= GND ,V
OUT
V
DD
/2,
V
CM
= V
DD
/2, V
L
= V
DD
/2, R
L
= 10 kΩ到V
L
和CS接低电平。 (参考
图1-2
图1-3 ) 。
参数
输入失调
输入失调电压
输入失调电压
(扩展温度)
输入失调温度漂移
电源抑制比
输入偏置电流
在温度
在温度
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模(注4 )
共模输入范围
共模抑制比
共模抑制比
开环增益
直流开环增益(大信号)
产量
最大输出电压摆幅
输出短路电流
电源
电源电压
每个放大器器静态电流
注1 :
2:
3:
4:
5:
V
DD
I
Q
2.2
300
450
6.0
570
V
A
(注5 )
I
O
= 0
V
OL
, V
OH
I
SC
V
SS
+ 15
±25
V
DD
– 15
mV
mA
0.5V的输入过驱动
A
OL
90
110
dB
V
OUT
- 0.2V至V
DD
– 0.2V,
V
CM
= V
SS
(注1 )
V
CMR
CMRR
CMRR
V
SS
0.3
70
65
85
80
V
DD
+ 0.3
V
dB
dB
V
CM
= -0.3V至2.5V ,V
DD
= 5V
V
CM
= -0.3V至5.3V ,V
DD
= 5V
V
OS
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
PSRR
I
B
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
-3.0
-5.0
70
±1.7
90
±1.0
50
2
±1.0
10 ||6
10
13
||3
13
符号
典型值
最大
单位
条件
+3.0
+5.0
200
5
mV
mV
V
CM
= V
SS
(注1 )
T
A
= -40 ° C至+ 125°C ,
V
CM
= V
SS
(注1 )
μV / ° (C T)
A
= -40 ° C至+ 125°C ,
V
CM
= V
SS
(注1 )
dB
pA
pA
nA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
V
CM
= V
SS
(注1 )
注2
T
A
= +85°C
(注2 )
T
A
= +125°C
(注2 )
注3
注3
注3
输入偏置,输入失调电流和阻抗
在MCP6285的V
CM
对于运放B(引脚V
OUTA
/V
INB
+和V
INB
- )是V
SS
+ 100毫伏。
在MCP6285的V电流
INB
- 引脚由我指定
B
只。
该规范并不适用于MCP6285的V
OUTA
/V
INB
+引脚。
在MCP6285的V
INB
- 引脚(运放B)的共模范围(V
CMR
)的V
SS
+ 100 mV至V
DD
= 100毫伏。
在MCP6285的V
OUTA
/V
INB
+引脚(运放B )具有V规定的电压范围
OH
和V
OL
.
与日期码2007年11月及以后的所有部件都经过筛选,以确保在V操作
DD
= 6.0V 。不过,
其他最小和最大规格是在2.4V和/或5.5V测量。
2008 Microchip的技术公司
DS21811E第2页
MCP6281/1R/2/3/4/5
AC电气规格
电气特性:
除非另有说明,T
A
= + 25 ° C,V
DD
= + 2.2V至+ 5.5V ,V
SS
= GND ,V
OUT
V
DD
/2,
V
CM
= V
DD
/2, V
L
= V
DD
/2, R
L
= 10 kΩ到V
L
, C
L
= 60 pF和CS接低电平。 (参考
图1-2
图1-3 ) 。
参数
交流响应
增益带宽积
相位裕度为单位增益
压摆率
噪音
输入噪声电压
输入噪声电压密度
输入噪声电流密度
E
ni
e
ni
i
ni
5.2
16
3
V
P-P
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
F = 0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
增益带宽积
PM
SR
5.0
65
2.5
兆赫
°
V / μs的
G = + 1V / V
符号
典型值
最大
单位
条件
MCP6283 / MCP6285片选( CS )规格
电气特性:
除非另有说明,T
A
= + 25 ° C,V
DD
= + 2.2V至+ 5.5V ,V
SS
= GND ,V
OUT
V
DD
/2,
V
CM
= V
DD
/2, V
L
= V
DD
/2, R
L
= 10 kΩ到V
L
, C
L
= 60 pF和CS接低电平。 (参考
图1-2
图1-3 ) 。
参数
CS低电平规范
CS逻辑门限,低
CS输入电流,低
CS高规格
CS逻辑门限,高
CS输入电流,高
每个放大器的接地电流
放大器输出泄漏
动态规范(注1 )
CS低到有效的放大器
输出开启时间
CS高电平到放大器输出高阻
迟滞
注1 :
t
ON
4
10
s
CS低
0.2 V
DD
,G = + 1V / V ,
V
IN
= V
DD
/2, V
OUT
= 0.9 V
DD
/2,
V
DD
= 5.0V
CS高
0.8 V
DD
,G = + 1V / V ,
V
IN
= V
DD
/2, V
OUT
= 0.1 V
DD
/2
V
DD
= 5V
V
IH
I
CSH
I
SS
0.8 V
DD
0.7
-0.7
0.01
V
DD
2
V
A
A
A
CS = V
DD
CS = V
DD
CS = V
DD
V
IL
I
CSL
V
SS
0.01
0.2 V
DD
V
A
CS = V
SS
符号
典型值
最大
单位
条件
t
关闭
V
HYST
0.01
0.6
s
V
输入条件(V
IN
)规定同时适用于运放A,B的MCP6285和。动态规范进行测试
在运放B的(输出V
OUTB
).
CS
V
IL
t
ON
V
IH
t
关闭
高阻
-0.7 A
(典型值)
0.7 A
(典型值)
V
OUT
高阻
-0.7 A
(典型值)
0.7 A
(典型值)
I
SS
-450 A
(典型值)
10 nA的
(典型值)
I
CS
图1-1:
时序图的芯片
选择的MCP6283及MCP6285 ( CS )引脚。
2008 Microchip的技术公司
DS21811E第3页
MCP6281/1R/2/3/4/5
温度参数
电气特性:
除非另有说明,V
DD
= + 2.2V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻, 5引脚SOT- 23
热阻, 6L- SOT- 23
热阻,8 - PDIP
热阻,8 - SOIC
热阻,8 - MSOP
热阻, 14L - PDIP
热阻,14 - SOIC
热阻,14 - TSSOP
注意:
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
256
230
85
163
206
70
120
100
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
-40
-65
+125
+150
°C
°C
符号
典型值
最大
单位
条件
结温度(T
J
)不得超过+ 150°C的绝对最大规格。
1.1
测试电路
用于直流和交流测试的测试电路
所示
图1-2
图1-2 。
旁路
电容器被布置根据所讨论的规则
in
第4.6节“电源旁路” 。
V
DD
R
N
0.1 F 1 F
V
OUT
C
L
V
DD
/2 R
G
R
F
V
L
R
L
V
IN
MCP628X
图1-2:
交流和直流参数测试电路
大多数同相增益条件。
V
DD
R
N
0.1 F 1 F
V
OUT
C
L
V
IN
R
G
R
F
V
L
R
L
V
DD
/2
MCP628X
图1-3:
交流和直流参数测试电路
大多数反相增益条件。
DS21811E第4页
2008 Microchip的技术公司
MCP6281/1R/2/3/4/5
2.0
注意:
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
注意:
除非另有说明,T
A
= + 25 ° C,V
DD
= + 2.2V至+ 6.0V ,V
SS
= GND ,V
CM
= V
DD
/2, V
OUT
V
DD
/2,
V
L
= V
DD
/2, R
L
= 10 kΩ到V
L
, C
L
= 60 pF和CS接低电平。
14%
30%
出现次数的百分比
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
出现次数的百分比
832样本
V
CM
= V
SS
25%
20%
15%
10%
5%
0%
832样本
V
CM
= V
SS
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
-2.8
-2.4
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
2.8
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
输入失调电压(MV )
输入失调电压漂移( μV / ° C)
图2-1:
25%
输入失调电压。
图2-4:
35%
输入失调电压漂移。
出现次数的百分比
出现次数的百分比
210样本
T
A
= +85°C
20%
30%
25%
20%
15%
10%
5%
0%
210样本
T
A
= +125°C
15%
10%
5%
0
200
400
800
1200
1600
2000
2400
2800
3200
5.0
5.5
0%
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
输入偏置电流( PA)
输入偏置电流( PA)
图2-2:
T
A
= +85 °C.
300
输入偏置电流
图2-5:
T
A
= +125 °C.
300
输入偏置电流
V
DD
= 2.2V
V
DD
= 5.5V
输入失调电压( μV )
输入失调电压( μV )
250
200
150
100
50
0
-50
-100
-0.5
T
A
= +125°C
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= -40°C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
250
200
150
100
50
0
-50
-100
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
6.0
T
A
= +125°C
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= -40°C
共模输入电压( V)
共模输入电压( V)
图2-3:
输入失调电压 -
共模输入电压在V
DD
= 2.2V.
图2-6:
输入失调电压 -
共模输入电压在V
DD
= 5.5V.
2008 Microchip的技术公司
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