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MCP6241/1R/1U/2/4
50 μA , 550 kHz的轨至轨运算放大器
特点
增益带宽积: 550千赫(典型值)
电源电流:我
Q
= 50 μA (典型值)
电源电压: 1.8V至5.5V
轨到轨输入/输出
扩展级温度范围: -40 ° C至+ 125°C
采用5引脚SC- 70和SOT- 23封装
描述
Microchip Technology Inc.的MCP6241 / 1R / 1U / 2/4
运算放大器(运放)提供较宽
带宽的静态电流。在MCP6241 / 1R /
1U / 2/4具有550 kHz的增益带宽积和68 °
(典型值),相位裕度。这家家庭经营的一
单电源电压可低至1.8V ,而绘图
50 μA (典型值)的静态电流。此外,该
MCP6241 / 1R / 1U / 2/4系列支持轨到轨输入
和输出摆幅,具有共模输入电压
V范围
DD
+ 300 mV至V
SS
- 300毫伏。这些运
功放都设计在了Microchip先进的之一
CMOS工艺。
应用
汽车
便携式设备
光电二极管(阻)放大器
模拟滤波器
笔记本电脑和PDA
电池供电系统
封装类型
MCP6241
SOT-23-5
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+ 3
+
+
MCP6241
PDIP , SOIC , MSOP
5 V
DD
NC 1
V
IN
– 2
4 V
IN
V
IN
+ 3
V
SS
4
+
8 NC
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
设计工具
SPICE宏模型
Mindi电路设计&模拟器
Microchip高级器件选型器( MAPS )
模拟演示和评估板
应用笔记
MCP6241R
SOT-23-5
V
OUT
1
V
DD
2
V
IN
+ 3
+
MCP6242
PDIP , SOIC , MSOP
V
OUTA
1
V
INA-
2
- +
+ -
8 V
DD
7 V
OUTB
6 V
INB-
5 V
INB
+
5 V
SS
典型用途
R
G2
V
IN2
R
G1
V
IN1
V
DD
R
X
R
Y
R
Z
MCP6241
+
V
OUT
R
F
4 V
IN
V
INA
+ 3
V
SS
4
MCP6241U
SC- 70-5 , SOT- 23-5
V
IN
+ 1
V
SS
2
V
IN
– 3
+
MCP6244
PDIP , SOIC , TSSOP
V
OUTA
1
V
INA
– 2
14 V
OUTD
- + + - 13 V
IND
12 V
IND
+
11 V
SS
10 V
INC。
+
- + +- 9 V –
INC。
8 V
OUTC
5 V
DD
4 V
OUT
V
INA
+ 3
V
DD
4
MCP6241
的2x3 DFN *
NC 1
8 NC
EP
9
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
V
INB
+ 5
V
INB
– 6
V
OUTB
7
求和放大器电路
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
*包括裸露的散热焊盘( EP ) ;看
表3-1 。
2008 Microchip的技术公司
DS21882D第1页
MCP6241/1R/1U/2/4
注意事项:
DS21882D第2页
2008 Microchip的技术公司
MCP6241/1R/1U/2/4
1.0
电动
特征
注意:
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在操作列表中标明本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,其
期间可能会影响器件的可靠性。
SEE
第4.1.2节“输入电压和电流限制” 。
绝对最大额定值
V
DD
– V
SS
........................................................................7.0V
在模拟输入引脚电流(V
IN
+, V
IN
- ) ..................... ± 2毫安
模拟输入(V
IN
+, V
IN
–) ........ V
SS
= 1.0V至V
DD
+ 1.0V
所有其它输入和输出......... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流连续................................
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
存储温度.................................. -65 ° C至+ 150°C
最高结温(T
J
)......................... .+150°C
ESD保护所有引脚( HBM , MM )
.............. ≥
4千伏; 300V
DC电气特性
电气特性:
除非另有说明,T
A
= + 25 ° C,V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ,V
SS
= GND ,
V
CM
= V
DD
/2, R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2和V
OUT
V
DD
/2.
参数
输入失调
输入失调电压
扩展温度
输入失调漂移
温度
电源抑制
输入偏置电流和阻抗
输入偏置电流:
在温度
在温度
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入范围
共模抑制比
开环增益
直流开环增益
(大信号)
产量
最大输出电压摆幅
输出短路电流
电源
电源电压
每个放大器器静态电流
注1 :
V
DD
I
Q
1.8
30
50
5.5
70
V
A
I
O
= 0, V
CM
= V
DD
– 0.5V
V
OL
, V
OH
V
SS
+ 35
I
SC
I
SC
±6
±23
V
DD
– 35
mV
mA
mA
R
L
= 10 kΩ的, 0.5V输入
OVERDRIVE
V
DD
= 1.8V
V
DD
= 5.5V
A
OL
90
110
dB
V
OUT
- 0.3V至V
DD
– 0.3V,
V
CM
= V
SS
V
CMR
CMRR
V
SS
– 0.3
60
75
V
DD
+ 0.3
V
dB
V
CM
= -0.3V至5.3V ,V
DD
= 5V
I
B
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
±1.0
20
1100
±1.0
10
13
||6
10
13
||3
pA
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
T
A
= +85°C
T
A
= +125°C
V
OS
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
PSRR
-5.0
-7.0
±3.0
83
+5.0
+7.0
mV
mV
V
CM
= V
SS
T
A
= -40 ° C至+ 125°C ,
V
CM
= V
SS
(注1 )
符号
典型值
最大
单位
条件
μV / ° (C T)
A
= -40 ° C至+ 125°C ,
V
CM
= V
SS
dB
V
CM
= V
SS
采用SC-70封装只在+ 25 ℃下进行测试。
2008 Microchip的技术公司
DS21882D第3页
MCP6241/1R/1U/2/4
AC电气特性
电气特性:
除非另有说明,T
A
= + 25 ° C,V
DD
= 1.8至5.5V ,V
SS
= GND ,V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
V
DD
/2, R
L
= 10 kΩ到V
DD
/ 2和C
L
= 60 pF的。
参数
交流响应
增益带宽积
相位裕度
压摆率
噪音
输入噪声电压
输入噪声电压密度
输入噪声电流密度
E
ni
e
ni
i
ni
10
45
0.6
V
P-P
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
F = 0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
增益带宽积
PM
SR
550
68
0.30
千赫
°
V / μs的
G = + 1V / V
符号
典型值
最大
单位
条件
温度特性
电气特性:
除非另有说明,V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
扩展级温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻, 5L- SC70
热阻, 5引脚SOT- 23
热阻,8引脚DFN (2×3 )
热阻,8 - MSOP
热阻,8 - PDIP
热阻,8 - SOIC
热阻, 14L - PDIP
热阻,14 - SOIC
热阻,14 - TSSOP
注意:
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
331
256
84.5
206
85
163
70
120
100
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
+125
+125
+150
°C
°C
°C
(注)
符号
典型值
最大
单位
条件
内部结温(T
J
)不得超过+ 150°C的绝对最大规格。
1.1
测试电路
V
DD
R
N
0.1 F 1 F
V
OUT
C
L
V
OUT
C
L
R
L
V
L
V
IN
R
G
R
F
V
L
R
L
用于直流和交流测试的测试电路
所示
图1-1
图1-2 。
旁路
电容器被布置根据所讨论的规则
in
第4.6节“ PCB表面泄漏” 。
V
DD
R
N
0.1 F 1 F
V
DD
/2
MCP624X
V
IN
MCP624X
R
F
V
DD
/2 R
G
图1-2:
交流和直流参数测试电路
大多数反相增益条件。
图1-1:
交流和直流参数测试电路
大多数同相增益条件。
DS21882D第4页
2008 Microchip的技术公司
MCP6241/1R/1U/2/4
2.0
注意:
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
注意:
除非另有说明,T
A
= + 25 ° C,V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ,V
SS
= GND ,V
CM
= V
DD
/2, V
OUT
V
DD
/2,
R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2和C
L
= 60 pF的。
20%
18%
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
90
CMRR , PSRR (DB )
85
80
75
70
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
-50
输入失调电压(MV )
出现次数的百分比
630样本
V
CM
= V
SS
PSRR (V
CM
= V
SS
)
共模抑制比(V
CM
= -0.3V至+ 5.3V ,
V
DD
= 5.0V)
-25
0
25
50
75
环境温度( ℃)
100
125
图2-1:
输入失调电压。
图2-4:
温度。
120
开环增益(分贝)
CMRR , PSRR与环境
110
100
PSRR , CMRR (DB )
90
80
70
60
50
40
30
20
10
1.E+01
100
1.E+02
1k
10k
1.E+03
1.E+04
频率(Hz)
100k
1.E+05
PSRR +
PSRR-
CMRR
收益
80
60
40
20
0
-20
0.1 1
10
1.E- 1.E+ 1.E+
01 00 01
-60
-90
-120
-150
-180
-210
100
1.E+ 1.E+
100k
1.E+
10M
1k 10k
1.E+
1M
1.E+
1.E+
频率(Hz)
05 06 07
02 03 04
图2-2:
频率。
25%
20%
15%
10%
5%
0%
0
6
PSRR , CMRR与
图2-5:
频率。
30%
25%
20%
15%
10%
5%
0%
0.2
开环增益,相位与
出现次数的百分比
180样本
V
CM
= V
DD
/2
T
A
= +85°C
出现次数的百分比
180样本
V
CM
= V
DD
/2
T
A
= +125°C
1.8
0.6
1.2
0.0
0.4
0.8
1.0
1.4
1.6
输入偏置电流( PA)
输入偏置电流( NA)
图2-3:
输入偏置电流,在+ 85°C 。
图2-6:
+125°C.
输入偏置电流
2008 Microchip的技术公司
DS21882D第5页
2.0
12
18
24
30
36
42
开环相位( ° )
100
R
L
= 10.0 k
V
CM
= V
DD
/2
0
-30
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MCP6244T-E/ST
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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MICROCHIP/微芯
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