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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1344页 > MCP6231RT-E/P
MCP6231/2
20 μA , 300 kHz的轨至轨运算放大器
特点
增益带宽积: 300 kHz(典型值)。
电源电流:我
Q
= 20 μA (典型值)。
电源电压: 1.8V至5.5V
轨到轨输入/输出
扩展级温度范围: -40 ° C至+ 125°C
采用5引脚SC- 70和SOT- 23封装
描述
Microchip Technology Inc.的MCP6231 / 2操作
tional放大器(运放)提供较宽的带宽
的静态电流。在MCP6231 / 2家族都有
300 kHz的增益带宽积( GBWP )和65 °
(典型值),相位裕度。这间家庭经营从单一
电源电压可低至1.8V ,同时提请20 μA
(典型值)的静态电流。此外, MCP6231 / 2
支持轨到轨输入和输出摆幅,
V的共模输入电压范围
DD
+ 300毫伏
到V
SS
- 300毫伏。这些运算放大器的设计于一体
对Microchip先进的CMOS工艺。
应用
汽车
便携式设备
跨阻放大器器
模拟滤波器
笔记本电脑和PDA
电池供电系统
封装类型
MCP6231
SOT-23-5
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+ 3
+
+
MCP6231R
SOT-23-5
5 V
DD
V
OUT
1
V
DD
2
4 V
IN
V
IN
+ 3
+
可用工具
SPICE宏模型(从www.microchip.com )
FilterLab设
软件(从www.microchip.com )
5 V
SS
4 V
IN
典型用途
R
G2
V
IN2
R
G1
V
IN1
V
DD
R
X
R
Y
R
Z
MCP6231
+
V
OUT
R
F
MCP6231
PDIP , SOIC , MSOP
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
+
8 NC
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
MCP6231U
SC- 70-5 , SOT- 23-5
V
IN
+ 1
V
SS
2
V
IN
– 3
+
5 V
DD
4 V
OUT
MCP6232
PDIP , SOIC , MSOP
V
OUTA
1
V
INA-
2
V
INA
+ 3
V
SS
4
- +
+
B
-
A
8 V
DD
7 V
OUTB
6 V
INB-
5 V
INB
+
求和放大器电路
2004年Microchip的科技公司
DS21881B第1页
MCP6231/2
1.0
电动
特征
注意:
上面讲的那些最大的“上市
“,可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值,器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市,是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
V
DD
- V
SS
.........................................................................7.0V
所有输入和输出................... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流..................................不断
在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
存储温度.................................... -65C至150C +
最高结温(T
J
) .......................... +150°C
ESD保护所有引脚( HBM , MM )
............... ≥
4千伏; 400V
引脚功能表
名字
功能
V
IN
+, V
INA
+, V
INB
+
V
IN
–, V
INA
–, V
INB
V
DD
V
SS
V
OUT
, V
OUTA
, V
OUTB
非反相输入端
反相输入
正电源。
负电源
产量
DC电气规格
电气特性:
除非另有说明,T
A
= + 25 ° C,V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ,V
SS
= GND ,V
CM
= V
DD
/2, R
L
= 100 k
到V
DD
/ 2和V
OUT
V
DD
/2.
参数
输入失调
输入失调电压
扩展温度
输入失调漂移与温度
电源抑制
输入偏置电流和阻抗
输入偏置电流:
在温度
在温度
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入范围
共模抑制比
开环增益
直流开环增益(大信号)
产量
最大输出电压摆幅
输出短路电流
电源
电源电压
每个放大器器静态电流
注意:
符号
V
OS
V
OS
V
OS
/T
A
PSRR
I
B
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
V
CMR
CMRR
A
OL
–5.0
–7.0
V
SS
– 0.3
61
90
典型值
±3.0
83
±1.0
20
1100
±1.0
10
13
||6
10 ||3
75
110
13
最大
+5.0
+7.0
V
DD
+ 0.3
单位
mV
mV
μV/°C
dB
pA
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
V
dB
dB
条件
V
CM
= V
SS
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
(注)
T
A
= -40 ° C至+ 125°C ,
V
CM
= V
SS
V
CM
= V
SS
T
A
= +85°C
T
A
= +125°C
V
CM
= -0.3V至5.3V ,V
DD
= 5V
V
OUT
- 0.3V至V
DD
– 0.3V,
V
CM
= V
SS
R
L
= 10 kΩ的, 0.5V输出过载
V
DD
= 1.8V
V
DD
= 5.5V
V
OL
, V
OH
I
SC
I
SC
V
DD
I
Q
V
SS
+ 35
1.8
10
±6
±23
20
V
DD
– 35
5.5
30
mV
mA
mA
V
A
I
O
= 0, V
CM
= V
DD
– 0.5V
采用SC-70封装只在+ 25 ℃下进行测试。
DS21881B第2页
2004年Microchip的科技公司
MCP6231/2
AC电气规格
电气特性:
除非另有说明,T
A
= + 25 ° C,V
DD
= 1.8至5.5V ,V
SS
= GND ,V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
V
DD
/2, R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2和C
L
= 60 pF的。
参数
交流响应
增益带宽积
相位裕度
压摆率
噪音
输入噪声电压
输入噪声电压密度
输入噪声电流密度
E
ni
e
ni
i
ni
6.0
52
0.6
μVp -P
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
F = 0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
增益带宽积
PM
SR
300
65
0.10
千赫
°
V / μs的
G = +1
符号
典型值
最大
单位
条件
温度参数
电气特性:
除非另有说明,V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
扩展级温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻, 5L- SC70
热阻, 5引脚SOT- 23
热阻,8 - PDIP
热阻,8 - SOIC
热阻,8 - MSOP
注意:
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
331
256
85
163
206
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
–40
–40
–65
+125
+125
+150
°C
°C
°C
符号
典型值
最大
单位
条件
内部结温(T
J
)不得超过+ 150°C的绝对最大规格。
2004年Microchip的科技公司
DS21881B第3页
MCP6231/2
2.0
注意:
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
注意:
除非另有说明,T
A
= + 25 ° C,V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ,V
SS
= GND ,V
CM
= V
DD
/2, V
OUT
V
DD
/2,
R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2和C
L
= 60 pF的。
20%
出现次数的百分比
18%
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
输入失调电压(MV )
5
630样本
V
CM
= V
SS
CMRR , PSRR (DB )
90
V
DD
= 5.0V
85
PSRR (V
CM
= V
SS
)
80
75
共模抑制比(V
CM
= -0.3 V至5.3 V)
70
-50
-25
0
25
50
75
环境温度( ℃)
100
125
图2-1:
输入失调电压。
图2-4:
温度。
120
开环增益(分贝)
100
80
60
40
20
0
-20
1.E-01
1.E+00
1.E+01
CMRR , PSRR与环境
100
90
PSRR , CMRR (DB )
80
70
60
50
40
30
20
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
1.E+05
PSRR-
V
DD
= 5.0V
-60
CMRR
PSRR +
-90
-120
-150
-180
1.E+02
1.E+03
1.E+04
1.E+05
1.E+06
1.E+07
10
100
1k
频率(Hz)
10k
100k
0.1
1
10 100 1K 10K 100K的1M 10M
频率(Hz)
-210
图2-2:
频率。
22%
20%
18%
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
0
6
PSRR , CMRR与
图2-5:
频率。
30%
开环增益,相位与
出现次数的百分比
出现次数的百分比
630样本
V
CM
= V
SS
T
A
= +85°C
25%
20%
15%
10%
5%
0%
632样本
V
CM
= V
SS
T
A
= +125°C
12
18
24
30
36
42
0.0
0.2
0.3
0.5
0.6
0.8
0.9
1.1
1.2
1.4
1.5
1.7
1.8
输入偏置电流( PA)
输入偏置电流( NA)
图2-3:
输入偏置电流,在+ 85°C 。
图2-6:
输入偏置电流,在+ 125°C 。
DS21881B第4页
2004年Microchip的科技公司
2.0
开环相位( ° )
收益
R
L
= 100.0 k
V
DD
= 5.0V
V
CM
= V
DD
/2
0
-30
MCP6231/2
注意:
除非另有说明,T
A
= + 25 ° C,V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ,V
SS
= GND ,V
CM
= V
DD
/2, V
OUT
V
DD
/2,
R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2和C
L
= 60 pF的。
1,000
输入噪声电压密度
(NV /
赫兹)
出现次数的百分比
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
1.E+05
20%
18%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
628样本
V
CM
= V
SS
16%
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
100
10
-12
-10
10
频率(Hz)
输入失调电压漂移( μV / ° C)
图2-7:
与频率。
550
输入噪声电压密度
图2-10:
输入失调电压漂移。
100
输入失调电压( μV )
输入失调电压( μV )
450
350
250
V
DD
= 1.8 V
150
T
A
= +125°C
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= -40°C
50
0
-50
-100
-150
-200
-250
-300
V
DD
= 1.8 V
V
CM
= V
SS
V
DD
= 5.5 V
-0.4
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
共模输入电压( V)
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
输出电压(V)
图2-8:
输入失调电压 -
共模输入电压在V
DD
= 1.8V.
300
图2-11:
输出电压。
30
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
输入失调电压 -
输入失调电压( μV )
200
100
0
-100
-200
-300
T
A
= +125°C
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= -40°C
短路电流(毫安)
+I
SC
T
A
= +125°C
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= -40°C
-I
SC
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
电源电压(V)的
V
DD
= 5.5 V
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
共模输入电压( V)
6.0
图2-9:
输入失调电压 -
共模输入电压在V
DD
= 5.5V.
图2-12:
输出短路电流
- 环境温度。
2004年Microchip的科技公司
DS21881B第5页
12
-8
-6
-4
-2
0.1
1
10
100
1k
10k
100k
0
2
4
6
8
MCP6231/1R/1U/2/4
20 μA , 300 kHz的轨至轨运算放大器
特点
增益带宽积: 300千赫(典型值)
电源电流:我
Q
= 20 μA (典型值)
电源电压: 1.8V至6.0V
轨到轨输入/输出
扩展级温度范围: -40 ° C至+ 125°C
采用5引脚SC70和SOT- 23封装
描述
Microchip Technology Inc.的MCP6231 / 1R / 1U / 2/4
运算放大器(运放)提供较宽
带宽的静态电流。在MCP6231 / 1R /
1U / 2/4系列具有300 kHz的增益带宽积
和65 ° C(典型值)的相位裕度。这家家庭经营
从单电源电压可低至1.8V ,而
绘制20 μA (典型值)的静态电流。此外,
在MCP6231 / 1R / 1U / 2/4系列支持轨到轨
输入和输出摆幅,具有共模输入
Ⅴ的电压范围
DD
+ 300 mV至V
SS
- 300毫伏。
这些运算放大器的设计是以Microchip之一
先进的CMOS工艺。
应用
汽车
便携式设备
跨阻放大器器
模拟滤波器
笔记本电脑和PDA
电池供电系统
封装类型
MCP6231
SOT-23-5
V
OUT
1
5 V
DD
+
MCP6231
MSOP , PDIP , SOIC
NC 1
V
IN
– 2
4 V
IN
V
IN
+ 3
V
SS
4
+
8 NC
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
设计工具
SPICE宏模型
FilterLab设
软件
Mindi电路设计&模拟器
Microchip高级器件选型器( MAPS )
模拟演示和评估板
应用笔记
V
SS
2
V
IN
+ 3
MCP6231R
SOT-23-5
V
OUT
1
V
DD
2
V
IN
+ 3
+
MCP6232
MSOP , PDIP , SOIC
V
OUTA
1
V
INA-
2
- +
+ -
8 V
DD
7 V
OUTB
6 V
INB-
5 V
INB
+
5 V
SS
典型用途
R
G2
V
IN2
R
G1
V
IN1
V
DD
R
X
R
Y
R
Z
MCP6231
+
V
OUT
R
F
4 V
IN
V
INA
+ 3
V
SS
4
MCP6231U
SC70-5 , SOT- 23-5
V
IN
+ 1
V
SS
2
V
IN
– 3
+
MCP6232
的2x3 TDFN *
V
OUTA
1
V
INA-
2
V
SS
4
EP
9
8 V
DD
7 V
OUTB
6 V
INB-
5 V
INB
+
5 V
DD
4 V
OUT
V
INA
+ 3
MCP6231
DFN *
NC
1
V
IN
2
V
IN
+
3
MCP6234
PDIP , SOIC , TSSOP
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
DD
4
V
INB
+ 5
V
INB
– 6
V
OUTB
7
14 V
OUTD
- + + - 13 V
IND
12 V
IND
+
11 V
SS
10 V
INC。
+
- + +- 9 V –
INC。
8 V
OUTC
8
NC
EP
9
7
V
DD
6
V
OUT
5
NC
求和放大器电路
V
SS
4
*包括裸露的散热焊盘( EP ) ;看
表3-1 。
2009年Microchip的科技公司
DS21881E第1页
MCP6231/1R/1U/2/4
注意事项:
DS21881E第2页
2009年Microchip的科技公司
MCP6231/1R/1U/2/4
1.0
电动
特征
注意:
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在操作列表中标明本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,其
期间可能会影响器件的可靠性。
SEE
第4.1.2节“输入电压和电流限制” 。
绝对最大额定值
V
DD
– V
SS
........................................................................7.0V
在模拟输入引脚电流(V
IN
+, V
IN
- ) ..................... ± 2毫安
模拟输入(V
IN
+, V
IN
–) ........ V
SS
= 1.0V至V
DD
+ 1.0V
所有其它输入和输出......... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流连续................................
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
存储温度................................... -65 ° C至+ 150°C
最高结温(T
J
)......................... .+150°C
ESD保护所有引脚( HBM , MM )
.............. ≥
4千伏; 300V
DC电气特性
电气特性:
除非另有说明,T
A
= + 25 ° C,V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ,V
SS
= GND ,V
CM
= V
DD
/2,
R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2和V
OUT
V
DD
/2.
参数
输入失调
输入失调电压
扩展温度
输入失调漂移与温度
电源抑制比
输入偏置电流和阻抗
输入偏置电流:
在温度
在温度
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入范围
共模抑制比
开环增益
直流开环增益(大信号)
产量
最大输出电压摆幅
输出短路电流
电源
电源电压
每个放大器器静态电流
注1 :
2:
V
DD
I
Q
1.8
10
20
6.0
30
V
A
I
O
= 0, V
CM
= V
DD
– 0.5V
V
OL
, V
OH
I
SC
I
SC
V
SS
+ 35
±6
±23
V
DD
– 35
mV
mA
mA
R
L
= 10 kΩ的, 0.5V输入
OVERDRIVE
V
DD
= 1.8V
V
DD
= 5.5V
A
OL
90
110
dB
V
OUT
- 0.3V至V
DD
– 0.3V,
V
CM
= V
SS
V
CMR
CMRR
V
SS
– 0.3
61
75
V
DD
+ 0.3
V
dB
V
CM
= -0.3V至5.3V ,
V
DD
= 5V
I
B
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
±1.0
20
1100
±1.0
10
13
||6
10 ||3
13
符号
典型值
最大
单位
条件
V
OS
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
PSRR
-5.0
-7.0
±3.0
83
+5.0
+7.0
mV
mV
μV/°C
dB
pA
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
V
CM
= V
SS
T
A
= -40 ° C至+ 125°C ,
V
CM
= V
SS
(注1 )
T
A
= -40 ° C至+ 125°C ,
V
CM
= V
SS
V
CM
= V
SS
T
A
= +85°C
T
A
= +125°C
在SC70封装只在+ 25 ℃下进行测试。
日期代码2007年2月以后的所有部件都经过筛选,以确保在V操作
DD
= 6.0V 。然而,该
其他的最小和最大规格为1.8V和5.5V测量
2009年Microchip的科技公司
DS21881E第3页
MCP6231/1R/1U/2/4
AC电气特性
电气特性:
除非另有说明,T
A
= + 25 ° C,V
DD
= 1.8至5.5V ,V
SS
= GND ,V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
V
DD
/2, R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2和C
L
= 60 pF的。
参数
交流响应
增益带宽积
相位裕度
压摆率
噪音
输入噪声电压
输入噪声电压密度
输入噪声电流密度
E
ni
e
ni
i
ni
6.0
52
0.6
V
P-P
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
F = 0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
增益带宽积
PM
SR
300
65
0.15
千赫
°
V / μs的
G = + 1V / V
符号
典型值
最大
单位
条件
温度特性
电气特性:
除非另有说明,V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
扩展级温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻, 5L- SC70
热阻, 5引脚SOT- 23
热阻,8引脚DFN
热阻,8 - MSOP
热阻,8 - TDFN
热阻,8 - PDIP
热阻,8 - SOIC
热阻, 14L - PDIP
热阻,14 - SOIC
热阻,14 - TSSOP
注意:
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
331
256
84.5
206
41
85
163
70
120
100
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
+125
+125
+150
°C
°C
°C
符号
典型值
最大
单位
条件
内部结温(T
J
)不得超过+ 150°C的绝对最大规格。
1.1
测试电路
V
DD
/2
R
N
V
DD
0.1 F 1 F
V
OUT
C
L
R
L
V
L
R
N
MCP623X
C
L
R
F
V
L
V
OUT
R
L
用于直流和交流测试的测试电路
所示
图1-1
图1-1 。
旁路
电容器被布置根据所讨论的规则
in
第4.6节“ PCB表面泄漏” 。
V
DD
0.1 F 1 F
MCP623X
R
F
V
IN
V
IN
R
G
图1-2:
交流和直流参数测试电路
大多数反相增益条件。
V
DD
/2 R
G
图1-1:
交流和直流参数测试电路
大多数同相增益条件。
DS21881E第4页
2009年Microchip的科技公司
MCP6231/1R/1U/2/4
2.0
注意:
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
注意:
除非另有说明,T
A
= + 25 ° C,V
DD
= + 1.8V至+ 5.5V ,V
SS
= GND ,V
CM
= V
DD
/2, V
OUT
V
DD
/2,
R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2和C
L
= 60 pF的。
20%
18%
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
90
CMRR , PSRR (DB )
85
80
75
70
-50
-25
输入失调电压(MV )
0
25
50
75
环境温度( ℃)
100
125
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
共模抑制比(V
CM
= -0.3V至+ 5.3V ,
V
DD
= 5.0V)
出现次数的百分比
630样本
V
CM
= V
SS
PSRR (V
CM
= V
SS
)
图2-1:
输入失调电压。
图2-4:
温度。
120
开环增益(分贝)
CMRR , PSRR与环境
100
90
PSRR , CMRR (DB )
80
70
60
50
40
30
20
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
1.E+05
80
60
40
20
0
收益
-60
-90
-120
-150
-180
CMRR
PSRR +
10
100
1k
频率(Hz)
10k
100k
-20
-210
0.1
1.E+ 1.E+ 1.E+ 1.E+ 1.E+
100k
1.E+ 1.E+
1
10 100 1k 10k
1.E+
1M 10M
1.E-
01 00 01
频率(Hz)
05 06 07
02 03 04
图2-2:
频率。
20%
18%
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
PSRR , CMRR与
图2-5:
频率。
30%
25%
20%
15%
10%
5%
0%
0.0
0.2
0.4
开环增益,相位与
出现次数的百分比
出现次数的百分比
630样本
V
CM
= V
DD
/2
T
A
= +85°C
632样本
V
CM
= V
DD
/2
T
A
= +125°C
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
输入偏置电流( PA)
输入偏置电流( NA)
图2-3:
输入偏置电流,在+ 85°C 。
图2-6:
+125°C.
输入偏置电流
2009年Microchip的科技公司
DS21881E第5页
2.0
0
6
12
18
24
30
36
42
开环相位( ° )
PSRR-
100
R
L
= 10 k
V
CM
= V
DD
/2
0
-30
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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