MCP616/7/8/9
2.3V至5.5V微功耗双CMOS运算放大器
特点
低输入失调电压： ± 150 μV （最大值）
低噪声： 2.2 μV
P-P
（典型的，0.1赫兹到10赫兹）
轨到轨输出
低输入失调电流： 0.3 nA（典型值）
低静态电流： 25 μA （最大值）
电源电压： 2.3V至5.5V
单位增益稳定
片选（ CS ）功能： MCP618
工业温度范围： -40 ° C至+ 85°C
无相位反转
提供单，双和四包
描述
该MCP616 / 7 /8/9系列运算放大器（运
安培） ，Microchip的公司有能力
高精度，低功耗，单电源工作。这些
运算放大器是单位增益稳定，具有低输入失调
电压（ ± 150 μV ，最大） ，轨到轨输出摆幅
低输入偏置电流（ 0.3 nA的典型） 。这些
特点使该系列运放非常适合
电池供电的应用。
单MCP616 ，与芯片的单MCP618
选择（CS）和双MCP617是在所有可用的
标准的8引脚PDIP ， SOIC和MSOP封装。该
四MCP619是标准的14引脚PDIP提供，
SOIC和TSSOP封装。所有器件都完全
从-40 ° C至+ 85°C ，与电源
从2.3V到5.5V 。
典型应用
电池供电仪器
体重秤
应变片
医疗器械
测试设备
封装类型
MCP616
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC
V
IN
–
V
IN
+
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
MCP617
PDIP ， SOIC ， MSOP
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
V
OUTB
V
INB
–
V
INB
+
设计工具
SPICE宏模型
Microchip高级器件选型器（ MAPS ）
Mindi电路设计&模拟器
模拟演示和评估板
应用笔记
V
OUTA
NC
V
DD
V
INA
–
V
OUT
V
INA
+
NC
V
SS
MCP618
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC
V
IN
–
V
IN
+
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
MCP619
PDIP ， SOIC ， TSSOP
1
2
3
4
5
6
7
14 V
OUTD
13 V
IND
–
12 V
IND
+
11 V
SS
10 V
INC。
+
9 V
INC。
–
8 V
OUTC
输入失调电压
出现次数的百分比
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
598样本
V
DD
= 5.5V
CS V
OUTA
V
DD
V
INA
–
V
OUT
V
INA
+
V
DD
NC
V
INB
+
V
INB
–
V
OUTB
输入失调电压（ μV ）
2008 Microchip的技术公司
DS21613C第1页
MCP616/7/8/9
1.0
电动
特征
注意：
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在操作列表中标明本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
SEE
第4.1.2节“输入电压和电流限制” 。
绝对最大额定值
V
DD
– V
SS
........................................................................7.0V
在模拟输入引脚电流（V
IN +
和V
IN-
） ................ ± 2毫安
模拟输入（V
IN
+和V
IN
–) .. V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
所有其它输入和输出.......... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流连续................................
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
存储温度................................... -65 ° C至+ 150°C
最高结温（T
J
)......................... .+150°C
ESD保护所有引脚（ HBM ， MM ）
.............. ≥
4千伏; 400V
DC电气特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 2.3V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/ 2和R
L
= 100 kΩ到V
DD
/2.
参数
输入失调
输入失调电压
输入失调漂移与温度
电源抑制
输入偏置电流和阻抗
输入偏置电流
在温度
在温度
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入电压范围
共模抑制比
开环增益
直流开环增益（大信号）
直流开环增益（大信号）
产量
最大输出电压摆幅
符号
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
PSRR
I
B
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
V
CMR
CMRR
民
–150
—
86
-35
-70
—
—
—
—
V
SS
80
典型值
—
±2.5
105
-15
-21
-12
±0.15
600||4
3||2
最大
+150
—
—
-5
—
—
—
—
—
V
DD
– 0.9
—
单位
V
μV/°C
dB
条件
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
nA
nA
T
A
= -40°C
nA
T
A
= +85°C
nA
MΩ || pF的
MΩ || pF的
V
dB
100
V
DD
= 5.0V,
V
CM
= 0.0V至4.1V
R
L
= 25 kΩ到V
DD
/2,
V
OUT
- 0.05V至V
DD
– 0.05V
R
L
= 5 kΩ到V
DD
/2,
V
OUT
= 0.1V至V
DD
– 0.1V
R
L
= 25 kΩ到V
DD
/2,
0.5V的输入过驱动
R
L
= 5 kΩ到V
DD
/2,
0.5V的输入过驱动
R
L
= 25 kΩ到V
DD
/2,
A
OL
≥
百分贝
R
L
= 5 kΩ到V
DD
/2,
A
OL
≥
95分贝
V
DD
= 2.3V
V
DD
= 5.5V
A
OL
A
OL
100
95
120
115
—
—
dB
dB
V
OL
, V
OH
V
OL
, V
OH
V
SS
+ 15
V
SS
+ 45
V
SS
+ 50
V
SS
+ 100
—
—
2.3
12
—
—
—
—
±7
±17
—
19
V
DD
– 20
V
DD
– 60
V
DD
– 50
V
DD
– 100
—
—
5.5
25
mV
mV
mV
mV
mA
mA
V
A
线性输出电压范围
V
OUT
V
OUT
输出短路电流
电源
电源电压
每个放大器器静态电流
I
SC
I
SC
V
DD
I
Q
I
O
= 0
2008 Microchip的技术公司
DS21613C第3页
MCP616/7/8/9
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 2.3V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻，8 - MSOP
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - SOIC
热阻， 14L - PDIP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
注1 ：
符号
T
A
T
A
T
A
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
民
-40
-40
-65
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
211
89.3
149.5
70
95.3
100
最大
+85
+125
+150
—
—
—
—
—
—
单位
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注1
条件
该MCP616 / 7 /8/9可工作在扩展级温度范围，但性能有所下降。在任何情况下，该
结温（T
J
）不得超过+ 150°C的绝对最大规格。
1.1
测试电路
用于直流和交流测试的测试电路
所示
图1-2
和
图1-3 。
旁路
电容器被布置根据所讨论的规则
in
第4.6节“电源旁路” 。
V
DD
R
N
0.1 F 1 F
V
OUT
C
L
V
DD
/2 R
G
R
F
V
L
R
L
V
IN
MCP61X
图1-2：
交流和直流参数测试电路
大多数同相增益条件。
V
DD
R
N
0.1 F 1 F
V
OUT
C
L
V
IN
R
G
R
F
V
L
R
L
V
DD
/2
MCP61X
图1-3：
交流和直流参数测试电路
大多数反相增益条件。
2008 Microchip的技术公司
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