MCP616/7/8/9
2.3V至5.5V微功耗双CMOS运算放大器
特点
低输入失调电压： ± 150 μV （最大值）。
低噪声： 2.2 μV
P-P
（典型值， 0.1 Hz至10 Hz ）
轨到轨输出
低输入失调电流： 0.3 NA（典型值）。
低静态电流： 25 μA （最大值）
电源电压： 2.3V至5.5V
单位增益稳定
片选（ CS ）功能： MCP618
工业温度范围： -40 ° C至+ 85°C
无相位反转
提供单，双和四包
描述
该MCP616 / 7 /8/9系列运算放大器（运
安培） ，Microchip的公司有能力
高精度，低功耗，单电源工作。这些
运算放大器是单位增益稳定，具有低输入失调
电压（ ± 150 μV ，最大） ，轨到轨输出摆幅，
低输入偏置电流（ 0.3 nA的典型值）。这些功能
使这个系列运算放大器非常适合于由电池
供电的应用。
单MCP616 ，与芯片的单MCP618
选择（CS）和双MCP617是在所有可用的
标准的8引脚PDIP ， SOIC和MSOP封装。该
四MCP619是标准的14引脚PDIP提供，
SOIC和TSSOP封装。所有器件都完全
从-40 ° C至+ 85°C ，与电源
从2.3V到5.5V 。
典型应用
电池供电仪器
体重秤
应变片
医疗器械
测试设备
封装类型
MCP616
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC
V
IN
–
V
IN
+
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
MCP617
PDIP ， SOIC ， MSOP
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
V
OUTB
V
INB
–
V
INB
+
可用工具
SPICE宏模型（从www.microchip.com ）
FilterLab设
软件（从www.microchip.com ）
V
OUTA
NC
V
DD
V
INA
–
V
OUT
V
INA
+
NC
V
SS
输入失调电压
出现次数的百分比
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
598样本
V
DD
= 5.5V
MCP618
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC
V
IN
–
V
IN
+
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
MCP619
PDIP ， SOIC ， TSSOP
1
2
3
4
5
6
7
14 V
OUTD
13 V
IND
–
12 V
IND
+
11 V
SS
10 V
INC。
+
9 V
INC。
–
8 V
OUTC
CS V
OUTA
V
DD
V
INA
–
V
OUT
V
INA
+
V
DD
NC
V
INB
+
V
INB
–
V
OUTB
输入失调电压（ μV ）
2005年Microchip的科技公司
DS21613B第1页
MCP616/7/8/9
1.0
电动
特征
注意：
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在操作列表中标明本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
V
DD
– V
SS
.......................................................................7.0V
所有输入和输出................... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流.................................连续
在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
储存温度....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温（T
J
) ......................... +150°C
................... 4 kV的所有引脚（ MM HBM ） ESD保护; 200V
DC电气特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 2.3V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2, V
OUT
≈
V
DD
/2
和R
L
= 100 kΩ到V
DD
/2.
参数
输入失调
输入失调电压
输入失调漂移与温度
电源抑制
输入偏置电流和阻抗
输入偏置电流
在温度
在温度
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入电压范围
共模抑制比
开环增益
直流开环增益（大信号）
直流开环增益（大信号）
产量
最大输出电压摆幅
符号
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
PSRR
I
B
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
V
CMR
CMRR
民
–150
—
86
-35
-70
—
—
—
—
V
SS
80
典型值
—
±2.5
105
-15
-21
-12
±0.15
600||4
3||2
最大
+150
—
—
-5
—
—
—
—
—
V
DD
– 0.9
—
单位
V
μV/°C
dB
条件
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
nA
nA
T
A
= -40°C
nA
T
A
= +85°C
nA
MΩ || pF的
MΩ || pF的
V
dB
100
V
DD
= 5.0V,
V
CM
= 0.0V至4.1V
R
L
= 25 kΩ到V
DD
/2,
V
OUT
- 0.05V至V
DD
– 0.05V
R
L
= 5 kΩ到V
DD
/2,
V
OUT
= 0.1V至V
DD
– 0.1V
R
L
= 25 kΩ到V
DD
/2,
0.5V输出过载
R
L
= 5 kΩ到V
DD
/2,
0.5V输出过载
R
L
= 25 kΩ到V
DD
/2,
A
OL
≥
百分贝
R
L
= 5 kΩ到V
DD
/2,
A
OL
≥
95分贝
V
DD
= 2.3V
V
DD
= 5.5V
A
OL
A
OL
100
95
120
115
—
—
dB
dB
V
OL
, V
OH
V
OL
, V
OH
V
SS
+ 15
V
SS
+ 45
V
SS
+ 50
V
SS
+ 100
—
—
2.3
12
—
—
—
—
±7
±17
—
19
V
DD
– 20
V
DD
– 60
V
DD
– 50
V
DD
– 100
—
—
5.5
25
mV
mV
mV
mV
mA
mA
V
A
线性输出电压范围
V
OUT
V
OUT
输出短路电流
电源
电源电压
每个放大器器静态电流
I
SC
I
SC
V
DD
I
Q
I
O
= 0
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MCP616/7/8/9
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 2.3V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - SOIC
热阻，8 - MSOP
热阻， 14L - PDIP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
注1 ：
符号
T
A
T
A
T
A
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
民
-40
-40
-65
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
85
163
206
70
120
100
最大
+85
+125
+150
—
—
—
—
—
—
单位
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注1
条件
该MCP616 / 7 /8/9可工作在扩展级温度范围，但性能有所下降。在任何情况下，该
结温（T
J
）不得超过+ 150°C的绝对最大规格。
DS21613B第4页
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2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，V
DD
= + 2.3V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2, V
OUT
≈
V
DD
/2,
R
L
= 100 kΩ到V
DD
/ 2和C
L
= 60 pF的。
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
-100
100
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
598样本
V
DD
= 5.5V
20%
18%
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
出现次数的百分比
出现次数的百分比
598样本
V
DD
= 5.5V
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
8
0.5
0.6
输入失调电压（ μV ）
-10
输入失调电压漂移（ μV / ° C）
图2-1：
V
DD
= 5.5V.
出现次数的百分比
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
-100
-80
-60
输入失调电压为
图2-4：
V
DD
= 5.5V.
18%
出现次数的百分比
输入失调电压漂移
598样本
V
DD
= 2.3V
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
598样本
V
DD
= 2.3V
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
-40
-20
0
20
40
60
80
100
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
失调电压（ μV ）
-10
输入失调电压漂移（ μV / ° C）
图2-2：
V
DD
= 2.3V.
出现次数的百分比
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
-22
-21
-20
输入失调电压为
图2-5：
V
DD
= 2.3V.
20%
18%
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
出现次数的百分比
输入失调电压漂移
600个样本
V
DD
= 5.5V
600个样本
V
DD
= 5.5V
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
-19
-18
-17
-16
-15
-14
-13
-12
-11
输入偏置电流（ NA）
-10
输入失调电流（ NA）
图2-3：
V
DD
= 5.5V.
输入偏置电流
图2-6：
V
DD
= 5.5V.
输入失调电流在
2005年Microchip的科技公司
DS21613B第5页
0.7
10
10
QQ：2880707522 复制
