MCP6141/2/3/4
600 nA的，非单位增益，轨到轨输入/输出运算放大器
产品特点：
低静态电流： 600 nA的/放大器（典型值）。
增益带宽积： 100 kHz（典型值）。
稳定的10 V / V或更高的增益
轨到轨输入/输出
宽电源电压范围： 1.4V至5.5V
在单，双和四可用
片选（ CS ）与MCP6143
可在5引脚和6引脚SOT- 23封装
温度范围：
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
- 扩展： -40 ° C至+ 125°C
描述：
在MCP6141 / 2/ 3/4系列非单位增益稳定
Microchip的技运算放大器（运放）
术公司的单电源电压低工作
为1.4V ，同时提请小于1
μA
quies-的（最大）
每个放大器％的电流。这些装置也
旨在支持轨到轨输入和输出操作
化。功能支持这一组合
电池供电的便携式应用。
在MCP6141 / 2 /3/4放大器的增益带宽
100 kHz（典型值）和产品是稳定的上涨
10 V / V或更高。这些规范使得这些运
放大器适合于电池供电应用
其中，来自放大器更高的频率响应
是必须的。
在MCP6141 / 2 /3/4系列运算放大器
单（ MCP6141 ）所提供，带片选
（ CS ） （ MCP6143 ） ，双（ MCP6142 ）和四
（ MCP6144 ）配置。该MCP6141器件
可在5引脚SOT- 23封装，
MCP6143器件采用6引脚SOT- 23
封装。
应用范围：
收费站标签
可穿戴式产品
温度测量
电池供电
可用的工具：
SPICE宏模型（从www.microchip.com ）
FilterLab设软件（从www.microchip.com ）
封装类型
MCP6141
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 NC
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
MCP6143
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 CS
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
相关设备：
MCP6041 / 2 /3/4 ：单位增益稳定运算放大器
典型用途
R
1
V
1
R
2
V
2
R
3
V
3
MCP614X
V
REF
反相，求和放大器
R
F
V
OUT
MCP6141
SOT-23-5
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+ 3
4 V
IN
–
5 V
DD
MCP6143
SOT-23-6
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+ 3
6 V
DD
5 CS
4 V
IN
–
MCP6142
PDIP ， SOIC ， MSOP
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
SS
4
8 V
DD
MCP6144
PDIP ， SOIC ， TSSOP
V
OUTA
1
14 V
OUTD
13 V
IND
–
12 V
IND
+
11 V
SS
10 V
INC。
+
9 V
INC。
–
8 V
OUTC
7 V
OUTB
V
INA
– 2
6 V
INB
– V
INA
+ 3
V
DD
4
5 V
INB
+
V
INB
+ 5
V
INB
– 6
V
OUTB
7
2005年Microchip的科技公司
DS21668B第1页
MCP6141/2/3/4
1.0
电动
特征
注意：
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在操作列表中标明本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
V
DD
– V
SS
........................................................................7.0V
所有输入和输出.................... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流..................................不断
在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
存储温度.................................... -65C至150C +
结温................................................ .. + 150°C
ESD保护所有引脚（ HBM ， MM ）
................ ≥
4千伏; 200V
DC电气特性
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 1.4V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/ 2，和R
L
= 1 MΩ到V
DD
/2.
参数
输入失调
输入失调电压
温度漂移
电源抑制
输入偏置电流和阻抗
输入偏置电流
工业温度
扩展温度
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入范围
共模抑制比
符号。
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
PSRR
I
B
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
V
CMR
CMRR
CMRR
CMRR
分钟。
-3
—
70
—
—
—
—
—
—
V
SS
0.3
62
60
60
95
典型值。
—
±1.5
85
1
20
1200
1
10 ||6
10
13
||6
—
80
75
80
115
13
马克斯。
+3
—
—
—
100
5000
—
—
—
V
DD
+0.3
—
—
—
—
单位
mV
条件
V
CM
= V
SS
V
CM
= V
SS
,
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
V
CM
= V
SS
μ
V /°C的
dB
pA
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
V
dB
dB
dB
dB
T
A
= +85°
T
A
= +125°
V
DD
= 5V, V
CM
= -0.3V至5.3V
V
DD
= 5V, V
CM
= 2.5V至5.3V
V
DD
= 5V, V
CM
= -0.3V至2.5V
R
L
= 50 kΩ到V
DD
/2,
V
OUT
= 0.1V至V
DD
0.1V
R
L
= 50 kΩ到V
DD
/2,
0.5V输出过载
R
L
= 50 kΩ到V
DD
/2,
A
OL
≥
95分贝
V
DD
= 1.4V
V
DD
= 5.5V
开环增益
直流开环增益（大信号）
产量
最大输出电压摆幅
线性区输出电压摆幅
输出短路电流
电源
电源电压
每个放大器器静态电流
V
DD
I
Q
1.4
0.3
—
0.6
5.5
1.0
V
V
OL
, V
OH
V
OVR
I
SC
I
SC
V
SS
+ 10
V
SS
+ 100
—
—
—
—
2
20
V
DD
10
V
DD
100
—
—
mV
mV
mA
mA
A
OL
μ
A
I
O
= 0
DS21668B第2页
2005年Microchip的科技公司
MCP6141/2/3/4
AC电气特性
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 1.4V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/2, R
L
= 1 MΩ到V
DD
/ 2，和C
L
= 60 pF的。
参数
交流响应
增益带宽积
压摆率
相位裕度
噪音
输入电压噪声
输入电压噪声密度
输入电流噪声密度
符号。
增益带宽积
SR
PM
E
ni
e
ni
i
ni
分钟。
—
—
—
—
—
—
典型值。
100
24
60
5.0
170
0.6
马克斯。
—
—
—
—
—
—
单位
千赫
V / ms的
°
G = +10
条件
μ
V
P-P
F = 0.1赫兹到10赫兹
内华达州/ √Hz的F = 1千赫
FA / √Hz的F = 1千赫
MCP6143芯片选择（ CS ）电气特性
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 1.4V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/2, R
L
= 1 MΩ到V
DD
/ 2，和C
L
= 60 pF的。
参数
CS低电平规范
CS逻辑门限，低
CS输入电流，低
CS高规格
CS逻辑门限，高
CS输入电流，高
CS输入高电平，接地电流
放大器输出泄漏， CS高
动态规范
CS低电平到放大器输出开启时间
CS高电平到放大器输出高阻
迟滞
符号。
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
V
IL
I
CSL
V
SS
—
—
5
V
SS
+0.3
—
V
pA
CS = V
SS
V
IH
I
CSH
I
SS
I
OLEAK
V
DD
–0.3
—
—
—
—
5
-20
20
V
DD
—
—
—
V
pA
pA
pA
CS = V
DD
CS = V
DD
CS = V
DD
t
ON
t
关闭
V
HYST
—
—
—
2
10
0.6
50
—
—
ms
G = + 1V / V ， CS = 0.3V至
V
OUT
= 0.9V
DD
/2
G = + 1V / V ， CS = V
DD
-0.3V到
V
OUT
= 0.1V
DD
/2
V
DD
= 5.0V
μ
s
V
CS
V
IL
t
ON
V
IH
t
关闭
高-Z
V
OUT
高-Z
-0.6
μA
（典型值）。
I
SS
-20 PA（典型值）。
I
CS
5 PA（典型值）。
-20 PA（典型值）。
5 PA（典型值）。
图1-1：
片选（ CS ）时序
图（ MCP6143只） 。
2005年Microchip的科技公司
DS21668B第3页
MCP6141/2/3/4
温度特性
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 1.4V至+ 5.5V ，V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 5引脚SOT- 23
热阻， 6L- SOT- 23
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - SOIC
热阻，8 - MSOP
热阻， 14L - PDIP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
注1 ：
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
—
—
—
—
—
256
230
85
163
206
70
120
100
—
—
—
—
—
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-40
-65
—
—
—
—
+85
+125
+125
+150
°C
°C
°C
°C
工业级温度部件
扩展部分的温度
（注1 ）
符号。
分钟。
典型值。
MAX 。单位
条件
在MCP6141 / 2/ 3/4系列工业级温度运算放大器工作在扩展温度范围内，但与
性能降低。在任何情况下，内部结点温度（T
J
）不应超过绝对
+ 150° C最大规格。
DS21668B第4页
2005年Microchip的科技公司
MCP6141/2/3/4
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，T
A
= 25 ° C，V
DD
= + 1.4V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/2, R
L
= 1 MΩ到V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/ 2，和C
L
= 60 pF的。
14%
出现次数的百分比
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
-3
-2
-1
0
1
2
3
输入失调电压（MV ）
出现次数的百分比
1200年样本
V
DD
= 1.4V
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
-3
-2
-1
0
1
2
3
输入失调电压（MV ）
1200年样本
V
DD
= 5.5V
图2-1：
V
DD
= 1.4V.
18%
出现次数的百分比
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
-10
-8
-6
输入失调电压为
图2-4：
V
DD
= 5.5V.
30%
出现次数的百分比
25%
20%
15%
10%
5%
0%
输入失调电压为
235样本
V
DD
= 1.4V
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
235样本
V
DD
= 5.5V
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
-4
-2
0
2
4
6
8
10
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
输入失调电压漂移（ μV / ° C）
输入失调电压漂移（ μV / ° C）
图2-2：
V
DD
= 1.4V.
1000
800
600
400
200
0
-200
-400
-600
-800
-1000
V
DD
= 1.4V
输入失调电压漂移
图2-5：
V
DD
= 5.5V.
1000
800
600
400
200
0
-200
-400
-600
-800
-1000
V
DD
= 5.5V
输入失调电压漂移
输入失调电压（ μV ）
T
A
= +125°C
T
A
= +85°C
输入失调电压（ μV ）
T
A
= +125°C
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= -40°C
-0.4
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
T
A
= +25°C
T
A
= -40°C
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
共模输入电压（ V）
共模输入电压（ V）
图2-3：
输入失调电压 -
共模输入电压在V
DD
= 1.4V.
图2-6：
输入失调电压 -
共模输入电压在V
DD
= 5.5V.
2005年Microchip的科技公司
DS21668B第5页
6.0
MCP6141/2/3/4
600 nA的，非单位增益，轨到轨输入/输出运算放大器
产品特点：
低静态电流： 600 nA的/放大器（典型值）
增益带宽积： 100千赫（典型值）
稳定的10 V / V或更高的增益
轨到轨输入/输出
宽电源电压范围： 1.4V至6.0V
在单，双和四可用
片选（ CS ）与MCP6143
可在5引脚和6引脚SOT- 23封装
温度范围：
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
- 扩展： -40 ° C至+ 125°C
描述：
在MCP6141 / 2/ 3/4系列非单位增益稳定
Microchip的运算放大器（运放）
科技公司的单电源电压工作
低至1.4V ，同时提请小于1μA （最大值）
静态电流每路放大器。这些设备是
还旨在支持轨到轨输入和输出
操作。功能支持这一组合
电池供电的便携式应用。
在MCP6141 / 2 /3/4放大器的增益带宽
100 kHz的产品（典型值），可保持稳定的收益
10 V / V或更高。这些规范使得这些运
放大器适合于电池供电应用
其中，来自放大器更高的频率响应
是必须的。
在MCP6141 / 2 /3/4系列运算放大器
单（ MCP6141 ）所提供，带片选
（ CS ） （ MCP6143 ） ，双（ MCP6142 ）和四
（ MCP6144 ）配置。该MCP6141器件
可在5引脚SOT- 23封装，
MCP6143器件采用6引脚SOT- 23
封装。
应用范围：
收费站标签
可穿戴式产品
温度测量
电池供电
设计辅助工具：
SPICE宏模型
FilterLab设
软件
Mindi 模拟工具
Microchip高级器件选型器（ MAPS ）
模拟演示和评估板
应用笔记
封装类型
MCP6141
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 NC
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
MCP6143
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 CS
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
相关设备：
MCP6041 / 2 /3/4 ：单位增益稳定运算放大器
MCP6141
SOT-23-5
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+ 3
4 V
IN
–
5 V
DD
MCP6143
SOT-23-6
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+ 3
6 V
DD
5 CS
4 V
IN
–
典型用途
R
1
V
1
R
2
V
2
R
3
V
3
MCP614X
V
REF
反相，求和放大器
R
F
V
OUT
MCP6142
PDIP ， SOIC ， MSOP
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
SS
4
8 V
DD
MCP6144
PDIP ， SOIC ， TSSOP
V
OUTA
1
14 V
OUTD
13 V
IND
–
12 V
IND
+
11 V
SS
10 V
INC。
+
9 V
INC。
–
8 V
OUTC
7 V
OUTB
V
INA
– 2
6 V
INB
– V
INA
+ 3
5 V
INB
+
V
DD
4
V
INB
+ 5
V
INB
– 6
V
OUTB
7
2009年Microchip的科技公司
DS21668D第1页
MCP6141/2/3/4
1.0
电动
特征
注意：
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在操作列表中标明本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
SEE
第4.1.2节“输入电压和电流限制” 。
绝对最大额定值
V
DD
– V
SS
........................................................................7.0V
目前在模拟输入引脚......................................... ± 2毫安
模拟输入（V
IN
+, V
IN
–) ........ V
SS
= 1.0V至V
DD
+ 1.0V
所有其它输入和输出......... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流连续................................
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
存储温度................................... -65 ° C至+ 150°C
最高结温（T
J
)......................... .+150°C
ESD保护所有引脚（ HBM ， MM ）
.............. ≥
4千伏; 400V
DC电气特性
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 1.4V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/2, R
L
= 1 MΩ到V
L
和CS接低电平（参见
图1-2
和
图1-3 ） 。
参数
输入失调
输入失调电压
温度漂移
符号
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
ΔV
OS
/ΔT
A
民
-3
—
—
70
—
—
—
—
—
—
V
SS
0.3
62
60
60
95
典型值
—
±1.8
±10
85
1
20
1200
1
10 ||6
10
13
||6
—
80
75
80
115
13
最大
+3
—
—
—
—
100
5000
—
—
—
V
DD
+0.3
—
—
—
—
单位
mV
μV/°C
μV/°C
dB
pA
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
V
dB
dB
dB
dB
条件
V
CM
= V
SS
V
CM
= V
SS
, T
A
= -40 ° C至+ 85°C
V
CM
= V
SS
,
T
A
= + 85 ° C至+ 125°C
V
CM
= V
SS
电源抑制
输入偏置电流和阻抗
输入偏置电流
工业温度
扩展温度
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入范围
共模抑制比
PSRR
I
B
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
V
CMR
CMRR
CMRR
CMRR
T
A
= +85°
T
A
= +125°
V
DD
= 5V, V
CM
= -0.3V至5.3V
V
DD
= 5V, V
CM
= 2.5V至5.3V
V
DD
= 5V, V
CM
= -0.3V至2.5V
R
L
= 50 kΩ到V
L
,
V
OUT
= 0.1V至V
DD
0.1V
R
L
= 50 kΩ到V
L
,
0.5V的输入过驱动
R
L
= 50 kΩ到V
L
,
A
OL
≥
95分贝
V
DD
= 1.4V
V
DD
= 5.5V
注1
I
O
= 0
开环增益
直流开环增益（大信号）
产量
最大输出电压摆幅
线性区输出电压摆幅
输出短路电流
电源
电源电压
每个放大器器静态电流
V
DD
I
Q
1.4
0.3
—
0.6
6.0
1.0
V
A
V
OL
, V
OH
V
OVR
I
SC
I
SC
V
SS
+ 10
V
SS
+ 100
—
—
—
—
2
20
V
DD
10
V
DD
100
—
—
mV
mV
mA
mA
A
OL
注1 ：
日期代码2008年2月以后的所有部件都经过筛选，以确保在V操作
DD
= 6.0V 。然而，该
其他的最小和最大规格为1.8V和5.5V测量
2009年Microchip的科技公司
DS21668D第3页
MCP6141/2/3/4
AC电气特性
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 1.4V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/2, R
L
= 1 MΩ到V
L
, C
L
= 60 pF和CS接低电平（参见
图1-2
和
图1-3 ） 。
参数
交流响应
增益带宽积
压摆率
相位裕度
噪音
输入电压噪声
输入电压噪声密度
输入电流噪声密度
符号
增益带宽积
SR
PM
E
ni
e
ni
i
ni
民
—
—
—
—
—
—
典型值
100
24
60
5.0
170
0.6
最大
—
—
—
—
—
—
单位
千赫
V / ms的
°
V
P-P
G = +10 V / V
条件
F = 0.1赫兹到10赫兹
内华达州/ √Hz的F = 1千赫
FA / √Hz的F = 1千赫
MCP6143芯片选择（ CS ）电气特性
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 1.4V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/2, R
L
= 1 MΩ到V
L
和C
L
= 60 pF的（参照
图1-2
和
图1-3 ） 。
参数
CS低电平规范
CS逻辑门限，低
CS输入电流，低
CS高规格
CS逻辑门限，高
CS输入电流，高
CS输入高电平，接地电流
放大器输出泄漏， CS高
动态规范
CS低电平到放大器输出开启时间
CS高电平到放大器输出高阻
迟滞
符号
民
典型值
最大
单位
条件
V
IL
I
CSL
V
IH
I
CSH
I
SS
I
OLEAK
t
ON
t
关闭
V
HYST
V
SS
—
—
5
V
SS
+0.3
—
V
pA
CS = V
SS
V
DD
–0.3
—
—
—
—
5
-20
20
V
DD
—
—
—
V
pA
pA
pA
CS = V
DD
CS = V
DD
CS = V
DD
G = + 1V / V ， CS = 0.3V至
V
OUT
= 0.9V
DD
/2
G = + 1V / V ， CS = V
DD
-0.3V到
V
OUT
= 0.1V
DD
/2
V
DD
= 5.0V
—
—
—
2
10
0.6
50
—
—
ms
s
V
CS
V
IL
t
ON
V
IH
t
关闭
高-Z
-0.6 A
（典型值）
V
OUT
高-Z
I
SS
-20 pA的
（典型值）
I
CS
5 PA（典型值）
-20 pA的
（典型值）
5 PA（典型值）
图1-1：
片选（ CS ）时序
图（ MCP6143只） 。
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2009年Microchip的科技公司
MCP6141/2/3/4
温度特性
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 1.4V至+ 5.5V ，V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 5引脚SOT- 23
热阻， 6L- SOT- 23
热阻，8 - MSOP
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - SOIC
热阻， 14L - PDIP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
注1 ：
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
—
—
—
—
—
256
230
206
85
163
70
120
100
—
—
—
—
—
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-40
-65
—
—
—
—
+85
+125
+125
+150
°C
°C
°C
°C
工业级温度部件
扩展部分的温度
（注1 ）
符号。
分钟。
典型值。
MAX 。单位
条件
在MCP6141 / 2/ 3/4系列工业级温度运算放大器工作在扩展温度范围内，但与
性能降低。在任何情况下，内部结点温度（T
J
）不得超过绝对
+ 150° C最大规格。
1.1
测试电路
用于直流和交流测试的测试电路
所示
图1-2
和
图1-2 。
旁路
电容器被布置根据所讨论的规则
in
第4.6节“电源旁路” 。
V
DD
R
N
0.1 F 1 F
V
OUT
C
L
V
DD
/2 R
G
R
F
V
L
R
L
V
IN
MCP614X
图1-2：
交流和直流参数测试电路
大多数同相增益条件。
V
DD
R
N
0.1 F 1 F
V
OUT
C
L
V
IN
R
G
R
F
V
L
R
L
V
DD
/2
MCP614X
图1-3：
交流和直流参数测试电路
大多数反相增益条件。
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