MCP606/7/8/9
2.5V至6.0V微功耗CMOS运算放大器
特点
低输入失调电压： 250 μV （最大值）
轨到轨输出
低输入偏置电流： 80 pA的（最大为
+85°C)
低静态电流： 25 μA （最大值）
电源电压： 2.5V至6.0V
单位增益稳定
片选（ CS ）功能：
MCP608
工业级温度范围： -40 ° C至+ 85°C
无相位反转
提供单，双和四包
描述
该MCP606 / 7 /8/9系列运算放大器（运
安培） ，Microchip的公司是单位增益
稳定的低失调电压（ 250 μV ，最大值） 。
性能包括轨至轨输出
摆幅能力和低输入偏置电流（ 80 Pa的
+ 85°C ，最大值）。这些特性使得这个家庭的
运算放大器非常适合于单电源，精密，
高阻抗，电池供电的应用。
单是在标准的8引脚PDIP ， SOIC两种封装
和TSSOP封装，以及采用SOT- 23-5
封装。带片选的单MCP608 （ CS ）是
在标准的8引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装
包。双MCP607提供的标准中
8引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装。最后，该
四MCP609是在标准的14引脚PDIP提供，
SOIC和TSSOP封装。所有器件都完全
从-40 ° C至+ 85°C ，与电源
从2.5V到6.0V 。
典型应用
电池供电仪器
高阻抗的应用
应变片
医疗器械
测试设备
封装类型
MCP606
PDIP ， SOIC ， TSSOP
NC
V
IN
–
V
IN
+
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
DD
V
OUT
NC
MCP606
SOT-23-5
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+ 3
5 V
DD
4 V
IN
–
设计工具
SPICE宏模型
FilterLab设
软件
Mindi电路设计&模拟器
模拟演示和评估板
应用笔记
MCP607
PDIP ， SOIC ， TSSOP
V
OUTA
V
INA
–
V
INA
+
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
MCP608
PDIP ， SOIC ， TSSOP
8
7
6
5
CS
V
DD
V
OUT
NC
典型用途
V
OUT
= V
LM
+
I
L
R
SEN
(
RF
R
G
)
I
L
加载
(V
LP
)
V
OUT
NC 1
V
DD
V
OUTB
V
IN
– 2
V
INB
– V
IN
+ 3
V
INB
+ V
SS
4
R
G
5 kΩ
2.5V
to
6.0V
R
SEN
10Ω
R
F
50 kΩ
MCP609
PDIP ， SOIC ， TSSOP
V
OUTA
V
INA
–
V
INA
+
V
DD
V
INB
+
V
INB
–
V
OUTB
1
2
3
4
5
6
7
14 V
OUTD
13 V
IND
–
12 V
IND
+
11 V
SS
10 V
INC。
+
9 V
INC。
–
8 V
OUTC
MCP606
加载
(V
LM
)
低端电池电流传感器
2009年Microchip的科技公司
DS11177F第1页
MCP606/7/8/9
1.0
电动
特征
注意：
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在操作列表中标明本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
SEE
第4.1.2节“输入电压和电流限制” 。
绝对最大额定值
V
DD
– V
SS
........................................................................7.0V
在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安
模拟输入（V
IN
+, V
IN
–) ........ V
SS
= 1.0V至V
DD
+ 1.0V
所有其它输入和输出......... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流连续................................
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
最高结温（T
J
)........................ .+150° C
ESD保护所有引脚（ HBM ， MM ）
.............. ≥
3千伏; 200V
DC特性
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 2.5V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= + 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/2, R
L
= 100 kΩ到V
L
和CS接低电平（参见
图1-2
和
图1-3 ） 。
参数
输入失调
输入失调电压
输入失调漂移与温度
电源抑制比
输入偏置电流和阻抗
输入偏置电流
在温度
输入失调电流偏置
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入范围
共模抑制比
开环增益
直流开环增益
（大信号）
直流开环增益
（大信号）
产量
最大输出电压摆幅
V
OL
, V
OH
V
OL
, V
OH
线性输出电压范围
V
OUT
V
OUT
输出短路电流
电源
电源电压
每个放大器器静态电流
注1 ：
V
DD
I
Q
2.5
—
—
18.7
6.0
25
V
A
I
O
= 0
I
SC
I
SC
V
SS
+ 15
V
SS
+ 45
V
SS
+ 50
V
SS
+ 100
—
—
—
—
—
—
7
17
V
DD
– 20
V
DD
– 60
V
DD
– 50
V
DD
– 100
—
—
mV
mV
mV
mV
mA
mA
R
L
= 25 kΩ到V
L
,
0.5V的输入过驱动
R
L
= 5 kΩ到V
L
,
0.5V的输入过驱动
R
L
= 25 kΩ到V
L
,
A
OL
≥
105分贝
R
L
= 5 kΩ到V
L
,
A
OL
≥
百分贝
V
DD
= 2.5V
V
DD
= 5.5V
A
OL
A
OL
105
100
121
118
—
—
dB
dB
R
L
= 25 kΩ到V
L
,
V
OUT
= 50 mV至V
DD
= 50毫伏
R
L
= 5 kΩ到V
L
,
V
OUT
= 0.1V至V
DD
– 0.1V
V
CMR
CMRR
V
SS
– 0.3
75
91
V
DD
– 1.1
—
V
dB
CMRR
≥
75分贝
V
DD
= 5V, V
CM
= -0.3V至3.9V
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
—
—
—
—
—
1
—
1
10
13
||6
10
13
||6
—
80
—
—
—
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
T
A
= +85°C
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
PSRR
-250
—
80
—
±1.8
93
+250
—
—
V
μV / ° （C T）
A
= -40 ° C至+ 85°C
dB
符号
民
典型值
最大
单位
条件
与日期码2007年11月及以后的所有部件都经过筛选，以确保在V操作
DD
= 6.0V 。不过，
其他的最小和最大规格为2.5V和5.5V测量。
2009年Microchip的科技公司
DS11177F第3页
MCP606/7/8/9
温度特性
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 2.5V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 5引脚SOT23
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - SOIC
热阻，8 - TSSOP
热阻， 14L - PDIP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
注1 ：
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
—
—
—
—
220.7
89.3
149.5
139
70
95.3
100
—
—
—
—
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+85
+125
+150
°C
°C
°C
注1
符号
民
典型值
最大
单位
条件
该MCP606 / 7 /8/9可工作在扩展级温度范围，但性能有所下降。在任何情况下，该
结温（T
J
）不得超过+ 150°C的绝对最大规格。
1.1
测试电路
用于直流和交流测试的测试电路
所示
图1-2
和
图1-3 。
旁路
电容器被布置根据所讨论的规则
in
第4.5节“电源旁路” 。
V
DD
R
N
0.1 F 1 F
V
OUT
C
L
V
DD
/2 R
G
R
F
V
L
R
L
V
IN
MCP60X
图1-2：
交流和直流参数测试电路
大多数同相增益条件。
V
DD
R
N
0.1 F 1 F
V
OUT
C
L
V
IN
R
G
R
F
V
L
R
L
V
DD
/2
MCP60X
图1-3：
交流和直流参数测试电路
大多数反相增益条件。
2009年Microchip的科技公司
DS11177F第5页
QQ：2881677436 复制
