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IXQFWLRQDO RSHUDWLRQ RI WKH GHYLFH DW WKRVH RU DQ \\ RWKHU FRQGLWLRQV

DERYH WKRVH LQGLFDWHG LQ WKH RSHUDWLRQDO OLVWLQJV RI WKLV VSHFLILFDWLRQ LV

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9

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9

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9

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9

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9

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&6 + LJK * 1 ' &XUUHQW

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' <1 $ 0,& 63 （ & ，）， & 7216美元

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W

21

V

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V

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8QOHVV RWKHUZLVH VSHFLILHG DOO OLPLWV DUH VSHFLILHG IRU 9

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6WRUDJH 7HPSHUDWXUH 5DQJH

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θ

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θ

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θ

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θ

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θ

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θ

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4XLHVFHQW &XUUHQW YV ？ 7HPSHUDWXUH ？

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8QOHVV RWKHUZLVH LQGLFDWHG 7

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3KDVH 0DUJLQ * DLQ ％ DQGZLGWK YV ？

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),*85(

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） UHTXHQF \\ ？

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“ 6 ????? & ？ SDJH ？

MCP606/7/8/9

2.5V至6.0V微功耗CMOS运算放大器

特点

低输入失调电压： 250 μV （最大值）

轨到轨输出

低输入偏置电流： 80 pA的（最大为

+85°C)

低静态电流： 25 μA （最大值）

电源电压： 2.5V至6.0V

单位增益稳定

片选（ CS ）功能：

MCP608

工业级温度范围： -40 ° C至+ 85°C

无相位反转

提供单，双和四包

描述

该MCP606 / 7 /8/9系列运算放大器（运

安培），Microchip的公司是单位增益

稳定的低失调电压（ 250 μV ，最大值）。

性能包括轨至轨输出

摆幅能力和低输入偏置电流（ 80 Pa的

+ 85°C ，最大值）。这些特性使得这个家庭的

运算放大器非常适合于单电源，精密，

高阻抗，电池供电的应用。

单是在标准的8引脚PDIP ， SOIC两种封装

和TSSOP封装，以及采用SOT- 23-5

封装。带片选的单MCP608 （ CS ）是

在标准的8引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装

包。双MCP607提供的标准中

8引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装。最后，该

四MCP609是在标准的14引脚PDIP提供，

SOIC和TSSOP封装。所有器件都完全

从-40 ° C至+ 85°C ，与电源

从2.5V到6.0V 。

典型应用

电池供电仪器

高阻抗的应用

应变片

医疗器械

测试设备

封装类型

MCP606

PDIP ， SOIC ， TSSOP

NC

V

IN

–

V

IN

+

V

SS

1

2

3

4

8

7

6

5

NC

V

DD

V

OUT

NC

MCP606

SOT-23-5

V

OUT

1

V

SS

2

V

IN

+ 3

5 V

DD

4 V

IN

–

设计工具

SPICE宏模型

FilterLab设

软件

Mindi电路设计&模拟器

模拟演示和评估板

应用笔记

MCP607

PDIP ， SOIC ， TSSOP

V

OUTA

V

INA

–

V

INA

+

V

SS

1

2

3

4

8

7

6

5

MCP608

PDIP ， SOIC ， TSSOP

8

7

6

5

CS

V

DD

V

OUT

NC

典型用途

V

OUT

= V

LM

+

I

L

R

SEN

(

RF

R

G

)

I

L

加载

(V

LP

)

V

OUT

NC 1

V

DD

V

OUTB

V

IN

– 2

V

INB

– V

IN

+ 3

V

INB

+ V

SS

4

R

G

5 kΩ

2.5V

to

6.0V

R

SEN

10Ω

R

F

50 kΩ

MCP609

PDIP ， SOIC ， TSSOP

V

OUTA

V

INA

–

V

INA

+

V

DD

V

INB

+

V

INB

–

V

OUTB

1

2

3

4

5

6

7

14 V

OUTD

13 V

IND

–

12 V

IND

+

11 V

SS

10 V

INC。

+

9 V

INC。

–

8 V

OUTC

MCP606

加载

(V

LM

)

低端电池电流传感器

2008 Microchip的技术公司

DS11177E第1页

MCP606/7/8/9

1.0

电动

特征

注意：

条件超过上述“绝对在列

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

装置。这是一个额定值只和功能操作

该设备在这些或任何其他条件超出上述

在操作列表中标明本规范不

暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其

期间可能会影响器件的可靠性。

SEE

第4.1.2节“输入电压和电流限制” 。

绝对最大额定值

V

DD

– V

SS

........................................................................7.0V

在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安

模拟输入（V

IN

+, V

IN

–) ........ V

SS

= 1.0V至V

DD

+ 1.0V

所有其它输入和输出......... V

SS

- 0.3V至V

DD

+ 0.3V

差分输入电压...................................... | V

DD

– V

SS

|

输出短路电流.................................连续

电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安

储存温度..................................- 65 ° C至+ 150°C

最高结温（T

J

) ........................ .+150° C

ESD保护所有引脚（ HBM ， MM ）

.............. ≥

3千伏; 200V

DC特性

电气特性：

除非另有说明，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，T

A

= + 25 ° C，V

CM

= V

DD

/2,

V

OUT

≈

V

DD

/2, V

L

= V

DD

/2, R

L

= 100 kΩ到V

L

和CS接低电平（参见

图1-2

和

图1-3 ）。

参数

输入失调

输入失调电压

输入失调漂移与温度

电源抑制比

输入偏置电流和阻抗

输入偏置电流

在温度

输入失调电流偏置

共模输入阻抗

差分输入阻抗

共模

共模输入范围

共模抑制比

开环增益

直流开环增益

（大信号）

直流开环增益

（大信号）

产量

最大输出电压摆幅

V

OL

, V

OH

V

OL

, V

OH

线性输出电压范围

V

OUT

V

OUT

输出短路电流

电源

电源电压

每个放大器器静态电流

注1 ：

V

DD

I

Q

2.5

—

—

18.7

6.0

25

V

A

I

O

= 0

I

SC

I

SC

V

SS

+ 15

V

SS

+ 45

V

SS

+ 50

V

SS

+ 100

—

—

—

—

—

—

7

17

V

DD

– 20

V

DD

– 60

V

DD

– 50

V

DD

– 100

—

—

mV

mV

mV

mV

mA

mA

R

L

= 25 kΩ到V

L

,

0.5V的输入过驱动

R

L

= 5 kΩ到V

L

,

0.5V的输入过驱动

R

L

= 25 kΩ到V

L

,

A

OL

≥

105分贝

R

L

= 5 kΩ到V

L

,

A

OL

≥

百分贝

V

DD

= 2.5V

V

DD

= 5.5V

A

OL

A

OL

105

100

121

118

—

—

dB

dB

R

L

= 25 kΩ到V

L

,

V

OUT

= 50 mV至V

DD

= 50毫伏

R

L

= 5 kΩ到V

L

,

V

OUT

= 0.1V至V

DD

– 0.1V

V

CMR

CMRR

V

SS

– 0.3

75

91

V

DD

– 1.1

—

V

dB

CMRR

≥

75分贝

V

DD

= 5V, V

CM

= -0.3V至3.9V

I

B

I

B

I

OS

Z

CM

Z

差异

—

—

—

—

—

1

—

1

10

13

||6

10

13

||6

—

80

—

—

—

pA

pA

pA

Ω|| pF的

Ω|| pF的

T

A

= +85°C

V

OS

ΔV

OS

/ΔT

A

PSRR

-250

—

80

—

±1.8

93

+250

—

—

V

μV / ° （C T）

A

= -40 ° C至+ 85°C

dB

符号

民

典型值

最大

单位

条件

与日期码2007年11月及以后的所有部件都经过筛选，以确保在V操作

DD

= 6.0V 。不过，

其他的最小和最大规格为2.5V和5.5V测量。

2008 Microchip的技术公司

DS11177E第2页

MCP606/7/8/9

AC特性

电气特性：

除非另有说明，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，T

A

= + 25 ° C，V

CM

= V

DD

/2,

V

OUT

≈

V

DD

/2, V

L

= V

DD

/2, R

L

= 100 kΩ到V

L

和C

L

= 60 pF的，而CS接低电平（参见

图1-2

和

图1-3 ）。

参数

交流响应

增益带宽积

相位裕度

压摆率

噪音

输入噪声电压

输入噪声电压密度

输入噪声电流密度

E

ni

e

ni

i

ni

—

—

—

2.8

38

3

—

—

—

V

P-P

纳伏/赫兹÷

FA / √Hz的

F = 0.1赫兹到10赫兹

F = 1千赫

F = 1千赫

增益带宽积

PM

SR

—

—

—

155

62

0.08

—

—

—

千赫

°

V / μs的

G = + 1V / V

符号

民

典型值

最大

单位

条件

MCP608片选特性

电气特性：

除非另有说明，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，T

A

= + 25 ° C，V

CM

= V

DD

/2,

V

OUT

≈

V

DD

/2, V

L

= V

DD

/2, R

L

= 100 kΩ到V

L

和C

L

= 60 pF的，而CS接低电平（参见

图1-2

和

图1-3 ）。

参数

CS低电平规范

CS逻辑门限，低

CS输入电流，低

CS高规格

CS逻辑门限，高

CS输入电流，高

CS输入高电平，接地电流

放大器输出泄漏， CS高

CS动态规范

CS低电平到放大器输出开启时间

CS高到放大器输出高阻

CS迟滞

t

ON

t

关闭

V

HYST

—

—

—

9

0.1

0.6

100

—

—

s

s

V

CS = 0.2V

DD

到V

OUT

= 0.9 V

DD

/2,

G = + 1V / V ，R

L

= 1 kΩ到V

SS

CS = 0.8V

DD

到V

OUT

= 0.1 V

DD

/2,

G = + 1V / V ，R

L

= 1 kΩ到V

SS

V

DD

= 5.0V

V

IH

I

CSH

I

SS

I

O（泄漏）

0.8 V

DD

—

-2

—

—

0.01

-0.05

10

V

DD

0.1

—

—

V

A

A

nA

CS = V

DD

CS = V

DD

CS = V

DD

V

IL

I

CSL

V

SS

-0.1

—

0.01

0.2 V

DD

—

V

A

CS = 0.2V

DD

符号

民

典型值

最大

单位

条件

CS

t

ON

V

OUT

I

SS

I

CS

高阻

-50 nA的

（典型值）

-50 nA的

（典型值）

V

IL

V

IH

t

关闭

高阻

-18.7 A

（典型值）

-50 nA的

（典型值）

-50 nA的

（典型值）

图1-1：

时序图的CS

引脚上的MCP608 。

2008 Microchip的技术公司

DS11177E第3页

MCP606/7/8/9

温度特性

电气特性：

除非另有说明，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V和V

SS

= GND 。

参数

温度范围

特定网络版温度范围

工作温度范围

存储温度范围

封装热阻

热阻， 5引脚SOT23

热阻，8 - PDIP

热阻，8 - SOIC

热阻，8 - TSSOP

热阻， 14L - PDIP

热阻，14 - SOIC

热阻，14 - TSSOP

注1 ：

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

—

—

—

—

—

—

—

256

85

163

124

70

120

100

—

—

—

—

—

—

—

° C / W

° C / W

° C / W

° C / W

° C / W

° C / W

° C / W

T

A

T

A

T

A

-40

-40

-65

—

—

—

+85

+125

+150

°C

°C

°C

注1

符号

民

典型值

最大

单位

条件

该MCP606 / 7 /8/9可工作在扩展级温度范围，但性能有所下降。在任何情况下，该

结温（T

J

）不得超过+ 150°C的绝对最大规格。

1.1

测试电路

用于直流和交流测试的测试电路

所示

图1-2

和

图1-3 。

旁路

电容器被布置根据所讨论的规则

in

第4.5节“电源旁路” 。

V

DD

R

N

0.1 F 1 F

V

OUT

C

L

V

DD

/2 R

G

R

F

V

L

R

L

V

IN

MCP60X

图1-2：

交流和直流参数测试电路

大多数同相增益条件。

V

DD

R

N

0.1 F 1 F

V

OUT

C

L

V

IN

R

G

R

F

V

L

R

L

V

DD

/2

MCP60X

图1-3：

交流和直流参数测试电路

大多数反相增益条件。

DS11177E第4页

2008 Microchip的技术公司

MCP606/7/8/9

2.0

注意：

典型性能曲线

提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限

提供，仅供参考样本和。在所列特性

未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外

工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。

注意：

除非另有说明，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，T

A

= + 25 ° C，V

CM

= V

DD

/2, V

OUT

≈

V

DD

/2,

V

L

= V

DD

/2, R

L

= 100 kΩ到V

L

, C

L

= 60 pF的，而CS接低电平。

匹配的字符串的百分比（）

16%

14%

12%

10%

8%

6%

4%

2%

0%

0

-250

-200

-150

-100

-50

50

100

150

200

250

1200年样本

V

DD

= 5.5V

16%

匹配的字符串的百分比

14%

12%

10%

8%

6%

4%

2%

0%

-8

-6

-4

-2

0

2

4

6

输入失调电压漂移（ μV / ° C）

8

206样本

V

DD

= 5.5V

输入失调电压（ μV ）

图2-1：

V

DD

= 5.5V.

匹配的字符串的百分比（）

16%

14%

12%

10%

8%

6%

4%

2%

0%

输入失调电压为

图2-4：

输入失调电压漂移

幅度在V

DD

= 5.5V.

18%

匹配的字符串的百分比

206样本

V

DD

= 2.5V

1200年样本

V

DD

= 2.5V

16%

14%

12%

10%

8%

6%

4%

2%

0%

-50

0

-250

-200

-150

-100

50

100

150

200

250

输入失调电压（ μV ）

-8

-6

-4

-2

0

2

4

6

输入失调电压漂移（ μV / ° C）

8

图2-2：

V

DD

= 2.5V.

22

20

18

16

14

12

10

8

6

4

2

0

输入失调电压为

图2-5：

输入失调电压漂移

幅度在V

DD

= 2.5V.

24

静态电流

每个放大器（ μA ）

22

20

18

16

14

12

V

DD

= 2.5V

V

DD

= 5.5V

静态电流

每个放大器（ μA ）

T

A

= +85°C

T

A

= +25°C

T

A

= -40°C

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5

电源电压（V）的

-50

-25

0

25

50

75

100

环境温度（ ℃）

图2-3：

静态电流 -

电源电压。

图2-6：

静态电流 -

环境温度。

2008 Microchip的技术公司

DS11177E第5页

MCP606/7/8/9

2.5V至6.0V微功耗CMOS运算放大器

特点

低输入失调电压： 250 μV （最大值）

轨到轨输出

低输入偏置电流： 80 pA的（最大为

+85°C)

低静态电流： 25 μA （最大值）

电源电压： 2.5V至6.0V

单位增益稳定

片选（ CS ）功能：

MCP608

工业级温度范围： -40 ° C至+ 85°C

无相位反转

提供单，双和四包

描述

该MCP606 / 7 /8/9系列运算放大器（运

安培），Microchip的公司是单位增益

稳定的低失调电压（ 250 μV ，最大值）。

性能包括轨至轨输出

摆幅能力和低输入偏置电流（ 80 Pa的

+ 85°C ，最大值）。这些特性使得这个家庭的

运算放大器非常适合于单电源，精密，

高阻抗，电池供电的应用。

单是在标准的8引脚PDIP ， SOIC两种封装

和TSSOP封装，以及采用SOT- 23-5

封装。带片选的单MCP608 （ CS ）是

在标准的8引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装

包。双MCP607提供的标准中

8引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装。最后，该

四MCP609是在标准的14引脚PDIP提供，

SOIC和TSSOP封装。所有器件都完全

从-40 ° C至+ 85°C ，与电源

从2.5V到6.0V 。

典型应用

电池供电仪器

高阻抗的应用

应变片

医疗器械

测试设备

封装类型

MCP606

PDIP ， SOIC ， TSSOP

NC

V

IN

–

V

IN

+

V

SS

1

2

3

4

8

7

6

5

NC

V

DD

V

OUT

NC

MCP606

SOT-23-5

V

OUT

1

V

SS

2

V

IN

+ 3

5 V

DD

4 V

IN

–

设计工具

SPICE宏模型

FilterLab设

软件

Mindi电路设计&模拟器

模拟演示和评估板

应用笔记

MCP607

PDIP ， SOIC ， TSSOP

V

OUTA

V

INA

–

V

INA

+

V

SS

1

2

3

4

8

7

6

5

MCP608

PDIP ， SOIC ， TSSOP

8

7

6

5

CS

V

DD

V

OUT

NC

典型用途

V

OUT

= V

LM

+

I

L

R

SEN

(

RF

R

G

)

I

L

加载

(V

LP

)

V

OUT

NC 1

V

DD

V

OUTB

V

IN

– 2

V

INB

– V

IN

+ 3

V

INB

+ V

SS

4

R

G

5 kΩ

2.5V

to

6.0V

R

SEN

10Ω

R

F

50 kΩ

MCP609

PDIP ， SOIC ， TSSOP

V

OUTA

V

INA

–

V

INA

+

V

DD

V

INB

+

V

INB

–

V

OUTB

1

2

3

4

5

6

7

14 V

OUTD

13 V

IND

–

12 V

IND

+

11 V

SS

10 V

INC。

+

9 V

INC。

–

8 V

OUTC

MCP606

加载

(V

LM

)

低端电池电流传感器

2009年Microchip的科技公司

DS11177F第1页

MCP606/7/8/9

注意事项：

DS11177F第2页

2009年Microchip的科技公司

MCP606/7/8/9

1.0

电动

特征

注意：

条件超过上述“绝对在列

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

装置。这是一个额定值只和功能操作

该设备在这些或任何其他条件超出上述

在操作列表中标明本规范不

暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其

期间可能会影响器件的可靠性。

SEE

第4.1.2节“输入电压和电流限制” 。

绝对最大额定值

V

DD

– V

SS

........................................................................7.0V

在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安

模拟输入（V

IN

+, V

IN

–) ........ V

SS

= 1.0V至V

DD

+ 1.0V

所有其它输入和输出......... V

SS

- 0.3V至V

DD

+ 0.3V

差分输入电压...................................... | V

DD

– V

SS

|

输出短路电流连续................................

电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安

存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C

最高结温（T

J

)........................ .+150° C

ESD保护所有引脚（ HBM ， MM ）

.............. ≥

3千伏; 200V

DC特性

电气特性：

除非另有说明，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，T

A

= + 25 ° C，V

CM

= V

DD

/2,

V

OUT

≈

V

DD

/2, V

L

= V

DD

/2, R

L

= 100 kΩ到V

L

和CS接低电平（参见

图1-2

和

图1-3 ）。

参数

输入失调

输入失调电压

输入失调漂移与温度

电源抑制比

输入偏置电流和阻抗

输入偏置电流

在温度

输入失调电流偏置

共模输入阻抗

差分输入阻抗

共模

共模输入范围

共模抑制比

开环增益

直流开环增益

（大信号）

直流开环增益

（大信号）

产量

最大输出电压摆幅

V

OL

, V

OH

V

OL

, V

OH

线性输出电压范围

V

OUT

V

OUT

输出短路电流

电源

电源电压

每个放大器器静态电流

注1 ：

V

DD

I

Q

2.5

—

—

18.7

6.0

25

V

A

I

O

= 0

I

SC

I

SC

V

SS

+ 15

V

SS

+ 45

V

SS

+ 50

V

SS

+ 100

—

—

—

—

—

—

7

17

V

DD

– 20

V

DD

– 60

V

DD

– 50

V

DD

– 100

—

—

mV

mV

mV

mV

mA

mA

R

L

= 25 kΩ到V

L

,

0.5V的输入过驱动

R

L

= 5 kΩ到V

L

,

0.5V的输入过驱动

R

L

= 25 kΩ到V

L

,

A

OL

≥

105分贝

R

L

= 5 kΩ到V

L

,

A

OL

≥

百分贝

V

DD

= 2.5V

V

DD

= 5.5V

A

OL

A

OL

105

100

121

118

—

—

dB

dB

R

L

= 25 kΩ到V

L

,

V

OUT

= 50 mV至V

DD

= 50毫伏

R

L

= 5 kΩ到V

L

,

V

OUT

= 0.1V至V

DD

– 0.1V

V

CMR

CMRR

V

SS

– 0.3

75

91

V

DD

– 1.1

—

V

dB

CMRR

≥

75分贝

V

DD

= 5V, V

CM

= -0.3V至3.9V

I

B

I

B

I

OS

Z

CM

Z

差异

—

—

—

—

—

1

—

1

10

13

||6

10

13

||6

—

80

—

—

—

pA

pA

pA

Ω|| pF的

Ω|| pF的

T

A

= +85°C

V

OS

ΔV

OS

/ΔT

A

PSRR

-250

—

80

—

±1.8

93

+250

—

—

V

μV / ° （C T）

A

= -40 ° C至+ 85°C

dB

符号

民

典型值

最大

单位

条件

与日期码2007年11月及以后的所有部件都经过筛选，以确保在V操作

DD

= 6.0V 。不过，

其他的最小和最大规格为2.5V和5.5V测量。

2009年Microchip的科技公司

DS11177F第3页

MCP606/7/8/9

AC特性

电气特性：

除非另有说明，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，T

A

= + 25 ° C，V

CM

= V

DD

/2,

V

OUT

≈

V

DD

/2, V

L

= V

DD

/2, R

L

= 100 kΩ到V

L

和C

L

= 60 pF的，而CS接低电平（参见

图1-2

和

图1-3 ）。

参数

交流响应

增益带宽积

相位裕度

压摆率

噪音

输入噪声电压

输入噪声电压密度

输入噪声电流密度

E

ni

e

ni

i

ni

—

—

—

2.8

38

3

—

—

—

V

P-P

纳伏/赫兹÷

FA / √Hz的

F = 0.1赫兹到10赫兹

F = 1千赫

F = 1千赫

增益带宽积

PM

SR

—

—

—

155

62

0.08

—

—

—

千赫

°

V / μs的

G = + 1V / V

符号

民

典型值

最大

单位

条件

MCP608片选特性

电气特性：

除非另有说明，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，T

A

= + 25 ° C，V

CM

= V

DD

/2,

V

OUT

≈

V

DD

/2, V

L

= V

DD

/2, R

L

= 100 kΩ到V

L

和C

L

= 60 pF的，而CS接低电平（参见

图1-2

和

图1-3 ）。

参数

CS低电平规范

CS逻辑门限，低

CS输入电流，低

CS高规格

CS逻辑门限，高

CS输入电流，高

CS输入高电平，接地电流

放大器输出泄漏， CS高

CS动态规范

CS低电平到放大器输出开启时间

CS高到放大器输出高阻

CS迟滞

t

ON

t

关闭

V

HYST

—

—

—

9

0.1

0.6

100

—

—

s

s

V

CS = 0.2V

DD

到V

OUT

= 0.9 V

DD

/2,

G = + 1V / V ，R

L

= 1 kΩ到V

SS

CS = 0.8V

DD

到V

OUT

= 0.1 V

DD

/2,

G = + 1V / V ，R

L

= 1 kΩ到V

SS

V

DD

= 5.0V

V

IH

I

CSH

I

SS

I

O（泄漏）

0.8 V

DD

—

-2

—

—

0.01

-0.05

10

V

DD

0.1

—

—

V

A

A

nA

CS = V

DD

CS = V

DD

CS = V

DD

V

IL

I

CSL

V

SS

-0.1

—

0.01

0.2 V

DD

—

V

A

CS = 0.2V

DD

符号

民

典型值

最大

单位

条件

CS

t

ON

V

OUT

I

SS

I

CS

高阻

-50 nA的

（典型值）

-50 nA的

（典型值）

V

IL

V

IH

t

关闭

高阻

-18.7 A

（典型值）

-50 nA的

（典型值）

-50 nA的

（典型值）

图1-1：

时序图的CS

引脚上的MCP608 。

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2009年Microchip的科技公司

MCP606/7/8/9

温度特性

电气特性：

除非另有说明，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V和V

SS

= GND 。

参数

温度范围

特定网络版温度范围

工作温度范围

存储温度范围

封装热阻

热阻， 5引脚SOT23

热阻，8 - PDIP

热阻，8 - SOIC

热阻，8 - TSSOP

热阻， 14L - PDIP

热阻，14 - SOIC

热阻，14 - TSSOP

注1 ：

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

—

—

—

—

—

—

—

220.7

89.3

149.5

139

70

95.3

100

—

—

—

—

—

—

—

° C / W

° C / W

° C / W

° C / W

° C / W

° C / W

° C / W

T

A

T

A

T

A

-40

-40

-65

—

—

—

+85

+125

+150

°C

°C

°C

注1

符号

民

典型值

最大

单位

条件

该MCP606 / 7 /8/9可工作在扩展级温度范围，但性能有所下降。在任何情况下，该

结温（T

J

）不得超过+ 150°C的绝对最大规格。

1.1

测试电路

用于直流和交流测试的测试电路

所示

图1-2

和

图1-3 。

旁路

电容器被布置根据所讨论的规则

in

第4.5节“电源旁路” 。

V

DD

R

N

0.1 F 1 F

V

OUT

C

L

V

DD

/2 R

G

R

F

V

L

R

L

V

IN

MCP60X

图1-2：

交流和直流参数测试电路

大多数同相增益条件。

V

DD

R

N

0.1 F 1 F

V

OUT

C

L

V

IN

R

G

R

F

V

L

R

L

V

DD

/2

MCP60X

图1-3：

交流和直流参数测试电路

大多数反相增益条件。

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Microchip(微芯)

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MCP607

MICROCHIP/微芯

2443+

23000

SOP8

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MCP607

MICROCHIP/微芯

22+

16000

DIP8

原装正品自家库存

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