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MCP6061/2/4
60 μA ,高精度运算放大器
特点
低失调电压:
±
150 μV (最大值)
低静态电流: 60 μA (典型值)
轨至轨输入和输出
宽电源电压范围: 1.8V至6.0V
增益带宽积: 730千赫(典型值)
单位增益稳定
扩展级温度范围: -40 ° C至+ 125°C
无相位反转
描述
Microchip Technology Inc.的MCP6061 / 2/ 4系列
运算放大器(运放)具有低输入失调
电压(
±
150 μV ,最大值)和轨到轨输入和
输出操作。此系列为单位增益稳定,
730千赫(典型值)的增益带宽积。
这些器件具有单电源电压工作
低至1.8V ,同时提请低静态电流每
放大器( 60 μA ,典型值) 。这些特点使
系列运算放大器非常适合于单电源,高
精度,电池供电applicaitons 。
在MCP6061 / 2/4系列提供单
( MCP6061 ) ,双( MCP6062 )和四( MCP6064 )
精读网络gurations 。
在MCP6061 / 2/4的设计中采用了Microchip
先进的CMOS工艺。所有设备都可用
在扩展级温度范围,与电源
范围为1.8V至6.0V 。
应用
汽车
便携式仪表
传感器调节
电池供电系统
医疗器械
测试设备
模拟滤波器
封装类型
MCP6061
SOIC
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 NC
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
设计工具
SPICE宏模型
FilterLab设
软件
Mindi电路设计&模拟器
Microchip高级器件选型器( MAPS )
模拟演示和评估板
应用笔记
MCP6062
SOIC
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
SS
4
8 V
DD
7 V
OUTB
6 V
INB
5 V
INB
+
MCP6061
的2x3 TDFN *
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
EP
9
8 NC
7 V
DD
5 NC
MCP6062
的2x3 TDFN *
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
SS
4
EP
9
8 V
DD
7 V
OUTB
6 V
INB
5 V
INB
+
典型用途
R
L
Z
IN
MCP6061
C
Z
IN
= R
L
+ j
ω
L
L = R
L
RC
R
回转
V
OUT
6 V
OUT
V
INA
+ 3
MCP6064
SOIC , TSSOP
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
DD
4
V
INB
+ 5
V
INB
– 6
V
OUTB
7
14 V
OUTD
13 V
IND
12 V
IND
+
11 V
SS
10 V
INC。
+
9 V
INC。
8 V
OUTC
*包括裸露的散热焊盘( EP ) ;看
表3-1 。
2009年Microchip的科技公司
DS22189A第1页
MCP6061/2/4
注意事项:
DS22189A第2页
2009年Microchip的科技公司
MCP6061/2/4
1.0
1.1
电动
特征
绝对最大额定值
V
DD
– V
SS
........................................................................7.0V
在输入引脚电流.............................................. ....... ± 2毫安
模拟输入(V
IN
+
, V
IN
-
) .......... V
SS
= 1.0V至V
DD
+ 1.0V
所有其它输入和输出......... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流.................................不断
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
储存温度....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温(T
J
).......................... +150°C
ESD保护所有引脚( HBM , MM )
................ ≥
4千伏; 400V
注意:
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
该设备。这是一个额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的这种操作列表说明
规范是不是暗示。置身于最大额定
长时间会影响器件的荷兰国际集团的条件
可靠性。
SEE
4.1.2 “输入电压和电流限制”
1.2
特定网络阳离子
DC电气规格
电气特性:
除非另有说明,V
DD
= + 1.8V至+ 6.0V ,V
SS
= GND ,T
A
= + 25 ° C,V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/ 2和R
L
= 10 kΩ到V
L
。 (参考
图1-1) 。
参数
输入失调
输入失调电压
输入失调漂移与温度
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
ΔV
OS
/ΔT
A
电源抑制比
输入偏置电流和阻抗
输入偏置电流
I
B
I
B
I
B
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入电压范围
共模抑制比
V
CMR
V
CMR
CMRR
V
SS
0.2
V
SS
0.3
72
74
72
74
注1 :
89
91
87
89
V
DD
+0.2
V
DD
+0.3
V
V
dB
dB
dB
dB
V
DD
= 1.8V
(注1 )
V
DD
= 6.0V
(注1 )
V
CM
= -0.15V至1.95V ,
V
DD
= 1.8V
V
CM
= -0.3V至6.3V ,
V
DD
= 6.0V
V
CM
= 3.0V至6.3V ,
V
DD
= 6.0V
V
CM
= -0.3V至3.0V ,
V
DD
= 6.0V
I
OS
Z
CM
Z
差异
±1.0
60
1100
±1.0
10
13
||6
10
13
||6
100
5000
pA
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
T
A
= +85°C
T
A
= +125°C
PSRR
-150
70
±1.5
±4.0
87
+150
V
V
DD
= 3.0V,
V
CM
= V
DD
/3
符号
典型值
最大
单位
条件
μV / ° (C T)
A
= -40 ° C至+ 85°C ,
V
DD
= 3.0V, V
CM
= V
DD
/3
μV / ° (C T)
A
= + 85 ° C至+ 125°C ,
V
DD
= 3.0V, V
CM
= V
DD
/3
dB
V
CM
= V
SS
图2-13
展示了如何V
CMR
在整个温度变化。
2009年Microchip的科技公司
DS22189A第3页
MCP6061/2/4
直流电气规范(续)
电气特性:
除非另有说明,V
DD
= + 1.8V至+ 6.0V ,V
SS
= GND ,T
A
= + 25 ° C,V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/ 2和R
L
= 10 kΩ到V
L
。 (参考
图1-1) 。
参数
开环增益
直流开环增益
(大信号)
产量
最大输出电压摆幅
输出短路电流
电源
电源电压
每个放大器器静态电流
注1 :
V
DD
I
Q
1.8
30
60
6.0
90
V
A
I
O
= 0, V
DD
= 6.0V
V
CM
= 0.9V
DD
V
OL ,
V
OH
I
SC
V
SS
+15
±6
±27
V
DD
–15
mV
mA
mA
G = +2 V / V,
0.5V的输入过驱动
V
DD
= 1.8V
V
DD
= 6.0V
A
OL
95
115
dB
0.2V < V
OUT
< (V
DD
-0.2V)
V
CM
= V
SS
符号
典型值
最大
单位
条件
图2-13
展示了如何V
CMR
在整个温度变化。
AC电气规格
电气特性:
除非另有说明,T
A
= + 25 ° C,V
DD
= +1.8至+ 6.0V ,V
SS
= GND ,V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/2, R
L
= 10 kΩ到V
L
和C
L
= 60 pF的。 (参考
图1-1) 。
参数
交流响应
增益带宽积
相位裕度
压摆率
噪音
输入噪声电压
输入噪声电压密度
输入噪声电流密度
E
ni
e
ni
i
ni
4.5
25
0.6
μVp -P
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
F = 0.1赫兹到10赫兹
F = 10千赫
F = 1千赫
增益带宽积
PM
SR
730
61
0.25
千赫
°
V / μs的
G = + 1V / V
符号
典型值
最大
单位
条件
温度参数
电气特性:
除非另有说明,V
DD
= + 1.8V至+ 6.0V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻,8引脚2x3 TDFN
热阻,8 - SOIC
热阻,14 - SOIC
热阻,14 - TSSOP
注1 :
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
41
149.5
95.3
100
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
-40
-65
+125
+150
°C
°C
注1
符号
典型值
最大
单位
条件
内部结温(T
J
)不得超过+ 150°C的绝对最大规格。
DS22189A第4页
2009年Microchip的科技公司
MCP6061/2/4
1.3
测试电路
C
F
6.8 pF的
R
G
100 kΩ
V
P
V
IN +
MCP606X
V
IN-
V
M
R
G
100 kΩ
(V/V)
(V)
(毫伏)
C
F
6.8 pF的
V
L
R
F
100 kΩ
R
L
10 kΩ
V
OUT
C
L
60 pF的
C
B1
100 nF的
R
F
100 kΩ
V
DD
V
DD
/2
用于大多数直流和交流测试的电路示于
图1-1 。
该电路可独立设置V
CM
V
OUT
;看
公式1-1 。
需要注意的是V
CM
是不
电路的共模电压( (V
P
+ V
M
)/ 2) ,而
V
OST
包括V
OS
加的影响(对输入的偏移
错误,V
OST
)的温度, CMRR , PSRR和A
OL
.
公式1-1:
G
DM
= R
F
R
G
V
CM
=
(
V
P
+ V
DD
2
)
2
C
B2
1 F
V
OUT
=
(
V
DD
2
)
+
(
V
P
V
M
)
+ V
OST
(
1 + G
DM
)
其中:
G
DM
=差模增益
V
CM
=运算放大器的共模
输入电压
V
OST
=运算放大器总输入失调
电压
V
OST
= V
IN-
V
IN +
图1-1:
交流和直流参数测试电路
大多数规范。
2009年Microchip的科技公司
DS22189A第5页
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