M
特点
低静态电流: 600 nA的/放大器(典型值)
轨到轨输入: 0.3 V到V
DD
+0.3 V(最大值)
轨到轨输出:
V
SS
10 mV至V
DD
-10毫伏(最大)
增益带宽积: 14 kHz(典型值)
宽电源电压范围: 1.4 V至5.5 V (最大值)
单位增益稳定
提供单,双和四
片选( CS )与MCP6043
5引脚SOT- 23封装( MCP6041只)
MCP6041/2/3/4
描述
在MCP6041 / 2 /3/4系列运算放大器
从微芯科技公司跟单操作
电源电压低至1.4 V,同时绘制小于
1 μA的静态电流每放大器(最大值) 。这些
设备也旨在支持轨到轨输入
和输出操作。这种功能组合支持
港口电池供电的便携式应用。
在MCP6041 / 2 /3/4放大器具有典型增益
14 kHz(典型值)带宽积和单位增益
稳定。这些规范使这些运算放大器
适用于低频应用中,如
电池电流监测和传感器调理。
在MCP6041 / 2 /3/4系列运算放大器
单( MCP6041 )所提供,单用一个片选
( CS )功能( MCP6043 ) ,双( MCP6042 )和四
( MCP6044 )配置。该MCP6041器件
可在5引脚SOT- 23封装。
600 nA的轨至轨输入/输出运算放大器
应用
收费站标签
可穿戴式产品
温度测量
电池供电
可用工具
SPICE宏模型(从www.microchip.com )
FilterLab设
软件(从www.microchip.com )
典型用途
V
DD
V
DD
I
DD
100 k
封装类型
MCP6041
PDIP , SOIC , MSOP
NC 1
-IN 2
+ IN 3
V
SS
4
-
+
8 NC
7 V
DD
6 OUT
5 NC
MCP6041
SOT-23-5
出1
-
V
SS
2
+ IN 3
5 V
DD
MCP6042
PDIP , SOIC , MSOP
OUTA 1
-INA 2
INA + 3
V
SS
4
- A+
+B -
8 V
DD
7 OUTB
6 -INB
5 + INB
10
+2.5 V
to
5.5 V
MCP604X
V
SS
1 M
高端电池电流传感器
MCP6044
PDIP , SOIC , TSSOP
14 OUTD
出D
13 -Ind
-INA1 2 - + +
+ INA1 3
12 + IND
V
DD
4
4 -IN
INB + 5
-INB 6 - B + C- +
OUTB1 7
11 V
SS
10 + INC。
9 -INC
8 OUTC
OUTA 1
MCP6043
PDIP , SOIC , MSOP
NC 1
-IN 2
+ IN 3
V
SS
4
-
+
8 CS
7 V
DD
6 OUT
5 NC
2002年Microchip的科技公司
+
DS21669B第1页
MCP6041/2/3/4
1.0
1.1
电动
特征
最大额定值*
引脚功能表
名字
+ IN / + INA / + INB / INC + / + IND
-IN / -INA / -INB / -INC / -Ind
V
DD
V
SS
CS
NC
功能
非反相输入端
反相输入
正电源。
负电源
芯片选择
没有内部连接
IC
V
DD
- V
SS
......................................................................................7.0 V
所有输入和输出................................... V
SS
0.3 V到V
DD
+0.3 V
差分输入电压............................................... ...... | V
DD
- V
SS
|
输出短路电流.............................................. 。连续
在输入引脚电流.............................................. .................... ± 2毫安
电流输出和电源引脚.......................................... ± 30毫安
存储温度................................................ ...- 65 ° C至+ 150°C
环境温度。电源采用..............................- 55 ° C至+ 125°C
所有引脚( HBM ) ESD保护.......................................... ........... ≥ 4 kV的
*注意:
强调上述“最大额定值”,可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该装置的这些或任何其他条件的功能操作
以上这些在本规范的运作上市表明是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,其围
消耗臭氧层物质可能会影响器件的可靠性。
OUT / OUTA / OUTB / OUTC / OUTD输出
MCP6041 / 2 /3/4直流电气规范
电气特性:
除非另有说明,所有参数适用于V指定
DD
= + 1.4V至+ 5.5V ,V
SS
= GND ,T
A
= 25 °C,
V
CM
= V
DD
/2, R
L
= 1 MΩ到V
DD
/ 2,和V
OUT
~ V
DD
/2
参数
符号
V
OS
V
OS
/T
PSRR
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
VCMR
CMRR
民
-3.0
—
70
—
—
—
—
—
V
SS
0.3
62
60
60
典型值
—
±1.5
85
1.0
—
1.0
10 ||6
10 ||6
—
80
75
80
13
13
最大
+3.0
—
—
—
100
—
—
—
V
DD
+0.3
—
—
—
单位
mV
μV/°C
dB
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
V
dB
dB
dB
条件
V
CM
= V
SS
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
输入失调:
输入失调电压
温度漂移
电源抑制
输入偏置电流和阻抗:
输入偏置电流
输入偏置电流过温
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
T
A
= -40 ° C至+ 85°
常见的模式:
共模输入范围
共模抑制比
V
DD
= 5 V,
V
CM
= -0.3 V至5.3 V
V
DD
= 5 V,
V
CM
= 2.5 V至5.3 V
V
DD
= 5 V,
V
CM
= -0.3 V至2.5 V
R
L
= 50 kΩ到V
DD
/2,
100毫伏< V
OUT
& LT ; (V
DD
100毫伏)
R
L
= 50 kΩ到V
DD
/2
R
L
= 50 kΩ到V
DD
/2,
A
OL
≥
95分贝
V
OUT
= 2.5 V, V
DD
= 5 V
开环增益:
直流开环增益(大信号)
A
OL
95
115
—
dB
输出:
最大输出电压摆幅
线性区输出电压摆幅
输出短路电流
V
OL
, V
OH
V
SS
+ 10
V
OVR
I
O
V
DD
I
Q
V
SS
+ 100
—
1.4
0.3
—
—
21
—
0.6
V
DD
10
V
DD
100
—
5.5
1.0
mV
mV
mA
V
A
I
O
= 0
电源:
电源电压
每个放大器器静态电流
DS21669B第2页
2002
微芯片技术公司
MCP6041/2/3/4
MCP6041 / 2 /3/4交流电气规范
电气特性:
除非另有说明,所有参数适用于V指定
DD
= +5 V, V
SS
= GND ,T
A
= 25 °C,
V
CM
= V
DD
/2, R
L
= 1 MΩ到V
DD
/2, C
L
= 60 pF的,和V
OUT
~ V
DD
/2
参数
增益带宽积
压摆率
相位裕度
输入电压噪声
输入电压噪声密度
输入电流噪声密度
符号
增益带宽积
SR
PM
E
n
e
n
i
n
民
—
—
—
—
—
—
典型值
14
3.0
65
5.0
170
0.6
最大
—
—
—
—
—
—
单位
千赫
V / ms的
°
μVp -P
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
G = +1
F = 0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
条件
规格FOR MCP6043芯片选择功能
电气特性:
除非另有说明,所有参数适用于V指定
DD
= + 1.4V至+ 5.5V ,V
SS
= GND ,T
A
= 25 °C,
V
CM
= V
DD
/2, R
L
= 1 MΩ到V
DD
/2, C
L
= 60 pF的,和V
OUT
~ V
DD
/2
参数
符号
民
典型值
最大
单位
条件
CS低电平规范:
CS逻辑门限,低
CS输入电流,低
V
IL
I
CSL
V
SS
—
—
5.0
V
SS
+ 0.3
—
V
pA
对于整个V
DD
范围
CS = V
SS
CS高规格:
CS逻辑门限,高
CS输入电流,高
CS输入高电平,接地电流
放大器输出泄漏, CS高
V
IH
I
CSH
I
Q
V
DD
- 0.3
—
—
—
—
5.0
20
20
V
DD
—
—
—
V
pA
pA
pA
对于整个V
DD
范围
CS = V
DD
CS = V
DD
CS = V
DD
动态规范:
CS低电平到放大器输出高
开启时间
CS高电平到放大器输出高阻
迟滞
t
ON
t
关闭
V
HYST
—
—
—
2.0
10
0.6
50
—
—
ms
s
V
CS为低电平= V
SS
+ 0.3 V , G = + 1V / V ,
V
OUT
= 0.9 V
DD
/2
CS高= V
DD
- 0.3 V , G = + 1V / V
V
OUT
= 0.1 V
DD
/2
V
DD
= 5 V
MCP6041 / 2 /3/4温度规范
电气特性:
除非另有说明,所有参数适用于V指定
DD
= + 1.4V至+ 5.5V ,V
SS
= GND
参数
符号
T
A
T
A
T
A
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
民
-40
-40
-65
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
256
85
163
206
70
120
100
最大
+85
+125
+150
—
—
—
—
—
—
—
单位
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注1
条件
温度范围:
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻:
热阻, 5引脚SOT23
热阻,8 - PDIP
热阻,8 - SOIC
热阻,8 - MSOP
热阻, 14L - PDIP
热阻,14 - SOIC
热阻,14 - TSSOP
注1 :
在MCP6041 / 2 /3/4系列运算放大器工作在扩展温度范围内,但性能有所下降。
2002年Microchip的科技公司
DS21669B第3页
MCP6041/2/3/4
2.0
注意:
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
除非另有说明,V
DD
= +5 V, V
SS
= GND ,T
A
= 25 ° C,V
CM
= V
DD
/2, R
L
= 1 MΩ到V
DD
/2,
C
L
= 60 pF的,和V
OUT
~ V
DD
/2.
35%
1196样品
V
DD
= 5.5V
V
CM
= V
DD
注意:
35%
30%
25%
百分比
20%
15%
10%
5%
0%
-4.0
-3.0
-2.0
-1.0
0.0
1.0
2.0
输入失调电压(MV )
3.0
4.0
百分比
30%
25%
20%
15%
10%
5%
0%
1196样品
V
DD
= 1.4V
V
CM
= V
DD
-4.0
-3.0
-2.0
-1.0
0.0
1.0
2.0
输入失调电压(MV )
3.0
4.0
图2-1:
输入直方图补偿
电压V
DD
= 5.5 V, V
CM
= V
DD
.
35%
30%
25%
百分比
20%
15%
10%
5%
0%
-4.0
-3.0
-2.0
-1.0
0.0
1.0
2.0
输入失调电压(MV )
3.0
4.0
1199样品
V
DD
= 5.5V
V
CM
= V
DD
/2
图2-4:
输入直方图补偿
电压V
DD
= 1.4 V, V
CM
= V
DD
.
35%
30%
25%
百分比
20%
15%
10%
5%
0%
-4.0
-3.0
-2.0
-1.0
0.0
1.0
2.0
输入失调电压(MV )
3.0
4.0
1199样品
V
DD
= 1.4V
V
CM
= V
DD
/2
图2-2:
输入直方图补偿
电压V
DD
= 5.5 V, V
CM
= V
DD
/2.
35%
30%
25%
百分比
20%
15%
10%
5%
0%
-4.0
-3.0
-2.0
-1.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
输入失调电压(MV )
1199样品
V
DD
= 5.5V
V
CM
= V
SS
图2-5:
输入直方图补偿
电压V
DD
= 1.4 V, V
CM
= V
DD
/2.
35%
30%
25%
百分比
20%
15%
10%
5%
0%
-4.0
-3.0
-2.0
-1.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
输入失调电压(MV )
1199样品
V
DD
= 1.4V
V
CM
= V
SS
图2-3:
输入直方图补偿
电压V
DD
= 5.5 V, V
CM
= V
SS
.
图2-6:
输入直方图补偿
电压V
DD
= 1.4 V, V
CM
= V
SS
.
DS21669B第4页
2002
微芯片技术公司
MCP6041/2/3/4
注意:
除非另有说明,V
DD
= +5 V, V
SS
= GND ,T
A
= 25 ° C,V
CM
= V
DD
/2, R
L
= 1 MΩ到V
DD
/2,
C
L
= 60 pF的,和V
OUT
~ V
DD
/2.
400
1176样品
V
DD
= 5.5V
V
CM
= V
DD
/2
35%
30%
25%
百分比
20%
15%
10%
5%
0%
0
2
4
6
8
-10
输入失调电压漂移( μV / ° C)
10
-8
-6
-4
-2
300
输入失调电压( μV )
200
100
0
-100
-200
-300
V
DD
= 5.5V
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= -40°C
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= -40°C
-400
-0.5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
共模输入电压( V)
图2-7:
输入直方图补偿
电压V漂移
DD
= 5.5 V, V
CM
= V
DD
/2.
图2-10:
输入失调电压 -
共模输入电压与温度的关系
随着V
DD
= 5.5 V.
1000
V
DD
= 1.4V
35%
30%
25%
百分比
20%
15%
10%
5%
0%
-8
-6
-4
-10
-2
0
2
4
6
8
10
输入失调电压漂移( μV / ° C)
1143样品
V
DD
= 5.5V
V
CM
= V
SS
800
输入失调电压( μV )
600
400
200
0
-200
-400
-600
-800
T
A
= +85°C
T
A
= -40°C
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
T
A
= +85°C
-1000
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
共模输入电压( V)
2.0
图2-8:
输入直方图补偿
电压V漂移
DD
= 5.5 V, V
CM
= V
SS
.
图2-11:
输入失调电压 -
共模输入电压与温度的关系
随着V
DD
= 1.4 V.
500
R
L
= 50 k
35%
30%
25%
百分比
20%
15%
10%
5%
0%
0
2
4
6
8
-10
10
-8
-6
-4
-2
输入失调电压漂移( μV / ° C)
1124样品
V
DD
= 1.4V
V
CM
= V
SS
输入失调电压( μV )
450
400
350
300
250
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
输出电压(V)
V
DD
= 5.5V
V
DD
= 1.4V
图2-9:
输入直方图补偿
电压V漂移
DD
= 1.4 V, V
CM
= V
SS
.
图2-12:
输入失调电压 -
输出电压与电源电压。
2002年Microchip的科技公司
DS21669B第5页