M
特点
低静态电流： 600 nA的/放大器（典型值）
轨到轨输入： 0.3 V到V
DD
+0.3 V（最大值）
轨到轨输出：
V
SS
10 mV至V
DD
-10毫伏（最大）
增益带宽积： 14 kHz（典型值）
宽电源电压范围： 1.4 V至5.5 V （最大值）
单位增益稳定
提供单，双和四
片选（ CS ）与MCP6043
5引脚SOT- 23封装（ MCP6041只）
MCP6041/2/3/4
描述
在MCP6041 / 2 /3/4系列运算放大器
从微芯科技公司跟单操作
电源电压低至1.4 V，同时绘制小于
1 μA的静态电流每放大器（最大值） 。这些
设备也旨在支持轨到轨输入
和输出操作。这种功能组合支持
港口电池供电的便携式应用。
在MCP6041 / 2 /3/4放大器具有典型增益
14 kHz（典型值）带宽积和单位增益
稳定。这些规范使这些运算放大器
适用于低频应用中，如
电池电流监测和传感器调理。
在MCP6041 / 2 /3/4系列运算放大器
单（ MCP6041 ）所提供，单用一个片选
（ CS ）功能（ MCP6043 ） ，双（ MCP6042 ）和四
（ MCP6044 ）配置。该MCP6041器件
可在5引脚SOT- 23封装。
600 nA的轨至轨输入/输出运算放大器
应用
收费站标签
可穿戴式产品
温度测量
电池供电
可用工具
SPICE宏模型（从www.microchip.com ）
FilterLab设
软件（从www.microchip.com ）
典型用途
V
DD
V
DD
I
DD
100 k
封装类型
MCP6041
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC 1
-IN 2
+ IN 3
V
SS
4
-
+
8 NC
7 V
DD
6 OUT
5 NC
MCP6041
SOT-23-5
出1
-
V
SS
2
+ IN 3
5 V
DD
MCP6042
PDIP ， SOIC ， MSOP
OUTA 1
-INA 2
INA + 3
V
SS
4
- A+
+B -
8 V
DD
7 OUTB
6 -INB
5 + INB
10
+2.5 V
to
5.5 V
MCP604X
V
SS
1 M
高端电池电流传感器
MCP6044
PDIP ， SOIC ， TSSOP
14 OUTD
出D
13 -Ind
-INA1 2 - + +
+ INA1 3
12 + IND
V
DD
4
4 -IN
INB + 5
-INB 6 - B + C- +
OUTB1 7
11 V
SS
10 + INC。
9 -INC
8 OUTC
OUTA 1
MCP6043
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC 1
-IN 2
+ IN 3
V
SS
4
-
+
8 CS
7 V
DD
6 OUT
5 NC
2002年Microchip的科技公司
+
DS21669B第1页
MCP6041/2/3/4
1.0
1.1
电动
特征
最大额定值*
引脚功能表
名字
+ IN / + INA / + INB / INC + / + IND
-IN / -INA / -INB / -INC / -Ind
V
DD
V
SS
CS
NC
功能
非反相输入端
反相输入
正电源。
负电源
芯片选择
没有内部连接
IC
V
DD
- V
SS
......................................................................................7.0 V
所有输入和输出................................... V
SS
0.3 V到V
DD
+0.3 V
差分输入电压............................................... ...... | V
DD
- V
SS
|
输出短路电流.............................................. 。连续
在输入引脚电流.............................................. .................... ± 2毫安
电流输出和电源引脚.......................................... ± 30毫安
存储温度................................................ ...- 65 ° C至+ 150°C
环境温度。电源采用..............................- 55 ° C至+ 125°C
所有引脚（ HBM ） ESD保护.......................................... ........... ≥ 4 kV的
*注意：
强调上述“最大额定值”，可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该装置的这些或任何其他条件的功能操作
以上这些在本规范的运作上市表明是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其围
消耗臭氧层物质可能会影响器件的可靠性。
OUT / OUTA / OUTB / OUTC / OUTD输出
MCP6041 / 2 /3/4直流电气规范
电气特性：
除非另有说明，所有参数适用于V指定
DD
= + 1.4V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 °C,
V
CM
= V
DD
/2, R
L
= 1 MΩ到V
DD
/ 2，和V
OUT
~ V
DD
/2
参数
符号
V
OS
V
OS
/T
PSRR
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
VCMR
CMRR
民
-3.0
—
70
—
—
—
—
—
V
SS
0.3
62
60
60
典型值
—
±1.5
85
1.0
—
1.0
10 ||6
10 ||6
—
80
75
80
13
13
最大
+3.0
—
—
—
100
—
—
—
V
DD
+0.3
—
—
—
单位
mV
μV/°C
dB
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
V
dB
dB
dB
条件
V
CM
= V
SS
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
输入失调：
输入失调电压
温度漂移
电源抑制
输入偏置电流和阻抗：
输入偏置电流
输入偏置电流过温
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
T
A
= -40 ° C至+ 85°
常见的模式：
共模输入范围
共模抑制比
V
DD
= 5 V,
V
CM
= -0.3 V至5.3 V
V
DD
= 5 V,
V
CM
= 2.5 V至5.3 V
V
DD
= 5 V,
V
CM
= -0.3 V至2.5 V
R
L
= 50 kΩ到V
DD
/2,
100毫伏< V
OUT
＆ LT ; （V
DD
100毫伏）
R
L
= 50 kΩ到V
DD
/2
R
L
= 50 kΩ到V
DD
/2,
A
OL
≥
95分贝
V
OUT
= 2.5 V, V
DD
= 5 V
开环增益：
直流开环增益（大信号）
A
OL
95
115
—
dB
输出：
最大输出电压摆幅
线性区输出电压摆幅
输出短路电流
V
OL
, V
OH
V
SS
+ 10
V
OVR
I
O
V
DD
I
Q
V
SS
+ 100
—
1.4
0.3
—
—
21
—
0.6
V
DD
10
V
DD
100
—
5.5
1.0
mV
mV
mA
V
A
I
O
= 0
电源：
电源电压
每个放大器器静态电流
DS21669B第2页
2002
微芯片技术公司
MCP6041/2/3/4
MCP6041 / 2 /3/4交流电气规范
电气特性：
除非另有说明，所有参数适用于V指定
DD
= +5 V, V
SS
= GND ，T
A
= 25 °C,
V
CM
= V
DD
/2, R
L
= 1 MΩ到V
DD
/2, C
L
= 60 pF的，和V
OUT
~ V
DD
/2
参数
增益带宽积
压摆率
相位裕度
输入电压噪声
输入电压噪声密度
输入电流噪声密度
符号
增益带宽积
SR
PM
E
n
e
n
i
n
民
—
—
—
—
—
—
典型值
14
3.0
65
5.0
170
0.6
最大
—
—
—
—
—
—
单位
千赫
V / ms的
°
μVp -P
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
G = +1
F = 0.1赫兹到10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
条件
规格FOR MCP6043芯片选择功能
电气特性：
除非另有说明，所有参数适用于V指定
DD
= + 1.4V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 °C,
V
CM
= V
DD
/2, R
L
= 1 MΩ到V
DD
/2, C
L
= 60 pF的，和V
OUT
~ V
DD
/2
参数
符号
民
典型值
最大
单位
条件
CS低电平规范：
CS逻辑门限，低
CS输入电流，低
V
IL
I
CSL
V
SS
—
—
5.0
V
SS
+ 0.3
—
V
pA
对于整个V
DD
范围
CS = V
SS
CS高规格：
CS逻辑门限，高
CS输入电流，高
CS输入高电平，接地电流
放大器输出泄漏， CS高
V
IH
I
CSH
I
Q
V
DD
- 0.3
—
—
—
—
5.0
20
20
V
DD
—
—
—
V
pA
pA
pA
对于整个V
DD
范围
CS = V
DD
CS = V
DD
CS = V
DD
动态规范：
CS低电平到放大器输出高
开启时间
CS高电平到放大器输出高阻
迟滞
t
ON
t
关闭
V
HYST
—
—
—
2.0
10
0.6
50
—
—
ms
s
V
CS为低电平= V
SS
+ 0.3 V ， G = + 1V / V ，
V
OUT
= 0.9 V
DD
/2
CS高= V
DD
- 0.3 V ， G = + 1V / V
V
OUT
= 0.1 V
DD
/2
V
DD
= 5 V
MCP6041 / 2 /3/4温度规范
电气特性：
除非另有说明，所有参数适用于V指定
DD
= + 1.4V至+ 5.5V ，V
SS
= GND
参数
符号
T
A
T
A
T
A
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
民
-40
-40
-65
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
256
85
163
206
70
120
100
最大
+85
+125
+150
—
—
—
—
—
—
—
单位
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注1
条件
温度范围：
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻：
热阻， 5引脚SOT23
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - SOIC
热阻，8 - MSOP
热阻， 14L - PDIP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
注1 ：
在MCP6041 / 2 /3/4系列运算放大器工作在扩展温度范围内，但性能有所下降。
2002年Microchip的科技公司
DS21669B第3页
MCP6041/2/3/4
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
除非另有说明，V
DD
= +5 V, V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2, R
L
= 1 MΩ到V
DD
/2,
C
L
= 60 pF的，和V
OUT
~ V
DD
/2.
35%
1196样品
V
DD
= 5.5V
V
CM
= V
DD
注意：
35%
30%
25%
百分比
20%
15%
10%
5%
0%
-4.0
-3.0
-2.0
-1.0
0.0
1.0
2.0
输入失调电压（MV ）
3.0
4.0
百分比
30%
25%
20%
15%
10%
5%
0%
1196样品
V
DD
= 1.4V
V
CM
= V
DD
-4.0
-3.0
-2.0
-1.0
0.0
1.0
2.0
输入失调电压（MV ）
3.0
4.0
图2-1：
输入直方图补偿
电压V
DD
= 5.5 V, V
CM
= V
DD
.
35%
30%
25%
百分比
20%
15%
10%
5%
0%
-4.0
-3.0
-2.0
-1.0
0.0
1.0
2.0
输入失调电压（MV ）
3.0
4.0
1199样品
V
DD
= 5.5V
V
CM
= V
DD
/2
图2-4：
输入直方图补偿
电压V
DD
= 1.4 V, V
CM
= V
DD
.
35%
30%
25%
百分比
20%
15%
10%
5%
0%
-4.0
-3.0
-2.0
-1.0
0.0
1.0
2.0
输入失调电压（MV ）
3.0
4.0
1199样品
V
DD
= 1.4V
V
CM
= V
DD
/2
图2-2：
输入直方图补偿
电压V
DD
= 5.5 V, V
CM
= V
DD
/2.
35%
30%
25%
百分比
20%
15%
10%
5%
0%
-4.0
-3.0
-2.0
-1.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
输入失调电压（MV ）
1199样品
V
DD
= 5.5V
V
CM
= V
SS
图2-5：
输入直方图补偿
电压V
DD
= 1.4 V, V
CM
= V
DD
/2.
35%
30%
25%
百分比
20%
15%
10%
5%
0%
-4.0
-3.0
-2.0
-1.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
输入失调电压（MV ）
1199样品
V
DD
= 1.4V
V
CM
= V
SS
图2-3：
输入直方图补偿
电压V
DD
= 5.5 V, V
CM
= V
SS
.
图2-6：
输入直方图补偿
电压V
DD
= 1.4 V, V
CM
= V
SS
.
DS21669B第4页
2002
微芯片技术公司
MCP6041/2/3/4
注意：
除非另有说明，V
DD
= +5 V, V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2, R
L
= 1 MΩ到V
DD
/2,
C
L
= 60 pF的，和V
OUT
~ V
DD
/2.
400
1176样品
V
DD
= 5.5V
V
CM
= V
DD
/2
35%
30%
25%
百分比
20%
15%
10%
5%
0%
0
2
4
6
8
-10
输入失调电压漂移（ μV / ° C）
10
-8
-6
-4
-2
300
输入失调电压（ μV ）
200
100
0
-100
-200
-300
V
DD
= 5.5V
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= -40°C
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= -40°C
-400
-0.5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
共模输入电压（ V）
图2-7：
输入直方图补偿
电压V漂移
DD
= 5.5 V, V
CM
= V
DD
/2.
图2-10：
输入失调电压 -
共模输入电压与温度的关系
随着V
DD
= 5.5 V.
1000
V
DD
= 1.4V
35%
30%
25%
百分比
20%
15%
10%
5%
0%
-8
-6
-4
-10
-2
0
2
4
6
8
10
输入失调电压漂移（ μV / ° C）
1143样品
V
DD
= 5.5V
V
CM
= V
SS
800
输入失调电压（ μV ）
600
400
200
0
-200
-400
-600
-800
T
A
= +85°C
T
A
= -40°C
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
T
A
= +85°C
-1000
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
共模输入电压（ V）
2.0
图2-8：
输入直方图补偿
电压V漂移
DD
= 5.5 V, V
CM
= V
SS
.
图2-11：
输入失调电压 -
共模输入电压与温度的关系
随着V
DD
= 1.4 V.
500
R
L
= 50 k
35%
30%
25%
百分比
20%
15%
10%
5%
0%
0
2
4
6
8
-10
10
-8
-6
-4
-2
输入失调电压漂移（ μV / ° C）
1124样品
V
DD
= 1.4V
V
CM
= V
SS
输入失调电压（ μV ）
450
400
350
300
250
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
输出电压（V）
V
DD
= 5.5V
V
DD
= 1.4V
图2-9：
输入直方图补偿
电压V漂移
DD
= 1.4 V, V
CM
= V
SS
.
图2-12：
输入失调电压 -
输出电压与电源电压。
2002年Microchip的科技公司
DS21669B第5页
MCP6041/2/3/4
600 nA的轨至轨输入/输出运算放大器
特点
低静态电流： 600 nA的/放大器（典型值）
轨到轨输入/输出
增益带宽积： 14千赫（典型值）
宽电源电压范围： 1.4V至6.0V
单位增益稳定
在单，双和四可用
片选（ CS ）与MCP6043
可在5引脚和6引脚SOT- 23封装
温度范围：
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
- 扩展： -40 ° C至+ 125°C
描述
在MCP6041 / 2 /3/4系列运算放大器
（运放）从Microchip公司运作
单电源电压可低至1.4V ，而绘图
小于1 μA的静态电流％的（最大）
放大器。这些设备也被设计为支持
轨到轨输入和输出操作。这种组合
功能支持电池供电的便携式
应用程序。
在MCP6041 / 2 /3/4放大器具有增益带宽
14千赫（典型值）的产品，并且单位增益稳定。
这些规范使这些运算放大器适合
对于低频应用，如电池电流
监控和传感器调理。
在MCP6041 / 2 /3/4系列运算放大器
单（ MCP6041 ）所提供，带片选
（ CS ） （ MCP6043 ） ，双（ MCP6042 ） ，和四
（ MCP6044 ）配置。该MCP6041器件
可在5引脚SOT- 23封装，
MCP6043器件采用6引脚SOT- 23
封装。
应用
收费站标签
可穿戴式产品
温度测量
电池供电
设计工具
SPICE宏模型
FilterLab设
软件
MAPS （ Microchip高级器件选型）
模拟演示和评估板
应用笔记
封装类型
MCP6041
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 NC
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
MCP6043
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC
1
V
IN
–
2
V
IN
+
3
V
SS
4
8 CS
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
相关器件
MCP6141 / 2 /3/4 ： G = 10稳定运算放大器
MCP6041
SOT-23-5
V
OUT
1
5 V
DD
4 V
IN
–
V
SS
2
V
IN
+ 3
MCP6043
SOT-23-6
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+
3
6 V
DD
5 CS
4 V
IN
–
典型用途
I
DD
1.4V
to
6.0V
10
100 k
MCP604X
1 M
V
DD
–
V
OUT
= -----------------------------------------
-
10 V/V
10
V
DD
V
OUT
MCP6042
PDIP ， SOIC ， MSOP
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
SS
4
MCP6044
PDIP ， SOIC ， TSSOP
14 V
OUTD
13 V
IND
–
12 V
IND
+
11 V
SS
10 V
INC。
+
9 V
INC。
–
8 V
OUTC
8 V
DD
V
OUTA
1
7 V
OUTB
V
INA
–
2
6 V
INB
– V
INA
+
3
5 V
INB
+
V
DD
4
V
INB
+
5
V
INB
–
6
V
OUTB
7
I
DD
高端电池电流传感器
二〇〇一年至2013年Microchip的科技公司
DS21669D第1页
MCP6041/2/3/4
1.0
电动
特征
注意：
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在操作列表中标明本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
SEE
第4.1节“轨到轨输入”
绝对最大额定值
V
DD
– V
SS
........................................................................7.0V
在输入引脚电流.............................................. ....... ± 2毫安
模拟输入（V
IN
+, V
IN
–) ............. V
SS
= 1.0V至V
DD
+ 1.0V
所有其它输入和输出.......... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流..................................不断
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
存储温度.................................... -65C至150C +
结温................................................ .. + 150°C
ESD保护所有引脚（ HBM ， MM ）
4
千伏; 200V
DC电气特性
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 1.4V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/ 2，和R
L
= 1 Mto V
L
（参照
图1-2
和
图1-3 ） 。
参数
输入失调
输入失调电压
温度漂移
符号
V
OS
V
OS
/T
A
V
OS
/T
A
民
-3
—
—
70
—
—
—
—
—
—
V
SS
0.3
62
60
60
95
典型值
—
±2
±15
85
1
20
1200
1
10
13
||6
10 ||6
—
80
75
80
115
13
最大
+3
—
—
—
—
100
5000
—
—
—
V
DD
+0.3
—
—
—
—
单位
mV
μV/°C
μV/°C
dB
pA
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
V
dB
dB
dB
dB
条件
V
CM
= V
SS
V
CM
= V
SS
, T
A
= -40 ° C至+ 85°C
V
CM
= V
SS
,
T
A
= + 85 ° C至+ 125°C
V
CM
= V
SS
电源抑制
输入偏置电流和阻抗
输入偏置电流
工业温度
扩展温度
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入范围
共模抑制比
PSRR
I
B
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
V
CMR
CMRR
CMRR
CMRR
T
A
= +85°
T
A
= +125°
V
DD
= 5V, V
CM
= -0.3V至5.3V
V
DD
= 5V, V
CM
= 2.5V至5.3V
V
DD
= 5V, V
CM
= -0.3V至2.5V
R
L
= 50 kΩ到V
L
,
V
OUT
= 0.1V至V
DD
0.1V
R
L
= 50 kΩ到V
L
,
0.5V的输入过驱动
R
L
= 50 kΩ到V
L
,
A
OL
95分贝
V
DD
= 1.4V
V
DD
= 5.5V
（注
1)
I
O
= 0
开环增益
直流开环增益（大信号）
产量
最大输出电压摆幅
线性区输出电压摆幅
输出短路电流
电源
电源电压
每个放大器器静态电流
注1 ：
V
DD
I
Q
1.4
0.3
—
0.6
6.0
1.0
V
A
V
OL
, V
OH
V
OVR
I
SC
I
SC
V
SS
+ 10
V
SS
+ 100
—
—
—
—
2
20
V
DD
10
V
DD
100
—
—
mV
mV
mA
mA
A
OL
与日期码2007年11月及以后的所有部件都经过筛选，以确保在V操作
DD
= 6.0V 。不过，
其他最小和最大规格是在1.4V和/或5.5V测量。
DS21669D第2页
二〇〇一年至2013年Microchip的科技公司
MCP6041/2/3/4
AC电气特性
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 1.4V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/2, R
L
= 1 Mto V
L
和C
L
= 60 pF的（参照
图1-2
和
图1-3 ） 。
参数
交流响应
增益带宽积
压摆率
相位裕度
噪音
输入电压噪声
输入电压噪声密度
输入电流噪声密度
符号
增益带宽积
SR
PM
E
ni
e
ni
i
ni
民
—
—
—
—
—
—
典型值
14
3.0
65
5.0
170
0.6
最大
—
—
—
—
—
—
单位
千赫
V / ms的
°
V
P-P
G = + 1V / V
条件
F = 0.1赫兹到10赫兹
内华达州/ √Hz的F = 1千赫
FA / √Hz的F = 1千赫
MCP6043芯片选择（ CS ）电气特性
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 1.4V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/2, R
L
= 1 Mto V
L
和C
L
= 60 pF的（参照
图1-2
和
图1-3 ） 。
参数
CS低电平规范
CS逻辑门限，低
CS输入电流，低
CS高规格
CS逻辑门限，高
CS输入电流，高
CS输入高电平，接地电流
放大器输出泄漏， CS高
动态规范
CS低电平到放大器输出开启时间
CS高电平到放大器输出高阻
迟滞
符号
民
典型值
最大
单位
条件
V
IL
I
CSL
V
SS
—
—
5
V
SS
+0.3
—
V
pA
CS = V
SS
V
IH
I
CSH
I
SS
I
OLEAK
V
DD
–0.3
—
—
—
—
5
-20
20
V
DD
—
—
—
V
pA
pA
pA
CS = V
DD
CS = V
DD
CS = V
DD
t
ON
t
关闭
V
HYST
—
—
—
2
10
0.6
50
—
—
ms
s
V
G = + 1V / V ， CS = 0.3V至
V
OUT
= 0.9V
DD
/2
G = + 1V / V ， CS = V
DD
-0.3V到
V
OUT
= 0.1V
DD
/2
V
DD
= 5.0V
CS
V
IL
t
ON
V
IH
t
关闭
高-Z
-0.6 A
（典型值）
V
OUT
高-Z
I
SS
-20 pA的
（典型值）
-20 pA的
（典型值）
I
CS
5 PA
（典型值）
图1-1：
片选（ CS ）时序
图（ MCP6043只） 。
二〇〇一年至2013年Microchip的科技公司
DS21669D第3页
MCP6041/2/3/4
温度特性
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 1.4V至+ 5.5V ，V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 5引脚SOT- 23
热阻， 6L- SOT- 23
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - SOIC
热阻，8 - MSOP
热阻， 14L - PDIP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
注1 ：
符号
T
A
T
A
T
A
T
A
JA
JA
JA
JA
JA
JA
JA
JA
民
-40
-40
-40
-65
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
256
230
85
163
206
70
120
100
最大
+85
+125
+125
+150
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
°C
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
条件
工业级温度部件
扩展部分的温度
（注
1)
在MCP6041 / 2/ 3/4系列工业级温度运算放大器工作在扩展温度范围内，但与降低
性能。在任何情况下，内部结点温度（T
J
）不得超过绝对最大规范
+ 150 ℃。
1.1
测试电路
用于直流和交流测试的测试电路
所示
图1-2
和
图1-3 。
旁路
电容器被布置根据所讨论的规则
in
第4.6节“电源旁路” 。
V
DD
R
N
0.1 F 1 F
V
OUT
C
L
V
DD
/2 R
G
R
F
V
L
R
L
V
IN
MCP604X
图1-2：
交流和直流参数测试电路
大多数同相增益条件。
V
DD
R
N
0.1 F 1 F
V
OUT
C
L
V
IN
R
G
R
F
V
L
R
L
V
DD
/2
MCP604X
图1-3：
交流和直流参数测试电路
大多数反相增益条件。
DS21669D第4页
二〇〇一年至2013年Microchip的科技公司
MCP6041/2/3/4
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。这里所列出的性能特点是
没有测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 1.4V至+ 6.0V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/2, V
OUT
V
DD
/2,
V
L
= V
DD
/2, R
L
= 1 MΩ到V
L
和C
L
= 60 pF的。
10%
9%
8%
7%
6%
5%
4%
3%
2%
1%
0%
18%
出现次数的百分比
1124样品
V
DD
= 1.4V和5.5V
V
CM
= V
SS
出现次数的百分比
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
-32
-28
245样本
1代表性的地段
T
A
= + 85 ° C至+ 125°C
V
DD
= 1.4V
V
CM
= V
SS
-3
-2
-1
0
1
输入失调电压（MV ）
2
3
-24 -20 -16 -12 -8
-4
0
输入失调电压漂移（ μV / ° C）
4
图2-1：
输入失调电压。
图2-4：
输入失调电压漂移
以T
A
= + 85 ° C至+ 125°C和V
DD
= 1.4V.
24%
22%
20%
18%
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
239样本
1代表性的地段
T
A
= + 85 ° C至+ 125°C
V
DD
= 5.5V
V
CM
= V
SS
12%
11%
10%
9%
8%
7%
6%
5%
4%
3%
2%
1%
0%
-10
-8
-6 -4 -2
0
2
4
6
输入失调电压漂移（ μV / ° C）
8
10
出现次数的百分比
出现次数的百分比
1124样品
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
V
DD
= 1.4V
V
CM
= V
SS
-32
-28
-24 -20 -16 -12 -8
-4
0
输入失调电压漂移（ μV / ° C）
4
图2-2：
输入失调电压漂移
以T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。
2000
V
DD
= 1.4V
部分代表
图2-5：
输入失调电压漂移
以T
A
= + 25 ° C至+ 125°C和V
DD
= 5.5V.
2000
V
DD
= 5.5V
部分代表
输入失调电压（ μV ）
1000
500
0
-500
-1000
-1500
-2000
T
A
= +125°C
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= -40°C
输入失调电压（ μV ）
1500
1500
1000
500
0
-500
-1000
-1500
-2000
T
A
= +125°C
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= -40°C
-0.4
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
共模输入电压（ V）
共模输入电压（ V）
图2-3：
输入失调电压 -
共模输入电压与V
DD
= 1.4V.
图2-6：
输入失调电压 -
共模输入电压与V
DD
= 5.5V.
二〇〇一年至2013年Microchip的科技公司
DS21669D第5页
6.0
MCP6041/2/3/4
600 nA的轨至轨输入/输出运算放大器
特点
低静态电流： 600 nA的/放大器（典型值）
轨到轨输入/输出
增益带宽积： 14千赫（典型值）
宽电源电压范围： 1.4V至6.0V
单位增益稳定
在单，双和四可用
片选（ CS ）与MCP6043
可在5引脚和6引脚SOT- 23封装
温度范围：
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
- 扩展： -40 ° C至+ 125°C
描述
在MCP6041 / 2 /3/4系列运算放大器
（运放）从Microchip公司运作
单电源电压可低至1.4V ，而绘图
小于1 μA的静态电流％的（最大）
放大器。这些设备也被设计为支持
轨到轨输入和输出操作。这种组合
功能支持电池供电的便携式
应用程序。
在MCP6041 / 2 /3/4放大器具有增益带宽
14千赫（典型值）的产品，并且单位增益稳定。
这些规范使这些运算放大器适合
对于低频应用，如电池电流
监控和传感器调理。
在MCP6041 / 2 /3/4系列运算放大器
单（ MCP6041 ）所提供，带片选
（ CS ） （ MCP6043 ） ，双（ MCP6042 ） ，和四
（ MCP6044 ）配置。该MCP6041器件
可在5引脚SOT- 23封装，
MCP6043器件采用6引脚SOT- 23
封装。
应用
收费站标签
可穿戴式产品
温度测量
电池供电
设计工具
SPICE宏模型
FilterLab设
软件
Mindi电路设计&模拟器
MAPS （ Microchip高级器件选型）
模拟演示和评估板
应用笔记
封装类型
MCP6041
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 NC
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
MCP6043
PDIP ， SOIC ， MSOP
NC
1
V
IN
–
2
V
IN
+
3
V
SS
4
8 CS
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
相关器件
MCP6141 / 2 /3/4 ： G = 10稳定运算放大器
MCP6041
SOT-23-5
V
OUT
1
5 V
DD
4 V
IN
–
V
SS
2
V
IN
+ 3
MCP6043
SOT-23-6
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+
3
6 V
DD
5 CS
4 V
IN
–
典型用途
I
DD
1.4V
to
6.0V
10Ω
100 kΩ
MCP604X
1 MΩ
V
DD
–
V
OUT
= -----------------------------------------
-
(
10 V/V
)
(
10
Ω
)
V
DD
V
OUT
MCP6042
PDIP ， SOIC ， MSOP
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
SS
4
8 V
DD
MCP6044
PDIP ， SOIC ， TSSOP
V
OUTA
1
14 V
OUTD
13 V
IND
–
12 V
IND
+
11 V
SS
10 V
INC。
+
9 V
INC。
–
8 V
OUTC
7 V
OUTB
V
INA
–
2
6 V
INB
– V
INA
+
3
5 V
INB
+
V
DD
4
V
INB
+
5
V
INB
–
6
V
OUTB
7
I
DD
高端电池电流传感器
2008 Microchip的技术公司
DS21669C第1页
MCP6041/2/3/4
1.0
电动
特征
注意：
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在操作列表中标明本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
SEE
第4.1节“轨到轨输入”
绝对最大额定值
V
DD
– V
SS
........................................................................7.0V
在输入引脚电流.............................................. ....... ± 2毫安
模拟输入（V
IN
+, V
IN
–) ............. V
SS
= 1.0V至V
DD
+ 1.0V
所有其它输入和输出.......... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流..................................不断
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
储存温度....................................- 65 ° C至+ 150°C
结温................................................ .. + 150°C
ESD保护所有引脚（ HBM ， MM ）
................ ≥
4千伏; 200V
DC电气特性
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 1.4V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/ 2，和R
L
= 1 MΩ到V
L
（参照
图1-2
和
图1-3 ） 。
参数
输入失调
输入失调电压
温度漂移
符号
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
ΔV
OS
/ΔT
A
民
-3
—
—
70
—
—
—
—
—
—
V
SS
0.3
62
60
60
95
典型值
—
±2
±15
85
1
20
1200
1
10
13
||6
10 ||6
—
80
75
80
115
13
最大
+3
—
—
—
—
100
5000
—
—
—
V
DD
+0.3
—
—
—
—
单位
mV
μV/°C
μV/°C
dB
pA
pA
pA
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
V
dB
dB
dB
dB
条件
V
CM
= V
SS
V
CM
= V
SS
, T
A
= -40 ° C至+ 85°C
V
CM
= V
SS
,
T
A
= + 85 ° C至+ 125°C
V
CM
= V
SS
电源抑制
输入偏置电流和阻抗
输入偏置电流
工业温度
扩展温度
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入范围
共模抑制比
PSRR
I
B
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
V
CMR
CMRR
CMRR
CMRR
T
A
= +85°
T
A
= +125°
V
DD
= 5V, V
CM
= -0.3V至5.3V
V
DD
= 5V, V
CM
= 2.5V至5.3V
V
DD
= 5V, V
CM
= -0.3V至2.5V
R
L
= 50 kΩ到V
L
,
V
OUT
= 0.1V至V
DD
0.1V
R
L
= 50 kΩ到V
L
,
0.5V的输入过驱动
R
L
= 50 kΩ到V
L
,
A
OL
≥
95分贝
V
DD
= 1.4V
V
DD
= 5.5V
（注1 ）
I
O
= 0
开环增益
直流开环增益（大信号）
产量
最大输出电压摆幅
线性区输出电压摆幅
输出短路电流
电源
电源电压
每个放大器器静态电流
注1 ：
V
DD
I
Q
1.4
0.3
—
0.6
6.0
1.0
V
A
V
OL
, V
OH
V
OVR
I
SC
I
SC
V
SS
+ 10
V
SS
+ 100
—
—
—
—
2
20
V
DD
10
V
DD
100
—
—
mV
mV
mA
mA
A
OL
与日期码2007年11月及以后的所有部件都经过筛选，以确保在V操作
DD
= 6.0V 。不过，
其他最小和最大规格是在1.4V和/或5.5V测量。
DS21669C第2页
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MCP6041/2/3/4
AC电气特性
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 1.4V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/2, R
L
= 1 MΩ到V
L
和C
L
= 60 pF的（参照
图1-2
和
图1-3 ） 。
参数
交流响应
增益带宽积
压摆率
相位裕度
噪音
输入电压噪声
输入电压噪声密度
输入电流噪声密度
符号
增益带宽积
SR
PM
E
ni
e
ni
i
ni
民
—
—
—
—
—
—
典型值
14
3.0
65
5.0
170
0.6
最大
—
—
—
—
—
—
单位
千赫
V / ms的
°
V
P-P
G = + 1V / V
条件
F = 0.1赫兹到10赫兹
内华达州/ √Hz的F = 1千赫
FA / √Hz的F = 1千赫
MCP6043芯片选择（ CS ）电气特性
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 1.4V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/2, R
L
= 1 MΩ到V
L
和C
L
= 60 pF的（参照
图1-2
和
图1-3 ） 。
参数
CS低电平规范
CS逻辑门限，低
CS输入电流，低
CS高规格
CS逻辑门限，高
CS输入电流，高
CS输入高电平，接地电流
放大器输出泄漏， CS高
动态规范
CS低电平到放大器输出开启时间
CS高电平到放大器输出高阻
迟滞
符号
民
典型值
最大
单位
条件
V
IL
I
CSL
V
SS
—
—
5
V
SS
+0.3
—
V
pA
CS = V
SS
V
IH
I
CSH
I
SS
I
OLEAK
V
DD
–0.3
—
—
—
—
5
-20
20
V
DD
—
—
—
V
pA
pA
pA
CS = V
DD
CS = V
DD
CS = V
DD
t
ON
t
关闭
V
HYST
—
—
—
2
10
0.6
50
—
—
ms
s
V
G = + 1V / V ， CS = 0.3V至
V
OUT
= 0.9V
DD
/2
G = + 1V / V ， CS = V
DD
-0.3V到
V
OUT
= 0.1V
DD
/2
V
DD
= 5.0V
CS
V
IL
t
ON
V
IH
t
关闭
高-Z
-0.6 A
（典型值）
V
OUT
高-Z
I
SS
-20 pA的
（典型值）
-20 pA的
（典型值）
I
CS
5 PA
（典型值）
图1-1：
片选（ CS ）时序
图（ MCP6043只） 。
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DS21669C第3页
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温度特性
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 1.4V至+ 5.5V ，V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 5引脚SOT- 23
热阻， 6L- SOT- 23
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - SOIC
热阻，8 - MSOP
热阻， 14L - PDIP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
注1 ：
符号
T
A
T
A
T
A
T
A
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
民
-40
-40
-40
-65
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
256
230
85
163
206
70
120
100
最大
+85
+125
+125
+150
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
°C
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
条件
工业级温度部件
扩展部分的温度
（注1 ）
在MCP6041 / 2/ 3/4系列工业级温度运算放大器工作在扩展温度范围内，但与降低
性能。在任何情况下，内部结点温度（T
J
）不得超过绝对最大规范
+ 150 ℃。
1.1
测试电路
用于直流和交流测试的测试电路
所示
图1-2
和
图1-3 。
旁路
电容器被布置根据所讨论的规则
in
第4.6节“电源旁路” 。
V
DD
R
N
0.1 F 1 F
V
OUT
C
L
V
DD
/2 R
G
R
F
V
L
R
L
V
IN
MCP604X
图1-2：
交流和直流参数测试电路
大多数同相增益条件。
V
DD
R
N
0.1 F 1 F
V
OUT
C
L
V
IN
R
G
R
F
V
L
R
L
V
DD
/2
MCP604X
图1-3：
交流和直流参数测试电路
大多数反相增益条件。
DS21669C第4页
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MCP6041/2/3/4
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。这里所列出的性能特点是
没有测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 1.4V至+ 6.0V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/2, V
OUT
≈
V
DD
/2,
V
L
= V
DD
/2, R
L
= 1 MΩ到V
L
和C
L
= 60 pF的。
10%
9%
8%
7%
6%
5%
4%
3%
2%
1%
0%
18%
出现次数的百分比
1124样品
V
DD
= 1.4V和5.5V
V
CM
= V
SS
出现次数的百分比
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
-32
-28
245样本
1代表性的地段
T
A
= + 85 ° C至+ 125°C
V
DD
= 1.4V
V
CM
= V
SS
-3
-2
-1
0
1
输入失调电压（MV ）
2
3
-24 -20 -16 -12 -8
-4
0
输入失调电压漂移（ μV / ° C）
4
图2-1：
12%
11%
10%
9%
8%
7%
6%
5%
4%
3%
2%
1%
0%
输入失调电压。
图2-4：
输入失调电压漂移
以T
A
= + 85 ° C至+ 125°C和V
DD
= 1.4V.
24%
22%
20%
18%
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0%
239样本
1代表性的地段
T
A
= + 85 ° C至+ 125°C
V
DD
= 5.5V
V
CM
= V
SS
出现次数的百分比
-10
-8
-6 -4 -2
0
2
4
6
输入失调电压漂移（ μV / ° C）
8
10
出现次数的百分比
1124样品
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
V
DD
= 1.4V
V
CM
= V
SS
-32
-28
图2-2：
输入失调电压漂移
以T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。
2000
输入失调电压（ μV ）
1500
1000
500
0
-500
-1000
-1500
-2000
-0.4
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
共模输入电压（ V）
T
A
= +125°C
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= -40°C
V
DD
= 1.4V
部分代表
-24 -20 -16 -12 -8
-4
0
输入失调电压漂移（ μV / ° C）
4
图2-5：
输入失调电压漂移
以T
A
= + 25 ° C至+ 125°C和V
DD
= 5.5V.
2000
输入失调电压（ μV ）
1500
1000
500
0
-500
-1000
-1500
-2000
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
共模输入电压（ V）
6.0
T
A
= +125°C
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= -40°C
V
DD
= 5.5V
部分代表
图2-3：
输入失调电压 -
共模输入电压与V
DD
= 1.4V.
图2-6：
输入失调电压 -
共模输入电压与V
DD
= 5.5V.
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