MCP601/602/603/604
2.7V至5.5V单电源CMOS运算放大器
特点
产品规格额定电压在2.7V至5.5V电源
轨到轨摆幅输出
在地面以下的共模输入摆幅
2.8MHz增益带宽积
单位增益稳定
低功率I
DD
= 325μA最大值
芯片选择与MCP603能力
工业级温度范围（-40 ° C至85°C ）
提供单，双和四
用单电源电压茨，可以低至
2.7V，同时小于静态电流的325μA
租。此外，共模输入电压
范围内低于地面0.3V ，使得这些amplifi-
器非常适用于单电源工作。
这些器件适用于低功率电池
供电电路由于低静态电流，为
A / D转换器驱动放大器，因为其广泛
带宽，或用于凭借抗混叠滤波器的
低输入偏置电流。
该MCP601 ， MCP602和MCP603是可用
标准的8引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装。
的MCP601也是在SOT23-5封装提供
年龄。四MCP604在14引脚PDIP提供，
SOIC和TSSOP封装。 PDIP和SOIC封装
年龄从-40 ° C至+ 85°C电源
供应2.7V至5.5V 。
应用
便携式设备
A / D转换器驱动器
光电二极管前置放大器
模拟滤波器
数据采集
笔记本电脑和PDA
传感器接口
典型用途
可用工具
Spice宏（从www.microchip.com ）
FilterLab设
软件（从www.microchip.com ）
2000 Microchip的技术公司
V
IN
-IN
V
DD
MCP60X
+ IN
V
REF
低输入偏置
目前在
温度
V
SS
V
OUT
OUT
描述
Microchip Technology Inc.的MCP601 / 602 /六百零四分之六百零三
系列低功耗运算放大器提供的
单（ MCP601 ），带片选引脚功能
（ MCP603 ） ，双（ MCP602 ）和四（ MCP604 ） config-
urations 。这些运算放大器（运放）利用
先进的CMOS技术，这提供了低
偏置电流，高速运转，高开环增益
和轨到轨输出摆幅。该产品提供能操作
轨到轨
输出摆幅
二阶低通滤波器
套餐
MCP601
PDIP ， SOIC ， TSSOP
NC 1
-IN 2
+ IN 3
V
SS
4
8 NC
出1
V
SS
2
+ IN 3
MCP601
SOT23-5
MCP603
PDIP ， SOIC ， TSSOP
NC 1
5 V
DD
8 CS
MCP602
PDIP ， SOIC ， TSSOP
OUTA 1
-INA 2
INA + 3
V
SS
4
8 V
DD
MCP604
PDIP ， SOIC ， TSSOP
OUTA 1
14 OUTD
-
+
7 V
DD
6 OUT
5 NC
+
-
-IN 2
+ IN 3
V
SS
4
-
+
7 V
DD
6 OUT
5 NC
-
+
+
-
B
A
7 OUTB -INA 2
6 -INB
5 + INB
INA + 3
V
DD
4
INB + 5
-INB 6
7 OUTB
-
A
+
+
D
-
13 -Ind
12 + IND
11 V
SS
10 + INC。
4 -IN
-
B
+
+
C
-
9 -INC
8 OUTC
2000 Microchip的技术公司
DS21314D第1页
MCP601/602/603/604
1.0
1.1
电动
特征
最大额定值*
引脚功能表
名字
+ IN， + INA ， INB + ， + INC。 ， + IND
-IN ， -INA ， -INB ， -INC ， -Ind
V
DD
V
SS
功能
非反相输入端
码头
相输入端
正电源。
负电源
V
DD
..................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. ............. V
SS
-0.3V到V
DD
+0.3V
差分输入电压....................................... | V
DD
- V
SS
|
输出短路电流..................................不断
在输入引脚电流.............................................. ......... ± 2毫安
电流输出和电源引脚............................. ± 30毫安
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度。电源采用................- 55 ° C至+ 125°C
引线焊接温度（ 10秒） ............. + 300℃
ESD容差................................. 3KV人体模型
*注意：
条件超过上述“绝对最大值”上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力额定
荷兰国际集团的设备仅运行在超过或任何
上述其他条件，在操作列表说明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
OUT ， OUTA ， OUTB ， OUTC ， OUTD输出端子
CS
NC
芯片选择
无内部连接
以IC
DC特性
除非另有说明，所有参数适用于V指定
DD
= + 2.7V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2, R
L
= 100k
to
V
DD
/ 2，和V
OUT
~ V
DD
/2
参数
输入失调电压
输入失调电压
过温
(1)
温度漂移
电源抑制
输入电流和阻抗
输入偏置电流
过温
(2)
输入失调电流偏置
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入范围
共模抑制比
开环增益
直流开环增益
符号
V
OS
V
OS
dV
OS
/ DT
PSRR
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
V
CM
CMRR
分钟。
-2
-3
—
—
—
—
—
—
—
V
SS
0.3
75
±2.5
40
1
20
1
10
13
||6
10 ||3
—
90
13
典型值。
马克斯。
+2
+3
—
100
—
60
—
—
—
V
DD
1.2
—
单位
mV
mV
条件
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
对于V
DD
= 2.7V至5.5V
V /°C的
V/V
pA
pA
pA
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
|| pF的
|| pF的
V
dB
V
DD
= 5V,
V
CM
= -0.3 3.8V
R
L
= 25k
到V
DD
/2,
为50mV < V
OUT
＆ LT ;
(V
DD
50毫伏）
R
L
= 5k
到V
DD
/2,
100mV的< V
OUT
＆ LT ;
(V
DD
100mV)
R
L
= 25k
到V
DD
/2
R
L
= 5k
到V
DD
/2
R
L
= 25k
到V
DD
/2,
A
OL
≥
100dB
R
L
= 5k
到V
DD
/2,
A
OL
≥
95dB
V
OUT
= 2.5V,
V
DD
= 5V
A
OL
100
115
—
dB
直流开环增益
A
OL
95
110
—
dB
产量
低电平/高电平输出摆幅
线性区域最大输出
电压摆幅
V
OL
, V
OH
V
OL
, V
OH
V
OUT
V
OUT
V
SS
+ 0.015
V
SS
+ 0.045
V
SS
+ 0.050
V
SS
+ 0.100
—
—
—
—
20
V
DD
0.020
V
DD
0.060
V
DD
0.050
V
DD
0.100
—
V
V
V
V
mA
输出短路电流
电源
电源电压
静态电流每安培
I
SC
V
DD
I
Q
2.7
—
230
5.5
325
V
A
I
L
= 0
注1 ：
马克斯。和Min 。只有PDIP和SOIC封装规定。通常指的是所有其他包
注2 ：
马克斯。和Min 。只有PDIP ，SOIC和TSSOP封装规定。通常指的是所有的包。
DS21314D第2页
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