【MCP6021/1R/2/3/4轨至轨输入/输出， 10 MHz的运算放大器特点轨到轨输入/输出宽带】,IC型号MCP6021-E/SN,MCP6021-E/SN PDF资料,MCP6021-E/SN经销商,ic,电子元器件-51电子网

MCP6021/1R/2/3/4

轨至轨输入/输出， 10 MHz的运算放大器

特点

轨到轨输入/输出

宽带宽： 10 MHz（典型值）。

低噪声： 8.7纳伏/ √Hz的，在10 kHz （ TYP。）

低失调电压：

- 工业级温度： ± 500 μV （最大值）。

- 扩展级温度： ± 250 μV （最大值）。

中秋节供应V

REF

： MCP6021和MCP6023

低电源电流为1mA （典型值）。

总谐波失真： 0.00053 ％（典型值，G = 1 ）。

单位增益稳定

电源电压范围： 2.5V至5.5V

温度范围：

- 工业级： -40 ° C至+ 85°C

- 扩展： -40 ° C至+ 125°C

描述

在MCP6021 ， MCP6021R ， MCP6022 ， MCP6023及

MCP6024 Microchip的公司是轨到

轨输入和输出运算放大器，具有较高的性能。

主要规格包括：高带宽（ 10 MHz）的，

低噪声（ 8.7纳伏/ √Hz的），低输入失调电压和低

失真（ 0.00053 ％ THD + N）。该MCP6023还

提供片选引脚（ CS），让省电

当该部分未在使用中。

单MCP6021和MCP6021R都可用

SOT- 23-5 。单MCP6021 ， MCP6023单和

双MCP6022采用8引脚PDIP ， SOIC和

TSSOP封装。在扩展级温度MCP6021单

在8引脚MSOP封装。四MCP6024是

14引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装。

在MCP6021 / 1R / 2/ 3/4系列是工业用

和扩展温度范围。它有一个电源

电源电压范围为2.5V至5.5V 。

典型应用

汽车

驱动A / D转换器

多极有源滤波器

条码扫描器

音频处理

通讯

DAC缓冲器

测试设备

医疗器械

封装类型

MCP6021

SOT-23-5

V

OUT

1

V

SS

2

V

IN

+ 3

MCP6022

PDIP SOIC ， TSSOP

8 V

DD

7 V

OUTB

6 V

INB

–

5 V

INB

+

5 V

DD

V

OUTA

1

V

INA

– 2

4 V

IN

– V

INA

+ 3

V

SS

4

MCP6021R

SOT-23-5

V

OUT

1

V

DD

2

V

IN

+ 3

5 V

SS

4 V

IN

–

MCP6023

PDIP SOIC ， TSSOP

NC 1

V

IN

– 2

V

IN

+ 3

V

SS

4

8 CS

7 V

DD

6 V

OUT

5 V

REF

可用工具

SPICE宏模型（从www.microchip.com ）

FilterLab设

软件（从www.microchip.com ）

典型用途

PHOTO

探测器

5.6 pF的

100 kΩ

100 pF的

MCP6021

V

DD

/2

跨阻放大器器

MCP6021

PDIP SOIC ，

MSOP ， TSSOP

NC 1

V

IN

– 2

V

IN

+ 3

V

SS

4

8 NC

7 V

DD

V

OUTA

1

6 V

OUT

V

INA

– 2

V

INA

+ 3

5 V

REF

MCP6024

PDIP SOIC ， TSSOP

14 V

OUTD

13 V

IND

–

12 V

IND

+

11 V

SS

10 V

INC。

+

9 V

INC。

–

8 V

OUTC

V

DD

4

V

INB

+ 5

V

INB

– 6

V

OUTB

7

2006年Microchip的科技公司

DS21685C第1页

MCP6021/1R/2/3/4

1.0

电动

特征

注意：

条件超过上述“绝对在列

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

装置。这是一个额定值只和功能操作

该设备在这些或任何其他条件超出上述

在操作列表中标明本规范不

暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其

期间可能会影响器件的可靠性。

绝对最大额定值

V

DD

– V

SS

........................................................................7.0V

所有输入和输出.................... V

SS

- 0.3V至V

DD

+ 0.3V

差分输入电压...................................... | V

DD

– V

SS

|

输出短路电流..................................不断

在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安

电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安

储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C

结温................................................ .. + 150°C

ESD保护所有引脚（ HBM ， MM ）

................ ≥

2千伏; 200V

DC电气特性

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，T

A

= + 25 ° C，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，V

CM

= V

DD

/2, V

OUT

≈

V

DD

/2

和R

L

= 10 kΩ到V

DD

/2.

参数

输入失调

输入失调电压：

工业级温度部件

扩展部分的温度

输入失调电压温度漂移

电源抑制比

输入电流和阻抗

输入偏置电流

工业级温度部件

扩展部分的温度

输入失调电流

共模输入阻抗

差分输入阻抗

共模

共模输入范围

共模抑制比

V

CMR

CMRR

参考电压（ MCP6021和MCP6023只）

V

REF

准确度（V

REF

– V

DD

/2)

V

REF

温度漂移

开环增益

直流开环增益（大信号）

产量

最大输出电压摆幅

输出短路电流

电源

电源电压

每个放大器器静态电流

V

S

I

Q

2.5

0.5

—

1.0

5.5

1.35

V

mA

I

O

= 0

V

OL

, V

OH

I

SC

I

SC

V

SS

+15

—

±30

±22

V

DD

-20

—

mV

mA

0.5V输出过载

V

DD

= 2.5V

V

DD

= 5.5V

A

OL

90

110

—

dB

V

CM

= 0V,

V

OUT

= V

SS

+ 0.3V至V

DD

-0.3V

V

REF_ACC

ΔV

REF

/ΔT

A

-50

—

±100

+50

—

mV

μV / ° （C T）

A

= -40 ° C至+ 125°C

V

SS

-0.3

74

70

74

—

90

85

90

V

DD

+0.3

—

V

dB

V

DD

= 5V, V

CM

= -0.3V至5.3V

V

DD

= 5V, V

CM

= 3.0V至5.3V

V

DD

= 5V, V

CM

= -0.3V至3.0V

I

B

I

B

I

B

I

OS

Z

CM

Z

差异

—

1

30

640

±1

10 ||6

10

13

||3

13

符号

民

典型值

最大

单位

条件

V

OS

V

OS

V

OS

ΔV

OS

/ΔT

A

PSRR

-500

-250

-2.5

—

74

—

±3.5

90

+500

+250

+2.5

—

150

5,000

—

V

mV

V

CM

= 0V

V

CM

= 0V, V

DD

= 5.0V

V

CM

= 0V, V

DD

= 5.0V

T

A

= -40 ° C至+ 125°C

V

CM

= 0V

μV / ° （C T）

A

= -40 ° C至+ 125°C

dB

pA

Ω|| pF的

T

A

= +85°C

T

A

= +125°C

DS21685C第2页

2006年Microchip的科技公司

MCP6021/1R/2/3/4

AC电气特性

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，T

A

= + 25 ° C，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，V

CM

= V

DD

/2,

V

OUT

≈

V

DD

/2, R

L

= 10 kΩ到V

DD

/ 2和C

L

= 60 pF的。

参数

交流响应

增益带宽积

相位裕度为单位增益

建立时间， 0.2 ％

压摆率

F = 1 kHz时， G = + 1V / V

F = 1 kHz时， G = + 1V / V ，R

L

= 600Ω

F = 1 kHz时， G = + 1V / V

F = 1 kHz时， G = + 10V / V

F = 1 kHz时， G = 100 V / V

噪音

输入噪声电压

输入噪声电压密度

输入噪声电流密度

E

ni

e

ni

i

ni

—

2.9

8.7

3

—

μVp -P

FA / √Hz的

F = 0.1赫兹到10赫兹

F = 1千赫

内华达州/ √Hz的F = 10千赫

增益带宽积

PM

t

SETTLE

SR

THD + N

—

10

65

250

7.0

0.00053

0.00064

0.0014

0.0009

0.005

—

兆赫

°

ns

V / μs的

%

V

OUT

= 0.25V至3.25V （ 1.75V ± 1.50V

PK

),

V

DD

= 5.0V ， BW = 22 kHz的

V

OUT

= 0.25V至3.25V （ 1.75V ± 1.50V

PK

),

V

DD

= 5.0V ， BW = 22 kHz的

V

OUT

= 4V

P-P

, V

DD

= 5.0V ， BW = 22 kHz的

V

OUT

= 4V

P-P

, V

DD

= 5.0V ， BW = 22 kHz的

V

OUT

= 4V

P-P

, V

DD

= 5.0V ， BW = 22 kHz的

G = +1

G = 1 ，V

OUT

= 100 mV的

p-p

符号

民

典型值

最大

单位

条件

总谐波失真加噪声

MCP6023芯片选择（ CS ）电气特性

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，T

A

= + 25 ° C，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，V

CM

= V

DD

/2,

V

OUT

≈

V

DD

/2, R

L

= 10 kΩ到V

DD

/ 2和C

L

= 60 pF的。

参数

CS低电平规范

CS逻辑门限，低

CS输入电流，低

CS高规格

CS逻辑门限，高

CS输入电流，高

GND电流

放大器输出泄漏

CS动态规范

CS低电平到放大器输出开启时间

CS高电平到放大器输出高阻时间

迟滞

t

ON

t

关闭

V

HYST

—

2

0.01

0.6

10

—

s

V

G = 1 ，V

IN

= V

SS

,

CS = 0.2V

DD

到V

OUT

= 0.45V

DD

时间

G = 1 ，V

IN

= V

SS

,

CS = 0.8V

DD

到V

OUT

= 0.05V

DD

时间

V

DD

= 5.0V ，内置开关

V

IH

I

CSH

I

SS

I

O（泄漏）

0.8 V

DD

—

-2

—

0.01

-0.05

0.01

V

DD

2.0

—

V

A

CS = V

DD

CS = V

DD

CS = V

DD

V

IL

I

CSL

V

SS

-1.0

—

0.01

0.2 V

DD

—

V

A

CS = V

SS

符号

民

典型值

最大

单位

条件

2006年Microchip的科技公司

DS21685C第3页

MCP6021/1R/2/3/4

温度特性

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V和V

SS

= GND 。

参数

温度范围

工业温度范围

扩展级温度范围

工作温度范围

存储温度范围

封装热阻

热阻， 5引脚SOT- 23

热阻，8 - PDIP

热阻，8 - SOIC

热阻，8 - MSOP

热阻，8 - TSSOP

热阻， 14L - PDIP

热阻，14 - SOIC

热阻，14 - TSSOP

注1 ：

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

—

256

85

163

206

124

70

120

100

—

° C / W

T

A

T

A

T

A

T

A

-40

-65

—

+85

+125

+150

°C

注1

符号

民

典型值

最大

单位

条件

工业级温度器件可工作在扩展级温度范围，但性能有所下降。在任何

情况下，内部结点温度（T

J

）不得超过150 ℃，绝对最高规格。

CS

t

ON

V

OUT

高-Z

扩增fi er上

t

关闭

高-Z

I

SS

-50 NA（典型值）。

I

CS

10 NA（典型值）。

-1 mA（典型值）

-50 NA（典型值）。

10 NA（典型值）。

图1-1：

时序图的CS

引脚上的MCP6023 。

DS21685C第4页

2006年Microchip的科技公司

MCP6021/1R/2/3/4

2.0

注意：

典型性能曲线

提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限

提供，仅供参考样本和。在所列特性

未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外

工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。

注意：

除非另有说明，T

A

= + 25 ° C，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，V

CM

= V

DD

/2, V

OUT

≈

V

DD

/2,

R

L

= 10 kΩ到V

DD

/ 2和C

L

= 60 pF的。

16%

匹配的字符串的百分比

14%

12%

10%

8%

6%

4%

2%

0%

-500

-400

-300

-200

-100

100

200

300

400

500

0

工业级温度

零件

1192样品

V

CM

= 0V

T

A

= +25°C

24%

22%

20%

18%

16%

14%

12%

10%

8%

6%

4%

2%

0%

工业级温度

零件

1192样品

V

CM

= 0V

T

A

= -40 ° C至+ 85°C

匹配的字符串的百分比

0

4

8

12

16

5.5

-20

-16

输入失调电压（ μV ）

输入失调电压漂移（ μV / ° C）

图2-1：

输入偏移电压，

（工业级温度部件）。

24%

22%

20%

18%

16%

14%

12%

10%

8%

6%

4%

2%

0%

E-温度

零件

438样本

V

DD

= 5.0V

V

CM

= 0V

T

A

= +25°C

图2-4：

输入失调电压漂移，

（工业级温度部件）。

24%

22%

20%

18%

16%

14%

12%

10%

8%

6%

4%

2%

0%

E-温度

零件

438样本

V

CM

= 0V

T

A

= -40 ° C至+ 125°C

匹配的字符串的百分比

0

40

-240

-200

-160

-120

80

120

160

200

240

-80

-40

匹配的字符串的百分比

-12

-8

-4

0

4

8

12

-20

-16

输入失调电压（ μV ）

输入失调电压漂移（ μV / ° C）

图2-2：

输入偏移电压，

（扩展温度零件）。

500

400 V

DD

= 2.5V

300

200

100

0

-100

-200

-300

-400

-500

-0.5

0.0

0.5

图2-5：

输入失调电压漂移，

（扩展温度零件）。

500

400

300

200

100

0

-100

-200

-300

-400

-500

-40°C

+25°C

+85°C

+125°C

输入失调电压（ μV ）

-40°C

+25°C

+85°C

+125°C

输入失调电压（ μV ）

V

DD

= 5.5V

-0.5

0.0

0.5

1.0

-12

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

共模输入电压（ V）

图2-3：

输入失调电压 -

共模输入电压与V

DD

= 2.5V.

图2-6：

输入失调电压 -

共模输入电压与V

DD

= 5.5V.

2006年Microchip的科技公司

DS21685C第5页

6.0

20

-8

-4

M

特点

轨到轨输入/输出

宽带宽： 10 MHz（典型值）。

低噪声： 8.7纳伏/ √Hz的，在10 kHz （ TYP。）

低失调电压：

- 工业级温度： ± 500 μV （最大值）。

- 扩展级温度： ± 250 μV （最大值）。

中秋节供应V

REF

： MCP6021和MCP6023

低电源电流为1mA （典型值）。

总谐波失真： 0.00053 ％（典型值，G = 1 ）。

单位增益稳定

电源电压范围： 2.5V至5.5V

温度范围：

- 工业级： -40 ° C至+ 85°C

- 扩展： -40 ° C至+ 125°C

MCP6021/2/3/4

描述

在MCP6021 ， MCP6022 ， MCP6023及MCP6024

Microchip的公司是轨到轨输入和

输出运算放大器，具有较高的性能。关键

规格包括：高带宽（ 10 MHz）的低

噪声（ 8.7纳伏/ √Hz的），低输入失调电压和低

失真（ 0.00053 ％ THD + N）。这些特点使

这些运算放大器非常适合于需要应用

高性能和高带宽。该MCP6023还

提供片选引脚（ CS），让省电

当该部分未在使用中。

单MCP6021 ， MCP6023单和双

MCP6022采用标准8引脚PDIP ， SOIC

和TSSOP封装。四MCP6024提供14引脚

PDIP ， SOIC和TSSOP封装。

在MCP6021 / 2/ 3/4系列在工业用

和扩展温度范围。它有一个电源

电源电压范围为2.5V至5.5V 。

轨至轨输入/输出， 10 MHz的运算放大器

典型应用

汽车

驱动A / D转换器

多极有源滤波器

条码扫描器

音频处理

通讯

DAC缓冲器

测试设备

医疗器械

可用工具

SPICE宏模型（从www.microchip.com ）

FilterLab设

软件（从www.microchip.com ）

封装类型

MCP6021

PDIP SOIC ， TSSOP

NC 1

V

IN

– 2

V

IN

+ 3

V

SS

4

MCP6022

PDIP SOIC ， TSSOP

MCP6023

PDIP SOIC ， TSSOP

8 CS

7 V

DD

6 V

OUT

5 V

REF

MCP6024

PDIP SOIC ， TSSOP

V

OUTA

1

V

INA

– 2

V

INA

+ 3

V

DD

4

V

INB

+ 5

V

INB

– 6

V

OUTB

7

14 V

OUTD

13 V

IND

–

12 V

IND

+

11 V

SS

10 V

INC。

+

9 V

INC。

–

8 V

OUTC

8 NC V

OUTA

1

7 V

DD

V

INA

– 2

6 V

OUT

V

INA

+ 3

5 V

REF

V

SS

4

NC 1

8 V

DD

7 V

OUTB

V

IN

– 2

6 V

INB

– V

IN

+ 3

5 V + V

SS

4

INB

2003 Microchip的技术公司

DS21685B第1页

MCP6021/2/3/4

1.0

电动

特征

引脚功能表

名字

V

IN

+, V

INA

+, V

INB

+, V

INC。

+, V

IND

+

V

IN

–, V

INA

–, V

INB

–, V

INC。

–, V

IND

–

V

DD

V

SS

CS

V

REF

V

OUT

, V

OUTA

, V

OUTB

, V

OUTC

,

V

OUTD

NC

功能

非反相输入端

反相输入

正电源。

负电源

芯片选择

参考电压

输出

无内部连接

绝对最大额定值

V

DD

- V

SS

.........................................................................7.0V

所有输入和输出..................... V

SS

- 0.3V至V

DD

+ 0.3V

差分输入电压....................................... | V

DD

- V

SS

|

输出短路电流..................................不断

在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安

电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安

储存温度....................................- 65 ° C至+ 150°C

结温................................................ .. + 150°C

所有引脚的ESD保护（ HBM / MM ）

................ ≥

2千伏/ 200V

注意：

上面讲的那些最大的“上市

“，可能对器件造成永久性损坏。这是

一个额定值，器件的功能操作

这些或任何上述其他条件的说明

本规范运作上市，是不是暗示。曝光

绝对最大额定条件下长时间可能

影响器件的可靠性。

DC特性

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，T

A

= + 25 ° C，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，

V

CM

= V

DD

/2, V

OUT

≈

V

DD

/ 2和R

L

= 10 kΩ到V

DD

/2.

参数

输入失调

输入失调电压：

工业级温度部件

扩展部分的温度

输入失调电压温度漂移

电源抑制比

输入电流和阻抗

输入偏置电流

工业级温度部件

扩展部分的温度

输入失调电流

共模输入阻抗

差分输入阻抗

共模

共模输入范围

共模抑制比

V

CMR

CMRR

参考电压（ MCP6021和MCP6023只）

V

REF

准确度（V

REF

- V

DD

/2)

V

REF

温度漂移

开环增益

直流开环增益（大信号）

A

OL

90

110

—

dB

V

CM

= 0V,

V

OUT

= V

SS

+ 0.3V至V

DD

-0.3V

V

REF

V

REF

/T

A

符号

民

典型值

最大

单位

条件

V

OS

V

OS

V

OS

V

OS

/T

A

PSRR

I

B

I

B

I

B

I

OS

Z

CM

Z

差异

-500

-250

-2.5

—

74

—

V

SS

-0.3

74

70

74

-50

—

±3.5

90

1

30

640

±1

10 ||6

10 ||3

—

90

85

90

—

±100

13

+500

+250

+2.5

—

150

5,000

—

V

DD

+0.3

—

+50

—

V

mV

V

CM

= 0V

V

CM

= 0V, V

DD

= 5.0V

V

CM

= 0V, V

DD

= 5.0V

T

A

= -40 ° C至+ 125°C

V

CM

= 0V

μV / ° （C T）

A

= -40 ° C至+ 125°C

dB

pA

Ω|| pF的

V

dB

mV

μV / ° （C T）

A

= -40 ° C至+ 125°C

V

DD

= 5V, V

CM

= -0.3V至5.3V

V

DD

= 5V, V

CM

= 3.0V至5.3V

V

DD

= 5V, V

CM

= -0.3V至3.0V

T

A

= +85°C

T

A

= +125°C

DS21685B第2页

2003 Microchip的技术公司

MCP6021/2/3/4

直流特性（续）

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，T

A

= + 25 ° C，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，

V

CM

= V

DD

/2, V

OUT

≈

V

DD

/ 2和R

L

= 10 kΩ到V

DD

/2.

参数

产量

最大输出电压摆幅

输出短路电流

电源

电源电压

每个放大器器静态电流

V

S

I

Q

2.5

0.5

—

1.0

5.5

1.35

V

mA

I

O

= 0

V

OL

, V

OH

I

SC

V

SS

+15

—

±30

V

DD

-20

—

mV

mA

0.5V输出过载

符号

民

典型值

最大

单位

条件

AC特性

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，T

A

= 25 ° C，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，V

CM

= V

DD

/2, V

OUT

≈

V

DD

/2,

R

L

= 10 kΩ到V

DD

/ 2和C

L

= 60 pF的。

参数

交流响应

增益带宽积

相位裕度为单位增益

建立时间， 0.2 ％

压摆率

总谐波失真加噪声

F = 1千赫，G = 1

F = 1千赫，G = 1，R

L

= 600Ω @ 1千赫

F = 1 kHz时， G = + 1V / V

F = 1 kHz时， G = + 10V / V

F = 1 kHz时， G = 100 V / V

噪音

输入电压噪声

输入电压噪声密度

输入电流噪声密度

E

ni

e

ni

i

ni

—

2.9

8.7

3

—

μVp -P

纳伏/赫兹÷

FA / √Hz的

F = 0.1赫兹到10赫兹

F = 10千赫

F = 1千赫

THD + N

—

0.00053

0.00064

0.0014

0.0009

0.005

—

%

V

OUT

= 0.25V + 3.25V ， BW = 22 kHz的

V

OUT

= 0.25V + 3.25V ， BW = 22 kHz的

V

OUT

= 4V

P-P

, V

DD

= 5.0V ， BW = 22 kHz的

V

OUT

= 4V

P-P

, V

DD

= 5.0V ， BW = 22 kHz的

V

OUT

= 4V

P-P

, V

DD

= 5.0V ， BW = 22 kHz的

增益带宽积

PM

t

SETTLE

SR

—

10

65

250

7.0

—

兆赫

°

ns

V / μs的

G=1

G = 1，V

OUT

= 100 mV的

p-p

符号

民

典型值

最大

单位

条件

MCP6023片选（CS ）特性

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，T

A

= 25 ° C，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，V

CM

= V

DD

/2, V

OUT

≈

V

DD

/2,

R

L

= 10 kΩ到V

DD

/ 2和C

L

= 60 pF的。

参数

符号

民

典型值

最大

单位

条件

DC特性

CS逻辑门限，低

CS输入电流，低

CS逻辑门限，高

CS输入电流，高

CS输入高电平，接地电流

放大器输出泄漏

定时

CS低电平到放大器输出

开启时间

CS高电平到放大器输出

高阻关断时间

迟滞

t

ON

t

关闭

V

HYST

—

2

0.01

0.6

10

—

s

V

G = 1，V

IN

= V

SS

,

CS = 0.2V

DD

到V

OUT

= 0.45V

DD

时间

G = 1，V

IN

= V

SS

,

CS = 0.8V

DD

到V

OUT

= 0.05V

DD

时间

内部开关

V

IL

I

CSL

V

IH

I

CSH

I

SS

—

0

-1.0

0.8V

DD

—

0.01

—

0.01

0.05

0.01

0.2V

DD

—

V

DD

2.0

—

V

A

V

A

CS = V

DD

CS = V

DD

CS = V

DD

CS = V

SS

2003 Microchip的技术公司

DS21685B第3页

MCP6021/2/3/4

温度特性

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V和V

SS

= GND 。

参数

温度范围

工业温度范围

扩展级温度范围

工作温度范围

存储温度范围

封装热阻

热阻，8 - PDIP

热阻，8 - SOIC

热阻，8 - TSSOP

热阻， 14L - PDIP

热阻，14 - SOIC

热阻，14 - TSSOP

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

—

85

163

124

70

120

100

—

° C / W

T

A

T

A

T

A

T

A

-40

-65

—

+85

+125

+150

°C

注1

符号

民

典型值

最大

单位

条件

注1 ：

工业级温度器件可工作在扩展级温度范围，但降低

性能。在任何情况下，内部结点温度（T

J

）必须不超过最大绝对

规格为150℃ 。

CS

t

ON

V

OUT

高阻

扩增fi er上

t

关闭

高阻

为50 nA （典型值）。

I

SS

为50 nA （典型值）。

I

CS

10 NA（典型值）。

1毫安（典型值）。

10 NA（典型值）。

图1-1：

时序图的CS

引脚上的MCP6023 。

DS21685B第4页

2003 Microchip的技术公司

MCP6021/2/3/4

2.0

注意：

典型性能曲线

提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限

提供，仅供参考样本和。在所列特性

未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外

工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。

注意：

除非另有说明，T

A

= + 25 ° C，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，V

CM

= V

DD

/2, R

L

= 10 kΩ到V

DD

/2,

V

OUT

≈

V

DD

/ 2和C

L

= 60 pF的。

16%

14%

12%

10%

8%

6%

4%

2%

0%

100

200

300

400

-500

-400

-300

-200

-100

500

0

12%

11%

10%

9%

8%

7%

6%

5%

4%

3%

2%

1%

0%

1192样品

T

A

= -40 ° C至+ 85°C

匹配的字符串的百分比

1192样品

T

A

= +25°C

工业级温度

零件

工业级温度

零件

10

16

-12

-10

输入失调电压（ μV ）

输入失调电压漂移（ μV / ° C）

图2-1：

输入偏移电压，

（工业级温度部件）。

24%

22%

20%

18%

16%

14%

12%

10%

8%

6%

4%

2%

0%

图2-4：

输入失调电压漂移，

（工业级温度部件）。

26%

24%

22%

20%

18%

16%

14%

12%

10%

8%

6%

4%

2%

0%

438样本

V

CM

= 0V

T

A

= -40 ° C至+ 125°C

匹配的字符串的百分比

E-温度

零件

120

160

-200

-160

-120

200

40

-80

-40

80

0

匹配的字符串的百分比

438样本

V

DD

= 5.0V

V

CM

= 0V

T

A

= +25°C

E-温度

零件

12

-20

-16

-12

输入失调电压（ μV ）

输入失调电压漂移（ μV / ° C）

图2-2：

输入偏移电压，

（扩展温度零件）。

500

400 V

DD

= 2.5V

300

200

100

0

-100

-200

-300

-400

-500

-0.5

0.0

0.5

图2-5：

输入失调电压漂移，

（扩展温度零件）。

500

400

300

200

100

0

-100

-200

-300

-400

-500

输入失调电压（ μV ）

-40°C

+25°C

+85°C

+125°C

输入失调电压（ μV ）

V

DD

= 5.5V

-40°C

+25°C

+85°C

+125°C

-0.5

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

共模输入电压（ V）

图2-3：

输入失调电压 -

共模输入电压与V

DD

= 2.5V.

图2-6：

输入失调电压 -

共模输入电压与V

DD

= 5.5V.

2003 Microchip的技术公司

DS21685B第5页

6.0

20

0

4

-8

-4

8

12

0

2

4

6

-8

-6

-4

-2

8

M

特点

轨到轨输入/输出

宽带宽： 10 MHz（典型值）。

低噪声： 8.7纳伏/ √Hz的，在10 kHz （ TYP。）

低失调电压：

- 工业级温度： ± 500 μV （最大值）。

- 扩展级温度： ± 250 μV （最大值）。

中秋节供应V

REF

： MCP6021和MCP6023

低电源电流为1mA （典型值）。

总谐波失真： 0.00053 ％（典型值，G = 1 ）。

单位增益稳定

电源电压范围： 2.5V至5.5V

温度范围：

- 工业级： -40 ° C至+ 85°C

- 扩展： -40 ° C至+ 125°C

MCP6021/2/3/4

描述

在MCP6021 ， MCP6022 ， MCP6023及MCP6024

Microchip的公司是轨到轨输入和

输出运算放大器，具有较高的性能。关键

规格包括：高带宽（ 10 MHz）的低

噪声（ 8.7纳伏/ √Hz的），低输入失调电压和低

失真（ 0.00053 ％ THD + N）。这些特点使

这些运算放大器非常适合于需要应用

高性能和高带宽。该MCP6023还

提供片选引脚（ CS），让省电

当该部分未在使用中。

单MCP6021 ， MCP6023单和双

MCP6022采用标准8引脚PDIP ， SOIC

和TSSOP封装。四MCP6024提供14引脚

PDIP ， SOIC和TSSOP封装。

在MCP6021 / 2/ 3/4系列在工业用

和扩展温度范围。它有一个电源

电源电压范围为2.5V至5.5V 。

轨至轨输入/输出， 10 MHz的运算放大器

典型应用

汽车

驱动A / D转换器

多极有源滤波器

条码扫描器

音频处理

通讯

DAC缓冲器

测试设备

医疗器械

可用工具

SPICE宏模型（从www.microchip.com ）

FilterLab设

软件（从www.microchip.com ）

封装类型

MCP6021

PDIP SOIC ， TSSOP

NC 1

V

IN

– 2

V

IN

+ 3

V

SS

4

MCP6022

PDIP SOIC ， TSSOP

MCP6023

PDIP SOIC ， TSSOP

8 CS

7 V

DD

6 V

OUT

5 V

REF

MCP6024

PDIP SOIC ， TSSOP

V

OUTA

1

V

INA

– 2

V

INA

+ 3

V

DD

4

V

INB

+ 5

V

INB

– 6

V

OUTB

7

14 V

OUTD

13 V

IND

–

12 V

IND

+

11 V

SS

10 V

INC。

+

9 V

INC。

–

8 V

OUTC

8 NC V

OUTA

1

7 V

DD

V

INA

– 2

6 V

OUT

V

INA

+ 3

5 V

REF

V

SS

4

NC 1

8 V

DD

7 V

OUTB

V

IN

– 2

6 V

INB

– V

IN

+ 3

5 V + V

SS

4

INB

2003 Microchip的技术公司

DS21685B第1页

MCP6021/2/3/4

1.0

电动

特征

引脚功能表

名字

V

IN

+, V

INA

+, V

INB

+, V

INC。

+, V

IND

+

V

IN

–, V

INA

–, V

INB

–, V

INC。

–, V

IND

–

V

DD

V

SS

CS

V

REF

V

OUT

, V

OUTA

, V

OUTB

, V

OUTC

,

V

OUTD

NC

功能

非反相输入端

反相输入

正电源。

负电源

芯片选择

参考电压

输出

无内部连接

绝对最大额定值

V

DD

- V

SS

.........................................................................7.0V

所有输入和输出..................... V

SS

- 0.3V至V

DD

+ 0.3V

差分输入电压....................................... | V

DD

- V

SS

|

输出短路电流..................................不断

在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安

电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安

储存温度....................................- 65 ° C至+ 150°C

结温................................................ .. + 150°C

所有引脚的ESD保护（ HBM / MM ）

................ ≥

2千伏/ 200V

注意：

上面讲的那些最大的“上市

“，可能对器件造成永久性损坏。这是

一个额定值，器件的功能操作

这些或任何上述其他条件的说明

本规范运作上市，是不是暗示。曝光

绝对最大额定条件下长时间可能

影响器件的可靠性。

DC特性

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，T

A

= + 25 ° C，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，

V

CM

= V

DD

/2, V

OUT

≈

V

DD

/ 2和R

L

= 10 kΩ到V

DD

/2.

参数

输入失调

输入失调电压：

工业级温度部件

扩展部分的温度

输入失调电压温度漂移

电源抑制比

输入电流和阻抗

输入偏置电流

工业级温度部件

扩展部分的温度

输入失调电流

共模输入阻抗

差分输入阻抗

共模

共模输入范围

共模抑制比

V

CMR

CMRR

参考电压（ MCP6021和MCP6023只）

V

REF

准确度（V

REF

- V

DD

/2)

V

REF

温度漂移

开环增益

直流开环增益（大信号）

A

OL

90

110

—

dB

V

CM

= 0V,

V

OUT

= V

SS

+ 0.3V至V

DD

-0.3V

V

REF

V

REF

/T

A

符号

民

典型值

最大

单位

条件

V

OS

V

OS

V

OS

V

OS

/T

A

PSRR

I

B

I

B

I

B

I

OS

Z

CM

Z

差异

-500

-250

-2.5

—

74

—

V

SS

-0.3

74

70

74

-50

—

±3.5

90

1

30

640

±1

10 ||6

10 ||3

—

90

85

90

—

±100

13

+500

+250

+2.5

—

150

5,000

—

V

DD

+0.3

—

+50

—

V

mV

V

CM

= 0V

V

CM

= 0V, V

DD

= 5.0V

V

CM

= 0V, V

DD

= 5.0V

T

A

= -40 ° C至+ 125°C

V

CM

= 0V

μV / ° （C T）

A

= -40 ° C至+ 125°C

dB

pA

Ω|| pF的

V

dB

mV

μV / ° （C T）

A

= -40 ° C至+ 125°C

V

DD

= 5V, V

CM

= -0.3V至5.3V

V

DD

= 5V, V

CM

= 3.0V至5.3V

V

DD

= 5V, V

CM

= -0.3V至3.0V

T

A

= +85°C

T

A

= +125°C

DS21685B第2页

2003 Microchip的技术公司

MCP6021/2/3/4

直流特性（续）

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，T

A

= + 25 ° C，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，

V

CM

= V

DD

/2, V

OUT

≈

V

DD

/ 2和R

L

= 10 kΩ到V

DD

/2.

参数

产量

最大输出电压摆幅

输出短路电流

电源

电源电压

每个放大器器静态电流

V

S

I

Q

2.5

0.5

—

1.0

5.5

1.35

V

mA

I

O

= 0

V

OL

, V

OH

I

SC

V

SS

+15

—

±30

V

DD

-20

—

mV

mA

0.5V输出过载

符号

民

典型值

最大

单位

条件

AC特性

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，T

A

= 25 ° C，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，V

CM

= V

DD

/2, V

OUT

≈

V

DD

/2,

R

L

= 10 kΩ到V

DD

/ 2和C

L

= 60 pF的。

参数

交流响应

增益带宽积

相位裕度为单位增益

建立时间， 0.2 ％

压摆率

总谐波失真加噪声

F = 1千赫，G = 1

F = 1千赫，G = 1，R

L

= 600Ω @ 1千赫

F = 1 kHz时， G = + 1V / V

F = 1 kHz时， G = + 10V / V

F = 1 kHz时， G = 100 V / V

噪音

输入电压噪声

输入电压噪声密度

输入电流噪声密度

E

ni

e

ni

i

ni

—

2.9

8.7

3

—

μVp -P

纳伏/赫兹÷

FA / √Hz的

F = 0.1赫兹到10赫兹

F = 10千赫

F = 1千赫

THD + N

—

0.00053

0.00064

0.0014

0.0009

0.005

—

%

V

OUT

= 0.25V + 3.25V ， BW = 22 kHz的

V

OUT

= 0.25V + 3.25V ， BW = 22 kHz的

V

OUT

= 4V

P-P

, V

DD

= 5.0V ， BW = 22 kHz的

V

OUT

= 4V

P-P

, V

DD

= 5.0V ， BW = 22 kHz的

V

OUT

= 4V

P-P

, V

DD

= 5.0V ， BW = 22 kHz的

增益带宽积

PM

t

SETTLE

SR

—

10

65

250

7.0

—

兆赫

°

ns

V / μs的

G=1

G = 1，V

OUT

= 100 mV的

p-p

符号

民

典型值

最大

单位

条件

MCP6023片选（CS ）特性

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，T

A

= 25 ° C，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，V

CM

= V

DD

/2, V

OUT

≈

V

DD

/2,

R

L

= 10 kΩ到V

DD

/ 2和C

L

= 60 pF的。

参数

符号

民

典型值

最大

单位

条件

DC特性

CS逻辑门限，低

CS输入电流，低

CS逻辑门限，高

CS输入电流，高

CS输入高电平，接地电流

放大器输出泄漏

定时

CS低电平到放大器输出

开启时间

CS高电平到放大器输出

高阻关断时间

迟滞

t

ON

t

关闭

V

HYST

—

2

0.01

0.6

10

—

s

V

G = 1，V

IN

= V

SS

,

CS = 0.2V

DD

到V

OUT

= 0.45V

DD

时间

G = 1，V

IN

= V

SS

,

CS = 0.8V

DD

到V

OUT

= 0.05V

DD

时间

内部开关

V

IL

I

CSL

V

IH

I

CSH

I

SS

—

0

-1.0

0.8V

DD

—

0.01

—

0.01

0.05

0.01

0.2V

DD

—

V

DD

2.0

—

V

A

V

A

CS = V

DD

CS = V

DD

CS = V

DD

CS = V

SS

2003 Microchip的技术公司

DS21685B第3页

MCP6021/2/3/4

温度特性

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V和V

SS

= GND 。

参数

温度范围

工业温度范围

扩展级温度范围

工作温度范围

存储温度范围

封装热阻

热阻，8 - PDIP

热阻，8 - SOIC

热阻，8 - TSSOP

热阻， 14L - PDIP

热阻，14 - SOIC

热阻，14 - TSSOP

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

—

85

163

124

70

120

100

—

° C / W

T

A

T

A

T

A

T

A

-40

-65

—

+85

+125

+150

°C

注1

符号

民

典型值

最大

单位

条件

注1 ：

工业级温度器件可工作在扩展级温度范围，但降低

性能。在任何情况下，内部结点温度（T

J

）必须不超过最大绝对

规格为150℃ 。

CS

t

ON

V

OUT

高阻

扩增fi er上

t

关闭

高阻

为50 nA （典型值）。

I

SS

为50 nA （典型值）。

I

CS

10 NA（典型值）。

1毫安（典型值）。

10 NA（典型值）。

图1-1：

时序图的CS

引脚上的MCP6023 。

DS21685B第4页

2003 Microchip的技术公司

MCP6021/2/3/4

2.0

注意：

典型性能曲线

提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限

提供，仅供参考样本和。在所列特性

未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外

工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。

注意：

除非另有说明，T

A

= + 25 ° C，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，V

CM

= V

DD

/2, R

L

= 10 kΩ到V

DD

/2,

V

OUT

≈

V

DD

/ 2和C

L

= 60 pF的。

16%

14%

12%

10%

8%

6%

4%

2%

0%

100

200

300

400

-500

-400

-300

-200

-100

500

0

12%

11%

10%

9%

8%

7%

6%

5%

4%

3%

2%

1%

0%

1192样品

T

A

= -40 ° C至+ 85°C

匹配的字符串的百分比

1192样品

T

A

= +25°C

工业级温度

零件

工业级温度

零件

10

16

-12

-10

输入失调电压（ μV ）

输入失调电压漂移（ μV / ° C）

图2-1：

输入偏移电压，

（工业级温度部件）。

24%

22%

20%

18%

16%

14%

12%

10%

8%

6%

4%

2%

0%

图2-4：

输入失调电压漂移，

（工业级温度部件）。

26%

24%

22%

20%

18%

16%

14%

12%

10%

8%

6%

4%

2%

0%

438样本

V

CM

= 0V

T

A

= -40 ° C至+ 125°C

匹配的字符串的百分比

E-温度

零件

120

160

-200

-160

-120

200

40

-80

-40

80

0

匹配的字符串的百分比

438样本

V

DD

= 5.0V

V

CM

= 0V

T

A

= +25°C

E-温度

零件

12

-20

-16

-12

输入失调电压（ μV ）

输入失调电压漂移（ μV / ° C）

图2-2：

输入偏移电压，

（扩展温度零件）。

500

400 V

DD

= 2.5V

300

200

100

0

-100

-200

-300

-400

-500

-0.5

0.0

0.5

图2-5：

输入失调电压漂移，

（扩展温度零件）。

500

400

300

200

100

0

-100

-200

-300

-400

-500

输入失调电压（ μV ）

-40°C

+25°C

+85°C

+125°C

输入失调电压（ μV ）

V

DD

= 5.5V

-40°C

+25°C

+85°C

+125°C

-0.5

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

共模输入电压（ V）

图2-3：

输入失调电压 -

共模输入电压与V

DD

= 2.5V.

图2-6：

输入失调电压 -

共模输入电压与V

DD

= 5.5V.

2003 Microchip的技术公司

DS21685B第5页

6.0

20

0

4

-8

-4

8

12

0

2

4

6

-8

-6

-4

-2

8

MCP6021/1R/2/3/4

轨至轨输入/输出， 10 MHz的运算放大器

特点

轨到轨输入/输出

宽带宽： 10兆赫（典型值）

低噪声： 8.7纳伏/ √Hz的，在10 kHz （典型值）

低失调电压：

- 工业级温度： ± 500 μV （最大值）

- 扩展级温度： ± 250 μV （最大值）

中秋节供应V

REF

： MCP6021和MCP6023

低电源电流为1mA （典型值）

总谐波失真：

- 0.00053 ％（典型值，G = 1 V / V）

单位增益稳定

电源电压范围： 2.5V至5.5V

温度范围：

- 工业级： -40 ° C至+ 85°C

- 扩展： -40 ° C至+ 125°C

描述

在MCP6021 ， MCP6021R ， MCP6022 ， MCP6023及

MCP6024 Microchip的公司是轨到

轨输入和输出运算放大器，具有较高的性能。

主要规格包括：高带宽（ 10 MHz）的，

低噪声（ 8.7纳伏/ √Hz的），低输入失调电压和低

失真（ 0.00053 ％ THD + N）。该MCP6023还

提供片选引脚（ CS），让省电

当该部分未在使用中。

单MCP6021和MCP6021R都可用

SOT- 23-5 。单MCP6021 ， MCP6023单和

双MCP6022采用8引脚PDIP ， SOIC和

TSSOP封装。在扩展级温度MCP6021单

在8引脚MSOP封装。四MCP6024是

14引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装。

在MCP6021 / 1R / 2/ 3/4系列是工业用

和扩展温度范围。它有一个电源

电源电压范围为2.5V至5.5V 。

应用

汽车

多极有源滤波器

音频处理

DAC缓冲器

测试设备

医疗器械

封装类型

MCP6021

SOT-23-5

V

OUT

1

V

SS

2

V

IN

+ 3

4 V

IN

–

5 V

DD

MCP6022

PDIP SOIC ， TSSOP

V

OUTA

1

V

INA

– 2

V

INA

+ 3

V

SS

4

8 V

DD

7 V

OUTB

6 V

INB

–

5 V

INB

+

设计工具

SPICE宏模型

FilterLab设

软件

Mindi电路设计&模拟器

Microchip高级器件选型器（ MAPS ）

模拟演示和评估板

应用笔记

MCP6021R

SOT-23-5

V

OUT

1

V

DD

2

V

IN

+ 3

4 V

IN

–

5 V

SS

MCP6023

PDIP SOIC ， TSSOP

NC 1

V

IN

– 2

V

IN

+ 3

V

SS

4

8 CS

7 V

DD

6 V

OUT

5 V

REF

MCP6021

PDIP SOIC ，

MSOP ， TSSOP

典型用途

PHOTO

探测器

5.6 pF的

100 kΩ

100 pF的

MCP6021

V

DD

/2

跨阻放大器器

NC 1

V

IN

– 2

V

IN

+ 3

V

SS

4

8 NC

7 V

DD

MCP6024

PDIP SOIC ， TSSOP

V

OUTA

1

14 V

OUTD

13 V

IND

–

12 V

IND

+

11 V

SS

10 V

INC。

+

9 V

INC。

–

8 V

OUTC

V

INA

– 2

6 V

OUT

V

INA

+ 3

5 V

REF

V

DD

4

V

INB

+ 5

V

INB

– 6

V

OUTB

7

2009年Microchip的科技公司

DS21685D第1页

MCP6021/1R/2/3/4

注意事项：

DS21685D第2页

2009年Microchip的科技公司

MCP6021/1R/2/3/4

1.0

电动

特征

注意：

条件超过上述“绝对在列

最大额定值“，可能会造成永久性损坏

装置。这是一个额定值只和功能操作

该设备在这些或任何其他条件超出上述

在操作列表中标明本规范不

暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其

期间可能会影响器件的可靠性。

SEE

第4.1.2节“

输入电压和电流限制“ 。

绝对最大额定值

V

DD

– V

SS

........................................................................7.0V

在模拟输入引脚电流（V

IN

+, V

IN

- ） ..................... ± 2毫安

模拟输入（V

IN

+, V

IN

–) ........ V

SS

= 1.0V至V

DD

+ 1.0V

所有其它输入和输出......... V

SS

- 0.3V至V

DD

+ 0.3V

差分输入电压...................................... | V

DD

– V

SS

|

输出短路电流连续................................

电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安

存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C

最高结温（T

J

)........................ .+150° C

ESD保护所有引脚（ HBM ， MM ）

.............. ≥

2千伏; 200V

DC电气特性

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，T

A

= + 25 ° C，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，V

CM

= V

DD

/2,

V

OUT

≈

V

DD

/ 2和R

L

= 10 kΩ到V

DD

/2.

参数

输入失调

输入失调电压：

工业级温度部件

扩展部分的温度

输入失调电压温度漂移

电源抑制比

输入电流和阻抗

输入偏置电流

工业级温度部件

扩展部分的温度

输入失调电流

共模输入阻抗

差分输入阻抗

共模

共模输入范围

共模抑制比

V

CMR

CMRR

参考电压（ MCP6021和MCP6023只）

V

REF

准确度（V

REF

– V

DD

/2)

V

REF

温度漂移

开环增益

直流开环增益（大信号）

产量

最大输出电压摆幅

输出短路电流

V

OL

, V

OH

I

SC

I

SC

V

SS

+15

—

±30

±22

V

DD

-20

—

mV

mA

0.5V的输入过驱动

V

DD

= 2.5V

V

DD

= 5.5V

A

OL

90

110

—

dB

V

CM

= 0V,

V

OUT

= V

SS

+ 0.3V至V

DD

-0.3V

V

REF_ACC

ΔV

REF

/ΔT

A

符号

民

典型值

最大

单位

条件

V

OS

V

OS

V

OS

ΔV

OS

/ΔT

A

PSRR

I

B

I

B

I

B

I

OS

Z

CM

Z

差异

-500

-250

-2.5

—

74

—

V

SS

-0.3

74

70

74

-50

—

±3.5

90

1

30

640

±1

10

13

||6

10

13

||3

—

90

85

90

—

±100

+500

+250

+2.5

—

150

5,000

—

V

DD

+0.3

—

+50

—

V

mV

V

CM

= 0V

V

CM

= 0V, V

DD

= 5.0V

V

CM

= 0V, V

DD

= 5.0V

T

A

= -40 ° C至+ 125°C

V

CM

= 0V

μV / ° （C T）

A

= -40 ° C至+ 125°C

dB

pA

Ω|| pF的

V

dB

mV

μV / ° （C T）

A

= -40 ° C至+ 125°C

V

DD

= 5V, V

CM

= -0.3V至5.3V

V

DD

= 5V, V

CM

= 3.0V至5.3V

V

DD

= 5V, V

CM

= -0.3V至3.0V

T

A

= +85°C

T

A

= +125°C

2009年Microchip的科技公司

DS21685D第3页

MCP6021/1R/2/3/4

AC电气特性

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，T

A

= + 25 ° C，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，V

CM

= V

DD

/2,

V

OUT

≈

V

DD

/2, R

L

= 10 kΩ到V

DD

/ 2和C

L

= 60 pF的。

参数

电源

电源电压

每个放大器器静态电流

交流响应

增益带宽积

相位裕度

建立时间， 0.2 ％

压摆率

F = 1 kHz时， G = + 1V / V

F = 1 kHz时， G = + 1V / V ，R

L

= 600Ω

F = 1 kHz时， G = + 1V / V

F = 1 kHz时， G = + 10V / V

F = 1 kHz时， G = 100 V / V

噪音

输入噪声电压

输入噪声电压密度

输入噪声电流密度

E

ni

e

ni

i

ni

—

2.9

8.7

3

—

μVp -P

FA / √Hz的

F = 0.1赫兹到10赫兹

F = 1千赫

内华达州/ √Hz的F = 10千赫

增益带宽积

PM

t

SETTLE

SR

THD + N

—

10

65

250

7.0

0.00053

0.00064

0.0014

0.0009

0.005

—

兆赫

°

ns

V / μs的

%

V

OUT

= 0.25V至3.25V （ 1.75V ± 1.50V

PK

),

V

DD

= 5.0V ， BW = 22 kHz的

V

OUT

= 0.25V至3.25V （ 1.75V ± 1.50V

PK

),

V

DD

= 5.0V ， BW = 22 kHz的

V

OUT

= 4V

P-P

, V

DD

= 5.0V ， BW = 22 kHz的

V

OUT

= 4V

P-P

, V

DD

= 5.0V ， BW = 22 kHz的

V

OUT

= 4V

P-P

, V

DD

= 5.0V ， BW = 22 kHz的

G = + 1V / V

G = + 1V / V ，V

OUT

= 100 mV的

p-p

V

DD

I

Q

2.5

0.5

—

1.0

5.5

1.35

V

mA

I

O

= 0

符号

民

典型值

最大

单位

条件

总谐波失真加噪声

MCP6023芯片选择（ CS ）电气特性

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，T

A

= + 25 ° C，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V ，V

SS

= GND ，V

CM

= V

DD

/2,

V

OUT

≈

V

DD

/2, R

L

= 10 kΩ到V

DD

/ 2和C

L

= 60 pF的。

参数

CS低电平规范

CS逻辑门限，低

CS输入电流，低

CS高规格

CS逻辑门限，高

CS输入电流，高

GND电流

放大器输出泄漏

CS动态规范

CS低电平到放大器输出开启时间

CS高电平到放大器输出高阻时间

迟滞

t

ON

t

关闭

V

HYST

—

2

0.01

0.6

10

—

s

V

G = 1 ，V

IN

= V

SS

,

CS = 0.2V

DD

到V

OUT

= 0.45V

DD

时间

G = 1 ，V

IN

= V

SS

,

CS = 0.8V

DD

到V

OUT

= 0.05V

DD

时间

V

DD

= 5.0V ，内置开关

V

IH

I

CSH

I

SS

I

O（泄漏）

0.8 V

DD

—

-2

—

0.01

-0.05

0.01

V

DD

2.0

—

V

A

CS = V

DD

CS = V

DD

CS = V

DD

V

IL

I

CSL

V

SS

-1.0

—

0.01

0.2 V

DD

—

V

A

CS = V

SS

符号

民

典型值

最大

单位

条件

DS21685D第4页

2009年Microchip的科技公司

MCP6021/1R/2/3/4

温度特性

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，V

DD

= + 2.5V至+ 5.5V和V

SS

= GND 。

参数

温度范围

工业温度范围

扩展级温度范围

工作温度范围

存储温度范围

封装热阻

热阻， 5引脚SOT- 23

热阻，8 - PDIP

热阻，8 - SOIC

热阻，8 - MSOP

热阻，8 - TSSOP

热阻， 14L - PDIP

热阻，14 - SOIC

热阻，14 - TSSOP

注1 ：

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

—

256

85

163

206

124

70

120

100

—

° C / W

T

A

T

A

T

A

T

A

-40

-65

—

+85

+125

+150

°C

注1

符号

民

典型值

最大

单位

条件

工业级温度器件可工作在扩展级温度范围，但性能有所下降。在任何

情况下，内部结点温度（T

J

）不得超过150 ℃，绝对最高规格。

1.1

CS

t

ON

V

OUT

I

SS

I

CS

高-Z

扩增fi er上

-1毫安

（典型值）

t

关闭

高-Z

测试电路

用于直流和交流测试的测试电路

所示

图1-2

和

图1-3 。

旁路

电容器被布置根据所讨论的规则

in

第4.7节“电源旁路” 。

V

DD

0.1 F 1 F

C

B1

C

B2

MCP6021

R

F

2 kΩ

C

L

60 pF的

V

L

V

OUT

R

L

10 kΩ

-50 nA的

（典型值）

10 nA的

（典型值）

-50 nA的

（典型值）

10 nA的

（典型值）

V

IN

R

N

1 kΩ

10 nA的

（典型值）

图1-1：

时序图的CS

引脚上的MCP6023 。

V

DD

/2 R

G

2 kΩ

图1-2：

交流和直流参数测试电路

大多数同相增益条件。

V

DD

0.1 F 1 F

C

B1

C

B2

MCP6021

R

F

2 kΩ

C

L

60 pF的

V

OUT

R

L

10 kΩ

V

L

V

DD

/2 R

N

1 kΩ

V

IN

R

G

2 kΩ

图1-3：

交流和直流参数测试电路

大多数反相增益条件。

2009年Microchip的科技公司

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