MCP601/602/603/604
2.7V至5.5V单电源CMOS运算放大器
特点
产品规格额定电压在2.7V至5.5V电源
轨到轨摆幅输出
在地面以下的共模输入摆幅
2.8MHz增益带宽积
单位增益稳定
低功率I
DD
= 325μA最大值
芯片选择与MCP603能力
工业级温度范围（-40 ° C至85°C ）
提供单，双和四
用单电源电压茨，可以低至
2.7V，同时小于静态电流的325μA
租。此外，共模输入电压
范围内低于地面0.3V ，使得这些amplifi-
器非常适用于单电源工作。
这些器件适用于低功率电池
供电电路由于低静态电流，为
A / D转换器驱动放大器，因为其广泛
带宽，或用于凭借抗混叠滤波器的
低输入偏置电流。
该MCP601 ， MCP602和MCP603是可用
标准的8引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装。
的MCP601也是在SOT23-5封装提供
年龄。四MCP604在14引脚PDIP提供，
SOIC和TSSOP封装。 PDIP和SOIC封装
年龄从-40 ° C至+ 85°C电源
供应2.7V至5.5V 。
应用
便携式设备
A / D转换器驱动器
光电二极管前置放大器
模拟滤波器
数据采集
笔记本电脑和PDA
传感器接口
典型用途
可用工具
Spice宏（从www.microchip.com ）
FilterLab设
软件（从www.microchip.com ）
2000 Microchip的技术公司
V
IN
-IN
V
DD
MCP60X
+ IN
V
REF
低输入偏置
目前在
温度
V
SS
V
OUT
OUT
描述
Microchip Technology Inc.的MCP601 / 602 /六百零四分之六百零三
系列低功耗运算放大器提供的
单（ MCP601 ），带片选引脚功能
（ MCP603 ） ，双（ MCP602 ）和四（ MCP604 ） config-
urations 。这些运算放大器（运放）利用
先进的CMOS技术，这提供了低
偏置电流，高速运转，高开环增益
和轨到轨输出摆幅。该产品提供能操作
轨到轨
输出摆幅
二阶低通滤波器
套餐
MCP601
PDIP ， SOIC ， TSSOP
NC 1
-IN 2
+ IN 3
V
SS
4
8 NC
出1
V
SS
2
+ IN 3
MCP601
SOT23-5
MCP603
PDIP ， SOIC ， TSSOP
NC 1
5 V
DD
8 CS
MCP602
PDIP ， SOIC ， TSSOP
OUTA 1
-INA 2
INA + 3
V
SS
4
8 V
DD
MCP604
PDIP ， SOIC ， TSSOP
OUTA 1
14 OUTD
-
+
7 V
DD
6 OUT
5 NC
+
-
-IN 2
+ IN 3
V
SS
4
-
+
7 V
DD
6 OUT
5 NC
-
+
+
-
B
A
7 OUTB -INA 2
6 -INB
5 + INB
INA + 3
V
DD
4
INB + 5
-INB 6
7 OUTB
-
A
+
+
D
-
13 -Ind
12 + IND
11 V
SS
10 + INC。
4 -IN
-
B
+
+
C
-
9 -INC
8 OUTC
2000 Microchip的技术公司
DS21314D第1页
MCP601/602/603/604
1.0
1.1
电动
特征
最大额定值*
引脚功能表
名字
+ IN， + INA ， INB + ， + INC。 ， + IND
-IN ， -INA ， -INB ， -INC ， -Ind
V
DD
V
SS
功能
非反相输入端
码头
相输入端
正电源。
负电源
V
DD
..................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. ............. V
SS
-0.3V到V
DD
+0.3V
差分输入电压....................................... | V
DD
- V
SS
|
输出短路电流..................................不断
在输入引脚电流.............................................. ......... ± 2毫安
电流输出和电源引脚............................. ± 30毫安
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度。电源采用................- 55 ° C至+ 125°C
引线焊接温度（ 10秒） ............. + 300℃
ESD容差................................. 3KV人体模型
*注意：
条件超过上述“绝对最大值”上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力额定
荷兰国际集团的设备仅运行在超过或任何
上述其他条件，在操作列表说明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
OUT ， OUTA ， OUTB ， OUTC ， OUTD输出端子
CS
NC
芯片选择
无内部连接
以IC
DC特性
除非另有说明，所有参数适用于V指定
DD
= + 2.7V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，T
A
= 25 ° C，V
CM
= V
DD
/2, R
L
= 100k
to
V
DD
/ 2，和V
OUT
~ V
DD
/2
参数
输入失调电压
输入失调电压
过温
(1)
温度漂移
电源抑制
输入电流和阻抗
输入偏置电流
过温
(2)
输入失调电流偏置
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入范围
共模抑制比
开环增益
直流开环增益
符号
V
OS
V
OS
dV
OS
/ DT
PSRR
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
V
CM
CMRR
分钟。
-2
-3
—
—
—
—
—
—
—
V
SS
0.3
75
±2.5
40
1
20
1
10
13
||6
10 ||3
—
90
13
典型值。
马克斯。
+2
+3
—
100
—
60
—
—
—
V
DD
1.2
—
单位
mV
mV
条件
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
对于V
DD
= 2.7V至5.5V
V /°C的
V/V
pA
pA
pA
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
|| pF的
|| pF的
V
dB
V
DD
= 5V,
V
CM
= -0.3 3.8V
R
L
= 25k
到V
DD
/2,
为50mV < V
OUT
＆ LT ;
(V
DD
50毫伏）
R
L
= 5k
到V
DD
/2,
100mV的< V
OUT
＆ LT ;
(V
DD
100mV)
R
L
= 25k
到V
DD
/2
R
L
= 5k
到V
DD
/2
R
L
= 25k
到V
DD
/2,
A
OL
≥
100dB
R
L
= 5k
到V
DD
/2,
A
OL
≥
95dB
V
OUT
= 2.5V,
V
DD
= 5V
A
OL
100
115
—
dB
直流开环增益
A
OL
95
110
—
dB
产量
低电平/高电平输出摆幅
线性区域最大输出
电压摆幅
V
OL
, V
OH
V
OL
, V
OH
V
OUT
V
OUT
V
SS
+ 0.015
V
SS
+ 0.045
V
SS
+ 0.050
V
SS
+ 0.100
—
—
—
—
20
V
DD
0.020
V
DD
0.060
V
DD
0.050
V
DD
0.100
—
V
V
V
V
mA
输出短路电流
电源
电源电压
静态电流每安培
I
SC
V
DD
I
Q
2.7
—
230
5.5
325
V
A
I
L
= 0
注1 ：
马克斯。和Min 。只有PDIP和SOIC封装规定。通常指的是所有其他包
注2 ：
马克斯。和Min 。只有PDIP ，SOIC和TSSOP封装规定。通常指的是所有的包。
DS21314D第2页
2000 Microchip的技术公司
MCP601/1R/2/3/4
2.7V至6.0V单电源CMOS运算放大器
特点
单电源： 2.7V至6.0V
轨到轨输出
输入范围包括地
增益带宽积： 2.8兆赫（典型值）
单位增益稳定
低静态电流： 230 μA /放大器（典型值）
片选（CS ） ：
仅MCP603
温度范围：
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
- 扩展： -40 ° C至+ 125°C
提供单，双和四
描述
Microchip Technology Inc.的MCP601 / 1R / 2 /3/4
系列低功耗运算放大器（运放）
单（ MCP601 ）提供，带片选
（ CS ） （ MCP603 ） ，双（ MCP602 ）和四（ MCP604 ）
配置。这些器件采用先进的
CMOS技术，提供低偏置电流，高
高速运行，高开环增益，轨到轨
输出摆幅。该系列产品具有
单电源电压可以低至2.7V ，而
绘制230 μA的静态电流每（典型值）
放大器。此外，该共模输入电压
范围变为低于地电位0.3V ，使得这些
放大器非常适用于单电源工作。
这些器件适用于低功耗，电池
供电电路由于低静态电流，为
A / D转换驱动放大器，因为其广泛
带宽或抗混叠滤波器凭借其低
输入偏置电流。
该MCP601 ， MCP602和MCP603是可用
标准的8引脚PDIP ，SOIC和TSSOP封装。
该MCP601和MCP601R也处于可用
标准的5引脚SOT- 23封装，而MCP603是
可在一个标准的6引脚SOT- 23封装。该
MCP604是标准的14引脚PDIP ， SOIC提供，
和TSSOP封装。
该MCP601 / 1R / 2/ 3/4系列是可用
工业级和扩展级温度范围，并且具有
电源电压范围为2.7V至6.0V 。
典型应用
便携式设备
A / D转换器驱动器
光电二极管前置放大器
模拟滤波器
数据采集
笔记本电脑和PDA
传感器接口
可用工具
SPICE宏模型
FilterLab设
软件
Mindi 模拟工具
MAPS （ Microchip高级器件选型）
模拟演示和评估板
应用笔记
封装类型
MCP601
PDIP ， SOIC ， TSSOP
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 NC
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
MCP602
PDIP ， SOIC ， TSSOP
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
SS
4
8 V
DD
7 V
OUTB
6 V
INB
–
5 V
INB
+
MCP603
PDIP ， SOIC ， TSSOP
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 CS
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
MCP604
PDIP ， SOIC ， TSSOP
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
DD
4
V
INB
+ 5
V
INB
– 6
V
OUTB
7
14 V
OUTD
13 V
IND
–
12 V
IND
+
11 V
SS
10 V
INC。
+
9 V
INC。
–
8 V
OUTC
MCP601
SOT23-5
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+ 3
4 V
IN
–
5 V
DD
V
OUT
1
V
DD
2
V
IN
+ 3
MCP601R
SOT23-5
5 V
SS
4 V
IN
–
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+ 3
MCP603
SOT23-6
6 V
DD
5 CS
4 V
IN
–
2007 Microchip的技术公司
DS21314G第1页
MCP601/1R/2/3/4
1.0
电动
特征
注意：
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在操作列表中标明本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
SEE
第4.1.2节“输入电压和电流限制” 。
绝对最大额定值
V
DD
– V
SS
........................................................................7.0V
在输入引脚电流.............................................. ....... ± 2毫安
模拟输入（V
IN
+, V
IN
–)
........ V
SS
= 1.0V至V
DD
+ 1.0V
所有其它输入和输出......... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压...................................... | V
DD
– V
SS
|
输出短路电流.................................连续
电流输出和电源引脚............................ ± 30毫安
储存温度....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温（T
J
) ......................... .+150°C
ESD保护所有引脚（ HBM ， MM ）
.............. ≥
3千伏; 200V
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有规定，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 2.7V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/2, V
L
= V
DD
/ 2，和R
L
= 100 kΩ到V
L
和CS接低电平。 （参考
图1-2
和
图1-3 ） 。
参数
输入失调
输入失调电压
工业温度
扩展温度
输入失调温度漂移
电源抑制
输入电流和阻抗
输入偏置电流
工业温度
扩展温度
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入范围
共模抑制比
开环增益
直流开环增益（大信号）
符号
V
OS
V
OS
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
A
PSRR
I
B
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
V
CMR
CMRR
A
OL
A
OL
产量
最大输出电压摆幅
线性输出电压摆幅
输出短路电流
民
-2
-3
-4.5
—
80
—
—
—
—
—
—
V
SS
– 0.3
75
100
95
典型值
±0.7
±1
±1
±2.5
88
1
20
450
±1
10
13
||6
10
13
||3
—
90
115
110
最大
+2
+3
+4.5
—
—
—
60
5000
—
—
—
V
DD
– 1.2
—
—
—
单位
mV
mV
mV
μV/°C
dB
条件
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
（注1 ）
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
（注1 ）
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
V
DD
= 2.7V至5.5V
pA
pA的牛逼
A
= +85°C
（注1 ）
pA的牛逼
A
= +125°C
（注1 ）
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
V
dB
dB
dB
V
DD
= 5.0V, V
CM
= -0.3V至3.8V
R
L
= 25 kΩ到V
L
,
V
OUT
= 0.1V至V
DD
– 0.1V
R
L
= 5 kΩ到V
L
,
V
OUT
= 0.1V至V
DD
– 0.1V
R
L
= 25 kΩ到V
L
，输出过载= 0.5V
R
L
= 5 kΩ到V
L
，输出过载= 0.5V
R
L
= 25 kΩ到V
L
, A
OL
≥
百分贝
R
L
= 5 kΩ到V
L
, A
OL
≥
95分贝
V
DD
= 5.5V
V
DD
= 2.7V
V
OL
, V
OH
V
SS
+ 15
V
OL
, V
OH
V
SS
+ 45
V
SS
+ 100
V
OUT
V
OUT
V
SS
+ 100
I
SC
—
—
I
SC
—
—
—
—
±22
±12
V
DD
– 20
V
DD
– 60
V
DD
– 100
V
DD
– 100
—
—
mV
mV
mV
mV
mA
mA
电源
电源电压
V
DD
2.7
—
6.0
V
（注2 ）
—
230
325
我μA
O
= 0
每个放大器器静态电流
I
Q
注1 ：
这些规范中都没有采用SOT - 23或TSSOP封装，超过YYWW = 0408日期代码进行测试。
在这些情况下，该最小值和最大值是由设计和仅表征。
2:
与日期码2007年11月及以后的所有部件都经过筛选，以确保在V操作
DD
= 6.0V 。然而，该
其他的最小和最大规格为1.4V和/或5.5V测量。
DS21314G第2页
2007 Microchip的技术公司
MCP601/1R/2/3/4
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 2.7V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 5引脚SOT23
热阻， 6L- SOT23
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - SOIC
热阻，8 - TSSOP
热阻， 14L - PDIP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
注意：
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
—
—
—
—
—
256
230
85
163
124
70
120
100
—
—
—
—
—
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-40
-65
—
—
—
—
+85
+125
+125
+150
°C
°C
°C
°C
工业级温度部件
扩展部分的温度
记
符号
民
典型值
最大
单位
条件
工业级温度器件可工作在扩展的范围，但性能有所下降。该
扩展级温度规范并不适用于工业级温度的部件。在任何情况下，内部结
温度（T
J
）不得超过150 ℃，绝对最高规格。
1.1
测试电路
用于直流和交流测试的测试电路
所示
图1-2
和
图1-2 。
旁路
电容器被布置根据所讨论的规则
in
第4.5节“电源旁路” 。
V
DD
R
N
0.1 F 1 F
V
OUT
C
L
V
DD
/2 R
G
R
F
V
L
R
L
V
IN
MCP60X
图1-2：
交流和直流参数测试电路
大多数同相增益条件。
V
DD
R
N
0.1 F 1 F
V
OUT
C
L
V
IN
R
G
R
F
V
L
R
L
V
DD
/2
MCP60X
图1-3：
交流和直流参数测试电路
大多数反相增益条件。
DS21314G第4页
2007 Microchip的技术公司
MCP601/1R/2/3/4
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 2.7V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/2, V
OUT
≈
V
DD
/2,
V
L
= V
DD
/2, R
L
= 100 kΩ到V
L
, C
L
= 50 pF和CS接低电平。
120
开环增益（分贝）
100
80
60
40
20
0
-20
收益
相
0
开环相位（ ° ）
-30
-60
-90
-120
-150
-180
-210
静态电流
每个放大器（ μA ）
300
250
200
150
100
50
0
I
O
= 0
T
A
= -40°C
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
T
A
= +125°C
-40
-240
0.1 1
10 100 1k 10k
1.E+
1M
1.E+
1.E- 1.E+ 1.E+ 1.E+ 1.E+ 1.E+
100k
1.E+
10M
01 00 01
频率（Hz）
05 06 07
02 03 04
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
电源电压（ V）
图2-1：
频率。
3.5
3.0
开环增益，相位与
图2-4：
电源电压。
300
静态电流
每个放大器（ μA ）
250
200
150
100
50
0
静态电流 -
V
DD
= 5.0V
下降沿
I
O
= 0
V
DD
= 5.5V
摆率（ V / μs的）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
上升沿
V
DD
= 2.7V
0
25
50
75
环境温度（ ℃）
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
环境温度（ ℃）
125
图2-2：
压摆率与温度的关系。
图2-5：
温度。
1.E+04
10
静态电流 -
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
增益带宽积
下午，G = 1
-25
0
25
50
75 100
环境温度（ ℃）
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
125
图2-3：
增益带宽积，
相位裕度与温度的关系。
图2-6：
与频率。
输入噪声电压密度
(V/
√
赫兹）
增益带宽积
（兆赫）
相位裕量，G = 1 （ ° ）
1
1.E+03
100n
1.E+02
10n
1.E+01
0.1
1
10
100
1k
10K 100K 1M
1.E- 1.E+0 1.E+0 1.E+0 1.E+0 1.E+0 1.E+0 1.E+0
01
0
1
频率（Hz）
4
2
3
5
6
输入噪声电压密度
2007 Microchip的技术公司
DS21314G第5页
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