M
特点
单电源： 2.7V至5.5V
轨到轨输出
输入范围包括地
增益带宽积： 2.8 MHz（典型值）。
单位增益稳定
低静态电流： 230 μA /放大器（典型值）。
片选（CS ） ：
仅MCP603
温度范围：
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
- 扩展： -40 ° C至+ 125°C
提供单，双和四
MCP601/2/3/4
描述
Microchip Technology Inc.的MCP601 / 2/3/ 4系列
低功耗运算放大器（运放）提供
单（ MCP601 ） ，带片选（ CS ）
（ MCP603 ） ，双（ MCP602 ）和四（ MCP604 ）
配置。这些器件采用先进的
CMOS技术，提供低偏置电流，高
高速运行，高开环增益和轨到轨
输出摆幅。该系列产品具有
单电源电压可以低至2.7V ，而
绘制静态电流每230 μA （典型值）。
放大器。此外，该共模输入电压
范围变为低于地电位0.3V ，使得这些
放大器非常适用于单电源工作。
这些设备适合于低功率，由电池
供电电路由于低静态电流，为
A / D转换驱动放大器，因为其广泛
带宽或抗混叠滤波器凭借其低
输入偏置电流。
该MCP601 ， MCP602和MCP603是可用
标准的8引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装。
该MCP601和MCP601R也处于可用
标准的5引脚SOT- 23封装，而MCP603是
可在一个标准的6引脚SOT- 23封装。该
MCP604采用标准14引脚PDIP ， SOIC和
TSSOP封装。
该MCP601 / 2/ 3/4系列在工业用
和扩展温度范围，并且具有电源
电源电压范围为2.7V至5.5V 。
2.7V至5.5V单电源CMOS运算放大器
典型应用
便携式设备
A / D转换器驱动器
光电二极管前置放大器
模拟滤波器
数据采集
笔记本电脑和PDA
传感器接口
可用工具
SPICE宏模型从www.microchip.com
FilterLab设
软件从www.microchip.com
封装类型
MCP601
PDIP ， SOIC ， TSSOP
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 NC
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
MCP602
PDIP ， SOIC ， TSSOP
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
SS
4
8 V
DD
7 V
OUTB
6 V
INB
–
5 V
INB
+
MCP603
PDIP ， SOIC ， TSSOP
NC 1
V
IN
– 2
V
IN
+ 3
V
SS
4
8 CS
7 V
DD
6 V
OUT
5 NC
MCP604
PDIP ， SOIC ， TSSOP
V
OUTA
1
V
INA
– 2
V
INA
+ 3
V
DD
4
V
INB
+ 5
V
INB
– 6
V
OUTB
7
14 V
OUTD
13 V
IND
–
12 V
IND
+
11 V
SS
10 V
INC。
+
9 V
INC。
–
8 V
OUTC
MCP601
SOT23-5
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+ 3
4 V
IN
–
5 V
DD
V
OUT
1
V
DD
2
V
IN
+ 3
MCP601R
SOT23-5
5 V
SS
4 V
IN
–
V
OUT
1
V
SS
2
V
IN
+ 3
MCP603
SOT23-6
6 V
DD
5 CS
4 V
IN
–
2004年Microchip的科技公司
DS21314F第1页
MCP601/2/3/4
1.0
电动
特征
引脚功能表
名字
V
IN
+, V
INA
+, V
INB
+, V
INC。
+, V
IND
+
V
IN
–, V
INA
–, V
INB
–, V
INC。
–, V
IND
–
V
DD
V
SS
V
OUT
, V
OUTA
, V
OUTB
, V
OUTC
,
V
OUTD
CS
NC
功能
非反相输入端
反相输入
正电源。
负电源
输出
芯片选择
无内部连接
绝对最大额定值
V
DD
- V
SS
.........................................................................7.0V
所有输入和输出...................... V
SS
- 0.3V至V
DD
+ 0.3V
差分输入电压........................................ | V
DD
- V
SS
|
输出短路电流连续...................................
在输入引脚电流.............................................. ......... ± 2毫安
电流输出和电源引脚............................. ± 30毫安
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
结温................................................ .. + 150°C
ESD保护所有引脚（ HBM ， MM ）
................ ≥
3千伏; 200V
注意：
条件超过上述最大额定在“上市
英格斯“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为设备的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有规定，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 2.7V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/2,
V
OUT
≈
V
DD
/ 2和R
L
= 100 kΩ到V
DD
/2.
参数
输入失调
输入失调电压
工业温度
扩展温度
输入失调温度漂移
电源抑制
输入电流和阻抗
输入偏置电流
工业温度
扩展温度
输入失调电流
共模输入阻抗
差分输入阻抗
共模
共模输入范围
共模抑制比
开环增益
直流开环增益（大信号）
符号
V
OS
V
OS
V
OS
V
OS
/T
A
PSRR
I
B
I
B
I
B
I
OS
Z
CM
Z
差异
V
CMR
CMRR
A
OL
A
OL
产量
最大输出电压摆幅
线性输出电压摆幅
输出短路电流
民
-2
-3
-4.5
—
80
—
—
—
—
—
—
V
SS
– 0.3
75
100
95
典型值
±0.7
±1
±1
±2.5
88
1
20
450
±1
10
13
||6
10
13
||3
—
90
115
110
最大
+2
+3
+4.5
—
—
—
60
5000
—
—
—
V
DD
– 1.2
—
—
—
单位
mV
mV
mV
μV/°C
dB
条件
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
（注1 ）
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
（注1 ）
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
V
DD
= 2.7V至5.5V
pA
pA的牛逼
A
= +85°C
（注1 ）
pA的牛逼
A
= +125°C
（注1 ）
pA
Ω|| pF的
Ω|| pF的
V
dB
dB
dB
V
DD
= 5.0V, V
CM
= -0.3V至3.8V
R
L
= 25 kΩ到V
DD
/2,
V
OUT
= 100 mV至V
DD
= 100 mV的
R
L
= 5 kΩ到V
DD
/2,
V
OUT
= 100 mV至V
DD
= 100 mV的
R
L
= 25 kΩ到V
DD
/ 2 ，输出过载= 0.5V
R
L
= 5 kΩ到V
DD
/ 2 ，输出过载= 0.5V
R
L
= 25 kΩ到V
DD
/2, A
OL
≥
百分贝
R
L
= 5 kΩ到V
DD
/2, A
OL
≥
95分贝
V
DD
= 5.5V
V
DD
= 2.7V
V
OL
, V
OH
V
SS
+ 15
V
OL
, V
OH
V
SS
+ 45
V
OUT
V
SS
+ 100
V
OUT
V
SS
+ 100
I
SC
—
I
SC
—
—
—
—
—
±22
±12
V
DD
– 20
V
DD
– 60
V
DD
– 100
V
DD
– 100
—
—
mV
mV
mV
mV
mA
mA
电源
电源电压
V
DD
2.7
—
5.5
V
每个放大器器静态电流
I
Q
—
230
325
A
I
O
= 0
注1 ：
这些规范中都没有采用SOT - 23或TSSOP封装，超过YYWW = 0408日期代码进行测试。
在这些情况下，该最小值和最大值是由设计和仅表征。
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MCP601/2/3/4
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 2.7V至+ 5.5V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 5引脚SOT23
热阻， 6L- SOT23
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - SOIC
热阻，8 - TSSOP
热阻， 14L - PDIP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
注意：
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
—
—
—
—
—
256
230
85
163
124
70
120
100
—
—
—
—
—
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-40
-65
—
—
—
—
+85
+125
+125
+150
°C
°C
°C
°C
工业级温度部件
扩展部分的温度
记
符号
民
典型值
最大
单位
条件
工业级温度器件可工作在扩展的范围，但性能有所下降。该
扩展级温度规范并不适用于工业级温度的部件。在任何情况下，内部结
温度（T
J
）不得超过150 ℃，绝对最高规格。
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MCP601/2/3/4
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，T
A
= + 25 ° C，V
DD
= + 2.7V至+ 5.5V ，V
SS
= GND ，V
CM
= V
DD
/2,
R
L
= 100 kΩ到V
DD
/2, V
OUT
≈
V
DD
/ 2和C
L
= 50 pF的。
120
开环增益（分贝）
100
80
60
40
20
0
-20
-40
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
1.E+05
1.E+06
1.E+07
0
静态电流每
放大器（ μA ）
开环相位（ ° ）
收益
相
-30
-60
-90
-120
-150
-180
-210
0.1
1
10
100
1k
10K 100K 1M 10M
-240
300
250
200
150
100
50
0
I
O
= 0
-40°C
+25°C
+85°C
+125°C
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
电源电压（ V）
频率（Hz）
图2-1：
频率。
3.5
3.0
摆率（ V / μs的）
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
开环增益，相位与
图2-4：
电源电压。
300
静态电流每
放大器（ μA ）
250
200
150
100
50
0
静态电流 -
V
DD
= 5.0V
下降沿
I
O
= 0
V
DD
= 5.5V
上升沿
V
DD
= 2.7V
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
环境温度（ ℃）
环境温度（ ℃）
图2-2：
压摆率与温度的关系。
图2-5：
温度。
10
输入噪声电压密度
(V/
√
赫兹）
10,000
静态电流 -
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
增益带宽积
下午，G = 1
-25
0
25
50
75
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
100 125
增益带宽积
（兆赫）
相位裕量，G = 1 （ ° ）
1
1,000
100n
100
10n
0.1
10
1.E-01
1.E+00
1
10
1.E+01
100
1.E+02
1k
1.E+03
10k
1.E+04
100k
1.E+05
1M
1.E+06
环境温度（ ℃）
频率（Hz）
图2-3：
增益带宽积，
相位裕度与温度的关系。
图2-6：
与频率。
输入噪声电压密度
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DS21314F第5页
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