M
特点
256抽头每个电位器
10 kΩ电位值， 50 kΩ和
100 k
单，双版本
SPI 串行接口（模式0,0和1,1 ）
± 1 LSB（最大值） INL DNL &
低功耗CMOS技术
在静态模式最大 1 μA的电源电流
多个器件可以通过菊花链连接在一起
（仅MCP42XXX ）
所有电阻的关机功能开路
最大限度地降低功耗
硬件关断引脚可MCP42XXX
只
单电源供电（ 2.7V - 5.5V ）
工业级温度范围： -40 ° C至+ 85°C
扩展温度范围： -40 ° C至+ 125°C
MCP41XXX/42XXX
描述
该MCP41XXX和MCP42XXX设备256
在10 kΩ的可用位置，数字电位器，
50 kΩ和100 kΩ的电阻版本。该
MCP41XXX是一个单信道设备，并且提供在
采用8引脚PDIP和SOIC封装。该MCP42XXX CON-
采用14引脚PDIP ， SOIC tains两个独立通道
或TSSOP封装。的抽头位置
MCP41XXX / 42XXX线性变化，并通过被控制
一个工业标准的SPI接口。该设备CON组
庙静态运行期间<1 μA 。软件关断模式
断功能可用于断开的“A”
从电阻器栈终端，并同时CON组
nects雨刮器的“B”端。此外，该双
MCP42XXX还有一个SHDN引脚，执行相同的
功能的硬件。在关断模式下，犯人
雨刮器寄存器的帐篷是可以改变的
从关断电位器返回到新的价值。
雨刮器复位到中间刻度位置（ 80H ）后，
电。该RS （复位）引脚实现硬件
复位和抽头返回到中间刻度。该
MCP42XXX SPI接口包括SI和SO
引脚，允许菊花链连接多个器件。信
NEL与通道之间的电阻MCP42XXX上匹配
变化小于1％。这些器件工作
单2.7 - 5.5V电源供电，工作在
扩展和工业温度范围。
单/双通道数字电位器，带有SPI
接口
框图
RS
V
DD
V
SS
控制
逻辑
雨刮器
注册
SHDN
PB0
电阻器
ARRAY 0
PA0
PW0
PB1
PA1
PW1
封装类型
PDIP / SOIC
CS
SCK
SI
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
PB0
PW0
PA0
MCP41XXX
CS
SI
SCK
16-Bit
移
注册
S0
雨刮器电阻器
寄存器阵列1 *
*电位器
P1仅适用于双
MCP42XXX版本。
PDIP / SOIC / TSSOP
CS
SCK
SI
V
SS
PB1
PW1
PA1
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
DD
SO
SHDN
RS
PB0
PW0
PA0
MCP42XXX
2003 Microchip的技术公司
DS11195C第1页
MCP41XXX/42XXX
1.0
电气特性
直流特性： 10 kΩ器件
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 2.7V至5.5V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C （ TSSOP器件只能在+ 25 ° C温度范围和
+ 85°C ） 。典型规格代表了V值
DD
= 5V, V
SS
= 0V, V
B
= 0V ，T
A
= +25°C.
参数
变阻器模式
标称阻值
变阻器差分非线性度
变阻器积分非线性度
变阻器温度系数
滑动端电阻
雨刮器电流
标称电阻匹配
电位器分
决议
单调性
微分非线性
积分非线性
分压器温度系数
满量程误差
零刻度误差
电阻端子
电压范围
电容（C
A
或C
B
)
电容
带宽-3dB
建立时间
电阻的噪声电压
相声
施密特触发器高电平输入电压
施密特触发器低电平输入电压
施密特触发器输入迟滞
低电平输出电压
高电平输出电压
输入漏电流
引脚电容（所有输入/输出）
电源要求
工作电压范围
电源电流，有功
电源电流，静态
电源灵敏度
记
1:
2:
3:
4:
5:
6:
V
DD
I
DDA
I
DDS
PSS
PSS
2.7
—
—
—
—
—
340
0.01
0.0015
0.0015
5.5
500
1
0.0035
0.0035
V
A
A
%/%
%/%
V
DD
= 5.5V ， CS = V
SS
, f
SCK
= 10兆赫，
SO =打开，代码FFH
（注6 ）
CS ， SHDN ， RS = V
DD
= 5.5V ， SO =开
（注6 ）
V
DD
= 4.5V - 5.5V, V
A
= 4.5V ，编码80h
V
DD
= 2.7V - 3.3V, V
A
= 2.7V ，编码80h
C
W
BW
t
S
e
NWB
C
T
V
IH
V
IL
V
HYS
V
OL
V
OH
I
LI
C
IN
, C
OUT
V
A，B ，W
0
—
—
—
—
—
—
0.7V
DD
—
—
—
V
DD
- 0.5
-1
—
—
15
5.6
1
2
9
-95
—
—
0.05V
DD
—
—
—
10
V
DD
—
—
—
—
—
—
—
0.3V
DD
—
0.40
—
+1
—
V
V
A
pF
I
OL
= 2.1毫安， V
DD
= 5V
I
OH
= -400 μA ，V
DD
= 5V
CS = V
DD
, V
IN
= V
SS
或V
DD
包括V
A
SHDN=0
V
DD
= 5.0V ，T
A
= + 25 ° C，F
c
= 1兆赫
pF
pF
兆赫
S
纳伏/赫兹÷
dB
V
V
注4
F = 1MHz时，代码= 80H ，见图2-30
F = 1MHz时，代码= 80H ，见图2-30
V
B
= 0V ，测量温度为编码80h ，
输出负载= 30
P
F
V
A
= V
DD
,V
B
= 0V ， ± 1 ％误差带，过渡
从代码00h到编码80h ，输出负载= 30 pF的
V
A
=打开，代码80H ， F = 1千赫
V
A
= V
DD
, V
B
= 0V
（注5 ）
N
N
DNL
INL
V
W
/T
V
WFSE
V
WFSE
V
WZSE
V
WZSE
8
8
-1
-1
—
-2
-2
0
0
—
—
±1/4
±1/4
1
-0.7
-0.7
+0.7
+0.7
—
—
+1
+1
—
0
0
+2
+2
位
位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
注3
注3
代码FFH ，V
DD
= 5V ，见图2-25
代码FFH ，V
DD
= 3V ，见图2-25
码00H ，V
DD
= 5V ，见图2-25
码00H ，V
DD
= 3V ，见图2-25
R
R- DNL
R- INL
R
AB
/T
R
W
R
W
I
W
R/R
8
-1
-1
—
—
—
-1
—
10
±1/4
±1/4
800
52
73
—
0.2
12
+1
+1
—
100
125
+1
1
k
最低位
最低位
PPM /°C的
mA
%
MCP42010只，
P0到P1 ;牛逼
A
= +25°C
V
DD
= 5.5V ，我
W
= 1毫安，代码00H
V
DD
= 2.7V ，我
W
= 1毫安，代码00H
T
A
= +25°C
（注1 ）
注2
注2
符号
民
典型值
最大
单位
条件
PPM / ° C代码80H
动态特性（所有的动态特性采用V
DD
= 5V)
数字输入/输出（ CS ， SCK ， SI ， SO ），参见图2-12 RS和SHDN引脚操作
V
AB
= V
DD
，在雨刮器没有连接。
变阻器位置非线性度R - INL是从最大电阻和最小范围内测量的理想值之间的偏差
电阻抽头。 R- DNL测量的相对阶跃变化，从连续抽头位置之间的理想。我
W
= 50 μA的
V
DD
= 3V和我
W
= 400 μA的V
DD
= 5V 10 kΩ的版本。参见图2-26为测试电路。
INL和DNL在V测量
W
与被配置为分压器或电位器模式的设备。 V
A
= V
DD
和V
B
= 0V 。 DNL
±1 LSB（最大值）规范的限制规定单调的工作条件。参见图2-25为测试电路。
电阻端子A，B和W无极性限制相对于对方。满量程和零刻度误差测量
用图2-25 。
测量V
W
针，其中所述电压在相邻V
W
销满幅摆动。
电源电流是独立的电流通过电位器。
DS11195C第2页
2003 Microchip的技术公司
MCP41XXX/42XXX
直流特性： 50 kΩ器件
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 2.7V至5.5V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C （ TSSOP器件只能在+ 25 ° C温度范围和
+ 85°C ） 。典型规格代表了V值
DD
= 5V, V
SS
= 0V, V
B
= 0V ，T
A
= +25°C.
参数
变阻器模式
标称阻值
变阻器微分非线性
变阻器积分非线性
变阻器温度系数
滑动端电阻
雨刮器电流
标称电阻匹配
电位器分
决议
单调性
微分非线性
积分非线性
分压器温度系数
满量程误差
零刻度误差
电阻端子
电压范围
电容（C
A
或C
B
)
电容
带宽-3dB
建立时间
电阻的噪声电压
相声
施密特触发器高电平输入电压
施密特触发器低电平输入电压
施密特触发器输入迟滞
低电平输出电压
高电平输出电压
输入漏电流
引脚电容（所有输入/输出）
电源要求
工作电压范围
电源电流，有功
电源电流，静态
电源灵敏度
记
1:
2:
3:
4:
5:
6:
V
DD
I
DDA
I
DDS
PSS
PSS
2.7
—
—
—
—
—
340
0.01
0.0015
0.0015
5.5
500
1
0.0035
0.0035
V
A
A
%/%
%/%
V
DD
= 5.5V ， CS = V
SS
, f
SCK
= 10兆赫，
SO =打开，代码FFH
（注6 ）
CS ， SHDN ， RS = V
DD
= 5.5V ， SO =开
（注6 ）
V
DD
= 4.5V - 5.5V, V
A
= 4.5V ，编码80h
V
DD
= 2.7V - 3.3V, V
A
= 2.7V ，编码80h
C
W
BW
t
S
e
NWB
C
T
V
IH
V
IL
V
HYS
V
OL
V
OH
I
LI
C
IN
, C
OUT
V
A，B ，W
0
—
—
—
—
—
—
0.7V
DD
—
—
—
V
DD
- 0.5
-1
—
—
11
5.6
280
8
20
-95
—
—
0.05V
DD
—
—
—
10
V
DD
—
—
—
—
—
—
—
0.3V
DD
—
0.40
—
+1
—
V
V
A
pF
I
OL
= 2.1毫安， V
DD
= 5V
I
OH
= -400 μA ，V
DD
= 5V
CS = V
DD
, V
IN
= V
SS
或V
DD
包括V
A
SHDN=0
V
DD
= 5.0V ，T
A
= + 25 ° C，F
c
= 1兆赫
pF
pF
兆赫
S
纳伏/赫兹÷
dB
V
V
注4
F = 1MHz时，代码= 80H ，见图2-30
F = 1MHz时，代码= 80H ，见图2-30
V
B
= 0V ，测量温度为编码80h ，
输出负载= 30
P
F
V
A
= V
DD
,V
B
= 0V ， ± 1 ％误差带，过渡
从代码00h到编码80h ，输出负载= 30 pF的
V
A
=打开，代码80H ， F = 1千赫
V
A
= V
DD
, V
B
= 0V
（注5 ）
N
N
DNL
INL
V
W
/T
V
WFSE
V
WFSE
V
WZSE
V
WZSE
8
8
-1
-1
—
-1
-1
0
0
—
—
±1/4
±1/4
1
-0.25
-0.35
+0.25
+0.35
—
—
+1
+1
—
0
0
+1
+1
位
位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
注3
注3
代码FFH ，V
DD
= 5V ，见图2-25
代码FFH ，V
DD
= 3V ，见图2-25
码00H ，V
DD
= 5V ，见图2-25
码00H ，V
DD
= 3V ，见图2-25
R
R- DNL
R- INL
R
AB
/T
R
W
R
W
I
W
R/R
35
-1
-1
—
—
—
-1
—
50
±1/4
±1/4
800
125
175
—
0.2
65
+1
+1
—
175
250
+1
1
k
最低位
最低位
PPM /°C的
mA
%
MCP42050只，
P0到P1 ;吨
A
= +25°C
V
DD
= 5.5V ，我
W
= 1毫安，代码00H
V
DD
= 2.7V ，我
W
= 1毫安，代码00H
T
A
= +25°C
（注1 ）
注2
注2
符号
民
典型值
最大
单位
条件
PPM / ° C代码80H
动态特性（所有的动态特性采用V
DD
= 5V)
数字输入/输出（ CS ， SCK ， SI ， SO ），参见图2-12 RS和SHDN引脚工作。
V
AB
= V
DD
，在雨刮器没有连接。
变阻器位置非线性度R - INL是从最大电阻和最小范围内测量的理想值之间的偏差
电阻抽头。 R- DNL测量的相对阶跃变化，从连续抽头位置之间的理想。我
W
= V
DD
/ R为
+ 3V或+ 5V为50 kΩ的版本。参见图2-26为测试电路。
INL和DNL在V测量
W
与被配置为分压器或电位器模式的设备。 V
A
= V
DD
和V
B
= 0V 。 DNL
±1 LSB（最大值）规范的限制规定单调的工作条件。参见图2-25为测试电路。
电阻端子A，B和W无极性限制相对于对方。满量程和零刻度误差测量
用图2-25 。
测量V
W
针，其中所述电压在相邻V
W
销满幅摆动。
电源电流是独立的电流通过电位器。
2003 Microchip的技术公司
DS11195C第3页
MCP41XXX/42XXX
直流特性： 100 kΩ器件
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 2.7V至5.5V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C （ TSSOP器件只能在+ 25 ° C温度范围和
+ 85°C ） 。典型规格代表了V值
DD
= 5V, V
SS
= 0V, V
B
= 0V ，T
A
= +25°C.
参数
变阻器模式
标称阻值
变阻器微分非线性
变阻器积分非线性
变阻器温度系数
滑动端电阻
雨刮器电流
标称电阻匹配
电位器分
决议
单调性
微分非线性
积分非线性
分压器温度系数
满量程误差
零刻度误差
电阻端子
电压范围
电容（C
A
或C
B
)
电容
带宽-3dB
建立时间
电阻的噪声电压
相声
施密特触发器高电平输入电压
施密特触发器低电平输入电压
施密特触发器输入迟滞
低电平输出电压
高电平输出电压
输入漏电流
引脚电容（所有输入/输出）
电源要求
工作电压范围
电源电流，有功
电源电流，静态
电源灵敏度
记
1:
2:
3:
4:
5:
6:
V
DD
I
DDA
I
DDS
PSS
PSS
2.7
—
—
—
—
—
340
0.01
0.0015
0.0015
5.5
500
1
0.0035
0.0035
V
A
A
%/%
%/%
V
DD
= 5.5V ， CS = V
SS
, f
SCK
= 10兆赫，
SO =打开，代码FFH
（注6 ）
CS ， SHDN ， RS = V
DD
= 5.5V ， SO =开
（注6 ）
V
DD
= 4.5V - 5.5V, V
A
= 4.5V ，编码80h
V
DD
= 2.7V - 3.3V, V
A
= 2.7V ，编码80h
C
W
BW
t
S
e
NWB
C
T
V
IH
V
IL
V
HYS
V
OL
V
OH
I
LI
C
IN
, C
OUT
V
A，B ，W
0
—
—
—
—
—
—
0.7V
DD
—
—
—
V
DD
- 0.5
-1
—
—
11
5.6
145
18
29
-95
—
—
0.05V
DD
—
—
—
10
V
DD
—
—
—
—
—
—
—
0.3V
DD
—
0.40
—
+1
—
V
V
A
pF
I
OL
= 2.1毫安， V
DD
= 5V
I
OH
= -400 μA ，V
DD
= 5V
CS = V
DD
, V
IN
= V
SS
或V
DD
包括V
A
SHDN=0
V
DD
= 5.0V ，T
A
= + 25 ° C，F
c
= 1兆赫
pF
pF
兆赫
S
纳伏/赫兹÷
dB
V
V
注4
F = 1MHz时，代码= 80H ，见图2-30
F = 1MHz时，代码= 80H ，见图2-30
V
B
= 0V ，测量温度为编码80h ，
输出负载= 30
P
F
V
A
= V
DD
,V
B
= 0V ， ± 1 ％误差带，过渡
从代码00h到编码80h ，输出负载= 30 pF的
V
A
=打开，代码80H ， F = 1千赫
V
A
= V
DD
, V
B
= 0V
（注5 ）
N
N
DNL
INL
V
W
/T
V
WFSE
V
WFSE
V
WZSE
V
WZSE
8
8
-1
-1
—
-1
-1
0
0
—
—
±1/4
±1/4
1
-0.25
-0.35
+0.25
+0.35
—
—
+1
+1
—
0
0
+1
+1
位
位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
注3
注3
代码FFH ，V
DD
= 5V ，见图2-25
代码FFH ，V
DD
= 3V ，见图2-25
码00H ，V
DD
= 5V ，见图2-25
码00H ，V
DD
= 3V ，见图2-25
R
R- DNL
R- INL
R
AB
/T
R
W
R
W
I
W
R/R
70
-1
-1
—
—
—
-1
—
100
±1/4
±1/4
800
125
175
—
0.2
130
+1
+1
—
175
250
+1
1
k
最低位
最低位
PPM /°C的
mA
%
MCP42010只， P0到P1 ;吨
A
= +25°C
V
DD
= 5.5V ，我
W
= 1毫安，代码00H
V
DD
= 2.7V ，我
W
= 1毫安，代码00H
T
A
= +25°C
（注1 ）
注2
注2
符号
民
典型值
最大
单位
条件
PPM / ° C代码80H
动态特性（所有的动态特性采用V
DD
= 5V.)
数字输入/输出（ CS ， SCK ， SI ， SO ），参见图2-12 RS和SHDN引脚工作。
V
AB
= V
DD
，在雨刮器没有连接。
变阻器位置非线性度R - INL是从最大电阻和最小范围内测量的理想值之间的偏差
电阻抽头。 R- DNL测量的相对阶跃变化，从连续抽头位置之间的理想。我
W
= 50 μA的
V
DD
= 3V和我
W
= 400 μA的V
DD
= 5V 10 kΩ的版本。参见图2-26为测试电路。
INL和DNL在V测量
W
与被配置为分压器或电位器模式的设备。 V
A
= V
DD
和V
B
= 0V 。 DNL
±1 LSB（最大值）规范的限制规定单调的工作条件。参见图2-25为测试电路。
电阻端子A，B和W无极性限制相对于对方。满量程和零刻度误差测量
用图2-25 。
测量V
W
针，其中所述电压在相邻V
W
销满幅摆动。
电源电流是独立的电流通过电位器。
DS11195C第4页
2003 Microchip的技术公司
MCP41XXX/42XXX
绝对最大额定值
V
DD
...................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
............... -0.6V到V
DD
+1.0V
储存温度.....................................- 60 ° C至+ 150°C
环境温度。电源采用................- 60 ° C至+ 125°C
所有引脚的ESD保护
..................................................≥
2千伏
注意：
条件超过上述最大额定在“上市
英格斯“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为设备的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市，是不是暗示。曝光
绝对最大额定条件下长时间可能
影响器件的可靠性。
AC时序特性
电气特性：
除非另有说明，V
DD
= + 2.7V至5.5V ，T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。
参数
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
CS下降至第一个CLK上升沿
数据输入建立时间
数据输入保持时间
SCK秋季到SO有效的传播延迟
SCK上升到CS上升保持时间
SCK上升到CS下降延时
CS上升到CLK保持上升
CS高电平时间
复位脉冲宽度
RS上升到CS下降延时
CS上升到RS或SHDN下降延时
CS低电平时间
关断脉冲宽度
记
1:
2:
3:
符号
F
CLK
t
HI
t
LO
t
CSSR
t
SU
t
HD
t
DO
t
CHS
t
CS0
t
CS1
t
CSH
t
RS
t
RSCS
t
SE
t
CSL
t
SH
30
10
100
40
150
150
40
100
150
分钟。
—
40
40
40
40
10
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
10
—
—
—
—
—
80
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注2
注2
注3
注3
注3
C
L
= 30 pF的
（注2 ）
条件
V
DD
= 5V
（注1 ）
当使用该装置，在菊花链配置中，最大时钟频率由传播延迟的组合确定
时间（t
DO
）和数据输入建立时间（t
SU
） 。马克斯。因此，时钟频率为 5 ns的5.8兆赫的基础上SCK上升和下降时间，T
HI
=
40纳秒，T
DO
= 80纳秒和T
SU
= 40纳秒。
仅适用于MCP42XXX器件。
使用硬件引脚退出软件关断模式下，只有MCP42XXX只有当适用。
2003 Microchip的技术公司
DS11195C第5页
QQ：2880707522 复制
