MCP3550/1/3
低功耗，单通道22位Δ -Σ模数转换器
特点
22位ADC在小型8引脚MSOP封装，
自动内部偏移和增益校准
低输出的2.5 μV噪声
RMS
与有效
21.9位分辨率（ MCP3550 / 1 ）
3 μV典型偏移误差
2 ppm（典型）满刻度误差
6 ppm的最大INL误差
总非调整误差小于10ppm
无数字滤波器稳定时间，单一命令
通过3线SPI接口的转换
超低转换电流（ MCP3550 / 1 ） ：
- 100 μA的典型（V
DD
= 2.7V)
- 120 μA的典型（V
DD
= 5.0V)
差分输入， V
SS
到V
DD
共模
范围
2.7V至5.5V单电源供电
扩展级温度范围：
- -40 ° C至+ 125°C
描述
Microchip Technology Inc.的MCP3550 / 1/ 3器件
在2.7V至5.5V的低功耗， 22位Σ-Δ
模拟 - 数字转换器
器（ADC ） 。
该器件提供
输出噪声低至2.5 μV
RMS
，总
10ppm的不可调整误差。该系列具有6 ppm的
积分非线性（ INL ）误差， 3 μV失调误差和
小于2ppm满刻度误差。在MCP3550 / 1/3
器件提供高准确度和低噪声
性能
为
应用
哪里
传感器
测量（如压力，温度和
湿度）被执行。与内部振荡器
和高采样率，最少的外部
组件
是
需要
为
高精确度
应用程序。
该生产线具有全差分模拟输入，
使它与各种传感器的兼容，
工业控制或过程控制应用。
在MCP3550 / 1 /3器件工作温度从-40 ° C到
+ 125°C ，并提供节省空间的8引脚
MSOP和SOIC封装。
应用
电子秤
直接温度测量
6位DVM的
仪器仪表
数据采集
应变计测量
套餐类型：
MCP3550/1/3
MSOP ， SOIC
V
REF
1
V
IN
+ 2
V
IN
– 3
V
SS
4
V
SS
V
DD
8 V
DD
7 CS
6 SDO / RDY
5 SCK
框图
V
REF
V
IN
-
国内
振荡器
2009年Microchip的科技公司
SINC
4
V
IN
+
串行接口
3rd-Order
DS ADC
调制器
W /内部
校准
SCK
SDO
RDY
CS
V
DD
POR
DS21950E第1页
MCP3550/1/3
1.0
1.1
电动
特征
最大额定值*
V
DD
...................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t V
SS
.... .......... -0.3V到V
DD
+ 0.3V
差分输入电压....................................... | V
DD
- V
SS
|
输出短路电流连续................................
在输入引脚电流.............................................. ...... ± 2毫安
电流输出和电源引脚............................ ± 10毫安
储存温度....................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度。电源采用................- 55 ° C至+ 125°C
所有引脚的ESD保护（ HBM ， MM ）
............ ≥
6千伏，
≥
400V
最高结温（T
J
). .........................+150°C
注意：
注意，超出上述"Maximum下上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范的操作列表，是不是暗示。曝光
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数均适用于-40°C
≤
T
A
≤
+85 ？ C，V
DD
= 2.7V或5.0V 。
V
REF
= 2.5V. V
IN
+ = V
IN
- = V
CM
= V
REF
/ 2 。所有ppm单位使用2 * V
REF
为满量程范围。除非另有说明，说明书中
适用于整个MCP3550 / 1/3的家庭。
参数
噪声性能（ MCP3550 / 1 ）
无失码
输出噪声
有效分辨率
噪声性能（ MCP3553 ）
无失码
输出噪声
有效分辨率
转换时间
MCP3550-50
MCP3550-60
MCP3551
MCP3553
准确性
积分非线性
偏移误差
INL
V
OS
—
-12
—
—
正满量程误差
负满量程误差
失调漂移
正/负满刻度误差
漂移
注1 ：
2:
3:
4:
5:
6:
V
FS ，P
V
FS ，N
-10
-10
—
—
±2
±3
±4
±6
±2
±2
0.040
0.028
6
+12
—
—
+10
+10
—
—
PPM
V
V
V
PPM
PPM
PPM /°C的
PPM /°C的
T
A
= + 25°C时止（注
2)
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
T
A
= +125°C
T
A
= + 25°C只
T
A
= + 25°C只
t
CONV
t
CONV
t
CONV
t
CONV
-2.0%
-2.0%
-2.0%
-2.0%
80
66.67
73.1
16.67
+2.0%
+2.0%
+2.0%
+2.0%
ms
ms
ms
ms
NMC
e
N
ER
20
—
—
—
6
20.6
—
—
—
位
V
RMS
BITS RMS
V
REF
= 5V
在DC （注
5)
NMC
e
N
ER
22
—
—
—
2.5
21.9
—
—
—
位
V
RMS
BITS RMS
V
REF
= 5V
在DC （注
5)
符号
民
典型值
最大
单位
条件
此参数仅为特征值，并未经过100 ％测试。
INL是端点线与量化频带的中心测量的代码之间的差。
该电流是由于V的偏置电压是由于漏电流与电流
IN
+和V
IN
-.
输入阻抗是成反比的时钟频率;典型值是对MCP3550 / 1设备。 V
REF
= 5V.
设计特征值，但未经测试。
抑制性能取决于内部振荡器精度;看
第4.0节“器件概述”
了解更多信息
化上振荡器和数字滤波器的设计。 MCP3550 / 1设备排斥规格特点，从49到61赫兹。
2009年Microchip的科技公司
DS21950E第3页
MCP3550/1/3
直流特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数均适用于-40°C
≤
T
A
≤
+85 ？ C，V
DD
= 2.7V或5.0V 。
V
REF
= 2.5V. V
IN
+ = V
IN
- = V
CM
= V
REF
/ 2 。所有ppm单位使用2 * V
REF
为满量程范围。除非另有说明，说明书中
适用于整个MCP3550 / 1/3的家庭。
参数
抑制性能
(1,6)
共模抑制DC
直流电源抑制
共模50/60 Hz抑制
电源50/60 Hz抑制
电源50/60 Hz抑制
CMRR
PSRR
PSRR
—
—
—
—
—
-135
-115
-135
-85
-120
—
—
—
—
—
dB
dB
dB
dB
dB
V
CM
变化从0V到V
DD
MCP3551
只是，V
DD
从变化
4.5V至5.5V
MCP3550-50
or
MCP3550-60
只
在50或60 Hz的分别，V
DD
变化从4.5V至5.5V
MCP3551
只是，
0℃， V
CM
＆ LT ; V
DD
,
-V
REF
＆ LT ; V
IN
= (V
IN
+ -V
IN
- ） < + V
REF
MCP3550-50
or
MCP3550-60
只
在50或60赫兹分别
0℃， V
CM
＆ LT ; V
DD
,
-V
REF
＆ LT ; V
IN
= (V
IN
+ -V
IN
- ） < + V
REF
V
CM
范围从0到V
DD
符号
民
典型值
最大
单位
条件
正常模式50和60赫兹
拒绝
普通模式50或60赫兹
拒绝
NMRR
—
-85
—
dB
NMRR
—
-120
—
dB
模拟输入
差分输入范围
绝对/共模电压
模拟输入采样电容
差分输入阻抗
关断模式下的泄漏电流
参考输入
电压范围
参考输入采样
电容
参考输入阻抗
关断模式参考
漏电流
电源要求
电源电压范围
MCP3550-50 ， MCP3551
供应
当前
MCP3550-60 ， MCP3553
供应
当前
电源电流，睡眠模式
电源电流，关断模式
串行接口
电压输入高（CS ， SCK ）
输入电压低（ CS ， SCK ）
电压输出，高（ SDO / RDY ）
注1 ：
2:
3:
4:
5:
6:
V
IH
V
IL
V
OH
0.7 V
DD
—
V
DD
- 0.5
—
—
—
—
0.4
—
V
V
V
V
OH
= 1毫安， V
DD
= 5.0V
V
DD
I
DD
I
DD
I
DDSL
I
DDS
2.7
—
—
—
—
—
—
—
120
100
140
120
10
—
1
5.5
170
—
185
—
V
A
A
A
A
A
A
CS = SCK = V
DD
V
DD
= 5V
V
DD
= 2.7V
V
DD
= 5V
V
DD
= 2.7V
0.1
—
—
—
—
15
2.4
1
V
DD
—
—
—
V
pF
M
nA
注5
注4
V
IN
+ = V
IN
- = V
SS
; CS = V
DD
V
IN +
V
IN-
-V
REF
V
SS
- 0.3
—
—
—
—
—
10
2.4
1
+V
REF
V
DD
+ 0.3
—
—
—
V
V
pF
M
nA
V
IN
+ = V
IN
- = V
DD
; CS = V
DD
（注3）
注5
此参数仅为特征值，并未经过100 ％测试。
INL是端点线与量化频带的中心测量的代码之间的差。
该电流是由于V的偏置电压是由于漏电流与电流
IN
+和V
IN
-.
输入阻抗是成反比的时钟频率;典型值是对MCP3550 / 1设备。 V
REF
= 5V.
设计特征值，但未经测试。
抑制性能取决于内部振荡器精度;看
第4.0节“器件概述”
了解更多信息
化上振荡器和数字滤波器的设计。 MCP3550 / 1设备排斥规格特点，从49到61赫兹。
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2009年Microchip的科技公司
MCP3550/1/3
直流特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数均适用于-40°C
≤
T
A
≤
+85 ？ C，V
DD
= 2.7V或5.0V 。
V
REF
= 2.5V. V
IN
+ = V
IN
- = V
CM
= V
REF
/ 2 。所有ppm单位使用2 * V
REF
为满量程范围。除非另有说明，说明书中
适用于整个MCP3550 / 1/3的家庭。
参数
电压输出低（ SDO / RDY ）
输入漏电流
（ CS ， SCK ）
内部引脚电容
（ CS ， SCK ， SDO / RDY ）
注1 ：
2:
3:
4:
5:
6:
符号
V
OL
I
LI
C
INT
民
—
-1
—
典型值
—
—
5
最大
0.4
1
—
单位
V
A
pF
注1
条件
V
OH
= -1毫安，V
DD
= 5.0V
此参数仅为特征值，并未经过100 ％测试。
INL是端点线与量化频带的中心测量的代码之间的差。
该电流是由于V的偏置电压是由于漏电流与电流
IN
+和V
IN
-.
输入阻抗是成反比的时钟频率;典型值是对MCP3550 / 1设备。 V
REF
= 5V.
设计特征值，但未经测试。
抑制性能取决于内部振荡器精度;看
第4.0节“器件概述”
了解更多信息
化上振荡器和数字滤波器的设计。 MCP3550 / 1设备排斥规格特点，从49到61赫兹。
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另作说明
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
封装热阻
热阻，8 - MSOP
热阻，8 - SOIC
θ
JA
θ
JA
—
—
211
149.5
—
—
° C / W
° C / W
T
A
T
A
-40
-40
—
—
+85
+125
°C
°C
符号
民
典型值
最大
单位
条件
串行时序
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数均适用于-40°C
≤
T
A
≤
+85°C,
V
DD
= 3.3V或5.0V ， SDO负荷= 50 pF的。
参数
CLK频率
CLK高
CLK低
CLK下降到输出数据有效
CS为低电平，表示RDY状态
CS最小低电平时间
RDY标志建立时间
CS上升到输出禁止
CS禁用时间
电到CS低
CS高到关断模式
符号
f
SCK
t
HI
t
LO
t
DO
t
RDY
t
CSL
t
SU
t
DIS
t
惩教署
t
PUCSL
t
CSHSD
民
—
90
90
0
0
50
20
20
90
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
10
最大
5
—
—
90
50
—
—
—
—
—
—
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
条件
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