M
特点
12位分辨率
± 1 LSB DNL ， ± 2 LSB INL最大值。
250 μA的最大转换电流
5 nA的典型待机电流，最大1μA 。
I
2
C兼容串行接口
- 100 kHz的我
2
C标准模式
- 400 kHz的我
2
C快速模式
多达8个设备上的一个单一的2 -Wire总线
22.3 ksps的在我
2
C快速模式
单端模拟输入通道
片上采样和保持
片上转换时钟
单电源指定的操作： 2.7V至5.5V
温度范围：
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
- 扩展： -40 ° C至+ 125°C
小型SOT- 23封装
MCP3221
描述
Microchip的MCP3221是演替
西伯逼近型A / D转换器具有12位分辨率
化。可在SOT- 23封装，该器件
提供一个单端输入具有非常低的功耗
消费。基于先进的CMOS技
术中， MCP3221提供了一个低的最大转换
锡安250 μA和1 μA的电流和待机电流，
分别。低电流消耗，并结合
小型SOT -23封装，使该器件非常适用于
电池供电和远程数据采集
应用程序。
沟通的MCP3221是使用进行
2线，我
2
IC兼容接口。标准（ 100千赫）
和快速（ 400 kHz）的我
2
C模式可与
装置。一个片上转换时钟indepen-
对于I凹痕定时
2
C和转换时钟。该
器件还可以被寻址，允许多达八个装置
在一个2线总线。
在MCP3221运行在单电源电压
在经营范围为2.7V至5.5V 。这
器件还提供±1 LSB differ-出色的线性度
无穷区间非线性和± 2 LSB积分非线性，
最大。
低功耗12位A / D转换器，我
2
C接口
应用
数据记录
多区域监控
手持式便携应用
电池供电测试设备
偏远或隔离数据采集
功能框图
V
DD
V
SS
套餐类型
5引脚SOT- 23A
SCL
样品
和
HOLD
时钟
DAC
比较
–
+
V
DD
1
V
SS
2
5
艾因
12位SAR
MCP3221
4 SDA
控制逻辑
I
2
C接口
SCL
SDA
AIN 3
2003 Microchip的技术公司
DS21732B第1页
MCP3221
1.0
电动
特征
引脚功能表
名字
V
DD
V
SS
艾因
SDA
SCL
地
模拟量输入
串行数据输入/输出
SERIAL CLOCK IN
功能
+ 2.7V至5.5V电源
绝对最大额定值
V
DD
...................................................................................7.0V
模拟输入引脚w.r.t. V
SS
.......... ............. -0.6V到V
DD
+0.6V
SDA和SCL引脚w.r.t. V
SS
........... .........- 0.6V至V
DD
+1.0V
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度。电源采用................- 65 ° C至+ 125°C
最高结温.......... .......... 150℃
所有引脚（ HBM ） ............... ≥ 4 kV ESD保护
条件超过上述“绝对最大值” ，可能
对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该装置的那些或任何只和功能操作
上述其他条件，在操作列表 - 表示
本规范的英格斯是不是暗示。暴露于最高
额定条件下，长时间会影响器件的可靠性
的能力。
DC电气规格
电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用于V
DD
= 5.0V, V
SS
= GND ，R
PU
= 2 k
T
AMB
= -40 ° C至+ 85 ° C，I
2
C快速模式时序：F
SCL
= 400千赫（注
3).
参数
DC精度
决议
积分非线性
微分非线性
偏移误差
增益误差
动态性能
总谐波失真
信号与噪声和失真
无杂散动态范围
模拟量输入
输入电压范围
漏电流
SDA / SCL （漏极开路输出） ：
数据编码格式
高电平输入电压
低电平输入电压
低电平输出电压
施密特触发器输入迟滞
注1 ：
2:
3:
4:
5:
V
IH
V
IL
V
OL
V
HYST
—
—
—
直接二进制
0.7 V
DD
—
—
—
0.05 V
DD
—
0.3 V
DD
0.4
—
V
V
V
V
I
OL
= 3毫安，R
PU
= 1.53 k
f
SCL
只= 400千赫
V
SS
-0.3
-1
—
—
V
DD
+0.3
+1
V
A
2.7V
≤
V
DD
≤
5.5V
THD
SINAD
SFDR
—
—
—
-82
72
86
—
—
—
dB
dB
dB
V
IN
= 0.1V至4.9V @ 1 kHz的
V
IN
= 0.1V至4.9V @ 1 kHz的
V
IN
= 0.1V至4.9V @ 1 kHz的
INL
DNL
—
—
—
—
12
±0.75
±0.5
±0.75
-1
±2
±1
±2
±3
位
最低位
最低位
最低位
最低位
无失码
符号
民
典型值
最大
单位
条件
“采样时间”转换之间的时间，一旦地址字节已发送到转换器。
请参见图5-6 。
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
R
PU
=上拉电阻上的SDA和SCL 。
SDA和SCL = V
SS
到V
DD
在400千赫。
t
ACQ
和T
CONV
依赖于内部振荡器计时。参见图5-5和图5-6关系
SCL 。
DS21732B第2页
2003 Microchip的技术公司
MCP3221
直流电气规范（续）
电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用于V
DD
= 5.0V, V
SS
= GND ，R
PU
= 2 k
T
AMB
= -40 ° C至+ 85 ° C，I
2
C快速模式时序：F
SCL
= 400千赫（注
3).
参数
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
（所有输入/输出）
总线电容
电源要求
工作电压
转换电流
待机电流
有源总线电流
转化率
转换时间
模拟输入采集时间
采样率
注1 ：
2:
3:
4:
5:
t
CONV
t
ACQ
f
SAMP
—
—
—
8.96
1.12
—
—
—
22.3
s
s
kSPS时
注5
注5
f
SCL
= 400千赫（注
1)
V
DD
I
DD
I
DDS
I
DDA
2.7
—
—
—
—
175
0.005
—
5.5
250
1
120
V
A
A
A
SDA ， SCL = V
DD
注4
符号
I
LI
I
LO
C
IN
,
C
OUT
C
B
民
-1
-1
—
—
典型值
—
—
—
—
最大
+1
+1
10
400
单位
A
A
pF
pF
条件
V
IN
= 0.1 V
DD
和0.9 V
DD
V
OUT
= 0.1 V
SS
和0.9 V
DD
T
AMB
= 25 ° C，F = 1MHz的;
（注
2)
SDA驱动低， 0.4V
“采样时间”转换之间的时间，一旦地址字节已发送到转换器。
请参见图5-6 。
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
R
PU
=上拉电阻上的SDA和SCL 。
SDA和SCL = V
SS
到V
DD
在400千赫。
t
ACQ
和T
CONV
依赖于内部振荡器计时。参见图5-5和图5-6关系
SCL 。
温度参数
电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用于V
DD
= 5.0V, V
SS
= GND 。
参数
温度范围
工业温度范围
扩展级温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 5L- SOT23A
θ
JA
—
256
—
° C / W
T
A
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-40
-65
—
—
—
—
+85
+125
+125
+150
°C
°C
°C
°C
符号
民
典型值
最大
单位
条件
2003 Microchip的技术公司
DS21732B第3页
MCP3221
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，V
DD
= 5V, V
SS
= 0V时，我
2
C快速模式时序（ SCL = 400千赫） ，连续转换
模式（F
SAMP
= 22.3 ksps的） ，T
A
= +25°C.
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
0
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
0
100
2
正INL
INL （ LSB ）
负INL
INL （ LSB ）
正INL
负INL
100
200
300
I 2 C总线频率（千赫）
2
400
200
I 2 C总线频率（千赫）
300
400
图2-1：
INL与时钟频率。
图2-4：
(V
DD
= 2.7V).
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
2.5
3
INL与时钟速率
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
2.5
3
正INL
INL （ LSB ）
负INL
INL （ LSB ）
正INL
负INL
3.5
4
V
DD
(V)
4.5
5
5.5
3.5
4
V
DD
(V)
4.5
5
5.5
图2-2：
INL与V
DD
- I
2
C
标准模式（F
SCL
- 100千赫） 。
2
1.5
1
图2-5：
INL与V
DD
- I
2
C快速
模式（F
SCL
= 400千赫） 。
2
1.5
1
INL （ LSB ）
0.5
0
-0.5
-1
-1.5
-2
INL （ LSB ）
0.5
0
-0.5
-1
-1.5
-2
0
1024
2048
数字码
3072
4096
0
1024
2048
数字码
3072
4096
图2-3：
INL与代码
（代表部分） 。
图2-6：
INL与代码
（典型部分，V
DD
= 2.7V).
2003 Microchip的技术公司
DS21732B第5页
M
特点
12位分辨率
± 1 LSB DNL ， ± 2 LSB INL最大值。
250 μA的最大转换电流
5 nA的典型待机电流，最大1μA 。
I
2
C兼容串行接口
- 100 kHz的我
2
C标准模式
- 400 kHz的我
2
C快速模式
多达8个设备上的一个单一的2 -Wire总线
22.3 ksps的在我
2
C快速模式
单端模拟输入通道
片上采样和保持
片上转换时钟
单电源指定的操作： 2.7V至5.5V
温度范围：
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
- 扩展： -40 ° C至+ 125°C
小型SOT- 23封装
MCP3221
描述
Microchip的MCP3221是演替
西伯逼近型A / D转换器具有12位分辨率
化。可在SOT- 23封装，该器件
提供一个单端输入具有非常低的功耗
消费。基于先进的CMOS技
术中， MCP3221提供了一个低的最大转换
锡安250 μA和1 μA的电流和待机电流，
分别。低电流消耗，并结合
小型SOT -23封装，使该器件非常适用于
电池供电和远程数据采集
应用程序。
沟通的MCP3221是使用进行
2线，我
2
IC兼容接口。标准（ 100千赫）
和快速（ 400 kHz）的我
2
C模式可与
装置。一个片上转换时钟indepen-
对于I凹痕定时
2
C和转换时钟。该
器件还可以被寻址，允许多达八个装置
在一个2线总线。
在MCP3221运行在单电源电压
在经营范围为2.7V至5.5V 。这
器件还提供±1 LSB differ-出色的线性度
无穷区间非线性和± 2 LSB积分非线性，
最大。
低功耗12位A / D转换器，我
2
C接口
应用
数据记录
多区域监控
手持式便携应用
电池供电测试设备
偏远或隔离数据采集
功能框图
V
DD
V
SS
套餐类型
5引脚SOT- 23A
SCL
样品
和
HOLD
时钟
DAC
比较
–
+
V
DD
1
V
SS
2
5
艾因
12位SAR
MCP3221
4 SDA
控制逻辑
I
2
C接口
SCL
SDA
AIN 3
2003 Microchip的技术公司
DS21732B第1页
MCP3221
1.0
电动
特征
引脚功能表
名字
V
DD
V
SS
艾因
SDA
SCL
地
模拟量输入
串行数据输入/输出
SERIAL CLOCK IN
功能
+ 2.7V至5.5V电源
绝对最大额定值
V
DD
...................................................................................7.0V
模拟输入引脚w.r.t. V
SS
.......... ............. -0.6V到V
DD
+0.6V
SDA和SCL引脚w.r.t. V
SS
........... .........- 0.6V至V
DD
+1.0V
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度。电源采用................- 65 ° C至+ 125°C
最高结温.......... .......... 150℃
所有引脚（ HBM ） ............... ≥ 4 kV ESD保护
条件超过上述“绝对最大值” ，可能
对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该装置的那些或任何只和功能操作
上述其他条件，在操作列表 - 表示
本规范的英格斯是不是暗示。暴露于最高
额定条件下，长时间会影响器件的可靠性
的能力。
DC电气规格
电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用于V
DD
= 5.0V, V
SS
= GND ，R
PU
= 2 k
T
AMB
= -40 ° C至+ 85 ° C，I
2
C快速模式时序：F
SCL
= 400千赫（注
3).
参数
DC精度
决议
积分非线性
微分非线性
偏移误差
增益误差
动态性能
总谐波失真
信号与噪声和失真
无杂散动态范围
模拟量输入
输入电压范围
漏电流
SDA / SCL （漏极开路输出） ：
数据编码格式
高电平输入电压
低电平输入电压
低电平输出电压
施密特触发器输入迟滞
注1 ：
2:
3:
4:
5:
V
IH
V
IL
V
OL
V
HYST
—
—
—
直接二进制
0.7 V
DD
—
—
—
0.05 V
DD
—
0.3 V
DD
0.4
—
V
V
V
V
I
OL
= 3毫安，R
PU
= 1.53 k
f
SCL
只= 400千赫
V
SS
-0.3
-1
—
—
V
DD
+0.3
+1
V
A
2.7V
≤
V
DD
≤
5.5V
THD
SINAD
SFDR
—
—
—
-82
72
86
—
—
—
dB
dB
dB
V
IN
= 0.1V至4.9V @ 1 kHz的
V
IN
= 0.1V至4.9V @ 1 kHz的
V
IN
= 0.1V至4.9V @ 1 kHz的
INL
DNL
—
—
—
—
12
±0.75
±0.5
±0.75
-1
±2
±1
±2
±3
位
最低位
最低位
最低位
最低位
无失码
符号
民
典型值
最大
单位
条件
“采样时间”转换之间的时间，一旦地址字节已发送到转换器。
请参见图5-6 。
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
R
PU
=上拉电阻上的SDA和SCL 。
SDA和SCL = V
SS
到V
DD
在400千赫。
t
ACQ
和T
CONV
依赖于内部振荡器计时。参见图5-5和图5-6关系
SCL 。
DS21732B第2页
2003 Microchip的技术公司
MCP3221
直流电气规范（续）
电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用于V
DD
= 5.0V, V
SS
= GND ，R
PU
= 2 k
T
AMB
= -40 ° C至+ 85 ° C，I
2
C快速模式时序：F
SCL
= 400千赫（注
3).
参数
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
（所有输入/输出）
总线电容
电源要求
工作电压
转换电流
待机电流
有源总线电流
转化率
转换时间
模拟输入采集时间
采样率
注1 ：
2:
3:
4:
5:
t
CONV
t
ACQ
f
SAMP
—
—
—
8.96
1.12
—
—
—
22.3
s
s
kSPS时
注5
注5
f
SCL
= 400千赫（注
1)
V
DD
I
DD
I
DDS
I
DDA
2.7
—
—
—
—
175
0.005
—
5.5
250
1
120
V
A
A
A
SDA ， SCL = V
DD
注4
符号
I
LI
I
LO
C
IN
,
C
OUT
C
B
民
-1
-1
—
—
典型值
—
—
—
—
最大
+1
+1
10
400
单位
A
A
pF
pF
条件
V
IN
= 0.1 V
DD
和0.9 V
DD
V
OUT
= 0.1 V
SS
和0.9 V
DD
T
AMB
= 25 ° C，F = 1MHz的;
（注
2)
SDA驱动低， 0.4V
“采样时间”转换之间的时间，一旦地址字节已发送到转换器。
请参见图5-6 。
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
R
PU
=上拉电阻上的SDA和SCL 。
SDA和SCL = V
SS
到V
DD
在400千赫。
t
ACQ
和T
CONV
依赖于内部振荡器计时。参见图5-5和图5-6关系
SCL 。
温度参数
电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用于V
DD
= 5.0V, V
SS
= GND 。
参数
温度范围
工业温度范围
扩展级温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 5L- SOT23A
θ
JA
—
256
—
° C / W
T
A
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-40
-65
—
—
—
—
+85
+125
+125
+150
°C
°C
°C
°C
符号
民
典型值
最大
单位
条件
2003 Microchip的技术公司
DS21732B第3页
MCP3221
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，V
DD
= 5V, V
SS
= 0V时，我
2
C快速模式时序（ SCL = 400千赫） ，连续转换
模式（F
SAMP
= 22.3 ksps的） ，T
A
= +25°C.
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
0
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
0
100
2
正INL
INL （ LSB ）
负INL
INL （ LSB ）
正INL
负INL
100
200
300
I 2 C总线频率（千赫）
2
400
200
I 2 C总线频率（千赫）
300
400
图2-1：
INL与时钟频率。
图2-4：
(V
DD
= 2.7V).
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
2.5
3
INL与时钟速率
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
2.5
3
正INL
INL （ LSB ）
负INL
INL （ LSB ）
正INL
负INL
3.5
4
V
DD
(V)
4.5
5
5.5
3.5
4
V
DD
(V)
4.5
5
5.5
图2-2：
INL与V
DD
- I
2
C
标准模式（F
SCL
- 100千赫） 。
2
1.5
1
图2-5：
INL与V
DD
- I
2
C快速
模式（F
SCL
= 400千赫） 。
2
1.5
1
INL （ LSB ）
0.5
0
-0.5
-1
-1.5
-2
INL （ LSB ）
0.5
0
-0.5
-1
-1.5
-2
0
1024
2048
数字码
3072
4096
0
1024
2048
数字码
3072
4096
图2-3：
INL与代码
（代表部分） 。
图2-6：
INL与代码
（典型部分，V
DD
= 2.7V).
2003 Microchip的技术公司
DS21732B第5页
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