MCP3204/3208
2.7V 4通道/ 8通道12位A / D转换器
与SPI
串行接口
特点
12位分辨率
± 1 LSB DNL最大值
± 1 LSB（最大值） INL （ MCP3204 / 3208 -B ）
± 2 LSB INL最大值（ MCP3204 / 3208 -C ）
4 （ MCP3204 ）或8 （ MCP3208 ）输入通道
模拟输入可编程为单端或
伪差分对
片上采样和保持
SPI串行接口（模式0,0和1,1）的
单电源供电： 2.7V - 5.5V
100 ksps的最大值。采样速率在V
DD
= 5V
50 ksps的最大值。采样速率在V
DD
= 2.7V
低功耗CMOS技术：
- 500 nA的典型待机电流2 μA（最大值） 。
- 400 μA（最大值） 。在5V工作电流
工业级温度范围： -40°C至+ 85°C
提供PDIP ， SOIC和TSSOP封装
描述
Microchip Technology Inc.的MCP3204 / 3208
设备是逐次逼近12位的模拟电源
数（ A / D）转换器与主板上的样品和
保持电路。该MCP3204是可编程的，以亲
韦迪两个伪差分输入对或4个单
端输入。 MCP3208可被编程为亲
韦迪4组伪差分输入对或8个单
端输入。微分非线性（ DNL ）为试样
田间为± 1 LSB ，积分非线性（ INL ）为
在± 1 LSB （ MCP3204 / 3208 -B ）和± 2 LSB提供
（ MCP3204 / 3208 -C ）的版本。
随着设备的通信是通过完成
一个简单的串行接口与SPI兼容的原型
山坳。该器件能够达到的转化率的
100 ksps的。在MCP3204 / 3208器件工作在
一个宽的电压范围（2.7V - 5.5V） 。低电流
设计允许工作的典型待机和
仅500 nA和320 μA ， respec-工作电流
tively 。该MCP3204提供14引脚PDIP ， 150万
SOIC和TSSOP封装。 MCP3208可提供
采用16引脚PDIP和SOIC封装。
应用
传感器接口
过程控制
数据采集
电池供电系统
功能框图
V
DD
V
REF
CH0
CH1
V
SS
封装类型
PDIP ， SOIC ， TSSOP
CH0
CH1
CH2
CH3
NC
NC
DGND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
DD
V
REF
AGND
CLK
D
OUT
D
IN
CS / SHDN
输入
通道
MUX
DAC
比较
CH7*
MCP3204
样品
和
HOLD
控制逻辑
12位SAR
移
注册
PDIP ， SOIC
CH0
CH1
CH2
CH3
CH4
CH5
CH6
CH7
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
V
REF
AGND
CLK
D
OUT
D
IN
CS / SHDN
DGND
CS / SHDN
IN
CLK
D
OUT
*注意：
5-7通道上提供MCP3208仅
2007 Microchip的技术公司
MCP3208
DS21298D第1页
MCP3204/3208
1.0
电动
特征
引脚功能表
名字
V
DD
DGND
AGND
CH0-CH7
CLK
D
IN
D
OUT
CS / SHDN
V
REF
功能
+ 2.7V至5.5V电源
数字地
模拟地
模拟输入
串行时钟
在串行数据
串行数据输出
片选/关断输入
参考电压输入
绝对最大额定值*
V
DD
...................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
............... -0.6V到V
DD
+0.6V
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度。电源采用................- 65 ° C至+ 125°C
引线焊接温度（ 10秒） ............. + 300℃
所有引脚的ESD保护............................................. > 4千伏
*注：条件超过上述"Maximum下上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范的操作列表，是不是暗示。曝光
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
电气规格
电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用于V
DD
= 5V, V
SS
= 0V, V
REF
= 5V,
T
AMB
= -40 ° C至+ 85 ° C，F
样品
= 100 KSPS和f
CLK
= 20*f
样品
参数
转化率
转换时间
模拟输入采样时间
吞吐率
DC精度
决议
积分非线性
微分非线性
偏移误差
增益误差
动态性能
总谐波失真
信噪比和失真
（ SINAD ）
无杂散动态
范围
参考输入
电压范围
漏电流
0.25
—
—
—
100
0.001
V
DD
150
3.0
V
A
A
注2
CS = V
DD
= 5V
—
—
—
-82
72
86
—
—
—
dB
dB
dB
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
INL
DNL
—
—
—
—
—
12
±0.75
±1.0
±0.5
±1.25
±1.25
±1
±2
±1
±3
±5
位
最低位
最低位
最低位
最低位
MCP3204/3208-B
MCP3204/3208-C
无失码
超温
t
CONV
t
样品
f
样品
—
—
—
—
1.5
—
—
100
50
12
时钟
周期
时钟
周期
kSPS时
kSPS时
V
DD
= V
REF
= 5V
V
DD
= V
REF
= 2.7V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
注1 ：
此参数仅为特征值，并未经过100 ％测试。
2:
请参阅相关的线性性能，以V曲线
REF
的水平。
3:
因为采样电容终将释放电荷，因此低于10 kHz的有效时钟速率可能影响线性
性能，尤其在高温下。参见第6.2节“保持最小时钟速率” ，
了解更多信息。
DS21298D第2页
2007 Microchip的技术公司
MCP3204/3208
电气连接特定的阳离子（续）
电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用于V
DD
= 5V, V
SS
= 0V, V
REF
= 5V,
T
AMB
= -40 ° C至+ 85 ° C，F
样品
= 100 KSPS和f
CLK
= 20*f
样品
参数
模拟输入
输入电压范围为CH0-
CH7在单端模式
输入电压范围为IN +中
伪差分模式
在输入电压范围为IN-
伪差分模式
漏电流
开关导通电阻
采样电容
数字输入/输出
数据编码格式
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
（所有输入/输出）
时序参数
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
CS下降至第一个CLK崛起
EDGE
数据输入建立时间
数据输入保持时间
CLK下降到输出数据有效
CLK下降到输出使能
CS上升到输出禁止
CS禁用时间
D
OUT
上升时间
D
OUT
下降时间
电源要求
工作电压
工作电流
待机电流
V
DD
I
DD
I
DDS
2.7
—
—
—
—
320
225
0.5
5.5
400
—
2.0
V
A
A
V
DD
=V
REF
= 5V ，D
OUT
卸载
V
DD
=V
REF
= 2.7V ，D
OUT
卸载
CS = V
DD
= 5.0V
f
CLK
t
HI
t
LO
t
SUCS
t
SU
t
HD
t
DO
t
EN
t
DIS
t
CSH
t
R
t
F
—
—
250
250
100
—
—
—
—
—
500
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.0
1.0
—
—
—
50
50
200
200
100
—
100
100
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参见图1-2和1-3 （注
1)
参见图1-2和1-3 （注
1)
参见图1-2和1-3
参见图1-2和1-3
参见图1-2和1-3
V
DD
= 5V （注
3)
V
DD
= 2.7V （注
3)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
C
IN
,C
OUT
—
4.1
—
-10
-10
—
直接二进制
0.7 V
DD
—
—
—
—
—
—
—
—
0.3 V
DD
—
0.4
10
10
10
V
V
V
V
A
A
pF
I
OH
= -1毫安，V
DD
= 4.5V
I
OL
= 1毫安， V
DD
= 4.5V
V
IN
= V
SS
或V
DD
V
OUT
= V
SS
或V
DD
V
DD
= 5.0V （注
1)
T
AMB
= 25 ° C，F = 1兆赫
V
SS
IN-
V
SS
-100
—
—
—
—
—
—
0.001
1000
20
V
REF
V
REF
+ IN-
V
SS
+100
±1
—
—
mV
A
Ω
pF
参见图4-1
参见图4-1
V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
注1 ：
此参数仅为特征值，并未经过100 ％测试。
2:
请参阅相关的线性性能，以V曲线
REF
的水平。
3:
因为采样电容终将释放电荷，因此低于10 kHz的有效时钟速率可能影响线性
性能，尤其在高温下。参见第6.2节“保持最小时钟速率” ，
了解更多信息。
2007 Microchip的技术公司
DS21298D第3页
MCP3204/3208
电气连接特定的阳离子（续）
电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用于V
DD
= 5V, V
SS
= 0V, V
REF
= 5V,
T
AMB
= -40 ° C至+ 85 ° C，F
样品
= 100 KSPS和f
CLK
= 20*f
样品
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度
范围
存储温度范围
封装热阻
热阻，
14L-PDIP
热阻，
14L-SOIC
热阻，
14L-TSSOP
热阻，
16L-PDIP
热阻，
16L-SOIC
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
—
—
70
108
100
70
90
—
—
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+85
+85
+150
°C
°C
°C
符号
民
典型值
最大
单位
条件
注1 ：
此参数仅为特征值，并未经过100 ％测试。
2:
请参阅相关的线性性能，以V曲线
REF
的水平。
3:
因为采样电容终将释放电荷，因此低于10 kHz的有效时钟速率可能影响线性
性能，尤其在高温下。参见第6.2节“保持最小时钟速率” ，
了解更多信息。
t
CSH
CS
t
SUCS
t
HI
CLK
t
SU
D
IN
t
HD
t
LO
在MSB
t
EN
t
DO
空位
MSB OUT
t
R
t
F
t
DIS
最低位
D
OUT
图1-1：
串行接口时序。
DS21298D第4页
2007 Microchip的技术公司
MCP3204/3208
2.7V 4通道/ 8通道12位A / D转换器
具有SPI串行接口
特点
12位分辨率
± 1 LSB DNL最大值
± 1 LSB（最大值） INL （ MCP3204 / 3208 -B ）
± 2 LSB INL最大值（ MCP3204 / 3208 -C ）
4 （ MCP3204 ）或8 （ MCP3208 ）输入通道
模拟输入可编程为单端或
伪差分对
片上采样和保持
SPI串行接口（模式0,0和1,1）的
单电源供电： 2.7V - 5.5V
100 ksps的最大值。采样速率在V
DD
= 5V
50 ksps的最大值。采样速率在V
DD
= 2.7V
低功耗CMOS技术：
- 500 nA的典型待机电流2 μA（最大值） 。
- 400 μA（最大值） 。在5V工作电流
工业级温度范围： -40°C至+ 85°C
提供PDIP ， SOIC和TSSOP封装
描述
Microchip Technology Inc.的MCP3204 / 3208
设备是逐次逼近12位的模拟电源
数（ A / D）转换器与主板上的样品和
保持电路。该MCP3204是可编程的，以
提供两个伪差分输入对或4个
单端输入。 MCP3208可被编程
提供4组伪差分输入对或8
单端输入。微分非线性（ DNL ）为
在±1 LSB ，积分非线性（ INL ）为指定的
在± 1 LSB （ MCP3204 / 3208 -B ）和± 2 LSB提供
（ MCP3204 / 3208 -C ）的版本。
随着设备的通信是通过完成
一个简单的串行接口与SPI兼容
协议。该器件能够转换率
高达100 ksps的。在MCP3204 / 3208设备上运行
在很宽的电压范围（2.7V - 5.5V） 。低电流
设计允许工作的典型待机和
仅500 nA和320 μA的电流活跃，
分别。 MCP3204以14引脚PDIP提供，
150密耳SOIC和TSSOP封装。 MCP3208可被
采用16引脚PDIP和SOIC封装。
应用
传感器接口
过程控制
数据采集
电池供电系统
封装类型
PDIP ， SOIC ， TSSOP
CH0
CH1
CH2
CH3
NC
NC
DGND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
DD
V
REF
AGND
CLK
D
OUT
D
IN
CS / SHDN
MCP3204
功能框图
V
REF
CH0
CH1
CH7*
样品
和
HOLD
控制逻辑
CS / SHDN
IN
CLK
输入
通道
MUX
V
DD
V
SS
PDIP ， SOIC
DAC
比较
12位SAR
CH0
CH1
CH2
CH3
CH4
CH5
CH6
CH7
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
V
REF
AGND
CLK
D
OUT
D
IN
CS / SHDN
DGND
MCP3208
移
注册
D
OUT
*注意：
5-7通道上提供MCP3208仅
2008 Microchip的技术公司
DS21298E第1页
MCP3204/3208
1.0
电动
特征
注意：
注意，超出上述"Maximum下上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范的操作列表，是不是暗示。曝光
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
绝对最大额定值？
V
DD
...................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
............... -0.6V到V
DD
+0.6V
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度。电源采用................- 65 ° C至+ 125°C
引线焊接温度（ 10秒） ............. + 300℃
所有引脚的ESD保护............................................. > 4千伏
电气规格
电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用于V
DD
= 5V, V
SS
= 0V, V
REF
= 5V,
T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C，F
样品
= 100 KSPS和f
CLK
= 20*f
样品
参数
转化率
转换时间
模拟输入采样时间
吞吐率
DC精度
决议
积分非线性
微分非线性
偏移误差
增益误差
动态性能
总谐波失真
信噪比和失真
（ SINAD ）
无杂散动态
范围
参考输入
电压范围
漏电流
模拟输入
输入电压范围为CH0-
CH7在单端模式
V
SS
—
V
REF
V
0.25
—
—
—
100
0.001
V
DD
150
3.0
V
A
A
注2
CS = V
DD
= 5V
—
—
—
-82
72
86
—
—
—
dB
dB
dB
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
INL
DNL
—
—
—
—
—
12
±0.75
±1.0
±0.5
±1.25
±1.25
±1
±2
±1
±3
±5
位
最低位
最低位
最低位
最低位
MCP3204/3208-B
MCP3204/3208-C
无失码
超温
t
CONV
t
样品
f
样品
—
—
—
—
1.5
—
—
100
50
12
时钟
周期
时钟
周期
kSPS时
kSPS时
V
DD
= V
REF
= 5V
V
DD
= V
REF
= 2.7V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
输入电压范围为IN +中
IN-
—
V
REF
+ IN-
伪差分模式
注1 ：
此参数仅为特征值，并未经过100 ％测试。
2:
请参阅相关的线性性能，以V曲线
REF
的水平。
3:
因为采样电容终将释放电荷，因此低于10 kHz的有效时钟速率可能影响线性
性能，尤其在高温下。看
第6.2节“保持最小时钟
速度“ ，
“保持最小时钟速率” ，以获取更多信息。
DS21298E第2页
2008 Microchip的技术公司
MCP3204/3208
电气连接特定的阳离子（续）
电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用于V
DD
= 5V, V
SS
= 0V, V
REF
= 5V,
T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C，F
样品
= 100 KSPS和f
CLK
= 20*f
样品
参数
在输入电压范围为IN-
伪差分模式
漏电流
开关导通电阻
采样电容
数字输入/输出
数据编码格式
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
（所有输入/输出）
时序参数
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
CS下降至第一个CLK崛起
EDGE
数据输入建立时间
数据输入保持时间
CLK下降到输出数据有效
CLK下降到输出使能
CS上升到输出禁止
CS禁用时间
D
OUT
上升时间
D
OUT
下降时间
电源要求
工作电压
工作电流
待机电流
注1 ：
2:
3:
V
DD
I
DD
I
DDS
2.7
—
—
—
—
320
225
0.5
5.5
400
—
2.0
V
A
A
V
DD
=V
REF
= 5V ，D
OUT
卸载
V
DD
=V
REF
= 2.7V ，D
OUT
卸载
CS = V
DD
= 5.0V
f
CLK
t
HI
t
LO
t
SUCS
t
SU
t
HD
t
DO
t
EN
t
DIS
t
CSH
t
R
t
F
—
—
250
250
100
50
50
—
—
—
500
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.0
1.0
—
—
—
—
—
200
200
100
—
100
100
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参见图1-2和1-3 （注
1)
参见图1-2和1-3 （注
1)
参见图1-2和1-3
参见图1-2和1-3
参见图1-2和1-3
V
DD
= 5V （注
3)
V
DD
= 2.7V （注
3)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
C
IN
,C
OUT
—
4.1
—
-10
-10
—
直接二进制
0.7 V
DD
—
—
—
—
—
—
—
—
0.3 V
DD
—
0.4
10
10
10
V
V
V
V
A
A
pF
I
OH
= -1毫安，V
DD
= 4.5V
I
OL
= 1毫安， V
DD
= 4.5V
V
IN
= V
SS
或V
DD
V
OUT
= V
SS
或V
DD
V
DD
= 5.0V （注
1)
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
符号
民
V
SS
-100
—
—
—
典型值
—
0.001
1000
20
最大
V
SS
+100
±1
—
—
单位
mV
A
pF
SEE
图4-1
SEE
图4-1
条件
此参数仅为特征值，并未经过100 ％测试。
请参阅相关的线性性能，以V曲线
REF
的水平。
因为采样电容终将释放电荷，因此低于10 kHz的有效时钟速率可能影响线性
性能，尤其在高温下。看
第6.2节“保持最小时钟
速度“ ，
“保持最小时钟速率” ，以获取更多信息。
2008 Microchip的技术公司
DS21298E第3页
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