MCP3202
2.7V双通道12位A / D转换器
具有SPI串行接口
特点
12位分辨率
± 1 LSB DNL最大值
± 1 LSB(最大值) INL ( MCP3202 -B )
± 2 LSB INL最大值( MCP3202 -C )
模拟输入可编程为单端或
伪差分对
片上采样和保持
SPI串行接口(模式0,0和1,1)的
单电源供电: 2.7V - 5.5V
100 ksps的最大值。采样速率在V
DD
= 5V
50 ksps的最大值。采样速率在V
DD
= 2.7V
低功耗CMOS技术
- 500 nA的典型待机电流, 5
μA
马克斯。
- 550 μA(最大值) 。在5V工作电流
工业级温度范围: -40°C至+ 85°C
8引脚MSOP , PDIP , SOIC和TSSOP封装
封装类型
PDIP , MSOP , SOIC , TSSOP
CS / SHDN
CH0
CH1
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
/V
REF
CLK
D
OUT
D
IN
功能框图
V
DD
V
SS
MCP3202
CH0
CH1
输入
通道
MUX
DAC
比较
应用
传感器接口
过程控制
数据采集
电池供电系统
样品
和
HOLD
12位SAR
控制逻辑
移
注册
描述
Microchip的MCP3202是演替
西伯逼近12位模数转换(A / D)
转换器片上采样和保持电路。该
MCP3202可被编程,以提供一个单一的伪
差分输入对或双通道单端输入。 Differ-
无穷区间非线性(DNL )在± 1 LSB的规定,并
积分非线性( INL )为± 1 LSB
( MCP3202 -B )和± 2 LSB ( MCP3202 -C )的版本。
使用简单的设备进行通信时
串行接口与SPI协议兼容。该
设备是能够实现高达100 ksps的转换率
在5V和50 ksps的为2.7V 。该MCP3202器件能操作
阿泰在较宽的电压范围( 2.7V - 5.5V ) 。低
目前的设计允许的典型待机操作
只有500 nA和375的工作电流
μA,
respec-
tively 。 MCP3202可在8引脚MSOP , PDIP提供,
TSSOP和150 mil SOIC封装形式。
CS / SHDN
D
IN
CLK
D
OUT
2006年Microchip的科技公司
DS21034D第1页
MCP3202
1.0
1.1
电动
特征
最大额定值*
引脚功能表
名字
V
DD
/V
REF
功能
+ 2.7V至5.5V电源和
参考电压输入
通道0模拟输入
1通道模拟输入
串行时钟
在串行数据
串行数据输出
片选/关断输入
V
DD
.........................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
...... -0.6V到V
DD
+0.6V
储存温度..........................- 65°C至+ 150°C
环境温度。电源采用.....- 65 ° C至+ 125°C
所有引脚( HBM ) ESD保护.........................
& GT ;
4千伏
*注意:
强调上述“最大额定值”,可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该装置的这些或任何其他条件和功能操作
以上这些在本规范的运作上市表明是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,其
期间可能会影响器件的可靠性。
CH0
CH1
CLK
D
IN
D
OUT
CS / SHDN
电气特性
所有参数均适用于V
DD
= 5.5V, V
SS
= 0V ,T
AMB
= -40 ° C至+ 85 ° C,F
样品
= 100 KSPS和f
CLK
= 18*f
样品
除非另有说明。
参数
转换率:
转换时间
模拟输入采样时间
符号
t
CONV
t
样品
分钟。
—
典型值。
—
1.5
马克斯。
12
单位
时钟
周期
时钟
周期
kSPS时
kSPS时
位
最低位
最低位
最低位
V
DD
= V
REF
= 5V
V
DD
= V
REF
= 2.7V
条件
吞吐率
DC精度:
决议
积分非线性
微分非线性
f
样品
—
—
—
—
12
±0.75
±1
±0.5
100
50
INL
DNL
—
—
—
±1
±2
±1
MCP3202-B
MCP3202-C
无漏失码
温度
偏移误差
—
±1.25
±3
最低位
增益误差
—
±1.25
±5
最低位
动态性能:
总谐波失真
THD
—
-82
—
dB
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
信噪比和失真
SINAD
—
72
—
dB
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
( SINAD )
无杂散动态范围
SFDR
—
86
—
dB
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
模拟输入:
—
V
DD
V
输入电压范围为CH0或
V
SS
CH1在单端模式
参见第3.1和4.1
IN +
IN-
—
V
DD
+ IN-
输入电压范围为IN +中
伪差分模式
—
V
SS
+100
mV
参见第3.1和4.1
在输入电压范围为IN-
IN-
V
SS
-100
伪差分模式
漏电流
—
.001
±1
μA
开关导通电阻
R
SS
—
1k
—
Ω
参见图4-1
注1 :
此参数仅为特征值,并未经过100 %测试。
2:
因为采样电容终将释放电荷,因此低于10 kHz的有效时钟速率可能影响线性
性能,尤其是在高温下。参见第6.2节以获取更多信息。
DS21034D第2页
2006年Microchip的科技公司
MCP3202
电气特性(续)
所有参数均适用于V
DD
= 5.5V, V
SS
= 0V ,T
AMB
= -40 ° C至+ 85 ° C,F
样品
= 100 KSPS和f
CLK
= 18*f
样品
除非另有说明。
参数
采样电容
数字输入/输出:
数据编码格式
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
(所有输入/输出)
时序参数:
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
CS下降至第一个CLK崛起
EDGE
数据输入建立时间
数据输入保持时间
CLK下降到输出数据有效
CLK下降到输出使能
CS上升到输出禁止
CS禁用时间
D
OUT
上升时间
D
OUT
下降时间
符号
C
样品
分钟。
—
典型值。
20
马克斯。
—
单位
pF
条件
参见图4-1
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
C
IN
, C
OUT
直接二进制
0.7 V
DD
—
—
—
—
0.3 V
DD
4.1
—
—
—
—
0.4
-10
—
10
-10
—
10
—
—
10
V
V
V
V
A
A
pF
I
OH
= -1毫安,V
DD
= 4.5V
I
OL
= 1毫安, V
DD
= 4.5V
V
IN
= V
SS
或V
DD
V
OUT
= V
SS
或V
DD
V
DD
= 5.0V (注
1)
T
AMB
= 25 ° C,F = 1兆赫
V
DD
= 5V (注
2)
V
DD
= 2.7V (注
2)
f
CLK
t
HI
t
LO
t
SUCS
t
SU
t
HD
t
DO
t
EN
t
DIS
t
CSH
t
R
t
F
—
250
250
100
—
—
—
—
—
500
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.8
0.9
—
—
—
50
50
200
200
100
—
100
100
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
见测试电路,图1-2
见测试电路,图1-2
见测试电路,图1-2
注1
见测试电路,图1-2
注1
见测试电路,图1-2
注1
电源要求:
2.7
—
5.5
V
工作电压
V
DD
工作电流
I
DD
—
375
550
A
V
DD
= 5.0V ,D
OUT
卸载
—
0.5
5
A
CS = V
DD
= 5.0V
待机电流
I
DDS
温度范围:
特定网络版温度范围
T
A
-40
—
+85
°C
-40
—
+85
°C
工作温度范围
T
A
存储温度范围
T
A
-65
—
+150
°C
封装热阻:
热阻,8 - PDIP
θ
JA
—
85
—
° C / W
热阻,8 - SOIC
θ
JA
—
163
—
° C / W
热阻,8 - MSOP
θ
JA
—
206
—
° C / W
θ
JA
—
—
° C / W
热阻,8 - TSSOP
注1 :
此参数仅为特征值,并未经过100 %测试。
2:
因为采样电容终将释放电荷,因此低于10 kHz的有效时钟速率可能影响线性
性能,尤其是在高温下。参见第6.2节以获取更多信息。
2006年Microchip的科技公司
DS21034D第3页
MCP3202
2.0
注意:
典型性能特性
按照此说明中提供的图表是统计结果的样本数量有限
并提供,仅供参考。这里所列出的性能特性不
测试或保证。一些图表,给出的数据可能超出规定的工作范围
(如超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
注意:
除非另有说明,V
DD
= 5V, V
SS
= 0V ,女
样品
=
100 ksps时,女
CLK
= 18* f
样品
,T
A
= 25°C
1.0
0.8
0.6
0.4
正INL
2.0
1.5
1.0
V
DD
= 2.7V
正INL
0.5
0.0
-0.5
负INL
-1.0
-1.5
-2.0
0
20
40
60
80
100
INL ( LSB )
0.2
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
0
25
50
75
100
125
150
负INL
采样率( ksps的)
INL ( LSB )
采样率( ksps的)
图2-1:
率。
积分非线性( INL ) - 采样
图2-4:
积分非线性( INL ) - 采样
速率(V
DD
= 2.7V).
1.0
0.8
0.6
0.4
正INL
F
样品
= 100 kSPS时
1.0
0.8
0.6
0.4
正INL
F
样品
= 50 kSPS时
INL ( LSB )
0.2
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
负INL
INL ( LSB )
0.2
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
负INL
V
DD
(V)
V
DD
(V)
图2-2:
积分非线性( INL )与V
DD
.
图2-5:
积分非线性( INL )与V
DD
.
1.0
0.8
0.6
0.4
1.0
0.8
0.6
0.4
V
DD
= 2.7V
F
样品
= 50 kSPS时
INL ( LSB )
INL ( LSB )
0
512
1024
1536 2048
2560 3072
3584 4096
0.2
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
0.2
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
0
512
1024
1536 2048
2560 3072
3584 4096
数字码
数字码
图2-3:
积分非线性( INL )与代码
(代表部分) 。
图2-6:
积分非线性( INL )与代码
(典型部分,V
DD
= 2.7V).
2006年Microchip的科技公司
DS21034D第5页