MCP3004/3008
2.7V 4通道/ 8通道10位A / D转换器
与SPI 串行接口
特点
10位分辨率
± 1 LSB DNL最大值
± 1 LSB（最大值） INL
4 （ MCP3004 ）或8 （ MCP3008 ）输入通道
模拟输入可编程为单端或
伪差分对
片上采样和保持
SPI串行接口（模式0,0和1,1）的
单电源供电： 2.7V - 5.5V
200 ksps的最大值。采样速率在V
DD
= 5V
75 ksps的最大值。采样速率在V
DD
= 2.7V
低功耗CMOS技术
5 nA的典型待机电流2 μA（最大值） 。
500 μA（最大值） 。在5V工作电流
工业级温度范围： -40°C至+ 85°C
提供PDIP ， SOIC和TSSOP封装
描述
Microchip Technology Inc.的MCP3004 / 3008
设备是逐次逼近10位的模拟电源
数（ A / D）转换器与主板上的样品和
保持电路。该MCP3004是可编程的，以亲
韦迪两个伪差分输入对或4个单
端输入。该MCP3008是可编程的，以亲
韦迪4组伪差分输入对或8个单
端输入。微分非线性（ DNL ）和集成起来
GRAL非线性（ INL ）是在± 1 LSB指定。 COM的
通信用的设备，使用一个来实现
简单的串行接口与SPI协议兼容。
该器件能够达到的转换率
200 ksps的。在MCP3004 / 3008器件工作在
广泛的电压范围（ 2.7V - 5.5V ） 。低电流设计
允许仅为典型待机电流操作
5 nA和320 μA的典型工作电流。该
MCP3004采用14引脚PDIP提供， 150万SOIC和
TSSOP封装，而MCP3008提供的16
引脚PDIP和SOIC封装。
应用
传感器接口
过程控制
数据采集
电池供电系统
功能框图
V
DD
V
SS
V
REF
CH0
CH1
CH7*
14
13
12
11
10
9
8
V
DD
V
REF
AGND
CLK
D
OUT
D
IN
CS / SHDN
样品
和
HOLD
控制逻辑
封装类型
PDIP ， SOIC ， TSSOP
CH0
CH1
CH2
CH3
NC
NC
DGND
1
2
3
4
5
6
7
输入
通道
最大
DAC
比较
10位SAR
MCP3004
移
注册
D
OUT
CS / SHDN
IN
CLK
PDIP ， SOIC
CH0
CH1
CH2
CH3
CH4
CH5
CH6
CH7
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
V
REF
AGND
CLK
D
OUT
D
IN
CS / SHDN
DGND
*
注意：
4-7通道上提供MCP3008仅
2007 Microchip的技术公司
MCP3008
DS21295C第1页
MCP3004/3008
1.0
电动
特征
引脚功能表
名字
V
DD
DGND
AGND
CH0-CH7
CLK
D
IN
D
OUT
CS / SHDN
V
REF
功能
+ 2.7V至5.5V电源
数字地
模拟地
模拟输入
串行时钟
在串行数据
串行数据输出
片选/关断输入
参考电压输入
绝对最大额定值*
V
DD
........................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
.....- 0.6V到V
DD
+0.6V
储存温度..........................- 65°C至+ 150°C
环境温度。电源采用.....- 65 ° C至+ 125°C
引线焊接温度（ 10秒） .. + 300℃
所有引脚的ESD保护.................................. > 4千伏
*注：条件超过上述"Maximum下上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范的操作列表，是不是暗示。曝光
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
电气规格
电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用于V
DD
= 5V, V
REF
= 5V,
T
AMB
= -40 ° C至+ 85 ° C，F
样品
= 200 KSPS和f
CLK
= 18*f
样品
。除非另有说明，典型值适用于
V
DD
= 5V ，T
AMB
= 25°C.
参数
转化率
转换时间
模拟输入采样时间
吞吐率
DC精度
决议
积分非线性
微分非线性
偏移误差
增益误差
动态性能
总谐波失真
信噪比和失真
（ SINAD ）
无杂散动态范围
参考输入
电压范围
漏电流
0.25
—
—
100
0.001
V
DD
150
3
V
A
A
注2
CS = V
DD
= 5V
—
—
—
-76
61
78
dB
dB
dB
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
INL
DNL
—
—
—
—
10
±0.5
±0.25
—
—
±1
±1
±1.5
±1.0
位
最低位
最低位
最低位
最低位
无漏失码
温度
t
CONV
t
样品
f
样品
—
—
—
1.5
—
200
75
10
时钟
周期
时钟
周期
kSPS时
kSPS时
V
DD
= V
REF
= 5V
V
DD
= V
REF
= 2.7V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
注1 ：
此参数仅为特征值，并未经过100 ％测试。
2:
请参阅相关的线性性能，以V曲线
REF
的水平。
3:
因为采样电容终将释放电荷，因此低于10 kHz的有效时钟速率可能影响线性
性能，尤其是在高温下。参见第6.2节“保持最小时钟速率” ，
了解更多信息。
DS21295C第2页
2007 Microchip的技术公司
MCP3004/3008
电气连接特定的阳离子（续）
电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用于V
DD
= 5V, V
REF
= 5V,
T
AMB
= -40 ° C至+ 85 ° C，F
样品
= 200 KSPS和f
CLK
= 18*f
样品
。除非另有说明，典型值适用于
V
DD
= 5V ，T
AMB
= 25°C.
参数
模拟输入
输入电压范围为CH0或
CH1在单端模式
输入电压范围为IN +中
伪差分模式
在输入电压范围为IN-
伪差分模式
漏电流
开关导通电阻
采样电容
数字输入/输出
数据编码格式
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
（所有输入/输出）
时序参数
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
CS下降至第一个CLK上升沿
CS下降到CLK的下降沿边缘
数据输入建立时间
数据输入保持时间
CLK下降到输出数据有效
CLK下降到输出使能
CS上升到输出禁止
CS禁用时间
D
OUT
上升时间
D
OUT
下降时间
f
CLK
t
HI
t
LO
t
SUCS
t
惩教署
t
SU
t
HD
t
DO
t
EN
t
DIS
t
CSH
t
R
t
F
—
125
125
100
—
—
—
—
—
—
270
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3.6
1.35
—
—
—
0
50
50
125
200
125
200
100
—
100
100
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
见测试电路，图1-2
（注
1)
见测试电路，图1-2
（注
1)
V
DD
= 5V ，见图1-2
V
DD
= 2.7V ，见图1-2
V
DD
= 5V ，见图1-2
V
DD
= 2.7V ，见图1-2
见测试电路，图1-2
V
DD
= 5V （注
3)
V
DD
= 2.7V （注
3)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
C
IN
,
C
OUT
4.1
—
-10
-10
—
直接二进制
0.7 V
DD
—
—
—
—
—
—
—
—
0.3 V
DD
—
0.4
10
10
10
V
V
V
V
A
A
pF
I
OH
= -1毫安，V
DD
= 4.5V
I
OL
= 1毫安， V
DD
= 4.5V
V
IN
= V
SS
或V
DD
V
OUT
= V
SS
或V
DD
V
DD
= 5.0V （注
1)
T
AMB
= 25 ° C，F = 1兆赫
V
SS
IN-
V
SS
-100
—
—
—
—
—
—
0.001
1000
20
V
REF
V
REF
+ IN-
V
SS
+100
±1
—
—
mV
A
Ω
pF
参见图4-1
参见图4-1
V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
注1 ：
此参数仅为特征值，并未经过100 ％测试。
2:
请参阅相关的线性性能，以V曲线
REF
的水平。
3:
因为采样电容终将释放电荷，因此低于10 kHz的有效时钟速率可能影响线性
性能，尤其是在高温下。参见第6.2节“保持最小时钟速率” ，
了解更多信息。
2007 Microchip的技术公司
DS21295C第3页
MCP3004/3008
电气连接特定的阳离子（续）
电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用于V
DD
= 5V, V
REF
= 5V,
T
AMB
= -40 ° C至+ 85 ° C，F
样品
= 200 KSPS和f
CLK
= 18*f
样品
。除非另有说明，典型值适用于
V
DD
= 5V ，T
AMB
= 25°C.
参数
电源要求
工作电压
工作电流
V
DD
I
DD
2.7
—
—
425
225
5.5
550
V
A
V
DD
= V
REF
= 5V,
D
OUT
卸载
V
DD
= V
REF
= 2.7V,
D
OUT
卸载
CS = V
DD
= 5.0V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
待机电流
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 14L - PDIP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
热阻， 16L - PDIP
热阻， 16L - SOIC
I
DDS
T
A
T
A
T
A
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
-40
-40
-65
—
—
—
—
—
0.005
—
—
—
70
108
100
70
90
2
+85
+85
+150
—
—
—
—
—
A
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注1 ：
此参数仅为特征值，并未经过100 ％测试。
2:
请参阅相关的线性性能，以V曲线
REF
的水平。
3:
因为采样电容终将释放电荷，因此低于10 kHz的有效时钟速率可能影响线性
性能，尤其是在高温下。参见第6.2节“保持最小时钟速率” ，
了解更多信息。
T
CSH
CS
T
SUCS
T
HI
T
LO
CLK
T
SU
D
IN
T
HD
在MSB
T
EN
T
DO
空位
MSB OUT
T
R
T
F
T
DIS
最低位
D
OUT
图1-1：
串行接口时序。
DS21295C第4页
2007 Microchip的技术公司
MCP3004/3008
2.7V 4通道/ 8通道10位A / D转换器
具有SPI串行接口
特点
10位分辨率
± 1 LSB DNL最大值
± 1 LSB（最大值） INL
4 （ MCP3004 ）或8 （ MCP3008 ）输入通道
模拟输入可编程为单端或
伪差分对
片上采样和保持
SPI串行接口（模式0,0和1,1）的
单电源供电： 2.7V - 5.5V
200 ksps的最大值。采样速率在V
DD
= 5V
75 ksps的最大值。采样速率在V
DD
= 2.7V
低功耗CMOS技术
5 nA的典型待机电流2 μA（最大值） 。
500 μA（最大值） 。在5V工作电流
工业级温度范围： -40°C至+ 85°C
提供PDIP ， SOIC和TSSOP封装
描述
Microchip Technology Inc.的MCP3004 / 3008
设备是逐次逼近10位的模拟电源
数（ A / D）转换器与主板上的样品和
保持电路。该MCP3004是可编程的，以
提供两个伪差分输入对或4个
单端输入。该MCP3008可编程
提供4组伪差分输入对或8
单端输入。微分非线性（ DNL ）
和积分非线性（ INL）为± 1 LSB指定。
随着设备的通信是通过完成
一个简单的串行接口与SPI兼容
协议。该器件能够转换率
高达200 ksps的。在MCP3004 / 3008设备上运行
在很宽的电压范围（2.7V - 5.5V） 。低电流
设计允许工作的典型待机电流
只有5 nA和320 μA的典型工作电流。该
MCP3004采用14引脚PDIP提供， 150万SOIC和
TSSOP封装，而MCP3008提供的16
引脚PDIP和SOIC封装。
应用
传感器接口
过程控制
数据采集
电池供电系统
封装类型
PDIP ， SOIC ， TSSOP
CH0
CH1
CH2
CH3
NC
NC
DGND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
功能框图
V
REF
CH0
CH1
CH7*
样品
和
HOLD
控制逻辑
输入
通道
最大
V
DD
V
SS
V
DD
V
REF
AGND
CLK
D
OUT
D
IN
CS / SHDN
MCP3004
PDIP ， SOIC
DAC
比较
10位SAR
CH0
CH1
CH2
CH3
CH4
CH5
CH6
CH7
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
V
REF
AGND
CLK
D
OUT
D
IN
CS / SHDN
DGND
MCP3008
移
注册
D
OUT
CS / SHDN
IN
CLK
*
注意：
通道4-7是可以用MCP3008仅
2008 Microchip的技术公司
DS21295D第1页
MCP3004/3008
1.0
电动
特征
注意：
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在操作列表中标明本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其
期间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
V
DD
..................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
............- 0.6V至V
DD
+ 0.6V
存储温度................................... -65 ° C至+ 150°C
环境温度与功耗应用.......- 65 ° C至+ 150°C
引线焊接温度（ 10秒） ............. + 300℃
所有引脚的ESD保护（ HBM ）
...................................≥
4千伏
电气规格
电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用于V
DD
= 5V, V
REF
= 5V,
T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C，F
样品
= 200 KSPS和f
CLK
= 18*f
样品
。除非另有说明，典型值适用于
V
DD
= 5V ，T
A
= +25°C.
参数
转化率
转换时间
模拟输入采样时间
吞吐率
DC精度
决议
积分非线性
微分非线性
偏移误差
增益误差
动态性能
总谐波失真
信号与噪声和失真
（ SINAD ）
无杂散动态范围
参考输入
电压范围
漏电流
模拟输入
输入电压范围为CH0或
CH1在单端模式
输入电压范围为IN +中
伪差分模式
在输入电压范围为IN-
伪差分模式
V
SS
IN-
V
SS
-100
—
—
—
V
REF
V
REF
+ IN-
V
SS
+100
mV
V
0.25
—
—
100
0.001
V
DD
150
3
V
A
A
注2
CS = V
DD
= 5V
—
—
—
-76
61
78
dB
dB
dB
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
INL
DNL
—
—
—
—
10
±0.5
±0.25
—
—
±1
±1
±1.5
±1.0
位
最低位
最低位
最低位
最低位
无漏失码
温度
t
CONV
t
样品
f
样品
—
—
—
1.5
—
200
75
10
时钟
周期
时钟
周期
kSPS时
kSPS时
V
DD
= V
REF
= 5V
V
DD
= V
REF
= 2.7V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
注1 ：
此参数仅为特征值，并未经过100 ％测试。
2:
请参阅相关的线性性能，以V曲线
REF
的水平。
3:
因为采样电容终将释放电荷，因此低于10 kHz的有效时钟速率可能影响线性
性能，尤其是在高温下。看
第6.2节“保持最小时钟
速度“ ，
“保持最小时钟速率” ，以获取更多信息。
2008 Microchip的技术公司
DS21295D第3页
MCP3004/3008
电气连接特定的阳离子（续）
电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用于V
DD
= 5V, V
REF
= 5V,
T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C，F
样品
= 200 KSPS和f
CLK
= 18*f
样品
。除非另有说明，典型值适用于
V
DD
= 5V ，T
A
= +25°C.
参数
漏电流
开关导通电阻
采样电容
数字输入/输出
数据编码格式
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
（所有输入/输出）
时序参数
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
CS下降至第一个CLK上升沿
CS下降到CLK的下降沿边缘
数据输入建立时间
数据输入保持时间
CLK下降到输出数据有效
CLK下降到输出使能
CS上升到输出禁止
CS禁用时间
D
OUT
上升时间
D
OUT
下降时间
f
CLK
t
HI
t
LO
t
SUCS
t
惩教署
t
SU
t
HD
t
DO
t
EN
t
DIS
t
CSH
t
R
t
F
—
125
125
100
—
50
50
—
—
—
270
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3.6
1.35
—
—
—
0
—
—
125
200
125
200
100
—
100
100
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
见测试电路，
图1-2
（注
1)
见测试电路，
图1-2
（注
1)
V
DD
= 5V ，见
图1-2
V
DD
= 2.7V ，见
图1-2
V
DD
= 5V ，见
图1-2
V
DD
= 2.7V ，见
图1-2
见测试电路，
图1-2
V
DD
= 5V （注
3)
V
DD
= 2.7V （注
3)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
C
IN
,
C
OUT
4.1
—
-10
-10
—
直接二进制
0.7 V
DD
—
—
—
—
—
—
—
—
0.3 V
DD
—
0.4
10
10
10
V
V
V
V
A
A
pF
I
OH
= -1毫安，V
DD
= 4.5V
I
OL
= 1毫安， V
DD
= 4.5V
V
IN
= V
SS
或V
DD
V
OUT
= V
SS
或V
DD
V
DD
= 5.0V （注
1)
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
符号
民
—
—
—
典型值
0.001
1000
20
最大
±1
—
—
单位
A
Ω
pF
SEE
图4-1
SEE
图4-1
条件
注1 ：
此参数仅为特征值，并未经过100 ％测试。
2:
请参阅相关的线性性能，以V曲线
REF
的水平。
3:
因为采样电容终将释放电荷，因此低于10 kHz的有效时钟速率可能影响线性
性能，尤其是在高温下。看
第6.2节“保持最小时钟
速度“ ，
“保持最小时钟速率” ，以获取更多信息。
DS21295D第4页
2008 Microchip的技术公司
MCP3004/3008
电气连接特定的阳离子（续）
电气特性：
除非另有说明，所有参数均适用于V
DD
= 5V, V
REF
= 5V,
T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C，F
样品
= 200 KSPS和f
CLK
= 18*f
样品
。除非另有说明，典型值适用于
V
DD
= 5V ，T
A
= +25°C.
参数
电源要求
工作电压
工作电流
V
DD
I
DD
2.7
—
—
425
225
5.5
550
V
A
V
DD
= V
REF
= 5V,
D
OUT
卸载
V
DD
= V
REF
= 2.7V,
D
OUT
卸载
CS = V
DD
= 5.0V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
待机电流
I
DDS
—
0.005
2
A
注1 ：
此参数仅为特征值，并未经过100 ％测试。
2:
请参阅相关的线性性能，以V曲线
REF
的水平。
3:
因为采样电容终将释放电荷，因此低于10 kHz的有效时钟速率可能影响线性
性能，尤其是在高温下。看
第6.2节“保持最小时钟
速度“ ，
“保持最小时钟速率” ，以获取更多信息。
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 2.7V至+ 5.5V ，V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 14L - PDIP
热阻，14 - SOIC
热阻，14 - TSSOP
热阻， 16L - PDIP
热阻， 16L - SOIC
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
—
—
70
108
100
70
90
—
—
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
CSH
CS
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+85
+85
+150
°C
°C
°C
符号
民
典型值
最大
单位
条件
T
SUCS
T
HI
T
LO
CLK
T
SU
D
IN
T
HD
T
R
MSB OUT
T
F
T
DIS
最低位
在MSB
T
EN
T
DO
空位
D
OUT
图1-1：
串行接口时序。
2008 Microchip的技术公司
DS21295D第5页
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