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MCP3002
2.7V双通道10位A / D转换器
与SPI 串行接口
特点
10位分辨率
± 1 LSB DNL最大值
± 1 LSB(最大值) INL
模拟输入可编程为单端或
伪差分对
片上采样和保持
SPI
串行接口(模式0,0和1,1)的
单电源供电: 2.7V - 5.5V
200 ksps的最大采样速率为V
DD
= 5V
75 ksps的最大采样速率为V
DD
= 2.7V
低功耗CMOS技术:
- 5 nA的典型待机电流2 μA(最大值)
- 550 μA(最大值) 。在5V工作电流
工业级温度范围: -40°C至+ 85°C
8引脚MSOP , PDIP , SOIC和TSSOP封装
封装类型
MSOP , PDIP , SOIC , TSSOP
CS / SHDN
CH0
CH1
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
/V
REF
CLK
D
OUT
D
IN
功能框图
V
DD
V
SS
MCP3002
应用
传感器接口
过程控制
数据采集
电池供电系统
CH0
CH1
输入
通道
MUX
DAC
比较
样品
HOLD
控制逻辑
10位SAR
描述
Microchip的MCP3002是演替
西伯逼近10位模数(A / D) CON-
变频器与主板上的采样和保持电路。该
MCP3002是可编程的,以提供一个单一的伪
差分输入对或双通道单端输入。 Differ-
无穷区间非线性(DNL )和积分非线性
( INL )均在±1 LSB指定。通讯
使用一个简单的串行接口进行设备
与SPI协议兼容。该装置能够
高达200 ksps的在5V和75 ksps的转换率
在2.7V 。该MCP3002器件工作点多面广
电压范围( 2.7V - 5.5V ) 。低电流设计许可证
动作用的5 nA和一个典型的待机电流
375 μA的典型工作电流。该MCP3002是
采用8引脚MSOP , PDIP , TSSOP和150万提供
SOIC封装。
注册
CS / SHDN
D
IN
CLK
D
OUT
2007 Microchip的技术公司
DS21294C第1页
MCP3002
1.0
1.1
电动
特征
最大额定值*
引脚功能表
名字
功能
V
DD
/V
REF
CH0
CH1
CLK
D
IN
D
OUT
CS / SHDN
V
DD
.........................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
...... -0.6V到V
DD
+0.6V
储存温度..........................- 65°C至+ 150°C
环境温度。电源采用.....- 65 ° C至+ 125°C
所有引脚( HBM ) ESD保护........................ >为4kV
*注:超出上述“绝对最大值” ,可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该装置的这些或任何其他条件的功能操作
以上这些在本规范的运作上市表明是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,其围
消耗臭氧层物质可能会影响器件的可靠性。
+ 2.7V至5.5V电源和
参考电压输入
通道0模拟输入
1通道模拟输入
串行时钟
在串行数据
串行数据输出
片选/关断输入
电气特性
所有参数均适用于V
DD
= 5V ,T
AMB
= -40 ° C至+ 85 ° C,F
样品
= 200 KSPS和f
CLK
= 16*f
样品
除非另有说明。
典型值适用于V
DD
= 5V ,T
AMB
= 25_C除非另有说明。
参数
转换率:
转换时间
模拟输入采样时间
t
CONV
t
样品
1.5
10
时钟
周期
时钟
周期
200
75
kSPS时
kSPS时
V
DD
= 5V
V
DD
= 2.7V
符号
典型值
最大
单位
条件
吞吐率
DC精度:
决议
积分非线性
微分非线性
偏移误差
增益误差
动态性能:
总谐波失真
信噪比和失真
( SINAD )
无杂散动态范围
模拟输入:
输入电压范围为CH0或CH1
在单端模式
输入电压范围为IN +中
伪差分模式
在输入电压范围为IN-
伪差分模式
漏电流
开关导通电阻
采样电容
注1 :
2:
f
样品
10
INL
DNL
THD
SINAD
SFDR
V
SS
IN +
IN-
IN-
V
SS
-100
R
SS
C
样品
±0.5
±0.25
-76
61
78
0.001
1K
20
±1
±1
±1.5
±1
V
DD
V
DD
+ IN-
V
SS
+100
±1
最低位
最低位
最低位
最低位
dB
dB
dB
V
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
无漏失码
温度
mV
A
Ω
pF
参见图4-1
参见图4-1
此参数仅为特征值,并未经过100 %测试。
采样电容终将释放电荷,尤其是在高温下,所以F
CLK
≥10
千赫的温度
等于或高于70℃。
DS21294C第2页
2007 Microchip的技术公司
MCP3002
电气特性(续)
所有参数均适用于V
DD
= 5V ,T
AMB
= -40 ° C至+ 85 ° C,F
样品
= 200 KSPS和f
CLK
= 16*f
样品
除非另有说明。
典型值适用于V
DD
= 5V ,T
AMB
= 25_C除非另有说明。
参数
数字输入/输出:
数据编码格式
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
(所有输入/输出)
时序参数:
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
CS下降至第一个CLK上升沿
数据输入建立时间
数据输入保持时间
CLK下降到输出数据有效
CLK下降到输出使能
CS上升到输出禁止
CS禁用时间
D
OUT
上升时间
D
OUT
下降时间
电源要求:
工作电压
工作电流
待机电流
温度范围:
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻:
热阻,8 - PDIP
热阻,8 - SOIC
热阻,8 - MSOP
热阻,8 - TSSOP
注1 :
2:
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
85
163
206
124
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
+85
+85
+150
°C
°C
°C
V
DD
I
DD
I
DDS
2.7
525
300
0.005
5.5
650
2
V
A
A
V
DD
= 5.0V ,D
OUT
卸载
V
DD
= 2.7V ,D
OUT
卸载
CS = V
DD
= 5.0V
f
CLK
t
HI
t
LO
t
SUCS
t
SU
t
HD
t
DO
t
EN
t
DIS
t
CSH
t
R
t
F
140
140
100
310
3.2
1.2
50
50
125
200
125
200
100
100
100
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
见测试电路,图1-2
注1
见测试电路,图1-2
注1
V
DD
= 5V ,见图1-2
V
DD
= 2.7V ,见图1-2
V
DD
= 5V ,见图1-2
V
DD
= 2.7V ,见图1-2
见测试电路,图1-2
注1
V
DD
= 5V (注
2)
V
DD
= 2.7V (注
2)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
C
IN
, C
OUT
直接二进制
0.7 V
DD
4.1
-10
-10
0.3 V
DD
0.4
10
10
10
V
V
V
V
A
A
pF
I
OH
= -1毫安,V
DD
= 4.5V
I
OL
= 1毫安, V
DD
= 4.5V
V
IN
= V
SS
或V
DD
V
OUT
= V
SS
或V
DD
V
DD
= 5.0V (注
1)
T
AMB
= 25 ° C,F = 1兆赫
符号
典型值
最大
单位
条件
此参数仅为特征值,并未经过100 %测试。
采样电容终将释放电荷,尤其是在高温下,所以F
CLK
≥10
千赫的温度
等于或高于70℃。
2007 Microchip的技术公司
DS21294C第3页
MCP3002
t
CSH
CS
t
SUCS
t
HI
CLK
t
SU
D
IN
t
HD
t
LO
在MSB
t
EN
t
DO
空位
MSB OUT
t
R
t
F
最低位
t
DIS
D
OUT
图1-1:
串行时序。
负载电路在t
DIS
和T
EN
测试点
V
DD
3 kΩ
测试点
D
OUT
C
L
= 30 pF的
30 pF的
V
SS
3 kΩ
t
DIS
波形2
t
EN
波形
t
DIS
波形1
负载电路在t
R
, t
F
, t
DO
1.4V
D
OUT
V
DD
/2
电压波形吨
R
, t
F
V
OH
V
OL
t
R
t
F
CLK
D
OUT
电压波形吨
EN
D
OUT
CS
1
2
3
4
B9
t
EN
电压波形吨
DO
CS
CLK
t
DO
D
OUT
电压波形吨
DIS
V
IH
90%
t
DIS
D
OUT
波形2
10%
D
OUT
波形1 *
*波形1是内部条件的输出
系统蒸发散,使得输出是高的,除非禁用
由输出控制。
波形2是内部条件的输出
系统蒸发散,使得输出是低的,除非禁用
由输出控制。
图1-2:
测试电路。
2007 Microchip的技术公司
DS21294C第4页
MCP3002
2.0
注意:
典型性能特性
按照此说明中提供的图表是统计结果的样本数量有限
并提供,仅供参考。这里所列出的性能特性不
测试或保证。一些图表,给出的数据可能超出规定的工作范围
(如超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
注意:
除非另有说明,V
DD
= 5V ,女
样品
= 200 ksps的,女
CLK
= 16* f
样品
,T
A
= 25°C
0.6
0.4
0.6
0.4
V
DD
= 2.7V
INL ( LSB )
INL ( LSB )
0.2
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
0
25
正INL
0.2
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
正INL
负INL
负INL
50
75
100 125 150 175 200 225 250
0
25
50
75
100
采样率( ksps的)
采样率( ksps的)
图2-1:
率。
积分非线性( INL ) - 采样
图2-4:
积分非线性( INL ) - 采样
速率(V
DD
= 2.7V).
1.0
0.8
0.6
0.4
V
DD
= 5V
f
样品
= 200 ksps的
1.0
0.8
0.6
0.4
V
DD
= 2.7V
f
样品
= 75 ksps的
INL ( LSB )
0.2
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
0
128
256
384
512
640
768
896
1024
INL ( LSB )
0.2
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
0
128
256
384
512
640
768
896
1024
数字码
数字码
图2-2:
积分非线性( INL )与代码。
图2-5:
(V
DD
= 2.7V).
积分非线性( INL )与代码
0.5
0.4
0.3
0.2
正INL
0.5
0.4
0.3
0.2
V
DD
= 2.7V
f
样品
= 75 ksps的
正INL
INL ( LSB )
INL ( LSB )
负INL
0.1
0.0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
0.1
0.0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
负INL
温度(℃)
温度(℃)
图2-3:
温度。
积分
非线性
( INL )
图2-6:
积分
非线性
温度(V
DD
= 2.7V).
( INL )
2007 Microchip的技术公司
DS21294C第5页
MCP3002
2.7V双通道10位A / D转换器
具有SPI串行接口
特点
10位分辨率
± 1 LSB DNL最大值
± 1 LSB INL最大值
模拟输入可编程为单端或
伪差分对
片上采样和保持
SPI串行接口(模式0,0和1,1)的
单电源供电: 2.7V - 5.5V
200 ksps的最大采样速率为V
DD
= 5V
75 ksps的最大采样速率为V
DD
= 2.7V
低功耗CMOS技术:
- 5 nA的典型待机电流2 μA最大
- 在5V最大550 μA工作电流
工业级温度范围: -40°C至+ 85°C
8引脚MSOP , PDIP , SOIC和TSSOP封装
描述
Microchip的MCP3002是
逐次逼近的10位模拟 - 数字
( A / D)转换器,具有片上采样和保持
电路。在MCP3002可被编程为一个
伪差分输入对或双单
端输入。微分非线性( DNL )和
积分非线性( INL)均在±1 LSB指定。
使用简单的设备进行通信时
串行接口与SPI协议兼容。该
设备是能够实现高达200 ksps的转换率
在5V和75 ksps的为2.7V 。该MCP3002器件
工作在广泛的电压范围( 2.7V - 5.5V ) 。
低电流设计允许与一个典型的操作
5 nA和典型工作电流待机电流
375 A.
该MCP3002提供8引脚MSOP , PDIP , TSSOP
和150 mil SOIC封装形式。
应用
传感器接口
过程控制
数据采集
电池供电系统
封装类型
MSOP , PDIP , SOIC , TSSOP
CS / SHDN
CH0
CH1
V
SS
V
DD
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
/V
REF
CLK
D
OUT
D
IN
MCP3002
功能框图
CH0
CH1
输入
通道
MUX
DAC
比较
样品
HOLD
控制逻辑
10位SAR
注册
CS / SHDN
D
IN
CLK
D
OUT
2008 Microchip的技术公司
DS21294D第1页
MCP3002
注意事项:
DS21294D第2页
2008 Microchip的技术公司
MCP3002
1.0
电动
特征
注意:
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“,可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在操作列表中标明本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,其
期间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
V
DD
..................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
............- 0.6V至V
DD
+ 0.6V
存储温度................................... -65 ° C至+ 150°C
环境温度与功耗应用.......- 65 ° C至+ 150°C
所有引脚的ESD保护( HBM )
...................................≥
4千伏
电气特性
所有参数均适用于V
DD
= 5V ,T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C,F
样品
= 200 KSPS和f
CLK
= 16*f
样品
中,除非另有说明。
典型值适用于V
DD
= 5V ,T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。
参数
转换率:
转换时间
模拟输入采样时间
T
CONV
T
样品
F
样品
1.5
10
时钟
周期
时钟
周期
200
75
kSPS时
kSPS时
±1
±1
±1.5
±1
V
DD
V
DD
+ IN-
V
SS
+100
±1
mV
A
Ω
pF
SEE
图4-1
SEE
图4-1
最低位
最低位
最低位
最低位
dB
dB
dB
V
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
无漏失码
温度
V
DD
= 5V
V
DD
= 2.7V
符号
典型值
最大
单位
条件
吞吐率
DC精度:
决议
积分非线性
微分非线性
偏移误差
增益误差
动态性能:
总谐波失真
信噪比和失真
( SINAD )
无杂散动态范围
模拟输入:
输入电压范围为CH0或CH1
在单端模式
输入电压范围为IN +中
伪差分模式
在输入电压范围为IN-
伪差分模式
漏电流
开关导通电阻
采样电容
注1 :
2:
10
INL
DNL
THD
SINAD
SFDR
V
SS
IN +
IN-
IN-
V
SS
-100
R
SS
C
样品
±0.5
±0.25
-76
61
78
0.001
1K
20
此参数仅为特征值,并未经过100 %测试。
采样电容终将释放电荷,尤其是在高温下,所以F
CLK
≥10
千赫的温度
等于或高于70℃。
2008 Microchip的技术公司
DS21294D第3页
MCP3002
电气特性(续)
所有参数均适用于V
DD
= 5V ,T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C,F
样品
= 200 KSPS和f
CLK
= 16*f
样品
中,除非另有说明。
典型值适用于V
DD
= 5V ,T
A
= + 25 ℃,除非另有说明。
参数
数字输入/输出:
数据编码格式
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
(所有输入/输出)
时序参数:
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
CS下降至第一个CLK上升沿
数据输入建立时间
数据输入保持时间
CLK下降到输出数据有效
CLK下降到输出使能
CS上升到输出禁止
CS禁用时间
D
OUT
上升时间
D
OUT
下降时间
电源要求:
工作电压
工作电流
待机电流
注1 :
2:
V
DD
I
DD
I
DDS
2.7
525
300
0.005
5.5
650
2
V
A
A
V
DD
= 5.0V ,D
OUT
卸载
V
DD
= 2.7V ,D
OUT
卸载
CS = V
DD
= 5.0V
f
CLK
t
HI
t
LO
t
SUCS
t
SU
t
HD
t
DO
t
EN
TDI发动机
t
CSH
t
R
t
F
140
140
100
50
50
310
3.2
1.2
125
200
125
200
100
100
100
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
见测试电路,
图1-2
注1
见测试电路,
图1-2
注1
V
DD
= 5V ,见
图1-2
V
DD
= 2.7V ,见
图1-2
V
DD
= 5V ,见
图1-2
V
DD
= 2.7V ,见
图1-2
见测试电路,
图1-2
注1
V
DD
= 5V (注
2)
V
DD
= 2.7V (注
2)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
C
IN
, C
OUT
4.1
-10
-10
直接二进制
0.7 V
DD
0.3 V
DD
0.4
10
10
10
V
V
V
V
A
A
pF
I
OH
= -1毫安,V
DD
= 4.5V
I
OL
= 1毫安, V
DD
= 4.5V
V
IN
= V
SS
或V
DD
V
OUT
= V
SS
或V
DD
V
DD
= 5.0V (注
1)
T
A
= 25 ° C,F = 1兆赫
符号
典型值
最大
单位
条件
此参数仅为特征值,并未经过100 %测试。
采样电容终将释放电荷,尤其是在高温下,所以F
CLK
≥10
千赫的温度
等于或高于70℃。
DS21294D第4页
2008 Microchip的技术公司
MCP3002
温度特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
DD
= + 2.7V至+ 5.5V ,V
SS
= GND 。
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻,8 - MSOP
热阻,8 - PDIP
热阻,8 - SOIC
热阻,8 - TSSOP
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
211
89.5
149.5
139
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
t
CSH
CS
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
+85
+85
+150
°C
°C
°C
符号
典型值
最大
单位
条件
t
SUCS
t
HI
t
LO
CLK
t
SU
D
IN
t
HD
t
R
MSB OUT
在MSB
t
EN
t
DO
空位
t
F
最低位
t
DIS
D
OUT
图1-1:
串行时序。
2008 Microchip的技术公司
DS21294D第5页
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型号
厂家
批号
数量
封装
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地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
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电话:0755-23915992/23140719
联系人:李
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
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联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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联系人:张
地址:深圳市龙岗区坂田街道东坡路3号万致天地商业中心(A塔)1栋一单元1602
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联系人:刘经理
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