MCP3001
2.7V 10位A / D转换器,带有SPI 串行接口
特点
10位分辨率
± 1 LSB DNL最大值
± 1 LSB(最大值) INL
片上采样和保持
SPI 串行接口(模式0,0和1,1 )
单电源供电: 2.7V - 5.5V
200 ksps的采样速率在5V
75 ksps的采样速率2.7V
低功耗CMOS技术
- 5 nA的典型待机电流2 μA(最大值)
- 在5V 500 μA的最大工作电流
工业级温度范围: -40°C至+ 85°C
8引脚PDIP , SOIC , MSOP和TSSOP封装
封装类型
PDIP , MSOP , SOIC , TSSOP
V
REF
IN +
IN-
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
CLK
D
OUT
CS / SHDN
MCP3001
V
REF
插图不是按比例
功能框图
V
DD
V
SS
应用
传感器接口
过程控制
数据采集
电池供电系统
DAC
比较
IN +
IN-
样品
和
HOLD
控制逻辑
10位SAR
描述
Microchip的MCP3001是演替
西伯逼近10位A / D转换器( ADC )与导通
采样和保持电路。该装置提供了一个
伪差分输入。差Nonlinear-
性( DNL)和积分非线性( INL )都是光谱
后指定为± 1 LSB(最大值) 。与设备通信
使用一个简单的串行接口与兼容做
SPI协议。该器件能够采样率的上升
到200 ksps的为2.8兆赫的时钟速率。在MCP3001
工作在广泛的电压范围( 2.7V - 5.5V ) 。
低电流设计允许与一个典型的操作
仅5 nA和典型的有功电流的待机电流
400 μA 。该器件采用8引脚PDIP , MSOP提供,
TSSOP和150 mil SOIC封装形式。
移
注册
CS / SHDN
CLK
D
OUT
SPI 是摩托罗拉公司的商标。
2007 Microchip的技术公司
DS21293C第1页
MCP3001
1.0
1.1
电动
特征
最大额定值*
引脚功能表
名字
V
DD
功能
+ 2.7V至5.5V电源
地
正模拟输入
负模拟输入
串行时钟
串行数据输出
片选/关断输入
参考电压输入
V
DD
.........................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
...... -0.6V到V
DD
+0.6V
储存温度..........................- 65°C至+ 150°C
环境温度。电源采用.....- 65 ° C至+ 125°C
所有引脚( HBM ) ESD保护........................ >为4kV
*注:超出上述“绝对最大值”上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
等级只与所述设备的那些功能的操作,或
上面的任何其他条件下的作战指示
本规范的上市是不是暗示。置身于马克西 -
妈妈额定值条件下工作会影响器件
可靠性。
V
SS
IN +
IN-
CLK
D
OUT
CS / SHDN
V
REF
电气特性
所有参数均适用于V
DD
= 5V, V
SS
= 0V, V
REF
= 5V ,T
AMB
= -40 ° C至+ 85 ° C,F
样品
= 200 KSPS和f
CLK
= 14*f
样品
,
除非另有说明。典型值适用于V
DD
= 5V ,T
AMB
= 25 ℃,除非另有说明。
参数
转换率:
转换时间
模拟输入采样时间
吞吐率
DC精度:
决议
积分非线性
微分非线性
偏移误差
增益误差
动态性能:
总谐波失真
信噪比和失真
( SINAD )
无杂散动态范围
参考输入:
电压范围
漏电流
V
REF
I
REF
0.25
—
—
90
0.001
V
DD
150
3
V
A
A
注2
CS = V
DD
= 5V
THD
SINAD
SFDR
—
—
—
-76
61
80
—
—
—
dB
dB
dB
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
V
IN
= 0.1V至4.9V@1千赫
INL
DNL
—
—
—
—
10
±0.5
±0.25
—
—
±1
±1
±1.5
±1
位
最低位
最低位
最低位
最低位
无漏失码温
perature
t
CONV
t
样品
f
样品
—
—
—
1.5
—
200
75
10
时钟
周期
时钟
周期
kSPS时
kSPS时
V
DD
= V
REF
= 5V
V
DD
= V
REF
= 2.7V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
注1 :
这个参数由性能保证,而不是100 %测试。
2:
请参阅相关的线性度性能, V曲线
REF
的水平。
3:
因为采样电容终将释放电荷,因此低于10 kHz的时钟频率可能影响线性性能
曼斯,特别是在高温下。
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MCP3001
所有参数均适用于V
DD
= 5V, V
SS
= 0V, V
REF
= 5V ,T
AMB
= -40 ° C至+ 85 ° C,F
样品
= 200 KSPS和f
CLK
= 14*f
样品
,
除非另有说明。典型值适用于V
DD
= 5V ,T
AMB
= 25 ℃,除非另有说明。
参数
温度范围:
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻:
热阻,8 - PDIP
热阻,8 - SOIC
热阻,8 - MSOP
热阻,8 - TSSOP
模拟输入:
输入电压范围( + )
输入电压范围( IN- )
漏电流
开关导通电阻
采样电容
数字输入/输出:
数据编码格式
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电压
低电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容
(所有输入/输出)
时序参数:
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
CS下降至第一个CLK上升沿
CLK下降到输出数据有效
CLK下降到输出使能
CS上升到输出禁止
CS禁用时间
D
OUT
上升时间
D
OUT
下降时间
f
CLK
t
HI
t
LO
t
SUCS
t
DO
t
EN
t
DIS
t
CSH
t
R
t
F
—
160
160
100
—
—
—
350
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2.8
1.05
—
—
—
125
200
125
200
100
—
100
100
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
见测试电路,图1-2
(注
1)
见测试电路,图1-2
(注
1)
V
DD
= 5V ,见图1-2
V
DD
= 2.7 ,参见图1-2
V
DD
= 5V ,见图1-2
V
DD
= 2.7 ,参见图1-2
见测试电路,图1-2
(注
1)
V
DD
= 5V (注
3)
V
DD
= 2.7V (注
3)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
C
IN
, C
OUT
—
4.1
—
-10
-10
—
直接二进制
0.7 V
DD
—
—
—
—
—
—
—
—
0.3 V
DD
—
0.4
10
10
10
V
V
V
V
A
A
pF
I
OH
= -1毫安,V
DD
= 4.5V
I
OL
= 1毫安, V
DD
= 4.5V
V
IN
= V
SS
或V
DD
V
OUT
= V
SS
或V
DD
V
DD
= 5.0V (注
1)
T
AMB
= 25 ° C,F = 1兆赫
R
SS
C
样品
IN +
IN-
IN-
V
SS
-100
—
—
—
—
—
0.001
1K
20
V
REF
+ IN-
V
SS
+100
±1
—
—
V
mV
A
Ω
pF
参见图4-1
参见图4-1
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
—
—
—
—
85
163
206
+85
+85
+150
—
—
—
—
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
符号
民
典型值
最大
单位
条件
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
注1 :
这个参数由性能保证,而不是100 %测试。
2:
请参阅相关的线性度性能, V曲线
REF
的水平。
3:
因为采样电容终将释放电荷,因此低于10 kHz的时钟频率可能影响线性性能
曼斯,特别是在高温下。
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MCP3001
所有参数均适用于V
DD
= 5V, V
SS
= 0V, V
REF
= 5V ,T
AMB
= -40 ° C至+ 85 ° C,F
样品
= 200 KSPS和f
CLK
= 14*f
样品
,
除非另有说明。典型值适用于V
DD
= 5V ,T
AMB
= 25 ℃,除非另有说明。
参数
电源要求:
工作电压
工作电流
待机电流
V
DD
I
DD
I
DDS
2.7
—
—
—
400
210
0.005
5.5
500
2
V
A
A
A
V
DD
= 5.0V ,D
OUT
卸载
V
DD
= 2.7V ,D
OUT
卸载
CS = V
DD
= 5.0V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
注1 :
这个参数由性能保证,而不是100 %测试。
2:
请参阅相关的线性度性能, V曲线
REF
的水平。
3:
因为采样电容终将释放电荷,因此低于10 kHz的时钟频率可能影响线性性能
曼斯,特别是在高温下。
t
CSH
CS
t
SUCS
t
HI
CLK
t
EN
高阻
t
DO
t
R
D
OUT
空位
MSB OUT
t
F
最低位
高阻
t
DIS
t
LO
图1-1:
串行时序。
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