MCP1801
150毫安，高PSRR ，低静态电流LDO
特点
150毫安最大输出电流
低压降稳压， 200 mV的典型@百毫安
25 μA典型静态电流
0.01 μA典型关断电流
输入工作电压范围： 2.0V至10.0V
标准输出电压选项：
- 0.9V, 1.2V, 1.8V, 2.5V, 3.0V, 3.3V, 5.0V, 6.0V
输出电压精度：
- ±2% (V
R
> 1.5V ） ，±30 mV的（V
R
≤
1.5V)
稳定器用陶瓷输出电容器
电流限制保护
关断引脚
高电源抑制比70 dB（典型） @ 10 kHz的
描述
该MCP1801是一个家庭的CMOS低压差（ LDO ）
稳压器，可提供高达150毫安
同时仅消耗25 μA的静态电流
电流（典型值） 。规定的输入操作范围
从2.0V到10.0V ，使其成为一个理想的选择两到
六节电池供电应用， 9V
碱性和一个或两节锂离子电池供电
应用程序。
该MCP1801能提供100 mA的中
只有200 mV的输入（典型值） ，输出电压
差（V
OUT
= 3.3V ） 。输出电压容差
MCP1801的在+ 25°C时的典型值为± 0.4 ％，与一
最大为±2％ 。线路调整为± 0.01 ％ ，在典型
+25°C.
LDO输出稳定用最少的1 μF的
输出电容。陶瓷，钽和铝
电解电容都可以用作输入和
输出。用电流折返过流限制规定
短路保护。关断（ SHDN ）功能
允许启用或禁用输出。当
禁止时， MCP1801仅消耗0.01 μA电流
（典型值） 。
该MCP1801提供采用SOT- 23-5封装。
应用
电池供电设备
电池供电的报警器电路
烟雾探测器
CO
2
探测器
传呼机和手机
无线通信设备
智能电池组
低静态电流基准电压源
掌上电脑
数码相机
微控制器电源
太阳能供电仪表
消费类产品
电池供电数据记录仪
封装类型
SOT-23-5
V
OUT
5
NC
4
相关文献
AN765 ，
“使用Microchip的微功率LDO的”
DS00765 ，微芯科技公司， 2002年
AN766 ，
“引脚兼容的CMOS升级到
双极型LDO “
DS00766,
微芯片技术公司， 2002年
AN792 ，
“一种方法来确定有多少
电源采用SOT23可以消散的应用程序“ ，
DS00792 ，微芯科技公司， 2001年
1
V
IN
2
V
SS
3
SHDN
2009年Microchip的科技公司
DS22051C第1页
MCP1801
1.0
电动
特征
注意：
上面讲的那些最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表说明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
输入电压................................................ ................. + 12V
输出电流（连续） ..................... P
D
/(V
IN
-V
OUT
）毫安
输出电流（峰值） ............................................. .. 500毫安
输出电压........................ （V
SS
-0.3V ）到（Ⅴ
IN
+0.3V)
SHDN电压.................................. （V
SS
-0.3V ）到（Ⅴ
IN
+0.3V)
连续功率耗散：
SOT- 23-5 ............................................. ................. 250毫瓦
电气特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数适用于V
IN
= V
R
+ 1.0V,
注意事项1 ，
C
OUT
= 1 μF （ X7R ） ，
C
IN
= 1 μF （ X7R ） ，V
SHDN
= V
IN
, T
A
= +25°C.
参数
输入/输出特性
输入工作电压
输入静态电流
关断电流
最大输出电流
限流
输出短路电流
输出电压调节
V
OUT
温度Coeffi-
cient
线路调整
V
IN
I
q
I
SHDN
I
OUT_mA
I
极限
I
OUT_SC
V
OUT
TCV
OUT
ΔV
OUT
/
(V
OUT
X = V
IN
)
2.0
—
—
150
—
—
V
R
-2.0%
V
R
-30毫伏
—
-0.2
—
25
0.01
—
300
50
V
R
V
R
100
±0.01
10.0
50
0.10
—
—
—
V
R
+2.0%
V
R
30毫伏
—
+0.2
PPM /°C的
%/V
V
A
A
mA
mA
mA
V
如果V
R
≤
1.75V ，则V
IN
= V
R
+ 2.0V
如果V
R
≤
1.75V ，则V
IN
= V
R
+ 2.0V
V
R
≥
1.45V ，我
OUT
= 30毫安，
注2
V
R
＆ LT ;
1.45V ，我
OUT
= 30毫安
I
OUT
= 30毫安， -40°C
≤
T
A
≤
+85°C,
注3
(V
R
+ 1V)
≤
V
IN
≤
10V,
注1
V
R
＆ GT ;
1.75V ，我
OUT
= 30毫安
V
R
≤
1.75V ，我
OUT
= 10毫安
I
L
= 1.0毫安为100 mA ，
注4
I
L
= 30毫安， 3.1V
≤
V
R
≤
6.0V
I
L
= 100毫安， 3.1V
≤
V
R
≤
6.0V
I
L
= 30毫安， 2.0V
≤
V
R
＆ LT ;
3.1V
I
L
= 100毫安， 2.0V
≤
V
R
< 3.1V
V
dB
I
L
= 30 mA时， V
R
＆ LT ;
2.0V
I
L
= 100毫安， V
R
＆ LT ; 2.0V
F = 10 kHz时，我
L
= 50毫安，
V
INAC
= 1V峰峰值，C
IN
= 0 F,
如果V
R
＆ LT ;
1.5V ，则V
IN
= 2.5V
I
OUT
= 100 mA时， F = 1 kHz时，
C
OUT
= 1 μF （ X7R陶瓷） ，
V
OUT
=3.3V
注1
I
L
= 0毫安
SHDN = 0V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
负载调整率
输入输出电压差
注1 ，注5
Δ
V
OUT
/V
OUT
V
降
—
—
—
—
—
—
—
15
60
200
80
240
2.07 - V
R
2.23 - V
R
70
50
90
250
120
350
2.10 - V
R
2.33 - V
R
—
mV
mV
电源的纹波
抑制比
输出噪声
PSRR
—
e
N
—
0.6
—
μV / √Hz的
注1 ：
2:
3:
4:
5:
最小V
IN
必须满足两个条件： V
IN
≥
2.0V和V
IN
≥
(V
R
+ 1.0V).
V
R
是标称调节器的输出电压。例如： V
R
= 1.8V ， 2.5V ， 3.0V ，3.3V或5.0V 。
输入电压V in
IN
= V
R
+ 1.0V或VI
IN
= 2.0V （以较高者为准） ;我
OUT
= 100 A.
TCV
OUT
= (V
OUT-高
- V
OUT-低
) *10
6
/ (V
R
*
Temperature ）
V
OUT-高
=测得的最高电压过
温度范围。 V
OUT-低
=测得在温度范围的最低电压。
负载调整率的测量是在使用低占空比脉冲测试结温恒定。改变输出
电压因热效应所使用的热稳定度规范TCV确定
OUT
.
电压差定义为输入输出电压差，当输出电压降至2 ％，低于其测
值与V的施加的输入电压
R
+ 1.0V或2.0V ，取较大值。
2009年Microchip的科技公司
DS22051C第3页
MCP1801
电气特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数适用于V
IN
= V
R
+ 1.0V,
注意事项1 ，
C
OUT
= 1 μF （ X7R ） ，
C
IN
= 1 μF （ X7R ） ，V
SHDN
= V
IN
, T
A
= +25°C.
参数
关断输入
逻辑高输入
逻辑低电平输入
注1 ：
2:
3:
4:
5:
V
SHDN -HIGH
V
SHDN -LOW
1.6
—
—
—
—
0.25
V
V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
最小V
IN
必须满足两个条件： V
IN
≥
2.0V和V
IN
≥
(V
R
+ 1.0V).
V
R
是标称调节器的输出电压。例如： V
R
= 1.8V ， 2.5V ， 3.0V ，3.3V或5.0V 。
输入电压V in
IN
= V
R
+ 1.0V或VI
IN
= 2.0V （以较高者为准） ;我
OUT
= 100 A.
TCV
OUT
= (V
OUT-高
- V
OUT-低
) *10
6
/ (V
R
*
Temperature ）
V
OUT-高
=测得的最高电压过
温度范围。 V
OUT-低
=测得在温度范围的最低电压。
负载调整率的测量是在使用低占空比脉冲测试结温恒定。改变输出
电压因热效应所使用的热稳定度规范TCV确定
OUT
.
电压差定义为输入输出电压差，当输出电压降至2 ％，低于其测
值与V的施加的输入电压
R
+ 1.0V或2.0V ，取较大值。
温度参数
参数
温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻，5引脚SOT- 23
θ
JA
θ
JC
—
—
256
81
—
—
° C / W EIA / JEDEC JESD51-7
FR - 4 0.063 4层板
T
A
TSTG
-40
-55
—
—
+85
+125
°C
°C
符号
民
典型值
最大
单位
条件
DS22051C第4页
2009年Microchip的科技公司
MCP1801
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明： V
R
= 3.3V ，C
OUT
= 1 μF陶瓷电容（ X7R ） ，C
IN
= 1 μF陶瓷电容（ X7R ） ，我
L
= 100 A,
T
A
= + 25 ° C，V
IN
= V
R
+ 1.0V ， SOT- 23-5 。
注意：
结温（T
J
）由被测浸泡器件的环境温度等于期望结温近似。
测试时间足够短，使得上升的结点温度相对环境温度不显著。
27.00
静态电流（ μA ）
26.00
25.00
24.00
23.00
22.00
21.00
20.00
2
4
6
输入电压（ V）
8
10
0°C
-45°C
+90°C
+25°C
V
OUT
= 0.9V
I
OUT
= 0 A
80
70
GND电流（ μA ）
60
50
40
30
20
10
0
0
30
60
V
OUT
= 0.9V
V
IN
= 2.0V
90
120
150
负载电流（mA ）
图2-1：
电压。
30.00
静态电流（ μA ）
29.00
28.00
27.00
26.00
25.00
24.00
4
5
+90°C
静态电流与输入
图2-4：
电流。
80
70
GND电流（ μA ）
60
50
40
30
20
10
0
25
地电流与负载
V
OUT
= 3.3V
I
OUT
= 0 A
V
OUT
= 6.0V
V
IN
= 7.0V
-45°C
+25°C
0°C
V
OUT
= 3.3V
V
IN
= 4.3V
6
7
8
9
10
50
75
100
125
150
输入电压（ V）
负载电流（mA ）
图2-2：
电压。
30.00
静态电流（ μA ）
29.00
28.00
27.00
26.00
25.00
7
7.5
0°C
-45°C
+25°C
静态电流与输入
图2-5：
电流。
30.00
静态电流（ μA ）
28.00
26.00
24.00
22.00
20.00
V
OUT
= 3.3V
V
IN
= 4.3V
地电流与负载
V
OUT
= 6.0V
I
OUT
= 0 A
+90°C
V
OUT
= 6.0V
V
IN
= 7.0V
I
OUT
= 0毫安
V
OUT
= 0.9V
V
IN
= 2.0V
8
8.5
9
9.5
10
-45
-22.5
0
22.5
45
67.5
90
输入电压（ V）
结温（ ° C）
图2-3：
电压。
静态电流与输入
图2-6：
静态电流 -
结温。
2009年Microchip的科技公司
DS22051C第5页
MCP1801
150毫安，高PSRR ，低静态电流LDO
特点
150毫安最大输出电流
低压降稳压， 200 mV的典型@百毫安
25 μA典型静态电流
0.01 μA典型关断电流
输入工作电压范围： 2.0V to10.0V
标准输出电压选项：
- 0.9V, 1.2V, 1.8V, 2.5V, 3.0V, 3.3V, 5.0V, 6.0V
输出电压精度：
- ±2% (V
R
> 1.5V ） ，±30 mV的（V
R
≤
1.5V)
稳定器用陶瓷输出电容器
电流限制保护
关断引脚
高电源抑制比70 dB（典型） @ 10 kHz的
描述
该MCP1801是一个家庭的CMOS低压差（ LDO ）
稳压器，可提供高达150毫安
同时仅消耗25 μA的静态电流
电流（典型值） 。规定的输入操作范围
从2.0V到10.0V ，使其成为一个理想的选择两到
六节电池供电的应用，使用碱性9V
线和一个或两节锂离子电池供电的应用。
该MCP1801能提供100 mA的中
仅200 mV（典型值）输入到输出电压differen-
TiAl基（V
OUT
= 3.3V ） 。的输出电压容差
MCP1801在+ 25°C时的典型值为± 0.4 ％，最大值
的±2％。线路调整为± 0.01 ％的典型，在+ 25°C 。
LDO输出稳定用最少的1 μF的
输出电容。陶瓷电容，钽电容和铝
电解电容都可以用作输入和
输出。用电流折返过流限制规定
短路保护。关断（ SHDN ）功能
允许启用或禁用输出。当
禁止时， MCP1801仅消耗0.01 μA电流
（典型值） 。
该MCP1801提供采用SOT- 23-5封装。
应用
电池供电设备
电池供电的报警器电路
烟雾探测器
CO
2
探测器
传呼机和手机
无线通信设备
智能电池组
低静态电流基准电压源
掌上电脑
数码相机
微控制器电源
太阳能供电仪表
消费类产品
电池供电数据记录仪
封装类型
SOT-23-5
V
OUT
5
NC
4
1
V
IN
2
V
SS
3
SHDN
相关文献
AN765 ， “使用Microchip的微功率LDO的”
DS00765 ，微芯科技公司， 2002年
AN766 ， “引脚兼容的CMOS升级到
双极型LDO “ ， DS00766 ，
微芯片技术公司， 2002年
AN792 ， “一种方法来确定有多少
电源采用SOT23可以消散的应用程序“ ，
DS00792 ，微芯科技公司， 2001年
2007 Microchip的技术公司
DS22051A第1页
MCP1801
1.0
电动
特征
注意：
上面讲的那些最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表说明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
输入电压................................................ ................. + 12V
输出电流（连续） ..................... P
D
/(V
IN
-V
OUT
）毫安
输出电流（峰值） ............................................. .. 500毫安
输出电压........................ （V
SS
-0.3V ）到（Ⅴ
IN
+0.3V)
SHDN电压.................................. （V
SS
-0.3V ）到（Ⅴ
IN
+0.3V)
连续功率耗散：
SOT- 23-5 ............................................. ................. 250毫瓦
电气特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数适用于V
IN
= V
R
+ 1.0V,
注意事项1 ，
C
OUT
= 1 μF （ X7R ） ，
C
IN
= 1 μF （ X7R ） ，V
SHDN
= V
IN
, T
A
= +25°C.
参数
输入/输出特性
输入工作电压
输入静态电流
关断电流
最大输出电流
限流
输出短路电流
输出电压调节
V
OUT
温度Coeffi-
cient
线路调整
V
IN
I
q
I
SHDN
I
OUT_mA
I
极限
I
OUT_SC
V
OUT
TCV
OUT
ΔV
OUT
/
(V
OUT
X = V
IN
)
2.0
—
—
150
—
—
V
R
-2.0%
V
R
-30毫伏
—
-0.2
—
25
0.01
—
300
50
V
R
V
R
100
±0.01
10.0
50
0.10
—
—
—
V
R
+2.0%
V
R
30毫伏
—
+0.2
PPM /°C的
%/V
V
A
A
mA
mA
mA
V
如果V
R
≤
1.75V ，则V
IN
= V
R
+ 2.0V
如果V
R
≤
1.75V ，则V
IN
= V
R
+ 2.0V
V
R
≥
1.45V ，我
OUT
= 30毫安，
注2
V
R
＆ LT ;
1.45V ，我
OUT
= 30毫安
I
OUT
= 30毫安， -40°C
≤
T
A
≤
+85°C,
注3
(V
R
+ 1V)
≤
V
IN
≤
10V,
注1
V
R
＆ GT ;
1.75V ，我
OUT
= 30毫安
V
R
≤
1.75V ，我
OUT
= 10毫安
I
L
= 1.0毫安为100 mA ，
注4
I
L
= 30毫安， 3.1V
≤
V
R
≤
6.0V
I
L
= 100毫安， 3.1V
≤
V
R
≤
6.0V
I
L
= 30毫安， 2.0V
≤
V
R
＆ LT ;
3.1V
I
L
= 100毫安， 2.0V
≤
V
R
< 3.1V
V
dB
I
L
= 30 mA时， V
R
＆ LT ;
2.0V
I
L
= 100毫安， V
R
＆ LT ; 2.0V
F = 10 kHz时，我
L
= 50毫安，
V
INAC
= 1V峰峰值，C
IN
= 0 F,
如果V
R
＆ LT ;
1.5V ，则V
IN
= 2.5V
注1
I
L
= 0毫安
SHDN = 0V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
负载调整率
输入输出电压差
注1 ，注5
Δ
V
OUT
/V
OUT
V
降
—
—
—
—
—
—
—
15
60
200
80
240
2.07 - V
R
2.23 - V
R
70
50
90
250
120
350
2.10 - V
R
2.33 - V
R
—
mV
mV
电源的纹波
抑制比
注1 ：
2:
3:
4:
5:
PSRR
—
最小V
IN
必须满足两个条件： V
IN
≥
2.0V和V
IN
≥
(V
R
+ 1.0V).
V
R
是标称调节器的输出电压。例如： V
R
= 1.8V ， 2.5V ， 3.0V ，3.3V或5.0V 。
输入电压V in
IN
= V
R
+ 1.0V或VI
IN
= 2.0V （以较高者为准） ;我
OUT
= 100 A.
TCV
OUT
= (V
OUT-高
- V
OUT-低
) *10
6
/ (V
R
*
Temperature ）
V
OUT-高
=测得的最高电压过
温度范围。 V
OUT-低
=测得在温度范围的最低电压。
负载调整率的测量是在使用低占空比脉冲测试结温恒定。改变输出
电压因热效应所使用的热稳定度规范TCV确定
OUT
.
电压差定义为输入输出电压差，当输出电压降至2 ％，低于其测
值与V的施加的输入电压
R
+ 1.0V或2.0V ，取较大值。
2007 Microchip的技术公司
DS22051A第3页
MCP1801
温度参数
参数
温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻，5引脚， SOT- 23
θ
JA
θ
JC
—
—
256
81
—
—
° C / W EIA / JEDEC JESD51-7
FR - 4 0.063 4层板
T
A
TSTG
-40
-55
+85
+125
°C
°C
符号
民
典型值
最大
单位
条件
DS22051A第4页
2007 Microchip的技术公司
MCP1801
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明： V
R
= 3.3V ，C
OUT
= 1 μF陶瓷电容（ X7R ） ，C
IN
= 1 μF陶瓷电容（ X7R ） ，我
L
= 100 A,
T
A
= + 25 ° C，V
IN
= V
R
+ 1.0V ， SOT- 23-5 。
注意：
结温（T
J
）由被测浸泡器件的环境温度等于期望结温近似。
测试时间足够短，使得上升的结点温度相对环境温度不显著。
27.00
静态电流（ μA ）
26.00
25.00
24.00
23.00
22.00
21.00
20.00
2
4
6
输入电压（ V）
8
10
0°C
-45°C
+90°C
+25°C
V
OUT
= 0.9V
I
OUT
= 0 A
80
70
GND电流（ μA ）
60
50
40
30
20
10
0
0
30
60
V
OUT
= 0.9V
V
IN
= 2.0V
90
120
150
负载电流（mA ）
图2-1：
电压。
30.00
静态电流（ μA ）
29.00
28.00
27.00
26.00
25.00
24.00
4
5
+90°C
静态电流与输入
图2-4：
电流。
80
70
GND电流（ μA ）
60
50
40
30
20
10
0
25
地电流与负载
V
OUT
= 3.3V
I
OUT
= 0 A
V
OUT
= 6.0V
V
IN
= 7.0V
-45°C
+25°C
0°C
V
OUT
= 3.3V
V
IN
= 4.3V
6
7
8
9
10
50
75
100
125
150
输入电压（ V）
负载电流（mA ）
图2-2：
电压。
30.00
静态电流（ μA ）
29.00
28.00
27.00
26.00
25.00
7
7.5
0°C
-45°C
+25°C
静态电流与输入
图2-5：
电流。
30.00
静态电流（ μA ）
28.00
26.00
24.00
22.00
20.00
V
OUT
= 3.3V
V
IN
= 4.3V
地电流与负载
V
OUT
= 6.0V
I
OUT
= 0 A
+90°C
V
OUT
= 6.0V
V
IN
= 7.0V
I
OUT
= 0毫安
V
OUT
= 0.9V
V
IN
= 2.0V
8
8.5
9
9.5
10
-45
-22.5
0
22.5
45
67.5
90
输入电压（ V）
结温（ ° C）
图2-3：
电压。
静态电流与输入
图2-6：
静态电流 -
结温。
2007 Microchip的技术公司
DS22051A第5页
QQ：2881677436 复制
