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MCP1710
超低静态电流LDO稳压器
特点
超低20 nA(典型值)的静态电流
超低关断电源电流:
0.1 nA(典型值)
200毫安输出电流能力为
V
OUT
< 3.5V
百毫安输出电流能力为
V
OUT
> 3.5V
输入工作电压范围: 2.7V至5.5V
标准输出电压:
- 1.2V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, 4.2V
低压差: 450 mV最大的
200毫安
稳定的1.0 μF陶瓷输出电容
过流保护
节省空间的8引脚塑封2× 2 VDFN - 8
描述
该MCP1710是200毫安V
OUT
< 3.5V 100毫安
V
OUT
> 3.5V ,低压差( LDO)线性稳压器,
提供大电流和低输出电压,同时
保持静态电流的超低20 nA的
在设备的操作。此外, MCP1710可以
被关闭的一个更低的0.1 nA(典型值)电源
电流消耗。在MCP1710有五种标准
固定输出电压版本: 1.2V , 1.8V , 2.5V , 3.3V
和4.2V 。 200 mA的输出电流能力,
再加上低输出电压能力,使
新的超长寿命LDO的MCP1710一个不错的选择
的应用程序有大电流的要求,但
需要睡眠时超低功耗
状态。
该MCP1710稳定使用陶瓷输出
电容器的情况下,能输出噪声
并降低整个稳压器的尺寸和成本
的解决方案。仅1 μF ( 2.2 μF推荐)输出
电容,需要以稳定的LDO。
在MCP1710的超低静态电流和停机
目前允许它与其他的超低电流配对
吸取设备,如Microchip的nanoWatt XLP
技术的设备,对于一个完整的超低功耗
的解决方案。
应用
能量收集
长寿命电池供电的应用
智能卡
超低功耗“绿色”产品
便携式电子产品
套餐类型
MCP1710
2× 2 DFN *
GND 1
V
OUT
2
GND 3
GND 4
EP
9
8 SHDN
7 V
IN
6 FB
5 GND
*包括裸露的散热焊盘( EP ) ;看
表3-1 。
2012 Microchip的技术公司
DS25158A第1页
MCP1710
典型用途
V
IN
V
OUT
负载
+
-
C
IN
C
OUT
SHDN
GND
FB
功能框图
V
IN
V
OUT
过电流
电压
参考
+
-
SHDN
FB
SHDN
GND
DS25158A第2页
2012 Microchip的技术公司
MCP1710
1.0
电动
特征
注意:
上面讲的那些最大的“上市
“,可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表说明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
输入电压V
IN
.............................................................6.0V
任何引脚最大电压............... ( GND - 0.3V )至6.0V
输出短路持续时间...... ............................无限
存储温度.................................... -65 ° C至+ 150°C
最高结温,T
J
........................... +150°C
工作结温,T
J
...............- 40 ° C至+ 85°C
所有引脚的ESD保护
2 kV的HBM
AC / DC特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
IN
= V
R
+ 800毫伏,V
IN(分钟)
= V
R
+ 0.3V, V
IN (MAX)
= 5.5V,
注意事项1 ,
I
OUT
= 1毫安,C
IN
= C
OUT
= 2.2 μF ( X7R陶瓷) ,T
A
= +25°C.
粗体
适用于结
温度,T
J
(注
4)
of
-40 ° C至+ 85°C
参数
输入工作电压
输出电压范围
输入静态电流
输入静态电流
为SHDN模式
最大连续
输出电流
符号
V
IN
V
OUT
I
q
I
SHDN
I
OUT
2.7
1.2
200
100
电流限制
I
OUT
输出电压调节
线路调整
V
OUT
V
OUT
/
(V
OUT
x
V
IN
)
V
R
– 4%
V
R
– 2%
-2
-1
典型值
20
0.1
250
175
0.5
最大
5.5
4.2
V
R
+ 4%
V
R
+ 4%
2
1
单位
V
V
nA
nA
mA
mA
mA
mA
V
V
%/V
%/V
V
IN
= V
R
+ 0.8V至5.5V ,
I
OUT
= 0
SHDN = GND
V
IN
= V
R
+ 0.8V至5.5V
1.2V
V
R
3.5V
V
IN
= V
R
+ 0.8V至5.5V
3.5V
V
R
5.5V
V
OUT
= 0.9× V
R
1.2V
V
R
3.5V
V
OUT
= 0.9× V
R
3.5V
V
R
5.5V
V
R
< 1.8V (注
2)
1.8V & LT ; V
R
< 5.5V (注
2)
(注
1)
V
IN
5V
V
R
< 1.8V ,我
OUT
= 50毫安
(注
1)
V
IN
5V
V
R
= 1.8V至4.2V
I
OUT
= 50毫安
V
IN
=为5.5V ,
1.2V < V
R
< 3.5V
I
OUT
= 1 mA至200mA时
3.5V < V
R
& LT ; 5.5V
I
OUT
= 1毫安为100 mA ,
条件
负载调整率
V
OUT
/V
OUT
-2
1
2
%
-2
注1 :
2:
3:
4:
1
2
%
最小V
IN
必须满足两个条件: V
IN
2.7V和V
IN
V
R
V
差(MAX)。
V
R
是标称调节器的输出电压。 V
R
= 1.2V , 2.5V等。
电压差定义为输入 - 输出电压差,当输出电压下降3%
低于其标称值的测定使用V的输入电压
IN
= V
输出(最大)
+ V
差( MAX)
.
结温度是通过在环境温度下测试均热装置近似
等于所期望的结温。由于测试时间足够短,兴起于结
温度超过环境温度不显著。
2012 Microchip的技术公司
DS25158A第3页
MCP1710
AC / DC特性(续)
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
IN
= V
R
+ 800毫伏,V
IN(分钟)
= V
R
+ 0.3V, V
IN (MAX)
= 5.5V,
注意事项1 ,
I
OUT
= 1毫安,C
IN
= C
OUT
= 2.2 μF ( X7R陶瓷) ,T
A
= +25°C.
粗体
适用于结
温度,T
J
(注
4)
of
-40 ° C至+ 85°C
参数
输入输出电压差
符号
V
关断输入
逻辑高输入
逻辑低电平输入
AC性能
输出延迟从SHDN
输出噪声
T
OR
e
N
30
0.37
ms
SHDN = GND到V
IN
,
V
OUT
= GND 95 %V
R
V
SHDN -HIGH
V
SHDN -LOW
70
30
%V
IN
%V
IN
V
IN
= 2.7V至5.5V
V
IN
= 2.7V至5.5V
典型值
最大
450
400
单位
mV
mV
条件
I
OUT
= 200毫安
1.2V
V
R
3.5V,
注3
I
OUT
= 100毫安
3.5V
V
R
5.5V,
注3
μV / √Hz的我
OUT
= 50 mA时, F = 1 kHz时,
C
OUT
= 2.2 μF ( X7R陶瓷)
V
OUT
= 2.5V
dB
F = 100Hz时,我
OUT
= 10毫安,
V
INAC
= 200mV的峰峰值,
C
IN
= 0 F
电源的纹波Rejec-
化率
注1 :
2:
3:
4:
PSRR
22
最小V
IN
必须满足两个条件: V
IN
2.7V和V
IN
V
R
V
差(MAX)。
V
R
是标称调节器的输出电压。 V
R
= 1.2V , 2.5V等。
电压差定义为输入 - 输出电压差,当输出电压下降3%
低于其标称值的测定使用V的输入电压
IN
= V
输出(最大)
+ V
差( MAX)
.
结温度是通过在环境温度下测试均热装置近似
等于所期望的结温。由于测试时间足够短,兴起于结
温度超过环境温度不显著。
温度参数
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
IN
= V
R
+ 800毫伏,V
IN(分钟)
= V
R
+ 0.3V, V
IN (MAX)
= 5.5V,
注意事项1 ,
I
OUT
= 1毫安,C
IN
= C
OUT
= 2.2 μF ( X7R陶瓷) ,T
A
= +25°C.
粗体
适用于结
温度,T
J
(注
4)
of
-40 ° C至+ 85°C
参数
温度范围
工作结
温度范围
最大结
温度
存储温度范围
封装热阻
热阻,
2× 2 VDFN -8-
JA
JC
73.1
10.7
° C / W
° C / W
FR4板仅
1盎司铜JEDEC标准局
有散热孔
T
J
T
J
T
A
-40
-65
+85
+150
+150
°C
°C
°C
稳定状态
短暂
符号
典型值
最大
单位
条件
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2012 Microchip的技术公司
MCP1710
2.0
注意:
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
注意:
除非另有说明,C
OUT
= 2.2 μF陶瓷电容( X7R ) ,C
IN
= 2.2 μF陶瓷电容( X7R ) ,我
OUT
= 1毫安,
温度= + 25 ° C,V
IN
= V
OUT
+ 0.8V , SHDN = 1 M上拉至V
IN
.
1.240
1.235
OUT
tput的电压(V)
1.230
1.225
1.220
1.215
1.210
1.205
1.200
1.195
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
输入电压( V)
5.0
5.5
T
J
= +85°C
T
J
= +25°C
I
OUT
- 0.1毫安
T
J
= -40°C
1.205
V
IN
= 2.5V
1.200
OUT
tput的电压(V)
1.195
1.190
1.185
1.180
1 180
1.175
1.170
0
50
T
J
= -40°C
T
J
= +25°C
T
J
= +85°C
100
150
负载电流(mA )
200
图2-1:
输出电压与输入
电压(V
R
= 1.2V).
2.510
2.508
OUT
tput的电压(V)
2.506
2.504
2.502
2.500
2.498
2.496
2.494
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
输入电压( V)
5.0
5.5
T
J
= +85°C
T
J
= -40°C
图2-4:
输出电压与负载
电流(V
R
= 1.2V).
2.5025
Ou
安输出电压(V )
I
OUT
- 0.1毫安
T
J
= +25°C
2.5000
2.4975
T
J
= +25°C
T
J
= +85°C
V
IN
= 3.3V
T
J
= -40°C
2.4950
2.4925
2.4900
0
20
40
60
负载电流(mA )
80
100
图2-2:
输出电压与输入
电压(V
R
= 2.5V).
4.252
Ou
安输出电压(V )
图2-5:
输出电压与负载
电流(V
R
= 2.5V).
4.25
Ou
安输出电压(V )
4.248
4.244
4.240
4.236
I
OUT
- 0.1毫安
T
J
= -40°C
4.24
4.23
4.22
V
IN
= 4.15V
T
J
= +25°C
T
J
= -40°C
T
J
= +85°C
T
J
= +25°C
T
J
= +85°C
85°C
4.21
4.20
4.19
4.232
4.50
4.75
5.00
5.25
输入电压( V)
5.50
0
20
40
60
负载电流(mA )
80
100
图2-3:
输出电压与输入
电压(V
R
= 4.2V).
图2-6:
输出电压与负载
电流(V
R
= 4.2V).
2012 Microchip的技术公司
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    -
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