【MCP1650/51/52/53750 kHz的升压控制器特点输出功率高于5W输出电压从3.3V到过】,IC型号MCP1650ST-E/MS,MCP1650ST-E/MS PDF资料,MCP1650ST-E/MS经销商,ic,电子元器件-51电子网

MCP1650/51/52/53

750 kHz的升压控制器

特点

输出功率高于5W

输出电压从3.3V到过

100V

750 kHz的门控振荡器开关频率

适应占空比为电池或宽输入范围，

电压范围应用

输入电压范围： 2.0V至5.5V

能够SEPIC和反激式拓扑结构

关断控制与I

< 0.1 μA （典型值）

低工作静态电流：我

= 120 A

反馈电压误差（ 0.6 ％，典型值）

热门MSOP- 8封装

峰值电流限制功能

两个欠压锁定（ UVLO ）选项：

- 2.0V或2.55V

工作温度范围： -40 ° C至+ 125°C

描述

在MCP1650 / 51 /52/ 53是一个750 kHz的门控振荡器

升压控制器封装在一个8或10引脚MSOP

封装。开发高功率，便携式应用

中，请在门控振荡器控制器可以提供5瓦特

向负载供电，同时仅消耗120 μA的

静态电流在无负载。在MCP1650 / 51 /五十三分之五十二

可以2.0V工作在宽输入电压范围（以

5.5V ），可容纳多个主细胞和单

节锂离子电池供电的应用中，除了

2.8V ， 3.3V和5.0V的稳压输入电压。

内部750 kHz的门控振荡器使得

MCP1650 / 51 /五十三分之五十二非常适用于空间受限的设计中。

高开关频率最大限度地减少的规模

外部电感和电容，节省电路板空间

和成本。内部振荡器工作在两个不同

取决于输入的电平耳鼻喉科占空比的电压

年龄。通过改变占空比，在这种方式中，峰

输入电流减小，在高输入电压时，减少

输出纹波电压和功率电应力

传动部件。当输入电压为低时，

占空比变更为较大的值，以便提供

在宽输入电压范围的全功率能力

典型的电池供电的便携式应用。

在MCP1650 / 51 /五十三分之五十二被设计为驱动外部

交换机直接使用内部的低电阻

的MOSFET。

集成的MCP1650附加功能/ 51/ 52 /

53系列包括峰值输入电流限制，可调

输出电压/电流，低电池电量检测和

电源良好指示。

应用

高功率升压应用

高压偏置电源

白光LED驱动器和手电筒

本地3.3V至5.0V电源

本地3.3V至12V电源

本地5.0V至12V电源

LCD偏置电源

封装类型

8引脚MSOP

MCP1650

EXT

GND

SHDN

EXT

GND

8引脚MSOP

MCP1651

LBO

LBI

SHDN

8引脚MSOP

EXT

GND

SHDN

EXT

GND

10引脚MSOP

LBO

LBI

SHDN

MCP1652

2004-2013 Microchip的科技公司

MCP1653

DS21876B第1页

MCP1650/51/52/53

MCP1650框图

MCP1650

内部振荡器。同

2固定工作周期

税

1.22V

ISNS

REF

OSC 。

软

开始

ON /

关闭

OSC 。 OUT

1R 0.122V

高

电流限制

REF

低

SHDN

脉冲

LATCH Q

EXT

开/关

控制

电压反馈

REF

1.22V

DS21876B第2页

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低

DC = 80 ％V

< 3.8V

DC = 56 ％V

> 3.8V V

高

税

GND

MCP1650/51/52/53

MCP1651 / 2/3框图

MCP1650/51/52/53

MCP1650 - 没有特点

MCP1651 - 低电池电量检测

MCP1652 - 电源良好指示

MCP1653 - 低电池电量检测和PG

MCP1653 - LBI和PG特点

MCP1651 - 低电池电量检测

LBO

LOW BATTERY

比较

VIN

LBI

1.22 Vref的

VIN

MCP1650

SHDN

VREF。（ 1.22V ）

EXT

GND

MCP1652 - 电源良好指示

VIN

Vref的85％的

电源良好

比较

Vref的115 ％

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DS21876B第3页

MCP1650/51/52/53

时序图

MCP1650 / 1 /2/3的时序图

OSC

EXT

LATCH真值表

典型应用电路

3.3V至12V百毫安升压转换器

SENSE

0.05

GND 2

SHDN 5

10 F

NC 6

关闭

1 EXT

4 FB

7 NC

MOSFET /肖特基

升压装置组合

感应器

3.3 H

OUT

= 12V

OUT

= 0为100 mA

OUT

10 F

陶瓷的

MCP1650

输入

电压

3.3V ±10%

90.9 k

10 k

DS21876B第4页

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MCP1650/51/52/53

1.0

电动

特征

注意：

条件超过上述最大额定在“上市

英格斯“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个

值仅为设备的功能操作

这些或任何上述其他条件的说明

本规范运作上市，是不是暗示。曝光

绝对最大额定条件下长时间可能

影响器件的可靠性。

绝对最大额定值

中

GND ................................................. .......... 6.0V

CS ，FB LBI ， LBO ， SHDN ， PG ， EXT ............ GND - 0.3V至

+ 0.3V

在EXT引脚电流.............................................. .. ± 1A

储存温度.......................... -65C至+ 150C

工作结温........ -40 ° C至+ 125°C

所有引脚的ESD保护

KV HBM

DC特性

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，所有参数均适用于V

= + 2.7V至+ 5.5V ， SHDN =高，

= -40 ° C至+ 125°C 。典型值适用于V

= 3.3V ，T

+25°C.

参数

输入特性

电源电压

欠压锁定

（ S选项）

欠压锁定

（ -r选项）

欠压滞后

关断电源电流

静态电源电流

软启动时间

反馈特性

反馈电压

反馈比较器

迟滞

反馈输入偏置电流

电流检测输入

电流检测门限

从电流检测延迟到

产量

外部驱动器

EXT驱动器导通电阻

（高压侧）

EXT驱动器导通电阻

（低压侧）

振荡器特性

开关频率

低占空比切换

电压

占空比开关电压

迟滞

低占空比

高占空比

OSC

LowDuty

HYST

低

高

650

—

750

3.8

850

—

千赫

上升沿

高

低

—

SNS- TH

dly_ISNS

—

114

155

—

HYS

FBLK

1.18

—

-50

1.22

—

1.26

< 1.3V

所有条件

UVLO

HYST

SHD

2.7

2.4

1.85

—

2.55

2.0

117

0.001

120

500

5.5

2.7

2.15

—

220

—

SHDN = GND

EXT =打开

上升沿

符号

民

典型值

最大

单位

条件

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