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MCP1650/51/52/53
750 kHz的升压控制器
特点
输出功率高于5W
输出电压从3.3V到过
100V
750 kHz的门控振荡器开关频率
适应占空比为电池或宽输入范围,
电压范围应用
输入电压范围: 2.0V至5.5V
能够SEPIC和反激式拓扑结构
关断控制与I
Q
< 0.1 μA (典型值)
低工作静态电流:我
Q
= 120 A
反馈电压误差( 0.6 % ,典型值)
热门MSOP- 8封装
峰值电流限制功能
两个欠压锁定( UVLO )选项:
- 2.0V或2.55V
工作温度范围: -40 ° C至+ 125°C
描述
在MCP1650 / 51 /52/ 53是一个750 kHz的门控振荡器
升压控制器封装在一个8或10引脚MSOP
封装。开发高功率,便携式应用
中,请在门控振荡器控制器可以提供5瓦特
向负载供电,同时仅消耗120 μA的
静态电流在无负载。在MCP1650 / 51 /五十三分之五十二
可以2.0V工作在宽输入电压范围(以
5.5V ),可容纳多个主细胞和单
节锂离子电池供电的应用中,除了
2.8V , 3.3V和5.0V的稳压输入电压。
内部750 kHz的门控振荡器使得
MCP1650 / 51 /五十三分之五十二非常适用于空间受限的设计中。
高开关频率最大限度地减少的规模
外部电感和电容,节省电路板空间
和成本。内部振荡器工作在两个不同
取决于输入的电平耳鼻喉科占空比的电压
年龄。通过改变占空比,在这种方式中,峰
输入电流减小,在高输入电压时,减少
输出纹波电压和功率电应力
传动部件。当输入电压为低时,
占空比变更为较大的值,以便提供
在宽输入电压范围的全功率能力
典型的电池供电的便携式应用。
在MCP1650 / 51 /五十三分之五十二被设计为驱动外部
交换机直接使用内部的低电阻
的MOSFET。
集成的MCP1650附加功能/ 51/ 52 /
53系列包括峰值输入电流限制,可调
输出电压/电流,低电池电量检测和
电源良好指示。
应用
高功率升压应用
高压偏置电源
白光LED驱动器和手电筒
本地3.3V至5.0V电源
本地3.3V至12V电源
本地5.0V至12V电源
LCD偏置电源
封装类型
8引脚MSOP
MCP1650
EXT
GND
CS
FB
1
2
3
4
8
7
6
5
V
IN
NC
NC
SHDN
EXT
GND
CS
FB
8引脚MSOP
1
2
3
4
MCP1651
8
7
6
5
V
IN
LBO
LBI
SHDN
8引脚MSOP
EXT
GND
CS
FB
1
2
3
4
8
7
6
5
V
IN
PG
NC
SHDN
EXT
GND
CS
FB
NC
10引脚MSOP
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
V
IN
PG
LBO
LBI
SHDN
MCP1652
2004-2013 Microchip的科技公司
MCP1653
DS21876B第1页
MCP1650/51/52/53
MCP1650框图
MCP1650
V
IN
内部振荡器。同
2固定工作周期
V
+
1.22V
-
9R
ISNS
REF
OSC 。
开始
ON /
关闭
OSC 。 OUT
+
1R 0.122V
-
V
电流限制
V
REF
-
+
V
SHDN
V
IN
DR
脉冲
LATCH Q
EXT
开/关
控制
S
FB
电压反馈
+
-
R
V
REF
1.22V
DS21876B第2页
2004-2013 Microchip的科技公司
+
-
V
DC = 80 %V
IN
< 3.8V
DC = 56 %V
IN
> 3.8V V
V
V
IN
CS
GND
MCP1650/51/52/53
MCP1651 / 2/3框图
MCP1650/51/52/53
MCP1650 - 没有特点
MCP1651 - 低电池电量检测
MCP1652 - 电源良好指示
MCP1653 - 低电池电量检测和PG
MCP1653 - LBI和PG特点
MCP1651 - 低电池电量检测
LBO
LOW BATTERY
比较
VIN
LBI
1.22 Vref的
+
-
VIN
MCP1650
CS
SHDN
V
FB
VREF。 ( 1.22V )
EXT
GND
MCP1652 - 电源良好指示
VIN
Vref的85%的
+
-
PG
+
电源良好
比较
Vref的115 %
A
-
2004-2013 Microchip的科技公司
DS21876B第3页
MCP1650/51/52/53
时序图
MCP1650 / 1 /2/3的时序图
OSC
S
R
Q
DR
EXT
LATCH真值表
S
0
0
1
1
R
0
1
0
1
Q
Qn
1
0
1
S
Q
R
Q
典型应用电路
3.3V至12V百毫安升压转换器
R
SENSE
0.05
8
GND 2
SHDN 5
10 F
NC 6
on
关闭
V
IN
CS
3
1 EXT
4 FB
7 NC
MOSFET /肖特基
升压装置组合
感应器
3.3 H
V
OUT
= 12V
I
OUT
= 0为100 mA
C
OUT
10 F
陶瓷的
MCP1650
输入
电压
3.3V ±10%
C
IN
90.9 k
10 k
DS21876B第4页
2004-2013 Microchip的科技公司
MCP1650/51/52/53
1.0
电动
特征
注意:
条件超过上述最大额定在“上市
英格斯“,可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为设备的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市,是不是暗示。曝光
绝对最大额定条件下长时间可能
影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
V
GND ................................................. .......... 6.0V
CS ,FB LBI , LBO , SHDN , PG , EXT ............ GND - 0.3V至
V
IN
+ 0.3V
在EXT引脚电流.............................................. .. ± 1A
储存温度.......................... -65C至+ 150C
工作结温........ -40 ° C至+ 125°C
所有引脚的ESD保护
4
KV HBM
DC特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,所有参数均适用于V
IN
= + 2.7V至+ 5.5V , SHDN =高,
T
J
= -40 ° C至+ 125°C 。典型值适用于V
IN
= 3.3V ,T
A
+25°C.
参数
输入特性
电源电压
欠压锁定
( S选项)
欠压锁定
( -r选项)
欠压滞后
关断电源电流
静态电源电流
软启动时间
反馈特性
反馈电压
反馈比较器
迟滞
反馈输入偏置电流
电流检测输入
电流检测门限
从电流检测延迟到
产量
外部驱动器
EXT驱动器导通电阻
(高压侧)
EXT驱动器导通电阻
(低压侧)
振荡器特性
开关频率
低占空比切换
电压
占空比开关电压
迟滞
低占空比
高占空比
F
OSC
V
LowDuty
DC
HYST
DC
DC
650
50
72
750
3.8
92
56
80
850
62
88
千赫
V
mV
%
%
V
IN
上升沿
R
R
8
4
18
12
I
SNS- TH
T
dly_ISNS
75
114
80
155
mV
ns
V
FB
V
HYS
I
FBLK
1.18
-50
1.22
12
1.26
23
50
V
mV
nA
V
FB
< 1.3V
所有条件
V
IN
UVLO
UVLO
UVLO
HYST
I
SHD
I
Q
T
SS
2.7
2.4
1.85
2.55
2.0
117
0.001
120
500
5.5
2.7
2.15
1
220
V
V
V
mV
A
A
s
SHDN = GND
EXT =打开
V
IN
上升沿
V
IN
上升沿
符号
典型值
最大
单位
条件
2004-2013 Microchip的科技公司
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