MCP1631/HV/MCP1631V/VHV
高速脉宽调制器
特点
可编程开关电池充电器
设计
高速模拟PWM控制器
（ 2 MHz的操作）
与单片机相结合的“智能”
电力系统的发展
峰值电流模式控制（ MCP1631 ）
电压模式控制（ MCP1631V ）
高电压选项至+ 16V输入：
- MCP1631HV电流模式
- MCP1631VHV电压模式
可调节输出电压选项：
-
+ 5.0V或+ 3.3V
-
中250 mA最大电流
外部振荡器输入切换台
频率和最大占空比限制
外部参考输入设置调节电压
或CURRENT
误差放大器，电池电流I
SNS
放大器，
电池电压V
SNS
放大器集成
集成的过压比较器
集成高电流低边MOSFET
驱动程序（ 1A峰）
关断模式下智商降低到2.4 μA （典型值）
内部过温保护
欠压锁定（UVLO ）
封装选项：
- 第4毫米x 4毫米20引脚QFN
（仅MCP1631 / MCP1631V ）
- 20引脚TSSOP （所有设备）
- 20引脚SSOP （所有设备）
概述
吨他MCP16 31 / MC P1631 V是一个高GH -SPE版
模拟脉冲宽度调制器（PWM ）用于开发
智能电源系统。当用组合的
单片机的MCP1631 / MCP1631V将控制
电力系统的工作周期提供输出电压
或电流调节。微控制器可以使用
以调节输出电压或电流，开关频率
和最大占空比，同时提供附加的
特性，使电源系统更加智能化，
强大的可适应。
典型应用MCP1631 / MCP1631V
包括可编程开关模式电池充电器
可充多种化学物质，如锂离子电池，
镍氢，镍镉电池和铅酸配置为单个或
多个单元格。通过用小组合
微控制器，智能LED照明设计和
可编程的SEPIC拓扑电压和电流
源也可以被开发。
在MCP1631 / MCP1631V投入开发，以
被连接到微控制器的I / O管脚对
设计的灵活性。额外的功能集成到
MCP1631HV / MCP1631VHV提供信号条件 -
荷兰国际集团与保护功能的电池充电器或
恒流源的应用。
对于从高电压输入操作的应用程序，
在MCP1631HV和MCP1631VHV设备选项
可以直接使用在+ 3.5V至+ 16V ，操作
输入。对于这些应用中，一个额外的低压降
+ 5V或+ 3.3V稳压输出，并且可以提供
提供电流高达250 mA到微控制器供电
电路和辅助电路。
应用
高输入电压可编程开关
电池充电器
支持多种化学锂离子，镍氢，镍镉电池
智能化和铅酸
LED照明应用
恒流SEPIC动力传动系设计
USB输入可编程开关电池
充电器
2008 Microchip的技术公司
DS22063B第1页
MCP1631/HV/MCP1631V/VHV
功能框图
(1)
MCP1631HV / VHV高速PIC PWM
内部稳压器为MCP1631HV和MCP1631VHV
只有选项;对于MCP1631和MCP1631V AV
DD_IN
输入
V
IN
+ 3.3V或+ 5.0V
LDO
250毫安
V
DD
国内
1.2V V
REF
V
DD
A
VDD_OUT
/ A
VDD_IN
关断控制
A3保持ON
SHDN
OV
IN
-
C2
+
过压比较
W /滞后
P
VDD
V
DD
OSC
DIS
100 k
0.1 A
OT
V
EXT
UVLO
S
Q
P
GND
OSC
IN
V
DD
V
DD
CS / VR
AMP
COMP
V
DD
FB
V
REF
-
A1
+
A
GND
+
C1
-
R
Q
10R
V
DD
R
R
100 k
IS
IN
A2
2R
R
钳位电压2.7V
A3
对于MCP1631V删除
和MCP1631VHV选项
V
DD
注1 ：
对于关断控制，放大器A3依然如此功能
电池电压可以在放电阶段被感测。
2:
对于HV选项，内部低压差稳压器提供
+ 3.3V或+ 5.0V偏压V
DD
.
DS22063B第4页
2008 Microchip的技术公司
+
+
-
-
IS
OUT
VS
IN
VS
OUT
MCP1631/HV/MCP1631V/VHV
1.0
电动
特征
注意：
注意，超出上述"Maximum下上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本说明书中的操作部分并不意。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
V
IN
- GND （ MCP1631 / V） ........................................... ..... + 6.5V
V
IN
- GND （ MCP1631HV / VHV ） .................................... + 18.0V
所有其它I / O .............................. （ GND - 0.3V ）至（v
DD
+ 0.3V)
LX至GND ............................................. -0.3 V到（V
DD
+ 0.3V)
V
EXT
输出短路电流连续........................
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温...................- 40 ° C至+ 150°C
工作结温...................- 40 ° C至+ 125°C
ESD保护所有引脚：
HBM ................................................. ................................ 4千伏
MM ................................................. ................................. 400V
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
IN
= 3.0V至5.5V ，女
OSC
= 1 MHz的10 ％占空比，C
IN
= 0.1 F,
V
DD
典型值= 5.0V ，T
A
典型值= + 25 ° C，T
A
= -40 ° C至+ 125°C的所有最小值和最大值。
参数
输入特性
输入电压（ MCP1631 / V）
输入电压
(MCP1631HV/VHV)
欠压锁定
(MCP1631/V)
欠压闭锁滞后
(MCP1631/MCP1631V)
输入静态电流
（ MCP1631 / V ， MCP1631HV ， VHV ）
关断电流
I_AVDD的MCP1631 / V
I_VIN为MCP1631HV / VHV
低电平输入电压
高电平输入电压
输入漏电流
外部振荡器范围
V
DD
V
DD
UVLO
UVLO
_HYS
I（ V
IN
)
I
IN_SHDN
3.0
3.5
2.7
40
—
—
2.4
4.4
—
2.0
—
—
—
0.005
—
12
17
0.8
—
1
2
A
A
V
V
A
兆赫
最高工作频率为
依赖于电路拓扑结构
和占空比。
—
—
2.8
64
3.7
5.5
16.0
3.0
100
5
V
V
V
mV
mA
非HV选项
HV选项
（注2 ）
V
IN
下降，V
EXT
当输入低电平
低于UVLO阈值
UVLO迟滞
SHDN = V
DD
osc
DIS
SHDN = GND = OSC
DIS
,
注意：
放大器A3遗体
停机期间供电。
符号
民
典型值
最大
单位
条件
OSC
IN
， OSC
DIS
和关断输入电平
V
IL
V
IH
I
泄漏
F
OSC
最低振荡器高电平时间
最低振荡器低电平时间
振荡器的上升和下降时间
振荡器输入电容
注1 ：
T
OH
=最小值。
T
OL
=最小值。
T
R
和T
F
C
OSC
—
0.01
—
10
—
5
—
10
—
ns
s
pf
注1
2:
3:
4:
5:
外部振荡器输入（ OSC
IN
）的上升和设备在被确定为10 ns和10微秒的下降时间
特性测试。 0.8V和2.0V之间的信号电平上升和下降时间的10 ％和90％测
的最大值和最小值。未经生产测试。额外的时序规格进行了充分的特点和
指定不生产测试。
最小V
IN
必须满足两个条件： V
IN
≥
3.5V和V
IN
≥
(V
输出（最大）
+ V
差（ MAX）
).
TCV
OUT
= (V
OUT-高
- V
OUT-低
) *10
6
/ (V
R
*
Temperature ）
V
OUT-高
=测得的最高电压过
温度范围。 V
OUT-低
=测得在温度范围的最低电压。
负载调整率的测量是在使用低占空比脉冲测试结温恒定。改变输出
电压因热效应所使用的热稳定度规范TCV确定
OUT
.
电压差定义为输入输出电压差，当输出电压降至2 ％，低于其测
值与V的施加的输入电压
输出（最大）
+ V
差（ MAX）
或3.5V ，取较大值。
DS22063B第5页
2008 Microchip的技术公司
QQ：2881677436 复制
