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MCP1630
高速微控制器的适应性,
脉宽调制器
特点
高速PWM操作( 12 ns的电流
有意义的输出延迟)
工作温度范围: -40 ° C至+ 125°C
精确峰值电流限制( ± 5 % )
CMOS输出驱动器(驱动器MOSFET驱动器或
低侧N沟道MOSFET直接)
外部振荡器输入(从的PICmicro
微控制器)
外部参考电压输入(可调节
电压或电流输出的应用程序)
峰值电流模式操作,以1 MHz的
低工作电流为2.8 mA,典型值
快速输出上升和下降时间( 5.9 ns到
6.2纳秒)
欠压闭锁
输出短路保护
过温保护
描述
该MCP1630是一种高速脉宽调制器
( PWM)用于开发智能电源系统。
当与微控制器使用时,MCP1630将
控制电源系统的占空比,以提供输出
电压或电流调节。微控制器可以
可用于调节输出电压或电流,开关
频率,最大占空比和其它特征
使电力系统更加智能化,
适应性强。
典型的应用包括智能电池充电器,
智能电源系统,砖DC / DC转换器,AC
功率因数校正,多路输出电源,
多相电源和更多。
在MCP1630的输入被开发可以很容易地
附连到微控制器的I / O。该单片机
控制器供给振荡器和参考
MCP1630提供最灵活和适应性强的
电力系统。电源系统的开关频率
和最大占空比正在使用的输入/输出设
微控制器。参考输入可以是外部的,一
D / A转换器的输出或简单,只要从I / O输出
微控制器。这使得电源系统
适应许多外部信号和变量,以
优化性能和方便的校准。
当在电流模式下操作,精确限定为上
的峰值电流。有了比较快的速度(典型
美云12纳秒)时,MCP1630能够提供的
就在一个很宽的最大开关电流限制紧
相对于其他的高速输入电压范围
PWM控制器。
其他保护功能包括:欠压
锁定,过热和过流保护。
应用
智能电源系统
智能电池充电器
多路输出/多相位转换器
输出电压校准
AC功率因数校正
VID能力(编程和校准
PICmicro微控制器)
降压/升压/降压 - 升压/ SEPIC /反激式/隔离
转换器
并行电源
套餐类型
8引脚MSOP
COMP
FB
CS
OSC IN
1
2
3
4
8
7
6
5
MCP1630
V
REF
V
IN
V
EXT
GND
2004年Microchip的科技公司
DS21896A第1页
MCP1630
功能框图
MCP1630高速PWM
V
IN
过热
0.1 A
OSC IN
UVLO
V
EXT
V
IN
V
IN
S
Q
GND
0.1 A
CS
COMP
V
IN
FB
V
REF
-
EA
+
2R
R
钳位电压2.7V
注意:
100 k
+
COMP
-
R
Q
LATCH真值表
S
0
0
1
1
R
0
1
0
1
Q
Qn
1
0
1
在过温,V
EXT
驱动程序是高阻抗。
DS21896A第2页
2004年Microchip的科技公司
MCP1630
典型应用电路
MCP1630镍氢电池充电器和电量计应用框图
C
c
+ 8V至+ 15V输入电压
SEPIC转换器
4节镍氢电池
+ 5V偏置
CIN
COUT
1:1
N沟道
MOSFET
I
SW
I
BATT
+V
BATT
MCP1630
5.7V
V
IN
COMP V
EXT
FB
OSC IN CS
V
REF
GND
+V
BATT
+ 5V偏置
+
3V
PIC16LF818
PWM输出
0V
V
DD
MCP1700
3.0V
SOT23
V
DD
A / D
1/2 MCP6042
+
V
DD
I
2
C系统
A / D
1/2 MCP6042
+
2004年Microchip的科技公司
DS21896A第3页
MCP1630
1.0
电动
特征
注意:
条件超过上述最大额定在“上市
英格斯“,可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为设备的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市,是不是暗示。曝光
绝对最大额定条件下长时间可能
影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
V
DD
...................................................................................6.0V
任何引脚。( V最大电压
GND
- 0.3 ) V至(V
IN
+ 0.3)V
V
EXT
短路电流...........................内部限制
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温,T
J
........................... +150°C
连续工作温度范围..- 40 ° C至+ 125°C
所有引脚的ESD保护,人体模型............... 3千伏
DC特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
IN
= 3.0V至5.5V ,女
OSC
= 1 MHz的10 %占空比,C
IN
= 0.1 F,
V
IN
典型值= 5.0V ,T
A
= -40 ° C至+ 125°C 。
参数
输入电压
输入工作电压
输入静态电流
振荡器输入
外部振荡器范围
分钟。振荡器高电平时间
分钟。振荡器低电平时间
振荡器上升时间
振荡器下降时间
振荡器输入电压低
振荡器输入电压高
振荡器输入电容
外部基准输入
参考电压输入
误差放大器器
输入失调电压
误差放大器的PSRR
共模输入范围
共模抑制比
开环电压增益
低电平输出
增益带宽积
误差放大器灌电流
误差放大器器源电流
注1 :
A
VOL
V
OL
增益带宽积
I
SINK
I
来源
V
OS
PSRR
V
CM
-4
80
GND - 0.3
85
5
-2
0.1
99
80
95
25
3.5
11
-9
+4
V
IN
GND + 50
mV
dB
V
dB
dB
mV
兆赫
mA
mA
V
IN
= 3.0V至5.0V ,V
CM
= 1.2V
注2 ,注3
V
IN
= 5V, V
CM
= 0V至2.5V
R
L
= 5 kΩ到V
IN
/ 2 , 100毫伏< V
EAOUT
& LT ; V
IN
- 100毫伏,V
CM
= 1.2V
RL = 5 k到V
IN
/2
V
IN
= 5V
V
IN
= 5V, V
REF
= 1.2V, V
FB
= 1.4V,
V
COMP
= 2.0V
V
IN
= 5V, V
REF
= 1.2V, V
FB
= 1.0V,
V
COMP
= 2.0V ,绝对超值
V
REF
0
V
IN
V
注2 ,注3
F
OSC
T
OH
=最小值。
T
OL
=最小值。
T
上升
T
秋天
V
L
V
H
C
OSC
0.01
0.01
2.0
10
5
10
10
0.8
1
兆赫
ns
s
s
V
V
pf
注2
注2
注1
V
IN
I( V
IN
)
3.0
2.8
5.5
4.5
V
mA
I
EXT
= 0 mA时,女
OSC IN
= 0赫兹
符号
典型值
最大
单位
条件
更高的工作频率取决于所需的最小和最大占空比。
外部振荡器输入( OSC IN)的上升和下降为10 ns ,并用于表征测试10 μs之间。信号
在10%和90%的最大和最小测量0.8V和2.0V之间具有上升和水平下降时间
值。未经生产测试。
内部放大器的参考输入能轨对轨工作。
2:
3:
DS21896A第4页
2004年Microchip的科技公司
MCP1630
直流特性(续)
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
IN
= 3.0V至5.5V ,女
OSC
= 1 MHz的10 %占空比,C
IN
= 0.1 F,
V
IN
典型值= 5.0V ,T
A
= -40 ° C至+ 125°C 。
参数
电流检测输入
最大电流检测信号
延迟从CS到V
EXT
最小占空比
电流检测输入偏置电流
内部驱动器
R
DSON
P沟道
R
DSON
N沟道
V
EXT
上升时间
V
EXT
下降时间
保护功能
欠压锁定
欠压锁定
迟滞
热关断
热关断迟滞
注1 :
UVLO
UVLO
_HYS
T
SHD
T
SHD_HYS
2.7
50
75
150
18
3.0
150
V
mV
°C
°C
V
IN
下降,V
EXT
低状态时,
UVLO
R
DSON_P
R
DSON_N
T
上升
T
秋天
10
7
5.9
6.2
30
30
18
18
ns
ns
C
L
= 100 pF的
典型的V
IN
= 3V
C
L
= 100 pF的
典型的V
IN
= 3V
V
CS_MAX
T
CS_VEXT
DC
I
CS_B
0.85
0.9
12
-0.1
0.95
25
0
V
ns
%
A
V
FB
= V
REF
+ 0.1V,
V
CS
= GND
V
IN
= 5V
通过设置最大误差放大器
钳位电压除以3 。
符号
典型值
最大
单位
条件
更高的工作频率取决于所需的最小和最大占空比。
外部振荡器输入( OSC IN)的上升和下降为10 ns ,并用于表征测试10 μs之间。信号
在10%和90%的最大和最小测量0.8V和2.0V之间具有上升和水平下降时间
值。未经生产测试。
内部放大器的参考输入能轨对轨工作。
2:
3:
温度参数
电气连接特定的阳离子:
V
IN
= 3.0V至5.5V ,女
OSC
= 1 MHz的10 %占空比,C
IN
= 0.1 μF 。牛逼
A
= -40 ° C至+ 125°C 。
参数
温度范围
工作结温
范围
存储温度范围
最高结温
封装热阻
热阻, MSOP8
θ
JA
208
° C / W典型4层电路板
T
A
T
A
T
J
-40
-65
+125
+150
+150
°C
°C
°C
短暂
稳定状态
符号
典型值
最大
单位
条件
2004年Microchip的科技公司
DS21896A第5页
MCP1630
高速微控制器的适应性,
脉宽调制器
特点
高速PWM操作( 12 ns的电流
有意义的输出延迟)
工作温度范围: -40 ° C至+ 125°C
精确峰值电流限制( ± 5 % )
CMOS输出驱动器(驱动器MOSFET驱动器或
低侧N沟道MOSFET直接)
外部振荡器输入(从的PICmicro
微控制器)
外部参考电压输入(可调节
电压或电流输出的应用程序)
峰值电流模式操作,以1 MHz的
低工作电流为2.8 mA,典型值
快速输出上升和下降时间( 5.9 ns到
6.2纳秒)
欠压闭锁
输出短路保护
过温保护
描述
该MCP1630是一种高速脉宽调制器
( PWM)用于开发智能电源系统。
当与微控制器使用时,MCP1630将
控制电源系统的占空比,以提供输出
电压或电流调节。微控制器可以
可用于调节输出电压或电流,开关
频率,最大占空比和其它特征
使电力系统更加智能化,
适应性强。
典型的应用包括智能电池充电器,
智能电源系统,砖DC / DC转换器,AC
功率因数校正,多路输出电源,
多相电源和更多。
在MCP1630的输入被开发可以很容易地
附连到微控制器的I / O。该单片机
控制器供给振荡器和参考
MCP1630提供最灵活和适应性强的
电力系统。电源系统的开关频率
和最大占空比正在使用的输入/输出设
微控制器。参考输入可以是外部的,一
D / A转换器的输出或简单,只要从I / O输出
微控制器。这使得电源系统
适应许多外部信号和变量,以
优化性能和方便的校准。
当在电流模式下操作,精确限定为上
的峰值电流。有了比较快的速度(典型
美云12纳秒)时,MCP1630能够提供的
就在一个很宽的最大开关电流限制紧
相对于其他的高速输入电压范围
PWM控制器。
其他保护功能包括:欠压
锁定,过热和过流保护。
应用
智能电源系统
智能电池充电器
多路输出/多相位转换器
输出电压校准
AC功率因数校正
VID能力(编程和校准
PICmicro微控制器)
降压/升压/降压 - 升压/ SEPIC /反激式/隔离
转换器
并行电源
套餐类型
8引脚MSOP
COMP
FB
CS
OSC IN
1
2
3
4
8
7
6
5
MCP1630
V
REF
V
IN
V
EXT
GND
2004年Microchip的科技公司
DS21896A第1页
MCP1630
功能框图
MCP1630高速PWM
V
IN
过热
0.1 A
OSC IN
UVLO
V
EXT
V
IN
V
IN
S
Q
GND
0.1 A
CS
COMP
V
IN
FB
V
REF
-
EA
+
2R
R
钳位电压2.7V
注意:
100 k
+
COMP
-
R
Q
LATCH真值表
S
0
0
1
1
R
0
1
0
1
Q
Qn
1
0
1
在过温,V
EXT
驱动程序是高阻抗。
DS21896A第2页
2004年Microchip的科技公司
MCP1630
典型应用电路
MCP1630镍氢电池充电器和电量计应用框图
C
c
+ 8V至+ 15V输入电压
SEPIC转换器
4节镍氢电池
+ 5V偏置
CIN
COUT
1:1
N沟道
MOSFET
I
SW
I
BATT
+V
BATT
MCP1630
5.7V
V
IN
COMP V
EXT
FB
OSC IN CS
V
REF
GND
+V
BATT
+ 5V偏置
+
3V
PIC16LF818
PWM输出
0V
V
DD
MCP1700
3.0V
SOT23
V
DD
A / D
1/2 MCP6042
+
V
DD
I
2
C系统
A / D
1/2 MCP6042
+
2004年Microchip的科技公司
DS21896A第3页
MCP1630
1.0
电动
特征
注意:
条件超过上述最大额定在“上市
英格斯“,可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为设备的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市,是不是暗示。曝光
绝对最大额定条件下长时间可能
影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
V
DD
...................................................................................6.0V
任何引脚。( V最大电压
GND
- 0.3 ) V至(V
IN
+ 0.3)V
V
EXT
短路电流...........................内部限制
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温,T
J
........................... +150°C
连续工作温度范围..- 40 ° C至+ 125°C
所有引脚的ESD保护,人体模型............... 3千伏
DC特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
IN
= 3.0V至5.5V ,女
OSC
= 1 MHz的10 %占空比,C
IN
= 0.1 F,
V
IN
典型值= 5.0V ,T
A
= -40 ° C至+ 125°C 。
参数
输入电压
输入工作电压
输入静态电流
振荡器输入
外部振荡器范围
分钟。振荡器高电平时间
分钟。振荡器低电平时间
振荡器上升时间
振荡器下降时间
振荡器输入电压低
振荡器输入电压高
振荡器输入电容
外部基准输入
参考电压输入
误差放大器器
输入失调电压
误差放大器的PSRR
共模输入范围
共模抑制比
开环电压增益
低电平输出
增益带宽积
误差放大器灌电流
误差放大器器源电流
注1 :
A
VOL
V
OL
增益带宽积
I
SINK
I
来源
V
OS
PSRR
V
CM
-4
80
GND - 0.3
85
5
-2
0.1
99
80
95
25
3.5
11
-9
+4
V
IN
GND + 50
mV
dB
V
dB
dB
mV
兆赫
mA
mA
V
IN
= 3.0V至5.0V ,V
CM
= 1.2V
注2 ,注3
V
IN
= 5V, V
CM
= 0V至2.5V
R
L
= 5 kΩ到V
IN
/ 2 , 100毫伏< V
EAOUT
& LT ; V
IN
- 100毫伏,V
CM
= 1.2V
RL = 5 k到V
IN
/2
V
IN
= 5V
V
IN
= 5V, V
REF
= 1.2V, V
FB
= 1.4V,
V
COMP
= 2.0V
V
IN
= 5V, V
REF
= 1.2V, V
FB
= 1.0V,
V
COMP
= 2.0V ,绝对超值
V
REF
0
V
IN
V
注2 ,注3
F
OSC
T
OH
=最小值。
T
OL
=最小值。
T
上升
T
秋天
V
L
V
H
C
OSC
0.01
0.01
2.0
10
5
10
10
0.8
1
兆赫
ns
s
s
V
V
pf
注2
注2
注1
V
IN
I( V
IN
)
3.0
2.8
5.5
4.5
V
mA
I
EXT
= 0 mA时,女
OSC IN
= 0赫兹
符号
典型值
最大
单位
条件
更高的工作频率取决于所需的最小和最大占空比。
外部振荡器输入( OSC IN)的上升和下降为10 ns ,并用于表征测试10 μs之间。信号
在10%和90%的最大和最小测量0.8V和2.0V之间具有上升和水平下降时间
值。未经生产测试。
内部放大器的参考输入能轨对轨工作。
2:
3:
DS21896A第4页
2004年Microchip的科技公司
MCP1630
直流特性(续)
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
IN
= 3.0V至5.5V ,女
OSC
= 1 MHz的10 %占空比,C
IN
= 0.1 F,
V
IN
典型值= 5.0V ,T
A
= -40 ° C至+ 125°C 。
参数
电流检测输入
最大电流检测信号
延迟从CS到V
EXT
最小占空比
电流检测输入偏置电流
内部驱动器
R
DSON
P沟道
R
DSON
N沟道
V
EXT
上升时间
V
EXT
下降时间
保护功能
欠压锁定
欠压锁定
迟滞
热关断
热关断迟滞
注1 :
UVLO
UVLO
_HYS
T
SHD
T
SHD_HYS
2.7
50
75
150
18
3.0
150
V
mV
°C
°C
V
IN
下降,V
EXT
低状态时,
UVLO
R
DSON_P
R
DSON_N
T
上升
T
秋天
10
7
5.9
6.2
30
30
18
18
ns
ns
C
L
= 100 pF的
典型的V
IN
= 3V
C
L
= 100 pF的
典型的V
IN
= 3V
V
CS_MAX
T
CS_VEXT
DC
I
CS_B
0.85
0.9
12
-0.1
0.95
25
0
V
ns
%
A
V
FB
= V
REF
+ 0.1V,
V
CS
= GND
V
IN
= 5V
通过设置最大误差放大器
钳位电压除以3 。
符号
典型值
最大
单位
条件
更高的工作频率取决于所需的最小和最大占空比。
外部振荡器输入( OSC IN)的上升和下降为10 ns ,并用于表征测试10 μs之间。信号
在10%和90%的最大和最小测量0.8V和2.0V之间具有上升和水平下降时间
值。未经生产测试。
内部放大器的参考输入能轨对轨工作。
2:
3:
温度参数
电气连接特定的阳离子:
V
IN
= 3.0V至5.5V ,女
OSC
= 1 MHz的10 %占空比,C
IN
= 0.1 μF 。牛逼
A
= -40 ° C至+ 125°C 。
参数
温度范围
工作结温
范围
存储温度范围
最高结温
封装热阻
热阻, MSOP8
θ
JA
208
° C / W典型4层电路板
T
A
T
A
T
J
-40
-65
+125
+150
+150
°C
°C
°C
短暂
稳定状态
符号
典型值
最大
单位
条件
2004年Microchip的科技公司
DS21896A第5页
MCP1630
高速微控制器的适应性,
脉宽调制器
特点
高速PWM操作( 12 ns的电流
有意义的输出延迟)
工作温度范围: -40 ° C至+ 125°C
精确峰值电流限制( ± 5 % )
CMOS输出驱动器(驱动器MOSFET驱动器或
低侧N沟道MOSFET直接)
外部振荡器输入(从的PICmicro
微控制器)
外部参考电压输入(可调节
电压或电流输出的应用程序)
峰值电流模式操作,以1 MHz的
低工作电流为2.8 mA,典型值
快速输出上升和下降时间( 5.9 ns到
6.2纳秒)
欠压闭锁
输出短路保护
过温保护
描述
该MCP1630是一种高速脉宽调制器
( PWM)用于开发智能电源系统。
当与微控制器使用时,MCP1630将
控制电源系统的占空比,以提供输出
电压或电流调节。微控制器可以
可用于调节输出电压或电流,开关
频率,最大占空比和其它特征
使电力系统更加智能化,
适应性强。
典型的应用包括智能电池充电器,
智能电源系统,砖DC / DC转换器,AC
功率因数校正,多路输出电源,
多相电源和更多。
在MCP1630的输入被开发可以很容易地
附连到微控制器的I / O。该单片机
控制器供给振荡器和参考
MCP1630提供最灵活和适应性强的
电力系统。电源系统的开关频率
和最大占空比正在使用的输入/输出设
微控制器。参考输入可以是外部的,一
D / A转换器的输出或简单,只要从I / O输出
微控制器。这使得电源系统
适应许多外部信号和变量,以
优化性能和方便的校准。
当在电流模式下操作,精确限定为上
的峰值电流。有了比较快的速度(典型
美云12纳秒)时,MCP1630能够提供的
就在一个很宽的最大开关电流限制紧
相对于其他的高速输入电压范围
PWM控制器。
其他保护功能包括:欠压
锁定,过热和过流保护。
应用
智能电源系统
智能电池充电器
多路输出/多相位转换器
输出电压校准
AC功率因数校正
VID能力(编程和校准
PICmicro微控制器)
降压/升压/降压 - 升压/ SEPIC /反激式/隔离
转换器
并行电源
套餐类型
8引脚MSOP
COMP
FB
CS
OSC IN
1
2
3
4
8
7
6
5
MCP1630
V
REF
V
IN
V
EXT
GND
2004年Microchip的科技公司
DS21896A第1页
MCP1630
功能框图
MCP1630高速PWM
V
IN
过热
0.1 A
OSC IN
UVLO
V
EXT
V
IN
V
IN
S
Q
GND
0.1 A
CS
COMP
V
IN
FB
V
REF
-
EA
+
2R
R
钳位电压2.7V
注意:
100 k
+
COMP
-
R
Q
LATCH真值表
S
0
0
1
1
R
0
1
0
1
Q
Qn
1
0
1
在过温,V
EXT
驱动程序是高阻抗。
DS21896A第2页
2004年Microchip的科技公司
MCP1630
典型应用电路
MCP1630镍氢电池充电器和电量计应用框图
C
c
+ 8V至+ 15V输入电压
SEPIC转换器
4节镍氢电池
+ 5V偏置
CIN
COUT
1:1
N沟道
MOSFET
I
SW
I
BATT
+V
BATT
MCP1630
5.7V
V
IN
COMP V
EXT
FB
OSC IN CS
V
REF
GND
+V
BATT
+ 5V偏置
+
3V
PIC16LF818
PWM输出
0V
V
DD
MCP1700
3.0V
SOT23
V
DD
A / D
1/2 MCP6042
+
V
DD
I
2
C系统
A / D
1/2 MCP6042
+
2004年Microchip的科技公司
DS21896A第3页
MCP1630
1.0
电动
特征
注意:
条件超过上述最大额定在“上市
英格斯“,可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为设备的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市,是不是暗示。曝光
绝对最大额定条件下长时间可能
影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
V
DD
...................................................................................6.0V
任何引脚。( V最大电压
GND
- 0.3 ) V至(V
IN
+ 0.3)V
V
EXT
短路电流...........................内部限制
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温,T
J
........................... +150°C
连续工作温度范围..- 40 ° C至+ 125°C
所有引脚的ESD保护,人体模型............... 3千伏
DC特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
IN
= 3.0V至5.5V ,女
OSC
= 1 MHz的10 %占空比,C
IN
= 0.1 F,
V
IN
典型值= 5.0V ,T
A
= -40 ° C至+ 125°C 。
参数
输入电压
输入工作电压
输入静态电流
振荡器输入
外部振荡器范围
分钟。振荡器高电平时间
分钟。振荡器低电平时间
振荡器上升时间
振荡器下降时间
振荡器输入电压低
振荡器输入电压高
振荡器输入电容
外部基准输入
参考电压输入
误差放大器器
输入失调电压
误差放大器的PSRR
共模输入范围
共模抑制比
开环电压增益
低电平输出
增益带宽积
误差放大器灌电流
误差放大器器源电流
注1 :
A
VOL
V
OL
增益带宽积
I
SINK
I
来源
V
OS
PSRR
V
CM
-4
80
GND - 0.3
85
5
-2
0.1
99
80
95
25
3.5
11
-9
+4
V
IN
GND + 50
mV
dB
V
dB
dB
mV
兆赫
mA
mA
V
IN
= 3.0V至5.0V ,V
CM
= 1.2V
注2 ,注3
V
IN
= 5V, V
CM
= 0V至2.5V
R
L
= 5 kΩ到V
IN
/ 2 , 100毫伏< V
EAOUT
& LT ; V
IN
- 100毫伏,V
CM
= 1.2V
RL = 5 k到V
IN
/2
V
IN
= 5V
V
IN
= 5V, V
REF
= 1.2V, V
FB
= 1.4V,
V
COMP
= 2.0V
V
IN
= 5V, V
REF
= 1.2V, V
FB
= 1.0V,
V
COMP
= 2.0V ,绝对超值
V
REF
0
V
IN
V
注2 ,注3
F
OSC
T
OH
=最小值。
T
OL
=最小值。
T
上升
T
秋天
V
L
V
H
C
OSC
0.01
0.01
2.0
10
5
10
10
0.8
1
兆赫
ns
s
s
V
V
pf
注2
注2
注1
V
IN
I( V
IN
)
3.0
2.8
5.5
4.5
V
mA
I
EXT
= 0 mA时,女
OSC IN
= 0赫兹
符号
典型值
最大
单位
条件
更高的工作频率取决于所需的最小和最大占空比。
外部振荡器输入( OSC IN)的上升和下降为10 ns ,并用于表征测试10 μs之间。信号
在10%和90%的最大和最小测量0.8V和2.0V之间具有上升和水平下降时间
值。未经生产测试。
内部放大器的参考输入能轨对轨工作。
2:
3:
DS21896A第4页
2004年Microchip的科技公司
MCP1630
直流特性(续)
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
IN
= 3.0V至5.5V ,女
OSC
= 1 MHz的10 %占空比,C
IN
= 0.1 F,
V
IN
典型值= 5.0V ,T
A
= -40 ° C至+ 125°C 。
参数
电流检测输入
最大电流检测信号
延迟从CS到V
EXT
最小占空比
电流检测输入偏置电流
内部驱动器
R
DSON
P沟道
R
DSON
N沟道
V
EXT
上升时间
V
EXT
下降时间
保护功能
欠压锁定
欠压锁定
迟滞
热关断
热关断迟滞
注1 :
UVLO
UVLO
_HYS
T
SHD
T
SHD_HYS
2.7
50
75
150
18
3.0
150
V
mV
°C
°C
V
IN
下降,V
EXT
低状态时,
UVLO
R
DSON_P
R
DSON_N
T
上升
T
秋天
10
7
5.9
6.2
30
30
18
18
ns
ns
C
L
= 100 pF的
典型的V
IN
= 3V
C
L
= 100 pF的
典型的V
IN
= 3V
V
CS_MAX
T
CS_VEXT
DC
I
CS_B
0.85
0.9
12
-0.1
0.95
25
0
V
ns
%
A
V
FB
= V
REF
+ 0.1V,
V
CS
= GND
V
IN
= 5V
通过设置最大误差放大器
钳位电压除以3 。
符号
典型值
最大
单位
条件
更高的工作频率取决于所需的最小和最大占空比。
外部振荡器输入( OSC IN)的上升和下降为10 ns ,并用于表征测试10 μs之间。信号
在10%和90%的最大和最小测量0.8V和2.0V之间具有上升和水平下降时间
值。未经生产测试。
内部放大器的参考输入能轨对轨工作。
2:
3:
温度参数
电气连接特定的阳离子:
V
IN
= 3.0V至5.5V ,女
OSC
= 1 MHz的10 %占空比,C
IN
= 0.1 μF 。牛逼
A
= -40 ° C至+ 125°C 。
参数
温度范围
工作结温
范围
存储温度范围
最高结温
封装热阻
热阻, MSOP8
θ
JA
208
° C / W典型4层电路板
T
A
T
A
T
J
-40
-65
+125
+150
+150
°C
°C
°C
短暂
稳定状态
符号
典型值
最大
单位
条件
2004年Microchip的科技公司
DS21896A第5页
MCP1630
高速微控制器的适应性,
脉宽调制器
特点
高速PWM操作( 12 ns的电流
有意义的输出延迟)
工作温度范围: -40 ° C至+ 125°C
精确峰值电流限制( ± 5 % )
CMOS输出驱动器(驱动器MOSFET驱动器或
低侧N沟道MOSFET直接)
外部振荡器输入(从的PICmicro
微控制器)
外部参考电压输入(可调节
电压或电流输出的应用程序)
峰值电流模式操作,以1 MHz的
低工作电流为2.8 mA,典型值
快速输出上升和下降时间( 5.9 ns到
6.2纳秒)
欠压闭锁
输出短路保护
过温保护
描述
该MCP1630是一种高速脉宽调制器
( PWM)用于开发智能电源系统。
当与微控制器使用时,MCP1630将
控制电源系统的占空比,以提供输出
电压或电流调节。微控制器可以
可用于调节输出电压或电流,开关
频率,最大占空比和其它特征
使电力系统更加智能化,
适应性强。
典型的应用包括智能电池充电器,
智能电源系统,砖DC / DC转换器,AC
功率因数校正,多路输出电源,
多相电源和更多。
在MCP1630的输入被开发可以很容易地
附连到微控制器的I / O。该单片机
控制器供给振荡器和参考
MCP1630提供最灵活和适应性强的
电力系统。电源系统的开关频率
和最大占空比正在使用的输入/输出设
微控制器。参考输入可以是外部的,一
D / A转换器的输出或简单,只要从I / O输出
微控制器。这使得电源系统
适应许多外部信号和变量,以
优化性能和方便的校准。
当在电流模式下操作,精确限定为上
的峰值电流。有了比较快的速度(典型
美云12纳秒)时,MCP1630能够提供的
就在一个很宽的最大开关电流限制紧
相对于其他的高速输入电压范围
PWM控制器。
其他保护功能包括:欠压
锁定,过热和过流保护。
应用
智能电源系统
智能电池充电器
多路输出/多相位转换器
输出电压校准
AC功率因数校正
VID能力(编程和校准
PICmicro微控制器)
降压/升压/降压 - 升压/ SEPIC /反激式/隔离
转换器
并行电源
套餐类型
8引脚MSOP
COMP
FB
CS
OSC IN
1
2
3
4
8
7
6
5
MCP1630
V
REF
V
IN
V
EXT
GND
2004年Microchip的科技公司
DS21896A第1页
MCP1630
功能框图
MCP1630高速PWM
V
IN
过热
0.1 A
OSC IN
UVLO
V
EXT
V
IN
V
IN
S
Q
GND
0.1 A
CS
COMP
V
IN
FB
V
REF
-
EA
+
2R
R
钳位电压2.7V
注意:
100 k
+
COMP
-
R
Q
LATCH真值表
S
0
0
1
1
R
0
1
0
1
Q
Qn
1
0
1
在过温,V
EXT
驱动程序是高阻抗。
DS21896A第2页
2004年Microchip的科技公司
MCP1630
典型应用电路
MCP1630镍氢电池充电器和电量计应用框图
C
c
+ 8V至+ 15V输入电压
SEPIC转换器
4节镍氢电池
+ 5V偏置
CIN
COUT
1:1
N沟道
MOSFET
I
SW
I
BATT
+V
BATT
MCP1630
5.7V
V
IN
COMP V
EXT
FB
OSC IN CS
V
REF
GND
+V
BATT
+ 5V偏置
+
3V
PIC16LF818
PWM输出
0V
V
DD
MCP1700
3.0V
SOT23
V
DD
A / D
1/2 MCP6042
+
V
DD
I
2
C系统
A / D
1/2 MCP6042
+
2004年Microchip的科技公司
DS21896A第3页
MCP1630
1.0
电动
特征
注意:
条件超过上述最大额定在“上市
英格斯“,可能对器件造成永久性损坏。这是一个
值仅为设备的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市,是不是暗示。曝光
绝对最大额定条件下长时间可能
影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
V
DD
...................................................................................6.0V
任何引脚。( V最大电压
GND
- 0.3 ) V至(V
IN
+ 0.3)V
V
EXT
短路电流...........................内部限制
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温,T
J
........................... +150°C
连续工作温度范围..- 40 ° C至+ 125°C
所有引脚的ESD保护,人体模型............... 3千伏
DC特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
IN
= 3.0V至5.5V ,女
OSC
= 1 MHz的10 %占空比,C
IN
= 0.1 F,
V
IN
典型值= 5.0V ,T
A
= -40 ° C至+ 125°C 。
参数
输入电压
输入工作电压
输入静态电流
振荡器输入
外部振荡器范围
分钟。振荡器高电平时间
分钟。振荡器低电平时间
振荡器上升时间
振荡器下降时间
振荡器输入电压低
振荡器输入电压高
振荡器输入电容
外部基准输入
参考电压输入
误差放大器器
输入失调电压
误差放大器的PSRR
共模输入范围
共模抑制比
开环电压增益
低电平输出
增益带宽积
误差放大器灌电流
误差放大器器源电流
注1 :
A
VOL
V
OL
增益带宽积
I
SINK
I
来源
V
OS
PSRR
V
CM
-4
80
GND - 0.3
85
5
-2
0.1
99
80
95
25
3.5
11
-9
+4
V
IN
GND + 50
mV
dB
V
dB
dB
mV
兆赫
mA
mA
V
IN
= 3.0V至5.0V ,V
CM
= 1.2V
注2 ,注3
V
IN
= 5V, V
CM
= 0V至2.5V
R
L
= 5 kΩ到V
IN
/ 2 , 100毫伏< V
EAOUT
& LT ; V
IN
- 100毫伏,V
CM
= 1.2V
RL = 5 k到V
IN
/2
V
IN
= 5V
V
IN
= 5V, V
REF
= 1.2V, V
FB
= 1.4V,
V
COMP
= 2.0V
V
IN
= 5V, V
REF
= 1.2V, V
FB
= 1.0V,
V
COMP
= 2.0V ,绝对超值
V
REF
0
V
IN
V
注2 ,注3
F
OSC
T
OH
=最小值。
T
OL
=最小值。
T
上升
T
秋天
V
L
V
H
C
OSC
0.01
0.01
2.0
10
5
10
10
0.8
1
兆赫
ns
s
s
V
V
pf
注2
注2
注1
V
IN
I( V
IN
)
3.0
2.8
5.5
4.5
V
mA
I
EXT
= 0 mA时,女
OSC IN
= 0赫兹
符号
典型值
最大
单位
条件
更高的工作频率取决于所需的最小和最大占空比。
外部振荡器输入( OSC IN)的上升和下降为10 ns ,并用于表征测试10 μs之间。信号
在10%和90%的最大和最小测量0.8V和2.0V之间具有上升和水平下降时间
值。未经生产测试。
内部放大器的参考输入能轨对轨工作。
2:
3:
DS21896A第4页
2004年Microchip的科技公司
MCP1630
直流特性(续)
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
IN
= 3.0V至5.5V ,女
OSC
= 1 MHz的10 %占空比,C
IN
= 0.1 F,
V
IN
典型值= 5.0V ,T
A
= -40 ° C至+ 125°C 。
参数
电流检测输入
最大电流检测信号
延迟从CS到V
EXT
最小占空比
电流检测输入偏置电流
内部驱动器
R
DSON
P沟道
R
DSON
N沟道
V
EXT
上升时间
V
EXT
下降时间
保护功能
欠压锁定
欠压锁定
迟滞
热关断
热关断迟滞
注1 :
UVLO
UVLO
_HYS
T
SHD
T
SHD_HYS
2.7
50
75
150
18
3.0
150
V
mV
°C
°C
V
IN
下降,V
EXT
低状态时,
UVLO
R
DSON_P
R
DSON_N
T
上升
T
秋天
10
7
5.9
6.2
30
30
18
18
ns
ns
C
L
= 100 pF的
典型的V
IN
= 3V
C
L
= 100 pF的
典型的V
IN
= 3V
V
CS_MAX
T
CS_VEXT
DC
I
CS_B
0.85
0.9
12
-0.1
0.95
25
0
V
ns
%
A
V
FB
= V
REF
+ 0.1V,
V
CS
= GND
V
IN
= 5V
通过设置最大误差放大器
钳位电压除以3 。
符号
典型值
最大
单位
条件
更高的工作频率取决于所需的最小和最大占空比。
外部振荡器输入( OSC IN)的上升和下降为10 ns ,并用于表征测试10 μs之间。信号
在10%和90%的最大和最小测量0.8V和2.0V之间具有上升和水平下降时间
值。未经生产测试。
内部放大器的参考输入能轨对轨工作。
2:
3:
温度参数
电气连接特定的阳离子:
V
IN
= 3.0V至5.5V ,女
OSC
= 1 MHz的10 %占空比,C
IN
= 0.1 μF 。牛逼
A
= -40 ° C至+ 125°C 。
参数
温度范围
工作结温
范围
存储温度范围
最高结温
封装热阻
热阻, MSOP8
θ
JA
208
° C / W典型4层电路板
T
A
T
A
T
J
-40
-65
+125
+150
+150
°C
°C
°C
短暂
稳定状态
符号
典型值
最大
单位
条件
2004年Microchip的科技公司
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    MCP1630E/MS
    -
    -
    -
    -
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MCP1630E/MS
MICROCHIP
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1000
QFN32
原装正品 力挺实单
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MCP1630E/MS
Microchip
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MCP1630E/MS
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MCP1630E/MS
Microchip
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5
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MCP1630E/MS
Microchip
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