MCP1623/24
低电压输入升压稳压器
对于PIC
微控制器
产品特点：
高达96％的典型效率
425毫安典型峰值输入电流限制：
- I
OUT
> 50毫安@ 1.2V V
IN
, 3.3V V
OUT
- I
OUT
> 175毫安@ 2.4V V
IN
, 3.3V V
OUT
- I
OUT
> 175毫安@ 3.3V V
IN，
5.0V V
OUT
低启动电压： 0.65V ， 3.3V典型的V
OUT
@ 1毫安
低输入工作电压： 0.35V ，典型的
3.3V
OUT
@ 1毫安
可调输出电压范围： 2.0V至5.5V
=最大输入电压
V
OUT
＆ LT ; 5.5V
自动PFM / PWM操作（ MCP1624 ）
仅PWM操作（ MCP1623 ）
500 kHz的PWM频率
低器件静态电流： 19 μA ，典型
PFM模式
内部同步整流器
内部补偿
浪涌电流限制和内部软启动
真正的负载断开
关断电流（所有国家） ： < 1 μA
低噪声，抗振铃控制
过温保护
SOT- 23-6封装
概述：
在MCP1623 / 24是一款紧凑型，高效率，固定
频率，同步升压型DC -DC转换器。它
提供了用于PIC一个易于使用的电源解决方案
单片机应用搭载任何一个细胞，
两节或三节碱性电池，镍镉电池，镍氢电池，一个电池
锂离子或锂聚合物电池。
低电压技术允许稳压器启动
没有高浪涌电流和输出电压过冲
从低0.65V的输入。高效率是通过完成
集成低电阻N沟道升压开关
和同步P沟道开关。所有补偿
和保护电路集成，以尽量减少外部
组件。对于待机应用， MCP1624
工作，仅消耗19 μA ，而在不工作
负载。该MCP1623器件选项是可用的
工作在PWM -only模式。
“真”负载断开模式提供输入到输出
隔离，同时禁止（ EN = GND）通过删除
正常升压稳压二极管通路从输入到输出。
这种模式功耗低于1 μA的输入电流。
输出电压是由一个小的外部电阻器来设定
分频器。
包装
MCP1623/24
6引脚SOT- 23
SW 1
GND 2
EN 3
6 V
IN
5 V
OUT
4 V
FB
应用范围：
一，二，三节碱性电池和镍氢/镍镉电池
低功耗PIC
单片机应用
2010 Microchip的技术公司
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MCP1623/24
1.0
电动
特征
注意：
上面讲的那些最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在这个业务部门所标明
说明书并不打算。暴露于最高
额定条件下长时间可能会影响
器件的可靠性。
绝对最大额定值
EN ， FB ，V
IN，
V
SW
, V
OUT
- GND ........................... + 6.5V
EN ， FB ........... V的<greater
OUT
或V
IN
> （ GND - 0.3V ）
输出短路电流.......................连续
功耗............................内部限制
储存温度.........................- 65
o
C至+150
o
C
环境温度。与电源应用......- 40
o
C至+ 85
o
C
工作结温........- 40
o
C至+ 125
o
C
ESD保护所有引脚：
HBM ................................................. ....... 3千伏
MM ................................................. ....... 300 V
DC特性
电气特性：
除非另有说明，V
IN
= 1.2V ，C
OUT
= C
IN
= 10 μF ， L = 4.7 μH ，V
OUT
= 3.3V,
I
OUT
= 15毫安，T
A
= +25°C.
粗体
规格适用于经t
A
-40系列
o
C至+ 85
o
C.
参数
输入特性
最低启动电压
最小输入电压后，
启动
输出电压调节范围
最大输出电流
反馈电压
反馈输入偏置电流
静态电流 - PFM
模式
静态电流 - PWM
模式
静态电流 - 关闭
V
IN
V
IN
V
OUT
I
OUT
V
FB
I
VFB
I
QPFM
—
—
2.0
50
1.120
—
—
—
1.21
10
19
0.65
0.35
0.8
—
5.5
—
1.299
—
30
V
V
V
mA
V
pA
A
注1
注1
V
OUT
V
IN
;
注2
1.5V V
IN
, 3.3V V
OUT
—
—
测量V
OUT
= 4.0V;
EN = V
IN
, I
OUT
= 0 mA时;
注3
测量V
OUT
; EN = V
IN
I
OUT
= 0 mA时;
注3
V
OUT
= EN = GND ;
包括N沟道和
P沟道漏电开关
V
IN
= V
SW
= 5V; V
OUT
=
5.5V V
EN
= V
FB
= GND
V
IN
VS =
W
= GND ;
V
OUT
= 5.5V
V
IN
= 3.3V ，我
SW
= 100毫安
V
IN
= 3.3V ，我
SW
= 100毫安
符号。
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
I
QPWM
I
QSHDN
—
—
220
0.7
—
2.3
A
A
NMOS开关漏电
PMOS开关漏
NMOS开关导通电阻
PMOS开关导通电阻
注1 ：
2:
3:
4:
5:
I
NLK
I
保良局
R
DS （ON ）N
R
DS （ ON） P
—
—
—
—
0.3
0.05
0.6
0.9
1
0.2
—
—
A
A
3.3 k电阻性负载， 3.3V
OUT
（1 mA）的。
对于V
IN
＆ GT ; V
OUT
, V
OUT
会不会留在调控。
I
Q
从V测
OUT
; V
IN
静态电流升压比率而变化。 V
IN
静态电流可
（ I：按估计
QPFM
* (V
OUT
/V
IN
)), (I
QPWM
* (V
OUT
/V
IN
)).
220阻性负载， 3.3V
OUT
（15 mA）的。
由特性决定的峰值电流限制，未经生产测试。
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MCP1623/24
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。这里所列出的性能特点是
没有测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，否则
V
IN
= EN = 1.2V ，C
OUT
= C
IN
= 10 μF ， L = 4.7 μH ，V
OUT
= 3.3V ，我
负载
= 15毫安，T
A
= +25°C.
27.5
25.0
V
IN
= 1.2V
V
OUT
= 5.0V
22.5
20.0
17.5
15.0
12.5
10.0
-40
-25
-10
5
20
35
50
65
80
V
OUT
= 2.0V
V
OUT
= 3.3V
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
1
V
IN
= 1.6V
I
Q
PFM模式（ μA ）
效率（％）
V
IN
= 0.8V
V
IN
= 1.2V
10
100
1000
环境温度（ ℃）
I
OUT
（MA ）
图2-1：
V
OUT
I
Q
- 环境
温度在PFM模式。
300
275
250
225
200
175
150
-40
-25
-10
5
20
35
50
65
80
V
OUT
= 3.3V
V
IN
= 1.2V
V
OUT
= 5.0V
图2-4：
MCP1624效率 -
I
OUT
, V
OUT
= 2.0V.
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
1
V
IN
= 2.5V
I
Q
PWM模式（ μA ）
效率（％）
V
IN
= 0.8V
V
IN
= 1.2V
10
100
1000
环境温度（ ℃）
I
OUT
（MA ）
图2-2：
V
OUT
I
Q
- 环境
温度在PWM模式。
350
图2-5：
MCP1624效率 -
I
OUT
, V
OUT
= 3.3V.
100
V
IN
= 3.6V
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
V
IN
= 1.8V
V
IN
= 1.2V
输出电流（mA ）
300
250
200
150
100
50
0
0.5
1
1.5
V
OUT
= 2.0V
V
OUT
= 3.3V
V
OUT
= 5.0V
效率（％）
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0.1
1
10
100
1000
输入电压（ V）
I
OUT
（MA ）
图2-3：
V
OUT
.
MCP1623 / 24 I
OUTMAX
与
图2-6：
MCP1624效率 -
I
OUT
, V
OUT
= 5.0V.
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