MCP14700
双输入同步MOSFET驱动器
产品特点：
非常适合驱动低图-的品质因数（ FOM ）
MOSFET的如Microchip的MCP87000
MOSFET系列
对于高端独立PWM输入控制
侧和低侧栅极驱动器
输入逻辑电平阈值3.0V TTL兼容
双输出MOSFET驱动器进行同步
应用
高峰值输出电流： 2A （典型值）
内部自举闭锁装置
+ 36V BOOT引脚最大额定值
低电源电流： 45 μA （典型值）
高容性负载驱动能力：
- 3300 pF的在10.0纳秒（典型值）
输入电压欠压锁定保护
过温保护
节省空间的封装：
- 8引脚SOIC
- 8引脚3×3 DFN
概述：
该MCP14700是一个高速同步
MOSFET驱动器设计为最优地驱动高侧
和低端N沟道MOSFET 。它特别好地
适合用于驱动低FOM的MOSFET ，其中包括
Microchip的MCP87000系列高速
的MOSFET。该MCP14700有两个PWM输入
允许外部N通道独立控制
的MOSFET。由于没有内部交叉传导
保护电路的外部MOSFET死区时间
可以被严格控制，允许更有效的
系统或唯一的电机控制算法。
过渡阈值的PWM输入是
通常在1.6V上升PWM输入信号，通常
1.2V上落下的PWM输入信号。这使得
MCP14700非常适合于采用3.0V控制器
TTL / CMOS逻辑。该PWM输入在内部上拉
低保证输出驱动信号是低电平，如果
输入浮动。
该HIGHDR和LOWDR峰值源电流
该MCP14700器件的性能通常是2A 。
而HIGHDR能吸收2A的峰值通常情况下，
LOWDR能够吸收峰值3.5A的典型。低
电阻的上拉和下拉驱动器允许的
MCP14700快速转型3300 pF负载
通常为10纳秒。自举对高边驱动器是
内部实现其允许减小
系统成本和设计复杂性。
该MCP14700具有欠压锁定（ UVLO ）
以500mV的典型滞后。过热
保护与滞后也是特色的
装置。
应用范围：
三相BLDC电机控制
高效同步DC / DC降压
转换器
大电流低输出电压同步
DC / DC降压转换器
高输入电压同步DC / DC降压
转换器
核心电压供电的微处理器
封装类型
MCP14700
SOIC
相
1
PWM
HI
2
PWM
LO
3
GND
4
8
HIGHDR
7
BOOT
6
V
CC
5
LOWDR
MCP14700
3×3 DFN *
相
1
PWM
HI
2
PWM
LO
3
GND
4
EP
9
8
HIGHDR
7
BOOT
6
V
CC
5
LOWDR
*包括裸露的散热焊盘（ EP ） ;看
表3-1 。
2009-2013 Microchip的科技公司
DS22201B第1页
MCP14700
1.0
电动
特征
注意：
上面讲的那些最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在本规范钙的业务部门所标明
化并不意。暴露在绝对最大额定值CON-
ditions长时间工作会影响器件
可靠性。
绝对最大额定值
V
CC
.................................................. ...... -0.3V到+ 7.0V
V
BOOT
.................................................. -0.3V至+ 36.0V
V
相
............................ V
BOOT
- 7V至V
BOOT
+ 0.3V
V
PWM
.............................................- 0.3V至V
CC
+ 0.3V
V
HIGHDR
......................V
相
- 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
V
LOWDR
.........................................- 0.3V至V
CC
+ 0.3V
ESD保护所有引脚......................... 2千伏（ HBM ）
.................................................. .................. 400V （ MM ）
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
CC
= 5.0V ，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
参数
V
CC
供应需求
V
CC
工作范围
偏置电源电压
UVLO （瑞星V
CC
)
UVLO迟滞
PWM输入要求
PWM输入电流
PWM输入电流
PWM
LO
和PWM
HI
升起
门槛
PWM
LO
和PWM
HI
落下
门槛
PWM输入滞后
输出要求
高输出电压（ HIGHDR
和LOWDR ）
低输出电压（ HIGHDR
和LOWDR ）
高驱动源电阻
高驱动水槽性
高驱动电流源
高驱动灌电流
低驱动源电阻
低驱动吸收电阻
低驱动电流源
低驱动灌电流
注1 ：
2:
V
OH
V
OL
R
HI_SRC
R
HI_SINK
I
HI_SRC
I
HI_SINK
R
LO_SRC
R
LO_SINK
I
LO_SRC
I
LO_SINK
V
CC
- 0.025
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.0
1.0
2.0
2.0
1.0
0.5
2.0
3.5
—
0.025
2.5
2.5
—
—
2.5
1.0
—
—
V
V
A
A
A
A
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 5.0V
500毫安源电流，
注1
500毫安灌电流，
注1
注1
注1
500毫安源电流，
注1
500毫安灌电流，
注1
注1
注1
I
PWM
I
PWM
PWM
HI_TH
PWM
LO_TH
PWM
HYS
—
—
1.40
1.10
—
7.0
1.0
1.60
1.20
400
10
—
1.80
1.30
—
A
nA
V
V
mV
V
PWM
= 3.0V
V
PWM
= 0V
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 5.0V
V
CC
I
VCC
V
UVLO
V
HYS
4.5
—
—
—
5.0
45
3.50
500
5.5
—
4.00
—
V
A
V
mV
PWM
HI
和PWM
LO
针
漂浮的
符号。
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
参数性能可以保证，未经生产测试。
SEE
图4-1
和
图4-2
参数定义。
2009-2013 Microchip的科技公司
DS22201B第5页
MCP14700
1.0
电动
特征
注意：
注意，超出上述"Maximum下上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在本规范钙的业务部门所标明
化并不意。暴露在绝对最大额定值CON-
ditions长时间工作会影响器件
可靠性。
绝对最大额定值
V
CC
.................................................. ...... -0.3V到+ 7.0V
V
BOOT
.................................................. -0.3V至+ 36.0V
V
相
............................ V
BOOT
- 7V至V
BOOT
+ 0.3V
V
PWM
.............................................- 0.3V至V
CC
+ 0.3V
V
HIGHDR
......................V
相
- 0.3V至V
BOOT
+ 0.3V
V
LOWDR
.........................................- 0.3V至V
CC
+ 0.3V
ESD保护所有引脚......................... 2千伏（ HBM ）
.................................................. .................. 400V （ MM ）
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
CC
= 5.0V ，T
J
= -40 ° C至+ 125°C
参数
V
CC
供应需求
V
CC
工作范围
偏置电源电压
UVLO （瑞星V
CC
)
UVLO迟滞
PWM输入要求
PWM输入电流
PWM输入电流
PWM
LO
和PWM
HI
升起
门槛
PWM
LO
和PWM
HI
落下
门槛
PWM输入滞后
输出要求
高输出电压（ HIGHDR
和LOWDR ）
低输出电压（ HIGHDR
和LOWDR ）
高驱动源电阻
高驱动水槽性
高驱动电流源
高驱动灌电流
低驱动源电阻
低驱动吸收电阻
低驱动电流源
低驱动灌电流
注1 ：
2:
V
OH
V
OL
R
HI_SRC
R
HI_SINK
I
HI_SRC
I
HI_SINK
R
LO_SRC
R
LO_SINK
I
LO_SRC
I
LO_SINK
V
CC
- 0.025
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.0
1.0
2.0
2.0
1.0
0.5
2.0
3.5
—
0.025
2.5
2.5
—
—
2.5
1.0
—
—
V
V
Ω
Ω
A
A
Ω
Ω
A
A
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 5.0V
500毫安源电流，
注1
500毫安灌电流，
注1
注1
注1
500毫安源电流，
注1
500毫安灌电流，
注1
注1
注1
I
PWM
I
PWM
PWM
HI_TH
PWM
LO_TH
PWM
HYS
—
—
1.40
1.10
—
7.0
1.0
1.60
1.20
400
10
—
1.80
1.30
—
A
nA
V
V
mV
V
PWM
= 3.0V
V
PWM
= 0V
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 5.0V
V
CC
I
VCC
V
UVLO
V
HYS
4.5
—
—
—
5.0
45
3.50
500
5.5
—
4.00
—
V
A
V
mV
PWM
HI
和PWM
LO
针
漂浮的
符号
民
典型值
最大
单位
条件
参数性能可以保证，未经生产测试。
SEE
图4-1
和
图4-2
参数定义。
2009年Microchip的科技公司
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