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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1998页 > MCP1415T-E/OT
MCP1415/16
微小的1.5A ，高速功率MOSFET驱动器
特点
高峰值输出电流： 1.5A （典型值）
宽输入电源电压工作范围：
- 4.5V至18V
低直通/交叉传导电流的
输出级
高容性负载驱动能力：
- 470 pF的13纳秒（典型值）
- 1000 pF的20纳秒（典型值）
短延迟时间： 41纳秒（T
D1
） ， 48纳秒（T
D2
)
（典型值）
低电源电流：
- 对于逻辑“1”输入 - 0.65毫安（典型值）
- 对于逻辑“0”输入 - 0.1 mA（典型值）
闭锁保护：可承受500毫安
反向电流
逻辑输入可承受负电压最高达
5V
节省空间的5L SOT- 23封装
概述
MCP1415 / 16器件是高速MOSFET驱动器
那些能够提供的峰值电流为1.5A 。该
反相或非反相的单声道输出
从TTL或CMOS （ 3V至直接控制
18V ）的逻辑。这些器件还具有低的拍摄开启
通过电流，匹配的上升和下降时间，以及短
传播延迟，这使得它们非常适合高
开关频率的应用。
MCP1415 / 16器件采用4.5V操作
18V电源，并可以很容易地进行充电和放电
在20岁以下纳秒（典型值） 1000 pF的栅极电容。
它们提供了足够低的阻抗在两者上
和关闭状态，以确保的预期状态
MOSFET将不会受到影响，即使是大的瞬变。
这些设备是高度闭锁性在任何
在其功率和电压的条件。他们
不受到损坏时，噪声尖峰（最多
任一极性）的5V ，发生在接地引脚。他们
可以接受，不会损坏或逻辑混乱，达
反向电流500毫安被迫回到自己的
输出。所有引脚都被充分保护，以防止
静电放电（ ESD ）高达2.0千伏（ HBM ）和
400V （ MM ） 。
应用
开关模式电源
脉冲变压器驱动
线路驱动器
电平转换器
马达和螺线管驱动
套餐类型：
SOT-23-5
MCP1415
NC 1
V
DD
2
IN 3
4 GND
GND
5 OUT
MCP1416
OUT
MCP1415R MCP1416R
NC 1
GND 2
IN 3
4
OUT
OUT
V
DD
V
DD
5
2010 Microchip的技术公司
DS22092D第1页
MCP1415/16
功能框图
反相
650 A
300毫伏
产量
V
DD
输入
有效
输入C = 25 pF的
（每个输入）
GND
注意：
4.7V
非反相
MCP1415
反相
MCP1416
非反相
未使用的输入应接地。
DS22092D第2页
2010 Microchip的技术公司
MCP1415/16
1.0
电动
特征
注意：
注意，超出上述"Maximum下上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在本规范钙的业务部门所标明
化并不意。暴露在绝对最大额定值CON-
ditions长时间工作会影响器件
可靠性。
绝对最大额定值
V
DD
，电源电压............................................. + 20V
V
IN
，输入电压.............. （V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5V ）
封装功耗（T
A
= 50°C)
5L SOT23 ................................................ ...... 0.39W
ESD保护所有引脚...................... 2.0千伏（ HBM ）
.................................................. .................. 400V （ MM ）
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
V
DD
18V
参数
输入
逻辑'1'高输入电压
逻辑“0”低输入电压
输入电流
输入电压
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
闭锁保护承受
反向电流
切换时间（注
1)
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电压
电源电流
注1 ：
2:
V
DD
I
S
I
S
4.5
—
—
—
0.65
0.1
18
1.1
0.15
V
mA
mA
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
20
20
41
48
25
25
50
55
ns
ns
ns
ns
图4-1 ，图4-2
C
L
= 1000 pF的
（注
2)
图4-1 ，图4-2
C
L
= 1000 pF的
（注
2)
图4-1 ，图4-2
（注
2)
图4-1 ，图4-2
（注
2)
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PK
I
转
V
DD
- 0.025
—
—
—
—
0.5
—
—
6
4
1.5
—
—
0.025
7.5
5.5
—
—
V
V
A
A
直流测试
直流测试
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
（注
2)
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
（注
2)
V
DD
= 18V
（注
2)
占空比
2%, t
300 s
（注
2)
V
IH
V
IL
I
IN
V
IN
2.4
—
-1
-5
1.9
1.6
—
—
—
0.8
+1
V
DD
+0.3
V
V
A
V
0V
V
IN
V
DD
符号
民
典型值
最大
单位
条件
开关时间由设计保证。
特性测试，未经生产测试。
2010 Microchip的技术公司
DS22092D第3页
MCP1415/16
直流特性（在整个工作温度范围内）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，在操作范围内以4.5V
V
DD
18V.
参数
输入
逻辑“1” ，高输入电压
逻辑“0” ，低输入电压
输入电流
输入电压
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
切换时间（注
1)
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电压
电源电流
注1 ：
2:
V
DD
I
S
I
S
4.5
—
—
—
0.75
0.15
18
1.5
0.25
V
mA
mA
V
IN
= 3.0V
V
IN
= 0V
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
30
30
45
50
40
40
55
60
ns
ns
ns
图4-1 ，图4-2
C
L
= 1000 pF的
（注
2)
图4-1 ，图4-2
C
L
= 1000 pF的
（注
2)
图4-1 ，图4-2
（注
2)
图4-1 ，图4-2
（注
2)
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
V
DD
- 0.025
—
—
—
—
—
8.5
6
—
0.025
9.5
7
V
V
直流测试
直流测试
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
（注
2)
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
（注
2)
V
IH
V
IL
I
IN
V
IN
2.4
—
-10
-5
—
—
—
—
—
0.8
+10
V
DD
+0.3
V
V
A
V
0V
V
IN
V
DD
符号
民
典型值
最大
单位
条件
开关时间由设计保证。
特性测试，未经生产测试。
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数适用于4.5V
V
DD
18V
参数
温度范围
特定网络版温度范围
最高结温
存储温度范围
封装热阻
热阻，5引脚SOT23封装
JA
—
256
—
° C / W
T
A
T
J
T
A
-40
—
-65
—
—
—
+125
+150
+150
°C
°C
°C
符号
民
典型值
最大
单位
评论
DS22092D第4页
2010 Microchip的技术公司
MCP1415/16
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。这里所列出的性能特点是
没有测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
V
DD
= 18V.
400
350
上升时间（纳秒）
300
250
200
150
100
50
0
4
6
8
10
12
14
16
18
电源电压（ V）
3300 pF的
1000 pF的
6800 pF的
470 pF的
300
万pF的
万pF的
250
下降时间（纳秒）
200
150
100
50
0
4
6
8
10
12
14
16
18
电源电压（ V）
1000 pF的
3300 pF的
6800 pF的
470 pF的
图2-1：
电压。
225
200
上升时间（纳秒）
175
150
125
100
75
50
25
0
100
5V
上升时间与供应
图2-4：
电压。
200
下降时间与供应
12V
175
下降时间（纳秒）
150
125
100
75
50
25
0
100
5V
18V
12V
18V
1000
容性负载（PF ）
10000
1000
容性负载（PF ）
10000
图2-2：
负载。
35
30
时间（纳秒）
25
20
15
10
-40 -25 -10
5
t
秋天
上升时间与电容
图2-5：
负载。
54
传播延迟（ NS ）
下降时间 - 容性
C
负载
= 1000 pF的
V
DD
= 18V
52
50
48
46
44
42
40
4
V
DD
= 12V
t
D2
t
上升
t
D1
20
35 50 65 80 95 110 125
5
6
7
8
9
10
11
12
温度（℃）
输入幅值（ V）
图2-3：
温度。
上升和下降时间与
图2-6：
输入幅度。
传输延迟时间 -
2010 Microchip的技术公司
DS22092D第5页
MCP1415/16
微小的1.5A ，高速功率MOSFET驱动器
特点
高峰值输出电流： 1.5A （典型值）
宽输入电源电压工作范围：
- 4.5V至18V
低直通/交叉传导电流的
输出级
高容性负载驱动能力：
- 470 pF的13纳秒（典型值）
- 1000 pF的20纳秒（典型值）
短延迟时间： 41纳秒（T
D1
） ， 48纳秒（T
D2
)
（典型值）
低电源电流：
- 对于逻辑“1”输入 - 0.65毫安（典型值）
- 对于逻辑“0”输入 - 0.1 mA（典型值）
闭锁保护：可承受500毫安
反向电流
逻辑输入可承受负电压最高达
5V
节省空间的5L SOT- 23封装
概述
MCP1415 / 16器件是高速MOSFET驱动器
那些能够提供的峰值电流为1.5A 。该
反相或非反相的单声道输出
从TTL或CMOS （ 3V至直接控制
18V ）的逻辑。这些器件还具有低的拍摄开启
通过电流，匹配的上升和下降时间，以及短
传播延迟，这使得它们非常适合高
开关频率的应用。
MCP1415 / 16器件采用4.5V操作
18V电源，并可以很容易地进行充电和放电
在20岁以下纳秒（典型值） 1000 pF的栅极电容。
它们提供了足够低的阻抗在两者上
和关闭状态，以确保的预期状态
MOSFET将不会受到影响，即使是大的瞬变。
这些设备是高度闭锁性在任何
在其功率和电压的条件。他们
不受到损坏时，噪声尖峰（最多
任一极性）的5V ，发生在接地引脚。他们
可以接受，不会损坏或逻辑混乱，达
反向电流500毫安被迫回到自己的
输出。所有引脚都被充分保护，以防止
静电放电（ ESD ）高达2.0千伏（ HBM ）和
400V （ MM ） 。
应用
开关模式电源
脉冲变压器驱动
线路驱动器
电平转换器
马达和螺线管驱动
套餐类型：
SOT-23-5
MCP1415
NC 1
V
DD
2
IN 3
4 GND
GND
5 OUT
MCP1416
OUT
MCP1415R MCP1416R
NC 1
GND 2
IN 3
4
OUT
OUT
V
DD
V
DD
5
2010 Microchip的技术公司
DS22092D第1页
MCP1415/16
功能框图
反相
650 A
300毫伏
产量
V
DD
输入
有效
输入C = 25 pF的
（每个输入）
GND
注意：
4.7V
非反相
MCP1415
反相
MCP1416
非反相
未使用的输入应接地。
DS22092D第2页
2010 Microchip的技术公司
MCP1415/16
1.0
电动
特征
注意：
注意，超出上述"Maximum下上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
在本规范钙的业务部门所标明
化并不意。暴露在绝对最大额定值CON-
ditions长时间工作会影响器件
可靠性。
绝对最大额定值
V
DD
，电源电压............................................. + 20V
V
IN
，输入电压.............. （V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5V ）
封装功耗（T
A
= 50°C)
5L SOT23 ................................................ ...... 0.39W
ESD保护所有引脚...................... 2.0千伏（ HBM ）
.................................................. .................. 400V （ MM ）
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
V
DD
18V
参数
输入
逻辑'1'高输入电压
逻辑“0”低输入电压
输入电流
输入电压
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
闭锁保护承受
反向电流
切换时间（注
1)
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电压
电源电流
注1 ：
2:
V
DD
I
S
I
S
4.5
—
—
—
0.65
0.1
18
1.1
0.15
V
mA
mA
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
20
20
41
48
25
25
50
55
ns
ns
ns
ns
图4-1 ，图4-2
C
L
= 1000 pF的
（注
2)
图4-1 ，图4-2
C
L
= 1000 pF的
（注
2)
图4-1 ，图4-2
（注
2)
图4-1 ，图4-2
（注
2)
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PK
I
转
V
DD
- 0.025
—
—
—
—
0.5
—
—
6
4
1.5
—
—
0.025
7.5
5.5
—
—
V
V
A
A
直流测试
直流测试
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
（注
2)
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
（注
2)
V
DD
= 18V
（注
2)
占空比
2%, t
300 s
（注
2)
V
IH
V
IL
I
IN
V
IN
2.4
—
-1
-5
1.9
1.6
—
—
—
0.8
+1
V
DD
+0.3
V
V
A
V
0V
V
IN
V
DD
符号
民
典型值
最大
单位
条件
开关时间由设计保证。
特性测试，未经生产测试。
2010 Microchip的技术公司
DS22092D第3页
MCP1415/16
直流特性（在整个工作温度范围内）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，在操作范围内以4.5V
V
DD
18V.
参数
输入
逻辑“1” ，高输入电压
逻辑“0” ，低输入电压
输入电流
输入电压
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
切换时间（注
1)
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电压
电源电流
注1 ：
2:
V
DD
I
S
I
S
4.5
—
—
—
0.75
0.15
18
1.5
0.25
V
mA
mA
V
IN
= 3.0V
V
IN
= 0V
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
30
30
45
50
40
40
55
60
ns
ns
ns
图4-1 ，图4-2
C
L
= 1000 pF的
（注
2)
图4-1 ，图4-2
C
L
= 1000 pF的
（注
2)
图4-1 ，图4-2
（注
2)
图4-1 ，图4-2
（注
2)
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
V
DD
- 0.025
—
—
—
—
—
8.5
6
—
0.025
9.5
7
V
V
直流测试
直流测试
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
（注
2)
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
（注
2)
V
IH
V
IL
I
IN
V
IN
2.4
—
-10
-5
—
—
—
—
—
0.8
+10
V
DD
+0.3
V
V
A
V
0V
V
IN
V
DD
符号
民
典型值
最大
单位
条件
开关时间由设计保证。
特性测试，未经生产测试。
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数适用于4.5V
V
DD
18V
参数
温度范围
特定网络版温度范围
最高结温
存储温度范围
封装热阻
热阻，5引脚SOT23封装
JA
—
256
—
° C / W
T
A
T
J
T
A
-40
—
-65
—
—
—
+125
+150
+150
°C
°C
°C
符号
民
典型值
最大
单位
评论
DS22092D第4页
2010 Microchip的技术公司
MCP1415/16
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。这里所列出的性能特点是
没有测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
V
DD
= 18V.
400
350
上升时间（纳秒）
300
250
200
150
100
50
0
4
6
8
10
12
14
16
18
电源电压（ V）
3300 pF的
1000 pF的
6800 pF的
470 pF的
300
万pF的
万pF的
250
下降时间（纳秒）
200
150
100
50
0
4
6
8
10
12
14
16
18
电源电压（ V）
1000 pF的
3300 pF的
6800 pF的
470 pF的
图2-1：
电压。
225
200
上升时间（纳秒）
175
150
125
100
75
50
25
0
100
5V
上升时间与供应
图2-4：
电压。
200
下降时间与供应
12V
175
下降时间（纳秒）
150
125
100
75
50
25
0
100
5V
18V
12V
18V
1000
容性负载（PF ）
10000
1000
容性负载（PF ）
10000
图2-2：
负载。
35
30
时间（纳秒）
25
20
15
10
-40 -25 -10
5
t
秋天
上升时间与电容
图2-5：
负载。
54
传播延迟（ NS ）
下降时间 - 容性
C
负载
= 1000 pF的
V
DD
= 18V
52
50
48
46
44
42
40
4
V
DD
= 12V
t
D2
t
上升
t
D1
20
35 50 65 80 95 110 125
5
6
7
8
9
10
11
12
温度（℃）
输入幅值（ V）
图2-3：
温度。
上升和下降时间与
图2-6：
输入幅度。
传输延迟时间 -
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