MCP1406/07
6A高速功率MOSFET驱动器
特点
高峰值输出电流: 6.0A ( TYP。)
低直通/交叉传导电流的
输出级
宽输入电源电压工作范围:
- 4.5V至18V
高容性负载驱动能力:
- 2500 pF的20纳秒
- 6800 pF的40纳秒
短延迟时间: 40 ns(典型值)。
匹配的上升/下降时间
低电源电流:
- 对于逻辑“1”输入 - 130 μA (典型值)。
- 对于逻辑“0”输入 - (典型值), 35 μA
闭锁保护:可承受1.5A的反向
当前
逻辑输入可承受负电压最高达
5V
引脚与TC4420 / TC4429器件兼容
节省空间的8引脚SOIC , PDIP和8引脚6x5
DFN封装
概述
在MCP1406 / 07器件是一个家庭的
该功能的单输出缓冲器/ MOSFET驱动器
与6A峰值电流驱动能力,低贯通
目前,匹配的上升/下降时间和传输延迟
次。这些器件的引脚兼容,并
在TC4420 / TC4429 MOSFET的改进版本
驱动程序。
在MCP1406 / 07 MOSFET驱动器可以轻松充电
放电下2500 pF的栅极电容
20纳秒,提供足够低的阻抗,无论是上
和关闭状态,确保MOSFET的预期状态
也不会受到影响,即使是大的瞬变。输入
到MCP1406 / 07可直接驱动两种
TTL或CMOS ( 3V至18V ) 。
这些设备是高度闭锁性在任何
在其功率和电压的条件。他们
不受到损坏时,最多噪声的5V
扣球(任一极性)发生在接地引脚。所有
终端完全防止静电
放电(ESD )高达4 kV的。
在MCP1406 / 07单输出6A MOSFET驱动器
系列提供表面贴装和引脚
通孔封装,在-40°C至+ 125°C
温度等级,使得它在任何有用的广
温度范围的应用。
应用
开关模式电源
脉冲变压器驱动
线路驱动器
马达和螺线管驱动
封装类型
MCP1407
MCP1406
MCP1406
MCP1407
5引脚TO- 220
选项卡
常见
到V
DD
8引脚PDIP / SOIC
V
DD
1
输入2
NC 3
GND 4
8引脚6x5 DFN
V
DD
输入
NC
GND
8
1
8 V
DD
V
DD
7 OUT输出
6 OUT OUT
5 GND GND
V
DD
V
DD
1 2 3 4 5
搞出来
搞出来
GND GND
输入
GND
V
DD
GND
OUT
注1 :
重名的引脚必须同时连接才能正常工作。
2:
DFN封装的裸露焊盘是电气绝缘的。
2
3
4
7
6
5
2006年Microchip的科技公司
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MCP1406/07
1.0
电动
特征
注意:
注意,超出上述"Maximum下上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值,器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本说明书中的操作部分并不意。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
电源电压................................................ ................ + 20V
输入电压........................ (V
DD
+ 0.3V )至( GND - 5V )
输入电流(V
IN
& GT ; V
DD
) ................................................ 50毫安
DC特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,T
A
= + 25 ℃, 4.5V
≤
V
DD
≤
18V.
参数
输入
逻辑“1” ,高输入电压
逻辑“0” ,低输入电压
输入电流
输入电压
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻,高
输出电阻,低
峰值输出电流
连续输出电流
闭锁保护承受
的反向电流
开关时间(注1 )
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电压
电源电流
注1 :
2:
3:
V
DD
I
S
I
S
4.5
—
—
—
130
35
18.0
250
100
V
A
A
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
20
20
40
40
30
30
55
55
ns
ns
ns
ns
图4-1 ,图4-2
C
L
= 2500 pF的
图4-1 ,图4-2
C
L
= 2500 pF的
图4-1 ,图4-2
图4-1 ,图4-2
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PK
I
DC
I
转
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
1.3
—
1.5
—
—
—
2.1
1.5
6
—
0.025
2.8
2.5
—
V
V
Ω
Ω
A
A
A
直流测试
直流测试
I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 18V
V
DD
=
18V
(注2 )
注2 ,注3
占空比
≤
2%, t
≤
300微秒。
V
IH
V
IL
I
IN
V
IN
2.4
—
–10
-5
1.8
1.3
—
—
—
0.8
10
V
DD
+0.3
V
V
A
V
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
符号
民
典型值
最大
单位
条件
开关时间由设计保证。
特性测试,未经生产测试。
仅对AT和MF包。牛逼
A
= +25°C
2006年Microchip的科技公司
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MCP1406/07
2.0
注意:
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。这里所列出的性能特点是
没有测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
注意:
除非另有说明,T
A
= + 25 ℃, 4.5V < = V
DD
< = 18V 。
120
100
上升时间(纳秒)
80
60
40
20
0
4
100 pF的
80
万pF的
8200 pF的
4700 pF的
2500 pF的
1000 pF的
6800 pF的
70
下降时间(纳秒)
60
50
40
30
20
10
0
100 pF的
万pF的
8200 pF的
1000 pF的
4700 pF的
2500 pF的
6800 pF的
6
8
10
12
14
16
18
4
6
8
10
12
14
16
18
电源电压( V)
电源电压( V)
图2-1:
电压。
80
70
上升时间(纳秒)
50
40
30
20
10
0
100
5V
上升时间与供应
图2-4:
电压。
70
60
下降时间与供应
5V
10V
10V
下降时间(纳秒)
60
50
40
30
20
10
15V
15V
1000
容性负载(PF )
10000
0
100
1000
容性负载(PF )
10000
图2-2:
负载。
30
上升和下降时间( NS )
25
20
15
10
5
0
-40 -25 -10
5
上升时间与电容
图2-5:
负载。
85
传播延迟( NS )
下降时间 - 容性
V
DD
= 18V
t
上升
V
IN
= 5V
t
D1
75
65
55
45
35
t
秋天
t
D2
20 35 50 65 80 95 110 125
温度(℃)
o
4
6
8
10
12
14
16
18
电源电压( V)
图2-3:
温度。
上升和下降时间与
图2-6:
电源电压。
传输延迟 -
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