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通过MCM8A10 / D
超前信息
MCM8A10
引脚分配
顶视图
72 - LEAD SIMM - CASE待定
A1
VSS
A3
A5
A7
VCC
A9
D0
VSS
W1
Q1
A11
VCC
雏菊
D2
VSS
W3
Q3
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
A0
A2
VCC
A4
A6
VSS
A8
Q0
W0
VCC
D1
A10
VSS
雏菊
Q2
W2
VCC
D3
1M ×8位
快速静态RAM模块
该MCM8A10是一个8M位的静态随机存取存储器模块组织
作为8位1,048,576字。该模块提供了在网上一个72引脚单
内存模块（ SIMM ） 。八MCM6227B快速静态RAM ，包装
28引脚SOJ封装安装在印刷电路板连同8
去耦电容。
该MCM6227B组织为1位1,048,576字。静态设计消除
止数据需要使用外部时钟或定时选通，而CMOS电路重新
duces功率消耗，并提供了更高的可靠性。
该MCM8A10配备了芯片使能（E
)
和8分开的写
启用（ W0 - W7 ）输入，允许更大的系统灵活性。
采用5 V单
±
5 ％的电源
快速访问时间： 15 ns的
三态输出
完全兼容TTL
高板密度SIMM套餐
位操作：八个独立的写入启用，每个位
高品质的六层FR4印刷电路板，具有独立的内在动力与
地平面
PD1
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
PD0
VSS
PD2
D4
VSS
W5
Q5
A20
VSS
A18
A16
A14
VCC
A12
D6
VSS
W7
Q7
引脚名称
A0 - A19 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址输入
W0 - W7 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。写入启用
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。芯片使能
D0 - D7 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。数据输入
Q0 - Q7 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。数据输出
PD0 - PD2 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。封装密度
DAISY 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。销单网
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5 V电源
VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地
对于该设备的正确操作时，VSS必须连接
到地面。
VCC
Q4
W4
VCC
D5
A21
A19
VCC
A17
A15
VSS
A13
Q6
W6
VCC
D7
E
本文件包含的新产品信息。在此说明和信息，如有变更，恕不另行通知。
10/30/96
摩托罗拉公司1996年
摩托罗拉快速SRAM
MCM8A10
1
真值表
E
H
L
L
W
X
H
L
模式
未选择
读
写
I / O引脚
高-Z
DOUT
高-Z
周期
—
读
写
当前
ISB1 ， ISB2
ICCA
ICCA
注：H =高，L =低，X =无关
绝对最大额定值
（见注）
等级
电源电压相对于Vss的
电压相对于VSS的任何引脚
除了VCC
输出电流
功耗
在偏置温度
工作温度
储存温度
符号
VCC
VIN，VOUT
IOUT
PD
Tbias
TA
TSTG
价值
- 0.5 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
8.8
- 10至+ 85
0至+ 70
- 55至+ 150
单位
V
V
mA
W
°C
°C
°C
该器件包含电路保护
输入不受损坏，由于高静电压
年龄或电场;然而，建议
正常的预防措施，以避免
施加任何电压的比马克西更高
妈妈的额定电压为这些高阻抗
电路。
该CMOS存储器电路已
专为满足DC与AC规范
表中所示，热平衡后
已经建立。该电路是在一个测试
插座或安装在印刷电路板
和至少为500英尺长的横向空气流
每分钟保持。
注：如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备
超标。功能操作应仅限于推荐能操作
阿婷条件。暴露于高于推荐电压
长时间可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件和特点
（ VCC = 5.0 V
±
5 ％ ， TA = 0 70 ° C，除非另有说明）
推荐工作条件
参数
电源电压（工作电压范围）
输入高电压
输入低电压
* VIL （分钟） = - 0.5 V直流; VIL （分） = - 2.0 V AC（脉冲宽度
≤
20纳秒） 。
** VIH （最大值） = VCC + 0.3 V直流; VIH （最大值） = VCC + 2 V AC（脉冲宽度
≤
20纳秒） 。
符号
VCC
VIH
VIL
民
4.75
2.2
– 0.5*
最大
5.25
VCC + 0.3 **
0.8
单位
V
V
V
直流特性和供电电流
参数
输入漏电流（所有输入， VIN = 0至VCC ）
输出漏电流（E = VIH时，VOUT = 0 VCC ）
活动交流电源电流（IOUT = 0 mA时， VCC =最大值）
AC待机电流（ VCC =最大， E = VIH ，女
≤
FMAX ）
CMOS待机电流（E
≥
VCC - 0.2 V ，输入电压
≤
VSS + 0.2 V或
≥
VCC - 0.2 V ，
VCC =最大， F = 0兆赫）
输出低电压（ IOL = + 8.0毫安）
输出高电压（ IOH = - 4.0毫安）
符号
ILKG （I）的
ILKG （ O）
ICCA
ISB1
ISB2
VOL
VOH
民
—
—
—
—
—
—
2.4
最大
±
1
±
1
920
320
40
0.4
—
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
电容
（ F = 1.0兆赫，DV = 3.0 V， TA = 25 ° C，而定期取样超过100％测试）
特征
输入电容
地址输入
E
W
D，Q
符号
CIN
典型值
42
50
10
10
最大
58
74
13
13
单位
pF
输入和输出电容
CIN，COUT
pF
摩托罗拉快速SRAM
MCM8A10
3
交流工作条件和特点
（ VCC = 5.0 V
±
5 ％ ， TA = 0 + 70 ° C，除非另有说明）
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 3.0 V
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2纳秒
输入定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输出定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图1a
读周期时序
（见注1和2 ）
MCM8A10–15
参数
P
读周期时间
地址访问时间
启用访问时间
从地址变更输出保持
使能低到输出有效
能高到输出高阻
符号
S B升
tAVAV
tAVQV
TELQV
tAXQX
TELQX
TEHQZ
民
15
—
—
5
5
0
最大
—
15
15
—
—
6
单位
U I
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5, 6, 7
5, 6, 7
4
笔记
N
2, 3
注意事项：
1， W为高读周期。
2.产品的灵敏度噪声需要适当的接地和电源去耦以及最小化或消除总线
在读写周期竞争的条件。
3.所有的定时从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
4.地址有效之前或重合为E变低。
5.在任何给定的电压和温度， tEHQZ max小于tELQX分钟，既对于给定的设备和从设备到设备。
6.转换测量
±
500毫伏的稳态电压与图1B的载荷。
7.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
8.设备不断选择（E
≤
VIL ） 。
+5V
RL = 50
产量
Z0 = 50
VL = 1.5 V
480
产量
255
5 pF的
时序极限值
定时值的表显示任一
最小或最大极限为每个参
安静。输入要求从指定
视外部系统点。因此， AD-
着装设置时间被示为最小
因为系统必须提供至少是
多的时间。另一方面，响应
从存储器被从DE-指定
副观点。因此，访问时间是
示为最大，因为该设备从未
超过该时间后提供的数据。
(a)
(b)
图1. AC测试负载
MCM8A10
4
摩托罗拉快速SRAM
QQ：2880707522 复制
