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摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MCM72F10 / D
8MB同步快速静态
内存模块
该MCM72F10 (2MB )被配置为1M X 72位。它被封装在一个
168脚双列直插存储器模块的DIMM。该模块采用Motorola的3.3 V ,
256K ×18位流通BurstRAMs 。
除了输出地址(A ) ,数据输入( DQ , DP ) ,和所有的控制信号使
(G)中的时钟(K)通过正边沿触发的同相控制
寄存器。
写周期是内部自定时的通过的上升沿启动
时钟( K)的输入。此功能提供了进入的时机增加灵活性
信号。同步字节写入( W)允许其写入单个字节或
两个字节。
采用3.3 V单+ 10 % , - 5 %电源
插头和1MB , 2MB , 4MB和引脚兼容性
多个时钟引脚用于精简加载
所有输入和输出都是LVTTL兼容
字节写能力
快速SRAM访问时间: 12年8月9日NS
高品质多层FR4电路板,带独立电源和接地
飞机
AMP连接器,部件号: 390064-4
168针DIMM模块
MCM72F10
168 -LEAD DIMM
CASE待定
顶视图
1
11
40
41
84
REV 1
11/26/97
摩托罗拉1997年公司
摩托罗拉快速SRAM
MCM72F10
1
框图
256K ×18
SE1
G
A0 – A17
ADSC
SBA
SBB
K
DQa0 - DQa7
DQa8
DQb0 - DQb7
DQb8
SE2
ADV
ADSP
SGW
SW
LBO
SE3
256K ×18
SE1
G
A0 – A17
ADSC
SBA
SBB
K
DQa0 - DQa7
DQa8
DQb0 - DQb7
DQb8
SE2
ADV
ADSP
SGW
SW
LBO
SE3
256K ×18
SE1
G
A0 – A17
ADSC
SBA
SBB
K
DQa0 - DQa7
DQa8
DQb0 - DQb7
DQb8
SE2
ADV
ADSP
SGW
SW
LBO
SE3
256K ×18
SE1
G
A0 – A17
ADSC
SBA
SBB
K
DQa0 - DQa7
DQa8
DQb0 - DQb7
DQb8
SE2
ADV
ADSP
SGW
SW
LBO
SE3
VDD
VSS
256K ×18
E0
G0
A0 – A17
ADSP
W0
W1
KO
SE1
G
A0 – A17
ADSC
SBA
SBB
K
DQa0 - DQa7
DQa8
DQb0 - DQb7
DQb8
SE2
ADV
ADSP
SGW
SW
LBO
SE3
256K ×18
SE1
G
A0 – A17
ADSC
SBA
SBB
K
DQa0 - DQa7
DQa8
DQb0 - DQb7
DQb8
SE2
ADV
ADSP
SGW
SW
LBO
SE3
256K ×18
SE1
G
A0 – A17
ADSC
SBA
SBB
K
DQa0 - DQa7
DQa8
DQb0 - DQb7
DQb8
SE2
ADV
ADSP
SGW
SW
LBO
SE3
256K ×18
SE1
G
A0 – A17
ADSC
SBA
SBB
K
DQa0 - DQa7
DQa8
DQb0 - DQb7
DQb8
SE2
ADV
ADSP
SGW
SW
LBO
SE3
W2
W3
K1
W4
W5
K2
W6
W7
K3
A18
VDD
VSS
DQ0 - DQ7
DP0
DQ8 - DQ15
DP1
DQ16 - DQ23
DP2
DQ24 - DQ31
DP3
DQ32 - DQ39
DP4
DQ40 - DQ47
DP5
DQ48 - DQ55
DP6
DQ56 - DQ63
DP7
256K ×18
A0 – A17
ADSC
SBA
SBB
K
DQb8
DQb0 - DQb7
DQa8
DQa0 - DQa7
SE2
ADV
ADSP
SGW
SW
LBO
SE3
SE1
G
256K ×18
A0 – A17
ADSC
SBA
SBB
K
DQb8
DQb0 - DQb7
DQa8
DQa0 - DQa7
SE2
ADV
ADSP
SGW
SW
LBO
SE3
SE1
G
256K ×18
A0 – A17
ADSC
SBA
SBB
K
DQb8
DQb0 - DQb7
DQa8
DQa0 - DQa7
SE2
ADV
ADSP
SGW
SW
LBO
SE3
SE1
G
256K ×18
A0 – A17
ADSC
SBA
SBB
K
DQb8
DQb0 - DQb7
DQa8
DQa0 - DQa7
SE2
ADV
ADSP
SGW
SW
LBO
SE3
SE1
G
VDD
VSS
E1
G1
256K ×18
A0 – A17
ADSC
SBA
SBB
K
DQb8
DQb0 - DQb7
DQa8
DQa0 - DQa7
SE2
ADV
ADSP
SGW
SW
LBO
SE3
SE1
G
256K ×18
A0 – A17
ADSC
SBA
SBB
K
DQb8
DQb0 - DQb7
DQa8
DQa0 - DQa7
SE2
ADV
ADSP
SGW
SW
LBO
SE3
SE1
G
256K ×18
A0 – A17
ADSC
SBA
SBB
K
DQb8
DQb0 - DQb7
DQa8
DQa0 - DQa7
SE2
ADV
ADSP
SGW
SW
LBO
SE3
SE1
G
256K ×18
A0 – A17
ADSC
SBA
SBB
K
DQb8
DQb0 - DQb7
DQa8
DQa0 - DQa7
SE2
ADV
ADSP
SGW
SW
LBO
SE3
SE1
G
VDD
VSS
MCM72F10
2
摩托罗拉快速SRAM
引脚分配
168 -LEAD DIMM
顶视图
VSS
DQ63
DQ62
VDD
DQ60
DQ58
VSS
DQ56
DQ55
VSS
DQ53
DQ51
VSS
DQ49
DP5
VDD
DQ46
DQ44
VSS
DQ42
DQ40
VSS
DQ39
DQ37
VSS
DQ35
DQ33
VSS
K3
VSS
DP3
DQ30
VDD
DQ28
DQ26
VSS
DQ24
DQ23
VSS
DQ21
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
VSS
DP7
DQ61
VSS
DQ59
DQ57
VSS
DP6
DQ54
VDD
DQ52
DQ50
VSS
DQ48
DQ47
VSS
DQ45
DQ43
VSS
DQ41
DP4
VDD
DQ38
DQ36
VSS
DQ34
DQ32
VSS
K2
VSS
DQ31
DQ29
VSS
DQ27
DQ25
VSS
DP2
DQ22
VDD
DQ20
DQ19
VSS
DQ17
DP1
VDD
DQ14
DQ12
VSS
DQ10
DQ8
VSS
DQ7
DQ5
VSS
DQ3
DQ1
VDD
NC
A18
VSS
A16
A14
VSS
A12
A10
VSS
A8
A6
VDD
A4
A2
A0
VSS
K1
VSS
W7
W5
VSS
W3
W1
VSS
G1
E1
VSS
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
DQ18
VSS
DQ16
DQ15
VSS
DQ13
DQ11
VSS
DQ9
DP0
VDD
DQ6
DQ4
VSS
DQ2
DQ0
VSS
NC
A17
VSS
A15
A13
VDD
A11
A9
VSS
A7
A5
VSS
A3
A1
ADSP
VSS
K0
VSS
W6
W4
VSS
W2
W0
VDD
G0
E0
VSS
摩托罗拉快速SRAM
MCM72F10
3
引脚说明
引脚位置
59, 61, 62, 64, 65, 67, 68, 70,
71, 72, 143, 145, 146, 148,
149, 151, 152, 154, 155
156
15, 31, 44, 86, 92, 105, 121,
134
2, 3, 5, 6, 8, 9, 11, 12, 14, 17,
18, 20, 21, 23, 24, 26, 27, 32,
34, 35, 37, 38, 40, 41, 43, 46,
47, 49, 50, 52, 53, 55, 56, 87,
89, 90, 93, 95, 96, 98, 99,
101, 102, 104, 107, 108, 110,
111, 115, 116, 118, 119, 122,
124, 125, 127, 128, 130, 131,
133, 136, 137, 139, 140
83, 167
82, 166
符号
A0 – A18
TYPE
输入
描述
同步地址输入:这些输入已注册,且必须满足
建立和保持时间。
同步编辑部地址状态控制器:开始读,写,或芯片
取消循环。
同步奇偶校验数据输入/输出。
I / O
同步数据输入/输出。
ADSP
DP0 - DP7
DQ0 DQ63
输入
E0, E1
G0, G1
输入
输入
同步芯片使能:低电平有效使能芯片。否定高 -
块ADSP或当ADSC置位取消选择的芯片。
异步输出使能输入:
低 - 使能输出缓冲器。
高 - DQX引脚为高阻抗。
时钟:这个信号寄存器的地址,数据和所有的控制信号
除了G和杠杆收购。
同步字节写输入: x指的是字节被写入(字节一个,
b).
电源: 3.3 V + 10 % , - 5 % 。必须连接上的所有模块。
地面上。
29, 74, 113, 158
76, 77, 79, 80, 160, 161, 163,
164
4, 16, 33, 45, 57, 69, 94, 106,
123, 135, 147, 165
1, 7, 10, 13, 19, 22, 25, 28,
30, 36, 39, 42, 48, 51, 54, 60,
63, 66, 73, 75, 78, 81, 84, 85,
88, 91, 97, 100, 103, 109,
112, 114, 117, 120, 126, 129,
132, 138, 141, 144, 150, 153,
157, 159, 162, 168
58, 142
K0 – K3
W0 – W7
VDD
VSS
输入
输入
供应
供应
NC
无连接:有芯片的连接。
数据RAM MCM69F618A同步真值表
(见注1 , 2 , 3 , 4 )
下一个周期
DESELECT
开始阅读
开始写
地址一起使用
外部地址
当前
当前
当前
E
1
0
X
X
0
X
ADSP
0
0
1
1
0
1
G
X
0
1
0
X
X
DQX
高-Z
DQ
高-Z
DQ
高-Z
高-Z
X
注意事项:
1, X =不关心, 1 =逻辑高电平, 0 =逻辑低电平。
2.写被定义为任何蜡质低。
3. G是一个异步信号而不是由时钟K.G。驱动总线立即( tGLQX )以下G变低采样。
4.按照读周期是写入周期,G之前,必须写周期的开始被否定,以确保正确的写数据准备时间。摹绝
也保持在完成写周期的否定,以确保正确的写数据保持时间。
MCM72F10
4
摩托罗拉快速SRAM
绝对最大额定值
(见注1 )
等级
电源电压
电压相对于VSS
(见注2 )
输入电压三态I / O
(见注2 )
输出电流(每个I / O)
功耗
在偏置温度
储存温度
符号
VDD
VIN,VOUT
VIT
IOUT
PD
Tbias
TSTG
价值
- 0.5 + 4.6
- 0.5 VDD + 0.5
VSS - 0.5 VDD + 0.5
±
20
4.6
- 10至+ 85
- 55至+ 125
单位
V
V
V
mA
W
°C
°C
该器件包含电路保护
输入不受损坏,由于高静电压
年龄或电场;然而,它是表示
要采取正常的预防措施,以避免应用程序
超过最大额定电压更高的任何电压的
年龄这个高阻抗电路。
注意事项:
如果绝对最大额定值可能会出现1永久性设备损坏
超标。功能操作应仅限于推荐能操作
阿婷条件。暴露于高于扩展电压推荐
的时间段可能会影响器件的可靠性。
2.这是一个稳态直流参数是有效的电源有后
实现了其标称工作水平。电源排序不能被控制和
是不允许的。
3.功率耗散能力取决于封装的特点及使用
环境。见封装热特性。
封装热特性 - PBGA
等级
结到环境( @ 200 LFM )
结对板(下)
结到外壳(顶部)
单层板
四层板
符号
R
θJA
R
θJB
R
θJC
最大
41
19
11
19
单位
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
1, 2
3
4
注意事项:
1.结温是在芯片功耗的功能,封装热阻,安装位置(板)温度,环境
温度,气流,板人口和电路板的耐热性。
2.每SEMI G38-87 。
3.表示模具和印刷电路板之间的平均热电阻。
4.指明通过冷板的方法(MIL SPEC- 883法在管芯和壳体顶面之间的平均热电阻
1012.1).
摩托罗拉快速SRAM
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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