摩托罗拉
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通过MCM69R736A / D
超前信息
4M后写入HSTL
该MCM69R736A / 818A是一款4兆位同步写入后期快速静态RAM
旨在提供高性能的二级高速缓存和ATM交换机，
电信和其他高速内存的应用程序。该MCM69R818A
组织为256K字18位， MCM69R736A组织为128K
由36位字宽是捏造的摩托罗拉的高性能硅栅
BiCMOS技术。
差分时钟CK的输入控制的读/写操作的时序
RAM中。在CK时钟的上升沿的所有地址，写使能和
同步选择注册。内部缓冲区和特殊逻辑使能
存储器接受在CK时钟的一个周期之后的上升沿写入数据
地址和控制信号。读出的数据被驱动到CK的上升沿
钟也。
该内存采用HSTL输入和输出。可调整的输入行程 - 点（VREF ）
和输出电压（ VDDQ ）提供了在系统设计具有更大的灵活性
优化系统性能。
同步写入和字节使能允许写入单个字节或
整个单词。
输出缓冲器的阻抗可编程使输出对
匹配的电路走线可以减少信号反射的阻抗。
字节写控制
采用3.3 V单+ 10 ％ ， - 5 ％工作
HSTL - I / O （ JEDEC标准JESD8-6 I级兼容）
HSTL - 用户可选的输入跳变点
HSTL - 兼容可编程阻抗输出驱动器
注册登记同步操作
异步输出使能
边界扫描（ JTAG ） IEEE 1149.1兼容
差分时钟输入
可选×18或x 36组织
MCM69R736A / 818A - 5 = 5纳秒
MCM69R736A / 818A - 6 = 6纳秒
MCM69R736A / 818A - 7 = 7纳秒
MCM69R736A / 818A - 8 = 8纳秒
休眠模式下的操作（ ZZ引脚）
119凹凸， 50密耳（1.27 MM）间距， 14毫米×22毫米的塑料球栅阵列
（ PBGA ）封装
MCM69R736A
MCM69R818A
ZP包装
PBGA
CASE 999-01
本文件包含的新产品信息。在此说明和信息，如有变更，恕不另行通知。
REV 1
8/20/97
摩托罗拉1997年公司
摩托罗拉快速SRAM
MCM69R736AMCM69R818A
1
MCM69R736A引脚说明
PBGA引脚位置
4K
4L
（一） 6K ， 7K ， 6L ， 7L ， 6M ， 6N ， 7N ， 6P ， 7P
（二） 6D ，7D， 6E ，7E， 6F ，6G ， 7G ，6H ，7H
（三） 1D， 2D ， 1E ， 2E ， 2F ， 1G ， 2G ， 1H ， 2H
（四） 1K，2K ， 1L，2L ，2M， 1N ，2N ， 1P ，2P
4F
图2A ，3A， 5A，6A ，3B ，5B， 2C ，3C，
图5C ，6C， 4N， 4P ，2R， 6R， 3T，4T， 5T
5L ，5G ，3G， 3L
（一） ， （二） ， （三） ， （四）
4E
4M
4U
3U
5U
2U
4D
7T
如图4C所示， 2J ， 4J ， 6J ，4R，5R
1A ，7A ， 1F ， 7F ， 1J ， 7J ， 1M ， 7M ， 1U ， 7U
3J, 5J
3D ，5D， 3E ，5E ，3F ， 5F ，3H，5H ，
3K ， 5K ， 3M ， 5M ， 3N ， 5N ， 3P ， 5P ， 3R
图4A ，图1B， 2B ，4B， 6B，7B ，1C ，7C
4G ，4H， 1R ，7R， 1T ，2T， 6T， 6U
符号
CK
CK
DQX
TYPE
输入
输入
I / O
描述
地址，数据和控制输入寄存器时钟。高电平有效。
地址，数据和控制输入寄存器时钟。低电平有效。
同步数据的I / O 。
G
SA
SBX
输入
输入
输入
输出使能：异步引脚，低电平有效。
同步地址输入：注册在时钟的上升沿。
同步字节写使能：允许写入字节x在
与SW输入一起使用。对读周期没有影响，活性
低。
同步芯片使能：公司注册在时钟的上升沿，积极
低。
同步写：注册在时钟的上升沿，低电平有效。
将所有启用的字节。
测试时钟（ JTAG） 。
测试数据（ JTAG ） 。
测试数据输出（ JTAG ） 。
测试模式选择（ JTAG ） 。
可编程输出阻抗：编程引脚。
启用休眠模式，高电平有效。
核心供电。
输出电源：提供工作电源的输出缓冲器。
输入参考：提供参考电压输入缓冲器。
地面上。
无连接：有芯片的连接。
SS
SW
TCK
TDI
TDO
TMS
ZQ
ZZ
VDD
VDDQ
VREF
VSS
NC
输入
输入
输入
输入
产量
输入
输入
输入
供应
供应
供应
供应
—
摩托罗拉快速SRAM
MCM69R736AMCM69R818A
3
MCM69R818A引脚说明
PBGA引脚位置
4K
4L
（一） 6D ， 7E ， 6F ， 7G ， 6H ， 7K ， 6L ， 6N ， 7P
（二） 1D ，2E， 2G， 1H， 2K， 1L ，2M， 1N ，2P
4F
图2A ，3A， 5A，6A ，3B， 5B ，2C， 3C ，5C，
如图6C所示， 4N， 4P ，2R， 6R， 2T，3T， 5T， 6T
5L ， 3G
（一） ， （二）
4E
4M
4U
3U
5U
2U
4D
7T
如图4C所示， 2J ， 4J ， 6J ，4R，5R
1A ，7A ， 1F ， 7F ， 1J ， 7J ， 1M ， 7M ， 1U ， 7U
3J, 5J
3D ，5D， 3E ，5E ，3F ， 5F ，5G， 3H， 5H，
3K ， 5K ， 3L ， 3M ， 5M ， 3N ， 5N ， 3P ， 5P ， 3R
图4A ，图1B， 2B ，4B， 6B，7B ，1C ，7C
2D ，7D， 1E，6E ，2F ，1G ，4G， 6G，
2H， 4H， 7H， 1K ，6K， 2L， 7L ，6M， 2N，
7N ， 1P ， 6P ，1R ，7R ，1T， 4T， 6U
符号
CK
CK
DQX
G
SA
SBX
TYPE
输入
输入
I / O
输入
输入
输入
描述
地址，数据和控制输入寄存器时钟。高电平有效。
地址，数据和控制输入寄存器时钟。低电平有效。
同步数据的I / O 。
输出使能：异步引脚，低电平有效。
同步地址输入：注册在时钟的上升沿。
同步字节写使能：允许写入字节x在
与SW输入一起使用。对读周期没有影响，活性
低。
同步芯片使能：公司注册在时钟的上升沿，积极
低。
同步写：注册在时钟的上升沿，低电平有效。
将所有启用的字节。
测试时钟（ JTAG） 。
测试数据（ JTAG ） 。
测试数据输出（ JTAG ） 。
测试模式选择（ JTAG ） 。
可编程输出阻抗：编程引脚。
启用休眠模式，高电平有效。
核心供电。
输出电源：提供工作电源的输出缓冲器。
输入参考：提供参考电压输入缓冲器。
地面上。
无连接：有芯片的连接。
SS
SW
TCK
TDI
TDO
TMS
ZQ
ZZ
VDD
VDDQ
VREF
VSS
NC
输入
输入
输入
输入
产量
输入
输入
输入
供应
供应
供应
供应
—
MCM69R736AMCM69R818A
4
摩托罗拉快速SRAM
绝对最大额定值
（电压参考VSS ，见注1 ）
等级
核心供电电压
输出电源电压
任何引脚电压
输入电流（每个I / O）
输出电流（每个I / O）
功率耗散（见注2 ）
工作温度
在偏置温度
储存温度
符号
VDD
VDDQ
VIN
IIN
IOUT
PD
TA
Tbias
TSTG
价值
- 0.5 + 4.6
- 0.5 VDD + 0.5
- 0.5 VDD + 0.5
±
50
±
70
—
0至+ 70
-10至+ 85
- 55至+ 125
单位
V
V
V
mA
mA
W
°C
°C
°C
该器件包含电路保护
输入不受损坏，由于高静电压
年龄或电场;然而，建议
正常的预防措施，以避免
施加任何电压的比马克西更高
妈妈的额定电压，以这种高阻抗
电路。
该内存的BiCMOS电路已
专为满足DC与AC规范
表中所示，热平衡后
已经建立。
此装置包含电路，该电路将保证
所述输出设备是在高Z在加电时。
注意事项：
如果绝对最大额定值可能会出现1永久性设备损坏
超标。功能操作应仅限于推荐能操作
阿婷条件。暴露于高于扩展电压推荐
的时间段可能会影响器件的可靠性。
2.功耗能力将取决于封装的特性和使用
环境。参见随附的热阻抗数据。
PBGA封装热特性
等级
结到环境（静止空气中）
结到环境（为200英尺/分钟）
结到环境（为200英尺/分钟）
结对板（下）
结到外壳（顶部）
单层板
四层板
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJB
R
θJC
最大
53
38
22
14
5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
3
4
笔记
1, 2
1, 2
注意事项：
1.结温是在芯片功耗的功能，封装热阻，安装位置（板）温度，环境
温度，空气流量，其他部件的电路板上功耗和电路板的热阻。
2.每SEMI G38-87 。
3.表示模具和印刷电路板之间的平均热电阻。
4.指示如通过冷板的方法（MIL SPEC- 883测得的模头和壳体顶面之间的平均热电阻
方法1012.1 ） 。
时钟真值表
K
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
X
ZZ
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
SS
L
L
L
L
L
L
L
H
H
X
SW
H
L
L
L
L
L
L
H
L
X
SBA
X
L
H
H
H
L
H
X
X
X
SBB
X
H
L
H
H
L
H
X
X
X
SBC
X
H
H
L
H
L
H
X
X
X
SBD
X
H
H
H
L
L
H
X
X
X
DQ （N ）
X
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
X
高-Z
高-Z
DQ的第（n + 1）
DOUT 0-35
DIN 0-8
嚣9-17
嚣18-26
嚣27-35
嚣0-35
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
模式
读周期的所有字节
写周期第1个字节
写周期第2字节
写周期第3个字节
写周期第4个字节
写周期的所有字节
中止写周期
取消选择周期
取消选择周期
睡眠模式
摩托罗拉快速SRAM
MCM69R736AMCM69R818A
5
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