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摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过MCM69Q618 / D

超前信息

MCM69Q618

64K ×18位同步

独立的I / O快速SRAM

摩托罗拉MCM69Q618为1兆位的静态随机存取存储器，组织

作为18位64K字。它具有分离的数据输入和数据输出缓冲器和

包含上板与高速SRAM的输入和输出寄存器。

该MCM69Q618允许用户执行透明写入和数据通

通过。设置总线端口两个数据 - 数据输入（D）和一个数据输出（Q）口。

同步设计允许与使用外部的精确循环控制

单时钟（ K）。地址端口，数据输入（ D0 - D17 ），数据输出（ Q0 - Q17 ），写恩

能（W），芯片使能（ E1，E2），和通过使（PT）上注册的

时钟的上升沿（ K）。

任何给定周期上操作仅一个地址。然而，对于任何周期，读取和

写操作可以混合。因此，可以执行读，写，或读出一个组合/

在任何一个周期写入。对于一个组合的读/写时，阵列中的内容是

读出的新数据写入之前。

通过使用直通功能时，输出端口Q ，可向反映任一

该数组的内容或提供给输入端口D对于读/写或一个数据

读周期以G低时，Q端将输出的数组的内容。然而，如果PT

是断言，在Q端口输出，而不是呈现在D输入端口的数据。

采用3.3 V单

5 ％的电源

快速访问时间： 6/8/10 ns（最大值）

1.49千兆位/秒持续吞吐量

单时钟操作

地址，数据输入， E1 ， E2 ， PT ，W ，和数据输出片内寄存器

83 MHz最大时钟周期时间

自定时写

单独的数据输入和数据输出引脚

传递功能

异步输出使能（ G）

LVTTL兼容的I / O

所需的无死循环读取写入操作后后或写操作读

100引脚TQFP封装

同步读写

路由器

- 共享内存

TQ包装

100引脚TQFP

CASE 983A -01

推荐应用

- ATM

- 以太网交换机

- 电池/电池帧缓冲器 - SNA开关

产品系列配置

部分

数

双

地址

MCM69D536

MCM69D618

MCM69Q536

MCM69Q618

MCM67Q709

MCM67Q909

单身

地址

双

I / O

注1

另

I / O

注2

注意事项：

1.铁AX和AY地址的端口在一起的部分，以充当单个地址的一部分。

2.领带GX高的DQX是投入和配合WY高， GY低DQY是输出。

本文件包含的新产品信息。在此说明和信息，如有变更，恕不另行通知。

第5版

11/24/97

摩托罗拉1997年公司

摩托罗拉快速SRAM

MCM69Q618

框图

A0 – A15

地址

64K ×18阵列

写

司机

SENSE

AMP

直通

数据输入

数据输出

启用

注册1

启用

注册2

D0 – D17

Q0 – Q17

MCM69Q618

摩托罗拉快速SRAM

引脚分配

VDD

VSS

A15

VDD

VSS

D10

Q10

VDD

VSS

D11

Q11

D12

Q12

VDD

VSS

Q13

D13

Q14

D14

VDD

VSS

Q15

D15

Q16

D16

VDD

VSS

Q17

D17

100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81

31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

VDD

A10

A11

A12

A13

A14

VSS

VDD

VSS

VDD

VSS

VDD

VSS

VDD

VSS

VDD

摩托罗拉快速SRAM

MCM69Q618

引脚说明

引脚位置

30, 32, 34, 36, 38, 40, 42, 44, 46, 48, 50,

81, 83, 85, 98, 100

3, 5, 9, 11, 16, 18, 22, 24, 28, 52, 56, 58,

62, 64, 69, 71, 75, 77

符号

A0 – A15

D0 – D17

TYPE

输入

描述

同步地址输入：这些输入注册和必备

满足建立和保持时间。

同步数据输入。

同步芯片使能：低电平有效的深度扩展。

同步芯片使能：高有效的深度扩展。

异步输出使能输入：

低 - 使输出缓冲器（ QX引脚）。

高 - QX引脚为高阻抗。

时钟：这个信号寄存器的地址，数据和所有的控制信号

除了G.

直通启用：同步。

同步数据输出。

同步写入。

+ 3.3 V电源。

地面上。

无连接：有芯片的连接。

4, 6, 10, 12, 15, 17, 21, 23, 27, 53, 57,

59, 63, 65, 68, 70, 74, 76

1, 7, 13, 19, 25, 41, 54, 60, 66, 72, 78, 95

2, 8, 14, 20, 26, 55, 61, 67, 73, 79, 94

29, 31, 33, 35, 37, 39, 43, 45, 47, 49, 51,

80, 82, 84, 87, 89, 93, 97, 99

Q0 – Q17

VDD

VSS

输入

产量

输入

供应

—

真值表

在输入时钟TN

手术

写和通过

读/写

直通

读

取消

数据输入端D

写入

D数据

不在乎

从TN + 1时钟结果

数据输出Q

出现三维数据

Q从一个

出现三维数据

Q从一个

Q是高-Z

笔记

注意事项：

1.写D钮阵列和输出D为Q.

数组2.输出内容到Q然后写D钮阵列。

在问： 3输出D不要写。

数组4.输出内容，问：不写。

5.无操作。

6.无操作。

TN + 1

地址&控制

有效

PIPELINED READ ACCESS

数据输入端D

有效

直通

数据输出Q

有效

MCM69Q618

摩托罗拉快速SRAM

绝对最大额定值

（见注）

等级

电源电压

电压相对于VSS的任何引脚

除VDD

输出电流

功耗

在偏置温度

工作温度

储存温度 - 塑料

符号

VDD

VIN，VOUT

IOUT

Tbias

TSTG

价值

- 0.5 + 4.6

- 0.5 VDD + 0.5

待定

- 10至+ 85

0至+ 70

- 55至+ 125

单位

°C

这是一个同步装置。所有同步的

理性的投入必须达到规定的建立和保持时间

以稳定的逻辑电平为次

所有

升起

时钟（ K）的边缘，而该设备被选中。

该器件包含电路保护

输入不受损坏，由于高静电压

年龄或电场;然而，建议

正常的预防措施，以避免

施加任何电压的比马克西更高

妈妈的额定电压为这些高阻抗

电路。

注：如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备

超标。功能操作应仅限于推荐能操作

阿婷条件。暴露于高于推荐电压

长时间可能会影响器件的可靠性。

封装热特性

（见注1 ）

等级

结到环境（ @ 200 LFM ）

结对板（下）

结到外壳（顶部）

单层板

四层板

符号

θJA

θJB

θJC

TQFP

单位

° C / W

笔记

注意事项：

1.结温是在芯片功耗的功能，封装热阻，安装位置（板）温度，环境

温度，气流，板人口和电路板的耐热性。

2.每SEMI G38-87 。

3.表示模具和印刷电路板之间的平均热电阻。

4.指明通过冷板的方法（MIL SPEC- 883方法1012.1 ）管芯和壳体顶面之间的平均热电阻。

摩托罗拉快速SRAM

MCM69Q618