摩托罗拉

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通过MCM69Q536 / D

超前信息

MCM69Q536

32K ×36位同步

独立的I / O SRAM

摩托罗拉MCM69Q536为1兆位的静态随机存取存储器，组织

作为36位32K字。它具有分离的数据输入和数据输出缓冲器和

包含上板与高速SRAM的输入和输出寄存器。

该MCM69Q536允许用户执行透明的写入和数据通

通过。设置总线端口两个数据 - 数据输入（D）和一个数据输出（Q）口。

同步设计允许与使用外部的精确循环控制

单时钟（ K） 。地址端口，数据输入（ D0 - D35 ） ，数据输出（ Q0 - Q35 ），写恩

能（W），芯片使能（ E1，E2） ，和通过使（PT）上注册的

时钟的上升沿（ K） 。

任何给定周期上操作仅一个地址。然而，对于任何周期，读取和

写操作可以混合。因此，可以执行读，写，或读出一个组合/

在任何一个周期写入。对于一个组合的读/写时，阵列中的内容是

读出的新数据写入之前。

通过使用直通功能时，输出端口Q ，可向反映任一

该数组的内容或提供给输入端口D对于读/写或一个数据

读周期以G低时，Q端将输出的数组的内容。然而，如果PT

是断言，在Q端口输出，而不是呈现在D输入端口的数据。

采用3.3 V单

±

5 ％的电源

快速访问时间： 6/8/10 ns（最大值）

2.98千兆位/秒持续吞吐量

单时钟操作

地址，数据输入， E1 ， E2 ， PT ，W ，和数据输出片内寄存器

83 MHz最大时钟周期时间

自定时写

单独的数据输入和数据输出引脚

传递功能

异步输出使能（ G）

LVTTL兼容的I / O

所需的无死循环读取写入操作后后或写操作读

176引脚TQFP封装

同步读写

路由器

- 共享内存

TQ包装

176引脚TQFP

CASE 1101至1101年

推荐应用

- ATM

- 以太网交换机

- 电池/电池帧缓冲器 - SNA开关

产品系列配置

部分

数

双

地址

MCM69D536

MCM69D618

MCM69Q536

MCM69Q618

MCM67Q709

MCM67Q909

n

n

单身

地址

双

I / O

注1

注1

n

n

n

n

n

n

另

I / O

注2

注2

n

n

n

n

注意事项：

1.铁AX和AY地址的端口在一起的部分，以充当单个地址的一部分。

2.领带GX高的DQX是投入和配合WY高， GY低DQY是输出。

本文件包含的新产品信息。在此说明和信息，如有变更，恕不另行通知。

REV 3

11/20/97

摩托罗拉1997年公司

摩托罗拉快速SRAM

MCM69Q536

1

框图

K

A0 – A14

15

地址

注册

32K ×36阵列

W

写

注册

写

司机

SENSE

AMP

PT

PT

注册

直通

数据输入

注册

数据输出

注册

E1

E2

G

启用

注册1

启用

注册2

D0 – D35

Q0 – Q35

MCM69Q536

2

摩托罗拉快速SRAM

引脚分配

VSS

Q19

D19

VSS

VDD

Q18

D18

A6

NC

A7

NC

VSS

NC

NC

NC

NC

NC

NC

NC

NC

K

VDD

VSS

NC

G

E2

E1

NC

W

NC

PT

A8

NC

A9

NC

NC

NC

D17

Q17

VDD

VSS

D16

Q16

VSS

VSS

D20

Q20

VDD

VSS

D21

Q21

D22

Q22

VDD

VSS

D23

Q23

D24

Q24

VDD

VSS

D25

Q25

D26

Q26

VDD

VSS

Q27

D27

Q28

D28

VDD

VSS

Q29

D29

Q30

D30

VDD

VSS

Q31

D31

Q32

D32

VDD

VSS

Q33

D33

VSS

132

1

131

2

130

3

129

4

128

5

127

6

126

7

125

8

124

9

123

10

122

11

121

12

120

13

119

14

118

15

117

16

116

17

115

18

114

19

113

20

112

21

111

22

23

110

109

24

108

25

107

26

106

27

105

28

104

29

103

30

102

31

101

32

100

33

99

34

98

35

97

36

96

37

95

38

94

39

93

40

92

41

91

42

90

43

89

44

45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88

VSS

Q34

D34

VSS

VDD

Q35

D35

VSS

VSS

NC

A5

NC

A4

NC

A3

NC

A2

NC

A1

NC

A0

VSS

VDD

A10

NC

A11

NC

A12

NC

A13

NC

A14

NC

NC

NC

NC

NC

D0

Q0

VDD

V SS

D1

Q1

VSS

176

175

174

173

172

171

170

169

168

167

166

165

164

163

162

161

160

159

158

157

156

155

154

153

152

151

150

149

148

147

146

145

144

143

142

141

140

139

138

137

136

135

134

133

VSS

D15

Q15

VSS

VDD

D14

Q14

D13

Q13

VSS

VDD

D12

Q12

D11

Q11

VSS

VDD

D10

Q10

D9

Q9

VSS

VDD

Q8

D8

Q7

D7

VSS

VDD

Q6

D6

Q5

D5

VSS

VDD

Q4

D4

Q3

D3

VSS

VDD

Q2

D2

VSS

摩托罗拉快速SRAM

MCM69Q536

3

引脚说明

引脚位置

55, 57, 59, 61, 63, 65, 68, 70, 72, 74, 76,

143, 145, 167, 169

2, 6, 8, 12, 14, 18, 20, 25, 27, 31, 33, 37,

39, 43, 47, 51, 82, 86, 90, 94, 96, 100,

102, 106, 108, 113. 115, 119, 121, 125,

127, 131, 135, 139, 170, 174

150

151

152

符号

A0 – A14

D0 – D35

TYPE

输入

输入

描述

同步地址输入：这些输入注册和必备

满足建立和保持时间。

同步数据输入。

E1

E2

G

输入

输入

输入

同步芯片使能：低电平有效的深度扩展。

同步芯片使能：高有效的深度扩展。

异步输出使能输入：

低 - 使输出缓冲器（ QX引脚） 。

高 - QX引脚为高阻抗。

时钟：这个信号寄存器的地址，数据和所有的控制信号

除了G.

直通启用：同步。

同步数据输出。

156

146

3, 7, 9, 13, 15, 19, 21, 24, 26, 30, 32, 36,

38, 42, 46, 50, 83, 87, 91, 95, 97, 101,

103, 107, 109, 112, 114, 118, 120, 124,

126, 130, 143, 138, 171, 175

148

4, 10, 16, 22, 28, 34, 40, 49, 67, 84, 98,

104, 110, 116, 122, 128, 137, 155, 172

1, 5, 11, 17, 23, 29, 35, 41, 44, 45, 48,

52, 53, 66, 85, 88, 89, 93, 99, 105, 111,

117, 123. 129, 132, 133, 136, 154, 165,

173, 176

54, 56, 58, 60, 62, 64, 69, 71, 73, 75,

77 – 81, 140, 141, 142, 144, 147, 149,

153, 157 – 164, 166, 168

K

PT

Q0 – Q35

输入

输入

产量

W

VDD

VSS

输入

供应

供应

同步写入。

+ 3.3 V电源。

地面上。

NC

—

无连接：有芯片的连接。

真值表

在输入时钟TN

手术

O

i

写和通过

读/写

直通

读

取消

取消

E1

L

L

L

L

X

H

E2

H

H

H

H

L

X

W

L

L

H

H

X

X

PT

L

H

L

H

X

X

数据输入端D

写入

写入

D数据

不在乎

不在乎

不在乎

从TN + 1时钟结果

数据输出Q

出现三维数据

Q从一个

出现三维数据

Q从一个

Q是高-Z

Q是高-Z

1

2

3

4

5

6

笔记

注意事项：

1.写D钮阵列和输出D为Q.

数组2.输出内容到Q然后写D钮阵列。

在问： 3输出D不要写。

数组4.输出内容，问：不写。

5.无操作。

6.无操作。

MCM69Q536

4

摩托罗拉快速SRAM

tn

K

TN + 1

地址&控制

有效

PIPELINED READ ACCESS

数据输入端D

有效

直通

数据输出Q

有效

绝对最大额定值

（见注）

等级

电源电压

电压相对于VSS的任何引脚

除VDD

输出电流

功耗

在偏置温度

工作温度

储存温度 - 塑料

符号

VDD

VIN，VOUT

IOUT

PD

Tbias

TA

TSTG

价值

- 0.5 + 4.6

- 0.5 VDD + 0.5

±

20

待定

- 10至+ 85

0至+ 70

- 55至+ 125

单位

V

V

mA

W

°C

°C

°C

这是一个同步装置。所有同步的

理性的投入必须达到规定的建立和保持时间

以稳定的逻辑电平为次

所有

升起

时钟（ K）的边缘，而该设备被选中。

该器件包含电路保护

输入不受损坏，由于高静电压

年龄或电场;然而，建议

正常的预防措施，以避免

施加任何电压的比马克西更高

妈妈的额定电压为这些高阻抗

电路。

注：如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备

超标。功能操作应仅限于推荐能操作

阿婷条件。暴露于高于推荐电压

长时间可能会影响器件的可靠性。

封装热特性

（见注1 ）

等级

结到环境（ @ 200 LFM ）

结对板（下）

结到外壳（顶部）

单层板

四层板

符号

R

θJA

R

θJB

R

θJC

TQFP

40

35

23

9

单位

° C / W

° C / W

° C / W

笔记

2

3

4

注意事项：

1.结温是在芯片功耗的功能，封装热阻，安装位置（板）温度，环境

温度，气流，板人口和电路板的耐热性。

2.每SEMI G38-87 。

3.表示模具和印刷电路板之间的平均热电阻。

4.指明通过冷板的方法（MIL SPEC- 883方法1012.1 ）管芯和壳体顶面之间的平均热电阻。

摩托罗拉快速SRAM

MCM69Q536

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