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通过MCM69F735 / D
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MCM69F735
128K ×36位流通型
BurstRAM 同步
快速静态RAM
该MCM69F735是4M位同步快速静态RAM设计提供
可破裂的,高性能,在PowerPC 和其他二级高速缓存
高性能的微处理器。它是作为36位128K字
每一个。该器件集成的输入寄存器,一个2位的地址计数器,和高
高速SRAM在一个单片电路,减少零件在高速缓存中数
数据RAM的应用程序。同步设计允许与精确的周期控制
使用外部时钟( K)的。
地址( SA) ,数据输入( DQX ) ,并且除了输出所有的控制信号
使能(G)和线性脉冲串顺序(LBO )的时钟(K)控制通过正性
边沿触发的同相寄存器。
连发可以与任何ADSP ADSC或输入引脚启动。随后爆
地址可在内部由MCM69F735 (突发序列生成的
在直线或交错模式依赖于杠杆收购的状态运行)和
由脉冲串地址前进( ADV)输入引脚控制。
写周期是内部自定时的通过的上升沿发起
时钟( K)的输入。这个特性消除了复杂的片写脉冲的产生
并且提供了用于输入信号增加的定时的灵活性。
同步字节写( SBX ) ,全球同步写( SGW ) ,和同步的
理性写使能(SW)被提供给允许写入任一单个字节或
到所有的字节。的四个字节被指定为“a” , “b”的, “ c”和“ d”按钮。 SBa型控制
DQA , SBB控制DQB等各个字节写入,如果选择字节
写SBX被认定有SW 。所有字节写入如果任SGW断言
或者,如果所有的SBX和SW断言。
对于读周期,流通的SRAM允许输出数据简单地自由流动
从存储器阵列。
该MCM69F735从3.3 V核心供电,所有输出工作
运行在3.3 V或2.5 V电源。所有的输入和输出JEDEC标
准JESD8-5兼容。
MCM69F735速度选择
速度
150兆赫
133兆赫
117兆赫
TKHKH
6.7纳秒
7.5纳秒
8.5纳秒
流通
TKHQV
6纳秒
6.5纳秒
7纳秒
格局
0.5纳秒
0.5纳秒
0.5纳秒
HOLD
1纳秒
1纳秒
1纳秒
国际直拨电话
400毫安
375毫安
350毫安
ZP包装
PBGA
CASE 999-01
3.3 V + 10 % , - 5 %,核心供电,工作于3.3 V或2.5 VI / O
供应
ADSP , ADSC和ADV突发控制引脚
可选的突发排序顺序(线性/交织)
单周期取消时序
内部自定时写周期
字节写和全局写控制
PB1 2.0版兼容
JEDEC标准的119引脚PBGA封装
BurstRAM是摩托罗拉公司的一个商标。
在PowerPC是IBM公司,经许可使用的商标。
本文件包含有关正在开发中的产品信息。摩托罗拉保留不另行通知变更或终止本产品的权利。
5/23/97
摩托罗拉1997年公司
摩托罗拉快速SRAM
MCM69F735
1
PBGA引脚说明
引脚位置
4B
符号
ADSC
TYPE
输入
描述
同步地址状态控制器:低电平有效,任何中断
持续的爆发和锁存新的外部地址。用于启动一个
读,写,或芯片取消。
同步地址状态处理器:低有效,任何中断
持续的脉冲串和锁存器用于启动一个新的一个新的外部地址
阅读或芯片取消(例外 - 芯片取消不会发生
当ADSP断言和SE1高) 。
同步推进地址:地址递增计数
根据选择的计数器类型(线性/交织) 。
同步数据的I / O : “ x”指的字节被读取或写入
(字节A,B , C,D ) 。
4A
ADSP
输入
4G
(一) 6K , 7K , 6L , 7L , 6M , 6N , 7N , 6P , 7P
(二) 6D ,7D, 6E ,7E, 6F ,6G , 7G ,6H ,7H
(三) 1D, 2D , 1E , 2E , 2F , 1G , 2G , 1H , 2H
(四) 1K,2K , 1L,2L ,2M, 1N ,2N , 1P ,2P
4F
ADV
DQX
输入
I / O
G
输入
异步输出使能输入:
低 - 使输出缓冲器( DQX引脚) 。
高 - DQX引脚为高阻抗。
时钟:这个信号寄存器的地址,数据和所有的控制信号
除了G和杠杆收购。
线性突发顺序输入:此引脚必须保持在稳定状态(这
讯号未注册或锁定) 。它必须连接到高电平或低电平。
低 - 线性突发计数器( 68K / PowerPC等) 。
高 - 交错突发计数器( 486 / 1960 /奔腾) 。
同步地址输入:这些输入注册和必备
满足建立和保持时间。
同步地址输入:这些引脚必须连接到两个
地址总线进行适当突发操作的位。这些输入
注册和必须满足建立和保持时间。
同步字节写输入: “X”指的是被写入的字节(字节
A,B , C,D ) 。 SGW覆盖SBX 。
同步芯片使能:低电平有效使能芯片。
否定高 - 块ADSP或取消选择芯片时是ADSC
断言。
同步芯片使能:高有效的深度扩展。
同步芯片使能:低电平有效的深度扩展。
全球同步写:此信号写入的字节都不管
在SBX和SW信号的状态。如果只有一个字节的写信号SBX是
在使用时,将该引脚为高电平。
同步写:该信号只写那些已经字节
使用字节写SBX引脚选择。如果只有一个字节的写信号SBX
正在使用,配合该引脚为低电平。
核心供电。
I / O电源。
地面上。
无连接:有芯片的连接。
4K
3R
K
LBO
输入
输入
图2A ,3A, 5A,6A ,3B ,5B, 2C ,3C,
图5C ,6C, 2R ,6R, 3T,4T, 5T
4N , 4P
SA
SA1 , SA0
输入
输入
5L ,5G ,3G, 3L
(一) (二) (三) (四)
4E
SBX
SE1
输入
输入
2B
6B
4H
SE2
SE3
SGW
输入
输入
输入
4M
SW
输入
4C , 2J , 4J , 6J , 4R
1A ,7A , 1F , 7F , 1J , 7J , 1M , 7M , 1U , 7U
3D ,5D, 3E ,5E ,3F , 5F ,3H,5H ,
3K , 5K , 3M , 5M , 3N , 5N , 3P , 5P
图1B ,图7B,图1C ,图7C,图4D, 3J, 5J ,4L, 1R,5R,
7R ,1T ,2T, 6T, 7T, 2U, 3U, 4U , 5U, 6U
VDD
VDDQ
VSS
NC
供应
供应
供应
—
MCM69F735
4
摩托罗拉快速SRAM
真值表
(见注1至5)
下一个周期
DESELECT
DESELECT
DESELECT
DESELECT
DESELECT
开始阅读
开始阅读
继续阅读
继续阅读
继续阅读
继续阅读
暂停阅读
暂停阅读
暂停阅读
暂停阅读
开始写
继续写
继续写
挂起写
挂起写
地址
二手
无
无
无
无
无
外
外
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
当前
当前
当前
当前
外
NEXT
NEXT
当前
当前
SE1
1
0
0
X
X
0
0
X
X
1
1
X
X
1
1
0
X
1
X
1
SE2
X
X
0
X
0
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
1
X
X
X
X
SE3
X
1
X
1
X
0
0
X
X
X
X
X
X
X
X
0
X
X
X
X
ADSP
X
0
0
1
1
0
1
1
1
X
X
1
1
X
X
1
1
X
1
X
ADSC
0
X
X
0
0
X
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
1
1
1
1
ADV
X
X
X
X
X
X
X
0
0
0
0
1
1
1
1
X
0
0
1
1
G3
X
X
X
X
X
X
X
1
0
1
0
1
0
1
0
X
X
X
X
X
DQX
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DQ
高-Z
DQ
高-Z
DQ
高-Z
DQ
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
写2,4
X
X
X
X
X
X5
READ5
读
读
读
读
读
读
读
读
写
写
写
写
写
注意事项:
1, X =无关。 1 =逻辑高电平。 0 =逻辑低。
2.写被定义为1)任何SBX和SW低或2)的SGW低。
3. G是一个异步信号而不是由时钟K.G。驱动总线立即( tGLQX )以下G变低采样。
4.按照读周期是写入周期,G之前,必须写周期的开始被否定,以确保正确的写数据准备时间。摹绝
也保持在完成写周期的否定,以确保正确的写数据保持时间。
5.本读假设RAM以前取消。
线性突发地址表
( LBO = VSS )
第一个地址(外部)
X . . . X00
X . . . X01
X . . . X10
X . . . X11
第二个地址(内部)
X . . . X01
X . . . X10
X . . . X11
X . . . X00
3地址(内部)
X . . . X10
X . . . X11
X . . . X00
X . . . X01
第四地址(内部)
X . . . X11
X . . . X00
X . . . X01
X . . . X10
交错突发地址表
( LBO = VDD )
第一个地址(外部)
X . . . X00
X . . . X01
X . . . X10
X . . . X11
第二个地址(内部)
X . . . X01
X . . . X00
X . . . X11
X . . . X10
3地址(内部)
X . . . X10
X . . . X11
X . . . X00
X . . . X01
第四地址(内部)
X . . . X11
X . . . X10
X . . . X01
X . . . X00
写真值表
周期类型
读
读
写字节A
写字节B
写字节
写字节
写的所有字节
写的所有字节
SGW
H
H
H
H
H
H
H
L
SW
H
L
L
L
L
L
L
X
SBA
X
H
L
H
L
H
L
X
SBB
X
H
H
L
H
L
L
X
SBC
X
H
H
H
L
H
L
X
SBD
X
H
H
H
H
L
L
X
摩托罗拉快速SRAM
MCM69F735
5