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通过MCM69C232 / D
超前信息
MCM69C232
4K ×64 CAM
该MCM69C232是一个灵活的内容可寻址存储器（CAM ），该可
包含每个64位的4096项。匹配字段和输出的宽度
字段是可编程的，并且所述匹配时被设计为160纳秒。其结果，
该MCM69C232非常适合于数据通信的应用，如虚拟路径
标识符/虚电路标识符（ VPI / VCI ）翻译成ATM交换机最多
OC12 （ 622 Mbps）的数据传输速率和介质访问控制（ MAC ）地址查询
在以太网/快速以太网桥。该MCM69C232的比赛占空比
用户定义的，与时间之间的匹配和num-之间的折衷
新条目误码率增加每秒的CAM 。
4096项
160 ns的时间相匹配
屏蔽寄存器，以“不关心”选择的位
深度扩张级联多个器件
50 MHz最大时钟速率
可编程匹配和输出字段宽度
虚拟路径电路与虚拟连接的并行匹配
在ATM模式的电路
单独的端口进行控制和匹配操作
200 ns的插入时间，如果一个十二项队列位置是空的
12毫秒的初始化时间快速插入后（上电时只）
采用3.3 V单
±
5 ％供应
100引脚TQFP封装
IEEE标准1149.1测试端口（ JTAG ）
TQ包装
TQFP
CASE 983A -01
相关产品
- MCM69D536 ， MCM69D618 （双I / O ，双地址的RAM ）
- MCM67Q709A ， MCM67Q909 （独立I / O的RAM ）
- MCM69C432 （ CAM）的
控制端口
12 x 64
入口队列
MQ31 - MQ0
A2 – A0
DQ15 - DQ0
SEL
WE
IRQ
DTACK
RESET
输入REG
匹配端口
状态/
控制
逻辑
4K ×64
CAM
表
K
G
LH / SM
LL
MC
MS
VPC
本文件包含的新产品信息。在此说明和信息，如有变更，恕不另行通知。
REV 3
1/15/98
摩托罗拉公司1998年
摩托罗拉快速SRAM
MCM69C232
1
引脚分配
MQ10
MQ11
VSS
VDD
MQ12
MQ13
MQ14
MQ15
LL
VDD
VSS
LH / SM
MQ16
MQ17
MQ18
MQ19
VDD
VSS
MQ20
MQ21
MQ9
MQ8
VSS
VDD
MQ7
MQ6
MQ5
MQ4
VSS
VDD
MQ3
MQ2
MQ1
MQ0
VSS
VDD
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VDD
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
VDD
VSS
DQ7
DQ6
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
1
80
2
79
3
78
4
77
5
76
6
75
7
74
8
73
9
72
10
71
11
70
12
69
13
68
14
67
15
66
16
65
17
64
18
63
19
62
20
61
21
60
22
59
23
58
24
57
25
56
26
55
27
54
28
53
29
52
30
51
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
DQ5
DQ4
VDD
VSS
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
K
VSS
VDD
A2
A1
A0
WE
SEL
VDD
VDD
TRST
TDI
MQ22
MQ23
VSS
VDD
MQ24
MQ25
MQ26
MQ27
VSS
VDD
MQ28
MQ29
MQ30
MQ31
VSS
VDD
MC
VPC
MS
G
VSS
VDD
DTACK
IRQ
RESET
TDO
VDD
VSS
TCK
TMS
MCM69C232
2
摩托罗拉快速SRAM
引脚说明
引脚位置
42 – 44
58
17 – 20, 23 – 26,
29 – 32, 35 – 38
61
57
39
89
92
64
62
67 – 70, 73 – 76,
79 – 82, 85 – 88,
93 – 96, 99, 100,
1, 2, 5 – 8, 11 – 14
56
46
52
50
55
51
49
63
45
4, 10, 16, 22, 27, 33,
41, 47, 48, 54, 59, 65,
71, 77, 84, 91, 97
3, 9, 15, 21, 28, 34,
40, 53, 60, 66, 72,
78, 83, 90, 98
符号
A2 – A0
DTACK
DQ15 - DQ0
G
IRQ
K
LH / SM
LL
MC
MS
MQ31 - MQ0
TYPE
输入
产量
I / O
输入
产量
输入
输入
输入
产量
产量
I / O
3比特的控制端口地址总线。
控制端口的数据传输应答（漏极开路） 。
16位双向控制端口的数据总线。
异步输出使能控制MQ31的 - MQ0 。
控制端口中断（漏极开路） 。
接口时钟， 50 MHz的最高频率。
锁定高/开始比赛。开始比赛顺序对比赛数据呈现上
MQ31 - MQ0 。
锁存器低。锁存低位，如果匹配宽度为> 32位。
完全匹配（漏极开路） 。
匹配成功（漏极开路） 。
32位的通用I / O CAM数据。用于比赛的RAM和数据RAM输入
值。
描述
RESET
SEL
TCK
TDI
TDO
TMS
TRST
VPC
WE
VDD
输入
输入
输入
输入
产量
输入
输入
产量
输入
供应
芯片复位到已知状态。
控制端口片选，低电平有效。
测试时钟， JTAG接口的一部分。
测试数据， JTAG接口的一部分。
测试数据输出， JTAG接口的一部分。
测试模式选择， JTAG接口的一部分。
JTAG接口的TAP复位一部分。
虚拟通路电路。用在ATM模式来表示虚拟路径的电路匹配有
发生（漏极开路） 。
控制端口写使能。
电源： 3.3 V
±
5%.
VSS
供应
地面上。
摩托罗拉快速SRAM
MCM69C232
3
绝对最大额定值
（见注1 ）
等级
电源电压（见注2 ）
电压相对于VSS （见注2 ）
每个引脚输出电流
封装功耗（见注3 ）
高温下偏置（见注3 ）
工作温度（见注4 ）
储存温度
符号
VDD
VIN
IOUT
PD
Tbias
TA
TSTG
价值
4.6
- 0.5 VDD + 0.5 V
±
20
—
- 1085
0到70
- 55 125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
°C
该器件包含电路保护
输入不受损坏，由于高静电压
年龄或电场;然而，建议
正常的预防措施，以避免
施加任何电压的比马克西更高
妈妈的额定电压，以这种高阻抗
电路。
注意事项：
如果绝对最大额定值可能会出现1永久性设备损坏
超标。功能操作应仅限于推荐能操作
阿婷条件。暴露于高于扩展电压推荐
的时间段可能会影响器件的可靠性。
2.所有电压参考VSS 。
3.功耗能力将取决于封装的特性和使用
环境。见封装热特性。
4.向结到环境的热特性表的细节和条件。
DC操作条件和特点
（ VDD = 3.3 V
±
5 ％ ， TJ = 20 120 ° C，除非另有说明）
推荐工作条件
（电压参考VSS = 0 V）
参数
电源电压
工作温度（结）
输入低电压
输入高电压
* VIL （分钟） = - 3.0 V AC（脉冲宽度
符号
VDD
TJ
VIL
民
3.1
20
– 0.5*
2.0
典型值
3.3
—
0
3
最大
3.5
120
0.8
5.5
单位
V
°C
V
V
v
20纳秒） 。
参数
VIH
直流特性和供电电流
符号
IDD1
IDD2
ILKG （I）的
ILKG （ O）
VOL
VOH
民
—
—
—
—
—
2.4
最大
575
460
待定
待定
0.4
—
单位
mA
mA
A
A
V
V
有源电源电流@ 20℃ TJ
有源电源电流@ 120℃ TJ
输入漏电流（0V
v
VIN
v
VDD ）
输出漏电流（0V
v
VIN
v
VDD ）
输出低电压（ IOL = 8毫安）
输出高电压（ IOH = - 4毫安）
封装热特性
等级
热阻结到环境（ 200 LFPM ， 4层板） （注2 ）
热阻结对板（下） （注3 ）
热阻结到外壳（顶部） （注4 ）
符号
R
θJA
R
θJB
R
θJC
最大
27.1
17
9
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
1. RAM结温是在芯片上的功耗，封装的热阻抗，安装部位温度的函数，并
安装位点的热阻抗。
2.每SEMI G38-87 。
3.表示模具和安装表面之间的平均热阻抗。
4.表示模具和壳体顶面之间的平均热阻抗。通过冷板方法（ MIL SPEC -883实测
方法1012.1 ） 。
MCM69C232
4
摩托罗拉快速SRAM
电容
（周期性采样救父100 ％测试）
参数
输入电容
I / O容量
符号
CIN
CI / O
民
—
—
最大
5
8
单位
pF
pF
结到环境的热特性
板
1层
1层
1层
4层
4层
4层
空气（ LFPM ）
0
200
400
0
200
400
θ
JA （ ° C / W）
40.1
34.7
32.1
30.5
27.1
25.6
最高环境温度（ ° C）
55.8
64.4
68.7
71.1
76.6
79.0
交流工作条件和特点
（ VDD = 3.3 V
±
5 ％ ， TJ = 20 120 ° C，除非另有说明）
输入定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 3.0 V
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3纳秒
输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。图1除非另有说明
控制端口和匹配端口时序
（电压参考VSS = 0 V ，最大的是tKHKH依赖和上市值是tKHKH = 20纳秒）
参数
控制端口时序
地址有效到SEL低
DTACK低到地址无效
数据有效到选择低
DTACK低到数据无效
输出有效到DTACK低
我们要有效选择低
DTACK低到WE高
WE高到输出有效
选择低到DTACK低*
选择高到DTACK高
DTACK低到IRQ低
IRQ低到高IRQ
DTACK低到高选择
DTACK高到低选择
地址有效到输出有效
选择高到输出三态
tAVSL
tDTLAX
tDVSL
tDTLDX
tQVDTL
tWVSL
tDTLWH
TWHQX
tSLDTL
tSHDTH
tDTLIL
TILIH
tDTLSH
tDTHSL
tAVQV
tSHQZ
0
0
0
0
2
0
0
待定
10
10
待定
20
0
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
30
—
—
—
—
8
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
民
最大
单位
*当一个写操作期间某些操作试图DTACK被延迟。参见功能描述。
摩托罗拉快速SRAM
MCM69C232
5
QQ：2880707522 复制
