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摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MCM6946 / D
超前信息
MCM6946
512K ×8位静态随机
存取存储器
该MCM6946是组织为4,194,304位的静态随机存取存储器
524288字的8位。静态设计,无需外部时钟或
定时选通。
该MCM6946装有芯片使能(E)和输出使能(G)的引脚,
允许更大的系统灵活性,并消除总线争用的问题。
任一输入端,高电平时,将强制输出为高阻态。
该MCM6946可在400万, 36引脚表面贴装封装SOJ 。
采用3.3 V单 - 5 % , + 10 %电源
快速访问时间: 8/10/12/15 NS
平等的地址和芯片使能存取时间
所有的输入和输出为TTL兼容
三态输出
电力操作:一百八十五分之一百九十五/一百七十五分之一百八十零mA最大,交流活动
可在TSOP或SOJ包装
YJ包装
400万SOJ
CASE 893-02
TS封装
44–LEAD
TSOP II型
CASE 924A -02
引脚名称
A0 - A18 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址输入
W的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。写使能
-G。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。输出使能
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。芯片使能
DQ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。数据输入/输出
NC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无连接
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 3.3 V电源供电
VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地
本文件包含的新产品信息。在此说明和信息,如有变更,恕不另行通知。
第5版
3/31/98
摩托罗拉公司1998年
摩托罗拉快速SRAM
MCM6946
1
框图
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
ROW
解码器
存储矩阵
DQ
输入
数据
控制
DQ
A
A
A
列I / O
列解码器
A
A
A
A
A
A
DQ
E
W
G
DQ
MCM6946
2
摩托罗拉快速SRAM
引脚分配
400万SOJ
A
A
A
A
A
E
DQ
DQ
VCC
VSS
DQ
DQ
W
A
A
A
A
A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A
A
A
A
G
DQ
DQ
VSS
VCC
DQ
DQ
A
A
A
A
A
NC
NC
NC
A
A
A
A
A
E
DQ
DQ
VDD
VSS
DQ
DQ
W
A
A
A
A
A
NC
NC
TSOP II型
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
NC
A
A
A
A
G
DQ
DQ
VSS
VDD
DQ
DQ
A
A
A
A
A
NC
NC
NC
摩托罗拉快速SRAM
MCM6946
3
真值表
( X =无关)
E
H
L
L
L
G
X
H
L
X
W
X
H
H
L
模式
未选择
输出禁用
I / O引脚
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
周期
当前
ISB1 , ISB2
ICCA
ICCA
ICCA
绝对最大额定值
(见注)
等级
电源电压相对于Vss的
电压相对于VSS的任何引脚
除了VCC
输出电流(每个I / O)
功耗
在偏置温度
工作温度
储存温度 - 塑料
符号
VCC
VIN,VOUT
IOUT
PD
Tbias
TA
TSTG
价值
- 0.5 + 5.0
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
1.0
- 10至+ 85
0至+ 70
- 55至+ 150
单位
V
V
mA
W
°C
°C
°C
该器件包含电路保护
输入不受损坏,由于高静电压
年龄或电场;然而,建议
正常的预防措施,以避免
施加任何电压的比马克西更高
妈妈的额定电压为这些高阻抗
电路。
该内存的BiCMOS电路已
专为满足DC与AC规范
表中所示,热平衡后
已经建立。该电路是在一个测试
插座或安装在印刷电路板和
至少为500每线性英尺横向气流
分保持不变。
注:如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备
超标。功能操作应仅限于推荐能操作
阿婷条件。暴露于高于推荐电压
长时间可能会影响器件的可靠性。
MCM6946
4
摩托罗拉快速SRAM
DC操作条件和特点
( VCC = 3.3 V - 5 % , + 10 % , TA = 0 + 70 ° C,除非另有说明)
推荐工作条件
参数
电源电压(工作电压范围)
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VIH
VIL
3.135
2.2
– 0.5
*
典型值
3.3
最大
3.6
VCC + 0.3 **
0.8
单位
V
V
V
* VIL (分钟) = - 0.5 V直流; VIL (分) = - 2.0 V AC(脉冲宽度
2.0纳秒) 。
** VIH (最大值) = VCC + 0.3 V直流; VIH (最大值) = VCC + 2.0 V AC(脉冲宽度
2.0纳秒) 。
DC特性
参数
输入漏电流(所有输入, VIN = 0至VCC )
输出漏电流(E = VIH时,VOUT = 0 VCC )
输出低电压( IOL = + 8.0毫安)
输出高电压( IOH = - 4.0毫安)
符号
ILKG (I)的
ILKG ( O)
VOL
VOH
2.4
最大
±
1.0
±
1.0
0.4
单位
A
A
V
V
电源电流
参数
主动交流电源电流
(IOUT = 0 mA时, VCC =最大值)
MCM6946-8 : tAVAV = 8纳秒
MCM6946-10 : tAVAV = 10纳秒
MCM6946-12 : tAVAV = 12纳秒
MCM6946-15 : tAVAV = 15纳秒
MCM6946-8 : tAVAV = 8纳秒
MCM6946-10 : tAVAV = 10纳秒
MCM6946-12 : tAVAV = 12纳秒
MCM6946-15 : tAVAV = 15纳秒
符号
ICC
0至70℃
195
185
180
175
55
50
50
45
20
单位
mA
AC待机电流( VCC =最大, E = VIH ,
在其他投入,没有其他限制)
ISB1
mA
CMOS待机电流(E
VCC - 0.2 V ,输入电压
VSS + 0.2 V或
VCC - 0.2 V )
( VCC =最大, F = 0兆赫)
ISB2
mA
电容
( F = 1.0兆赫,DV = 3.3 V , TA = 25 ° C,而定期取样超过100%测试)
参数
输入电容
输入/输出电容
所有的输入,除了时钟和DQS
E,G ,W
DQ
符号
CIN
CCK
CI / O
典型值
4
5
5
最大
6
8
8
单位
pF
pF
摩托罗拉快速SRAM
MCM6946
5
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
MCM6946TS8R
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