摩托罗拉
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通过MCM6929A / D
超前信息
MCM6929A
256K ×4位高速静态随机
存取存储器
该MCM6929A是组织了1,048,576位静态随机存取存储器
作为4位262,144字。静态设计，无需外部时钟
或定时选通。
输出使能（ G）是一种特殊的控制功能，提供更高的系统
灵活性和消除了总线争用问题。
该器件符合JEDEC标准的功能性和革命性的引脚排列，
并且是在一个400万的塑料小外形J-含铅封装。
3.3 V单电源供电
全静态 - 无时钟或定时选通必要
所有的输入和输出为TTL兼容
三态输出
快速访问时间： 8，10， 12，15纳秒
中心电源和I / O引脚的降低了噪音
全3.3 V的BiCMOS
WJ包装
400万SOJ
CASE 857A -02
引脚分配
NC
A
A
A
A
E
DQ
VDD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
A
A
A
A
G
DQ
VSS
VDD
DQ
A
A
A
A
A
NC
框图
A
A
A
A
A
A
A
A
A
DQ
输入
数据
控制
DQ
A
A
列I / O
列解码器
ROW
解码器
内存
矩阵
512行×512× 4
柱
VDD
VSS
VSS
DQ
W
A
A
A
A
NC
引脚名称
一。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。芯片使能
W的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。写使能
-G。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。输出使能
DQ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。数据输入/输出
VDD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 3.3 V电源供电
VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地
NC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无连接
A
A
A
A
A
A
A
E
W
G
本文件包含的新产品信息。摩托罗拉保留不另行通知变更或终止本产品的权利。
REV1
2/26/97
摩托罗拉1997年公司
摩托罗拉快速SRAM
MCM6929A
1
真值表
（ X =无关）
E
H
L
L
L
G
X
H
L
X
W
X
H
H
L
模式
未选择
输出禁用
读
写
VDD电流
ISB1 ， ISB2
非洲工业发展十年
非洲工业发展十年
非洲工业发展十年
产量
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
周期
—
—
读周期
写周期
绝对最大额定值
（见注）
等级
电源电压
电压相对于VSS的任何引脚除外
VDD
输出电流
功耗
在偏置温度
工作温度
储存温度 - 塑料
符号
VDD
VIN，VOUT
IOUT
PD
Tbias
TA
TSTG
价值
- 0.5 + 4.6
- 0.5 VDD + 0.5
±
30
0.6
- 10至+ 85
0至+ 70
- 55至+ 125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
°C
该器件包含电路保护
输入不受损坏，由于高静电压
年龄或电场;然而，建议
采取正常的预防措施，以避免应用程序
任何电压的阳离子比最大高
额定电压为这些高阻抗税务局局长
cuits 。
该内存的BiCMOS电路已经DE-
签署，以满足DC和AC规格
表中所示，热平衡后
已经建立。该电路是在一个测试
插座或安装在印刷电路板
和至少为500英尺长的横向空气流
每分钟保持。
注：如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备
超标。功能操作应仅限于推荐能操作
阿婷条件。暴露于高于推荐电压
长时间可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件和特点
（ VDD = 3.3V + 10 ％ ， - 5 ％， TA = 0 70 ° C，除非另有说明）
推荐工作条件
参数
电源电压（工作电压范围）
输入高电压
输入低电压
符号
VDD
VIH
VIL
民
3.135
2.2
– 0.5
*
典型值
3.3
—
—
最大
3.6
VDD + 0.3
**
0.8
单位
V
V
V
* VIL （分钟） = -0.5 V直流; VIL （分钟）= -2.0 V AC（脉冲宽度
≤
2.0纳秒）为我
≤
20.0毫安。
** VIH （最大值） = VDD + 0.3 V直流; VIH （最大值） = VDD + 2 V AC（脉冲宽度
≤
2.0纳秒）为我
≤
20.0毫安。
DC特性
参数
输入漏电流（所有输入， VIN = 0 VDD ）
输出漏电流（E = VIH时，VOUT = 0 VDD ）
输出低电压（ IOL = + 8.0毫安）
输出高电压（ IOH = - 4.0毫安）
符号
ILKG （I）的
ILKG （ O）
VOL
VOH
民
—
—
—
2.4
最大
±
1.0
±
1.0
0.4
—
单位
A
A
V
V
MCM6929A
2
摩托罗拉快速SRAM
电源电流
（见注1 ）
6929A–8
参数
主动交流电源电流
（IOUT = 0 mA时） （ VDD =最大值， F = FMAX ）
活跃的静态电流
（ E = VIL ， VDD =最大值， F = 0兆赫）
AC待机电流
（ E = VIH ， VDD =最大值， F = FMAX ）
符号
非洲工业发展十年
IDD2
ISB1
典型值
—
—
—
最大
150
80
50
6929A–10
典型值
—
—
—
最大
130
80
45
6929A–12
典型值
—
—
—
最大
120
80
40
6929A–15
典型值
—
—
—
最大
110
80
35
单位
mA
mA
mA
2, 3, 4
笔记
2, 3, 4
CMOS待机电流
ISB2
—
20
—
20
—
20
—
20
mA
（ VDD =最大值， F = 0兆赫，
E
≥
VDD - 0.2 V ，
VIN
≤
VSS + 0.2 V或
≥
VDD - 0.2 V ）
注意事项：
1.典型电流= 25°C @ 3.3 V.
2.参考交流工作条件和特点进行输入和定时（ VIH / VIL ， TR / TF ，脉冲电平0 3.0V， VIH = 3.0 V） 。
3.所有的地址转换同时低（LSB） ，然后在高（MSB）。
4.数据的状态都是零。
电容
（ F = 1.0兆赫，DV = 3.0 V， TA = 25 ° C，而定期取样超过100％测试）
参数
地址输入电容
控制引脚输入电容
输入/输出电容
符号
CIN
CIN
CI / O
典型值
—
—
—
最大
6
6
8
单位
pF
pF
pF
摩托罗拉快速SRAM
MCM6929A
3
交流工作条件和特点
（ VDD = 3.3V + 10 ％ ， - 5 ％ ， TA = 0 + 70 ° C，除非另有说明）
输入定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 3.0 V
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2纳秒
输出定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
读周期时序
（见注1和2 ）
6929A–8
参数
读周期时间
地址访问时间
启用访问时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
使能低到输出有效
输出使能低到输出有效
能高到输出高阻
输出使能高到输出高阻
符号
tAVAV
tAVQV
TELQV
TGLQV
tAXQX
TELQX
TGLQX
TEHQZ
TGHQZ
民
8
—
—
—
3
3
0
—
—
最大
—
8
8
4
—
—
—
4
4
6929A–10
民
10
—
—
—
3
3
0
—
—
最大
—
10
10
5
—
—
—
5
5
6929A–12
民
12
—
—
—
3
3
0
—
—
最大
—
12
12
6
—
—
—
6
6
6929A–15
民
15
—
—
—
3
3
0
—
—
最大
—
15
15
7
—
—
—
7
7
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4,5,6
4,5,6
4,5,6
4,5,6
笔记
3
注意事项：
1， W为高读周期。
2.对于通用I / O的应用，尽量减少或消除了总线争用条件是必须在读写周期。
3.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
4.在任何给定的电压和温度， tEHQZ最大值< tELQX分钟， tGHQZ最大值< tGLQX分钟，既对于给定的设备和从
设备到设备。
5.转变是从稳态电压测量200 mV的。
6.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
7.设备不断选择（E = VIL ，G = VIL） 。
8.地址有效之前或重合为E变低。
时序极限值
RL = 50
产量
Z0 = 50
VL = 1.5 V
定时值的表显示任一最小
或最大限制为每个参数。输入要求一
ments是从外部系统指定点
视图。因此，地址的建立时间被示为一个微型
妈妈因为系统必须至少提供那么多
时间。另一方面，从存储器响应
从设备上看指定。因此，该
存取时间被示为最大，因为该装置
超过该时间后从未提供数据。
图1. AC测试负载
MCM6929A
4
摩托罗拉快速SRAM
QQ：2880707522 复制
