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通过MCM67M618A / D
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MCM67M618A
64K ×18位BurstRAM
同步快速静态RAM
突发计数器和自定时写
该MCM67M618A是1179648位同步静态随机存取
存储器设计成提供一个可破裂的，高性能的，二级高速缓存
为MC68040和PowerPC 微处理器。它是作为65,536
18位的话，使用摩托罗拉的高性能硅栅制造
BiCMOS技术。该器件集成了输入寄存器，一个2位计数器，高
高速SRAM ，以及高驱动能力输出到一个单片电路
为减少元件数实现缓存数据RAM的应用程序。同步
异步的设计允许与使用外部时钟（K）的精确的周期控制。
的BiCMOS电路，降低了集成功能的整体功耗
系统蒸发散为更高的可靠性。
地址（ A0 - A15） ，数据输入（ DQ0 - DQ17 ），以及所有的控制信号，
除了输出使能（G）是时钟（K） ，通过控制正边沿
同相触发寄存器。
连发可以与任何传输开始处理器（ TSP）或转移启动
启动高速缓存控制器（ TSC ）输入引脚。随后一阵地址gen-
由MCM67M618A内部产生（突发序列模仿的是，
MC68040 ）和色同步地址来提前（ BAA ）输入管脚控制。该
以下页面提供关于突发控制的更多详细信息。
写周期是内部自定时的通过的上升沿发起
时钟（ K）的输入。这个特性消除了复杂的片写脉冲的产生
并且提供了用于输入信号的增加的灵活性。
双写使能（LW和UW ）被设置为允许单独地写
字节。 LW控制DQ0 - DQ8 （低位比特），而UW控制DQ9 - DQ17
（高位） 。
该器件非常适合于要求宽数据总线宽度的系统和
超高速缓冲存储器。
采用5 V单
±
5 ％的电源
快速访问时间： 12年9月10日ns（最大值）
通过双写选通字节可写
内部输入寄存器（地址，数据，控制）
内部自定时写周期
TSP ， TSC和BAA突发控制引脚
异步输出使能控制三态输出
常见的数据输入和数据输出
高板密度52 - PLCC封装
3.3 V的I / O兼容
FN包装
塑料
CASE 778-02
引脚分配
A6
A7
E
UW
LW
TSC
TSP
BAA
K
G
A8
A9
A10
7 6 5 4 3 2 1 52 51 50 49 48 47
DQ9
DQ10
VCC
VSS
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
VSS
VCC
DQ15
DQ16
DQ17
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
DQ8
DQ7
DQ6
VCC
VSS
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
VSS
VCC
DQ1
DQ0
A0 - A15 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。时钟
BAA 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。突发地址进展
LW 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。低字节写使能
UW 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。高字节写使能
TSP ， TSC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。传递开始
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。芯片使能
-G。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。输出使能
DQ0 - DQ17 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。数据输入/输出
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5 V电源
VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地
所有电源和地引脚都必须
连接该设备的正确操作。
A5
A4
A3
A2
A1
A0
VSS
VCC
A15
A14
A13
A12
A11
引脚名称
BurstRAM是摩托罗拉公司的一个商标。
PowerPC是IBM公司的商标。
本文件包含有关正在开发的新产品信息。摩托罗拉保留不另行通知变更或终止本产品的权利。
REV 1
5/95
摩托罗拉公司1994年
摩托罗拉快速SRAM
MCM67M618A
1
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