摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MCM6728B / D
256K ×4位高速静态随机
存取存储器
该MCM6728B是组织了1,048,576位静态随机存取存储器
作为4位262,144字。该器件采用高性能的制作sili-
CON-门BiCMOS技术。静态设计，无需外部
时钟或定时选通。
该器件符合JEDEC标准的功能性和革命性的引脚排列，
并且是在一个400万的塑料小外形J-含铅封装。
采用5 V单
±
10 ％的电力供应
全静态 - 无时钟或定时选通必要
所有的输入和输出为TTL兼容
三态输出
快速访问时间： 8 ， 10 ， 12纳秒
中心电源和I / O引脚的降低了噪音
MCM6728B
WJ包装
400万SOJ
CASE 810-03
引脚分配
A
A
A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
A
A
A
A
DQ3
VSS
VCC
DQ2
A
A
A
A
A
框图
A
A
A
A
A
A
A
A
A
DQ0
输入
数据
控制
DQ3
A
A
列I / O
列解码器
ROW
解码器
内存
矩阵
512行×512× 4
柱
VCC
VSS
A
E
DQ0
VCC
VSS
DQ1
W
A
A
A
A
引脚名称
A0 - A17 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。芯片使能
W的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。写使能
DQ0 - DQ3 。 。 。 。 。 。 。 。数据输入/输出
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5 V电源
VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地
NC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无连接
A
A
A
A
A
A
A
E
W
REV 2
5/95
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉快速SRAM
MCM6728B
1
真值表
（ X =无关）
E
H
L
L
W
X
H
L
模式
未选择
读
写
VCC电流
ISB1 ， ISB2
ICCA
ICCA
产量
高-Z
DOUT
高-Z
周期
—
读周期
写周期
绝对最大额定值
（见注）
等级
电源电压
电压相对于VSS的任何引脚除外
VCC
输出电流
功耗
在偏置温度
工作温度
存储温度塑料
符号
VCC
VIN，VOUT
IOUT
PD
Tbias
TA
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
±
30
1.0
- 10至+ 85
0至+ 70
单位
V
V
mA
W
°C
°C
该器件包含电路保护
输入不受损坏，由于高静电压
年龄或电场;然而，建议
采取正常的预防措施，以避免应用程序
任何电压的阳离子比最大高
额定电压为这些高阻抗税务局局长
cuits 。
该内存的BiCMOS电路已经DE-
签署，以满足DC和AC规格
表中所示，热平衡后
已经建立。该电路是在一个测试
插座或安装在印刷电路板
和至少为500英尺长的横向空气流
每分钟保持。
TSTG
- 55至+ 125
°C
注：如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备
超标。功能操作应仅限于推荐能操作
阿婷条件。暴露于高于推荐电压
长时间可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件和特点
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， TA = 0 70 ° C，除非另有说明）
推荐工作条件
参数
电源电压（工作电压范围）
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VIH
VIL
民
4.5
2.2
– 0.5
*
典型值
5.0
—
—
最大
5.5
VCC + 0.3
**
0.8
单位
V
V
V
* VIL （分钟） = - 0.5 V直流; VIL （分） = - 2.0 V AC（脉冲宽度
≤
2.0纳秒）为我
≤
20.0毫安。
** VIH （最大值） = VCC + 0.3 V直流; VIH （最大值） = VCC + 2 V AC（脉冲宽度
≤
2.0纳秒）为我
≤
20.0毫安。
DC特性
参数
输入漏电流（所有输入， VIN = 0至VCC ）
输出漏电流（E = VIH时，VOUT = 0 VCC ）
输出低电压（ IOL = + 8.0毫安）
输出高电压（ IOH = - 4.0毫安）
符号
ILKG （I）的
ILKG （ O）
VOL
VOH
民
—
—
—
2.4
最大
±
1.0
±
1.0
0.4
—
单位
A
A
V
V
电源电流
参数
活动交流电源电流（IOUT = 0 mA时） （ VCC =最大， F = FMAX ）
活跃的静态电流（E = VIL ， VCC =最大， F = 0兆赫）
AC待机电流（E = VIH ， VCC =最大， F = FMAX ）
CMOS待机电流（ VCC =最大， F = 0兆赫，E
≥
VCC - 0.2 V ，
VIN
≤
VSS + 0.2 V或
≥
VCC - 0.2 V ）
符号
ICCA
ICC2
ISB1
ISB2
6728B–8
195
90
60
20
6728B–10
165
90
60
20
6728B–12
155
90
60
20
单位
mA
mA
mA
mA
1, 2, 3
笔记
1, 2, 3
注意事项：
1.参考交流工作条件和特点进行输入和定时（ VIH / VIL ， TR / TF ，脉冲电平0 3.0V， VIH = 3.0 V） 。
2.所有的地址转换同时低（LSB） ，然后在高（MSB）。
3.数据状态都为零。
MCM6728B
2
摩托罗拉快速SRAM
电容
（ F = 1.0兆赫，DV = 3.0 V， TA = 25 ° C，而定期取样超过100％测试）
参数
地址输入电容
控制引脚输入电容
输入/输出电容
符号
CIN
CIN
CI / O
典型值
—
—
—
最大
6
6
8
单位
pF
pF
pF
交流工作条件和特点
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， TA = 0 + 70 ° C，除非另有说明）
输入定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 3.0 V
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2纳秒
输出定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图1a
读周期时序
（见注1和2 ）
6728B–8
参数
读周期时间
地址访问时间
启用访问时间
从地址变更输出保持
使能低到输出有效
能高到输出高阻
符号
tAVAV
tAVQV
TELQV
tAXQX
TELQX
TEHQZ
民
8
—
—
3
3
0
最大
—
8
8
—
—
4
6728B–10
民
10
—
—
3
3
0
最大
—
10
10
—
—
5
6728B–12
民
12
—
—
3
3
0
最大
—
12
12
—
—
6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4,5,6
4,5,6
笔记
3
注意事项：
1， W为高读周期。
2.对于通用I / O的应用，尽量减少或消除了总线争用条件是必须在读写周期。
3.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
4.在任何给定的电压和温度， tEHQZ最大值< tELQX分钟，对于给定的设备。
5.过渡时测得的200毫伏从稳态电压与图1b中的负荷。
6.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
7.设备不断选择（ E = VIL） 。
8.地址有效之前或重合为E变低。
AC测试负载
+5 V
产量
Z0 = 50
RL = 50
VL = 1.5 V
产量
255
5 pF的
480
时序极限值
定时值的表显示任一
最小或最大极限为每个参
安静。输入要求从指定
视外部系统点。因此， AD-
着装设置时间被示为最小
因为系统必须提供至少是
多少时间（尽管大部分设备不
需要的话） 。另一方面，响应从
存储器从设备指定
观点看法。因此，访问时间显示
作为最大的，因为该设备从未亲
志愿组织的数据超过该时间后。
图1A
图1b
摩托罗拉快速SRAM
MCM6728B
3
写周期1
（W控制，见注1和2 ）
6728B–8
参数
写周期时间
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
数据有效到写结束
数据保持时间
写低到数据高阻
写高到输出有效
写恢复时间
符号
tAVAV
tAVWL
tAVWH
tWLWH ，
TWLEH
tDVWH
tWHDX
TWLQZ
TWHQX
tWHAX ALE低
民
8
0
8
8
4
0
0
3
0
最大
—
—
—
—
—
—
4
—
—
6728B–10
民
10
0
9
9
5
0
0
3
0
最大
—
—
—
—
—
—
5
—
—
6728B–12
民
12
0
10
10
6
0
0
3
0
最大
—
—
—
—
—
—
6
—
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4,5,6
4,5,6
笔记
3
注意事项：
1.电子低和W低的重叠期间，写操作。
2.对于通用I / O的应用，尽量减少或消除了总线争用条件是必须在读写周期。
3.所有的写周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
4.过渡时测得的200毫伏从稳态电压与图1b中的负荷。
5.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
6.在任何给定的电压和温度， tWLQZ最大值< tWHQX分钟都对于给定的设备和从设备到设备。
写周期1
tAVAV
A（地址）
tAVWH
E（ CHIP ENABLE ）
TWLEH
tWLWH
W（写使能）
tAVWL
D（ DATA IN ）
TWLQZ
Q（ DATA OUT ）
高-Z
高-Z
TWHQX
tDVWH
数据有效
tWHDX
tWHAX ALE低
摩托罗拉快速SRAM
MCM6728B
5
QQ：2881677436 复制
