引脚说明
160引脚卡边针脚位置
20, 21, 22, 23, 24, 26, 28, 29,
101, 102, 103, 104, 106, 108, 109, 110
30
符号
A3 – A18
ADSP
TYPE
输入
输入
描述
地址输入：这些输入注册到数据RAM和必须的
满足建立和保持时间。标签内存地址没有登记。
地址处理器状态：开始读，写，或芯片取消
周期（例外芯片取消时， ADSP断言不会发生DGS
而CCS是很高的。
突发顺序选择： NC的交错突发计数器。配合以地面
线性突发计数器。
字节写使能：要在今后的模块中使用。
缓存地址状态：开始读，写，或芯片取消循环。
缓存突发ADVANCE：增加处理次数根据
交错式计数的风格。
芯片选择：低有效芯片使数据的RAM 。
缓存输出使能：低电平有效的异步输入。
低 - 使输出缓冲器（ DQ引脚）
高 - DQX引脚为高阻抗。
时钟：这个信号寄存器的地址，数据和所有的控制信号
除了CG 。
缓存数据字节写使能：数据RAM的低电平有效写信号。
同步数据I / O：
驱动器的数据进行数据RAM中的在读周期。
将数据存储到RAM中的数据在写周期。
114
18
9
89
16
91
伯塞尔
BWE
CADS
CADV
CCS
CG
输入
输入
输入
输入
输入
输入
36, 116
11, 12, 13, 14, 92, 93, 94, 96
38, 40, 41, 42, 44, 45, 46, 47, 49, 50, 51,
53, 54, 55, 57, 58, 59, 61, 62, 63, 65, 66,
67, 69, 70, 71, 73, 74, 75, 77, 78, 79,
118, 120, 121, 122, 124, 125, 126, 127,
129, 130, 131, 133, 134, 135, 137, 138,
139, 141, 142, 143, 145, 146, 147, 149,
150, 151, 153, 154, 155, 157, 158, 159
31, 32
17
33, 34, 112, 113
2, 3, 4, 5, 6, 82, 83, 84, 85, 86, 88
CLK0,
CLK1
CWE0 -
CWE7
DQ0
DQ63
输入
输入
I / O
ECS1,
ECS2
GWE
PD0 -
PD3
TIO0 -
TIO10
TWE
VDD3
VDD5
VSS
输入
输入
—
I / O
扩展芯片选择
全局写使能：在今后的模块中使用。
设备检测：见设备检测表
标签内存I / O ：
驱动器的数据进行标记时比较周期。
将数据存储到标签中写周期标记RAM 。
标签写使能：对于标签的RAM低电平有效写信号。
电源： 3.3 V + 10 ％ ， - 5 ％ 。
电源： 5.0 V
±
5%.
地面上。
8
7, 15, 25, 39, 52, 60, 68, 76
87, 95, 105, 119, 132, 140, 148, 156
1, 10, 19, 27, 35, 37, 43, 48, 56, 64, 72,
80, 81, 90, 99, 107, 115, 117, 123, 128,
136, 144, 152, 160
100, 111
97, 98
输入
供应
供应
供应
RSVD
NC
—
—
无连接：保留以供将来使用。
无连接：有到模块的连接。
摩托罗拉快速SRAM
MCM64PD32MCM64PD64
5
QQ：2881677436 复制
