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摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MCM63P736 / D
产品预览
128K ×36和256K ×18位
流水线BurstRAM
同步快速静态RAM
该MCM63P736和MCM63P818是4M位同步快速静态RAM
目的是提供一个可破裂的,高性能,二级高速缓存的
的PowerPC 和其它高性能的微处理器。该MCM63P736是
组织为每个36位128K字和MCM63P818组织成
256K字的每个18位。这些器件集成了输入寄存器,输出
寄存器,一个2位的地址计数器,并在一个单片高速SRAM
电路,减少了部件数量在高速缓存中的数据RAM的应用程序。 DE-同步
标志可以通过使用一个外部时钟(K)的精确循环控制。
地址( SA) ,数据输入( DQX ) ,并且除了输出所有的控制信号
使能(G)中,休眠模式( ZZ) ,和线性脉冲串顺序(LBO )的时钟(K)控制的
通过正边沿触发的同相寄存器。
连发可以与任何ADSP ADSC或输入引脚启动。随后爆
地址可以在内部通过MCM63P736和MCM63P818产生
(突发序列工作在直线或交错方式取决于国家
LBO ),并通过脉冲串地址前进( ADV)输入引脚控制。
写周期是内部自定时的通过的上升沿发起
时钟( K)的输入。这个特性消除了复杂的片写脉冲的产生
并且提供了用于输入信号增加的定时的灵活性。
同步字节写( SBX ) ,全球同步写( SGW ) ,和同步的
理性写使能(SW)被提供给允许写入任一单个字节或
到所有的字节。该字节被指定为“a” , “b”的等SBa型控制DQA , SBB CON-
trols DQB等各个字节,如果所选的字节写入SBX是AS-写
牢固插入与西南。所有的字节或书面如果任SGW断言,如果所有SBX和
SW断言。
对于读周期,流水线SRAM的输出数据暂时由一个存储
边沿触发的输出寄存器,然后被释放到输出缓冲器,在下一
时钟的上升沿( K) 。
该MCM63P736和MCM63P818从3.3 V内核电源供电
和所有输出的2.5 V或3.3 V电源供电。所有输入和输出
是JEDEC标准JESD8-5兼容。
MCM63P736 / MCM63P818-133 = 4 ns访问/ 7.5 ns的周期( 133兆赫)
MCM63P736 / MCM63P818-100 = 5 ns访问/ 10ns的周期( 100兆赫)
MCM63P736 / MCM63P818-66 = 7 ns访问/ 15 ns的周期( 66兆赫)
3.3 V + 10 % , - 5%的内核电源, 2.5 V或3.3 V的I / O电源
ADSP , ADSC和ADV突发控制引脚
可选的突发排序顺序(线性/交织)
双周期取消时序
内部自定时写周期
字节写和全局写控制
休眠模式( ZZ )
PB1 2.0版兼容
JEDEC标准的119引脚PBGA和100引脚TQFP封装
MCM63P736
MCM63P818
TQ包装
TQFP
CASE 983A -01
ZP包装
PBGA
CASE 999-01
在PowerPC是IBM公司,经许可使用的商标。
本文件包含有关正在开发中的产品信息。摩托罗拉保留不另行通知变更或终止本产品的权利。
10/8/97
摩托罗拉1997年公司
摩托罗拉快速SRAM
MCM63P736MCM63P818
1
功能框图
LBO
ADV
K
ADSC
ADSP
K2
BURST
计数器
CLR
2
2
17/18
128K ×36 /
256K ×18
ARRAY
SA
SA1
SA0
地址
注册
17/18
15/16
SGW
SW
注册
a
36/18
36/18
SBA
SBB
注册
b
4/2
注册
c*
DATA- IN
注册
K
DATA -OUT
注册
SBC *
SBD *
注册
d*
K
K2
K
注册
SE1
SE2
SE3
G
ZZ
*仅对MCM63P736 。
启用
注册
启用
注册
DQA - DQD /
DQA - DQB
MCM63P736MCM63P818
2
摩托罗拉快速SRAM
MCM63P736引脚分配
SA
SA
SE1
SE2
SBD
SBC
SBB
SBA
SE3
VDD
VSS
K
SGW
SW
G
ADSC
ADSP
ADV
SA
SA
DQC
DQC
DQC
VDDQ
VSS
DQC
DQC
DQC
DQC
VSS
VDDQ
DQC
DQC
NC
VDD
NC
VSS
DQD
DQD
VDDQ
VSS
DQD
DQD
DQD
DQD
VSS
VDDQ
DQD
DQD
DQD
100 99 98 97 9695 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
1
80
2
79
3
78
4
77
5
76
6
75
7
74
8
73
9
72
10
71
11
70
12
69
13
68
14
67
15
66
16
65
17
64
18
63
19
62
20
61
21
60
22
59
23
58
24
57
25
56
26
55
27
54
28
53
29
52
30
51
31 32 33 34 35 36 3738 39 40 41 42 43 44 4546 47 48 49 50
LBO
SA
SA
SA
SA
SA1
SA0
NC
NC
VSS
VDD
NC
NC
SA
SA
SA
SA
SA
SA
SA
TOP VIEW 119 BUMP PBGA
TOP VIEW 100引脚TQFP
不按比例
DQB
DQB
DQB
VDDQ
VSS
DQB
DQB
DQB
DQB
VSS
VDDQ
DQB
DQB
VSS
NC
VDD
ZZ
DQA
DQA
VDDQ
VSS
DQA
DQA
DQA
DQA
VSS
VDDQ
DQA
DQA
DQA
1
A
B
C
D
E
DQC
F
G
DQC
H
J
K
DQD
L
DQD
M
DQC
VDDQ
NC
NC
DQC
2
SA
SE2
SA
DQC
DQC
3
SA
SA
SA
VSS
VSS
VSS
SBC
VSS
NC
VSS
SBD
VSS
VSS
VSS
LBO
SA
NC
4
ADSP
ADSC
VDD
NC
SE1
G
ADV
SGW
VDD
K
NC
SW
SA1
SA0
VDD
SA
NC
5
SA
SA
SA
VSS
VSS
VSS
SBB
VSS
NC
VSS
SBA
VSS
VSS
VSS
NC
SA
NC
6
SA
SE3
SA
DQB
DQB
7
VDDQ
NC
NC
DQB
DQB
VDDQ DQC
DQC
DQC
DQB VDDQ
DQB
DQB
DQB
DQB
VDDQ VDD
DQD
DQD
VDD VDDQ
DQA
DQA
DQA
DQA
VDDQ DQD
N
P
R
T
NC
U
VDDQ
NC
NC
DQD
DQD
NC
DQD
DQD
SA
DQA VDDQ
DQA
DQA
SA
NC
DQA
DQA
NC
ZZ
NC VDDQ
摩托罗拉快速SRAM
MCM63P736MCM63P818
3
MCM63P736 PBGA引脚说明
引脚位置
4B
符号
ADSC
TYPE
输入
描述
同步地址状态控制器:低电平有效,任何中断
持续的爆发和锁存新的外部地址。用于启动一个
读,写,或芯片取消。
同步地址状态处理器:低有效,任何中断
持续的爆发和锁存新的外部地址。用于启动一个
新的READ或芯片取消(例外 - 芯片取消不会发生
当ADSP断言和SE1高) 。
同步推进地址:地址递增计数
根据选择的计数器类型(线性/交织) 。
同步数据的I / O : “ x”指的字节被读取或写入
(字节A,B , C,D ) 。
4A
ADSP
输入
4G
(一) 6K , 7K , 6L , 7L , 6M , 6N , 7N , 6P , 7P
(二) 6D ,7D, 6E ,7E, 6F ,6G , 7G ,6H ,7H
(三) 1D, 2D , 1E , 2E , 2F , 1G , 2G , 1H , 2H
(四) 1K,2K , 1L,2L ,2M, 1N ,2N , 1P ,2P
4F
ADV
DQX
输入
I / O
G
输入
异步输出使能输入:
低 - 使输出缓冲器( DQX引脚) 。
高 - DQX引脚为高阻抗。
时钟:这个信号寄存器的地址,数据和所有的控制信号
除G, LBO和ZZ 。
线性突发顺序输入:此引脚必须保持在稳定状态(这
讯号未注册或锁定) 。它必须连接到高电平或低电平。
低 - 线性突发计数器( 68K / PowerPC等) 。
高 - 交错突发计数器( 486 / 1960 /奔腾) 。
同步地址输入:这些输入注册和必备
满足建立和保持时间。
同步地址输入:这些引脚必须连接到两个
地址总线进行适当突发操作的位。这些输入
注册和必须满足建立和保持时间。
同步字节写输入: “X”指的是被写入的字节(字节
A,B , C,D ) 。 SGW覆盖SBX 。
同步芯片使能:低电平有效使能芯片。
否定高 - 块ADSP或取消选择芯片时是ADSC
断言。
同步芯片使能:高有效的深度扩展。
同步芯片使能:低电平有效的深度扩展。
全球同步写:此信号写入的字节都不管
在SBX和SW信号的状态。如果只有一个字节的写信号SBX是
在使用时,将该引脚为高电平。
同步写:该信号只写那些已经字节
使用字节写SBX引脚选择。如果只有一个字节的写信号SBX
正在使用,配合该引脚为低电平。
睡眠模式:此高电平有效的异步信号放置到RAM
最低功耗模式。在ZZ引脚禁用RAM的内部时钟
时,放置在该模式。当ZZ被取消时, RAM保持在
低功耗模式,直到被命令来读取或写入。数据
的完整性得以维持,在返回到正常操作。
核心供电。
I / O电源。
地面上。
无连接:有芯片的连接。
4K
3R
K
LBO
输入
输入
图2A ,3A, 5A,6A ,3B ,5B, 2C ,3C,
图5C ,6C, 2R ,6R, 3T,4T, 5T
4N , 4P
SA
SA1 , SA0
输入
输入
5L ,5G ,3G, 3L
(一) (二) (三) (四)
4E
SBX
SE1
输入
输入
2B
6B
4H
SE2
SE3
SGW
输入
输入
输入
4M
SW
输入
7T
ZZ
输入
4C , 2J , 4J , 6J , 4R
1A ,7A , 1F , 7F , 1J , 7J , 1M , 7M , 1U , 7U
3D ,5D, 3E ,5E ,3F , 5F ,3H,5H ,
3K , 5K , 3M , 5M , 3N , 5N , 3P , 5P
图1B ,图7B,图1C ,图7C,图4D, 3J, 5J ,4L, 1R,5R,
7R , 1T , 2T , 6T , 2U , 3U , 4U , 5U , 6U
VDD
VDDQ
VSS
NC
供应
供应
供应
MCM63P736MCM63P818
4
摩托罗拉快速SRAM
MCM63P736 TQFP引脚说明
引脚位置
85
符号
ADSC
TYPE
输入
描述
同步地址状态控制器:低电平有效,任何中断
持续的爆发和锁存新的外部地址。用于启动一个
读,写,或芯片取消。
同步地址状态处理器:低有效,任何中断
持续的爆发和锁存新的外部地址。用于启动一个
新的READ或芯片取消(例外 - 芯片取消不会发生
当ADSP断言和SE1高) 。
同步推进地址:地址递增计数
根据选择的计数器类型(线性/交织) 。
同步数据的I / O : “ x”指的字节被读取或写入
(字节A,B , C,D ) 。
84
ADSP
输入
83
(a) 51, 52, 53, 56, 57, 58, 59, 62, 63
(b) 68, 69, 72, 73, 74, 75, 78, 79, 80
(c) 1, 2, 3, 6, 7, 8, 9, 12, 13
(d) 18, 19, 22, 23, 24, 25, 28, 29, 30
86
ADV
DQX
输入
I / O
G
输入
异步输出使能输入:
低 - 使输出缓冲器( DQX引脚) 。
高 - DQX引脚为高阻抗。
时钟:这个信号寄存器的地址,数据和所有的控制信号
除G, LBO和ZZ 。
线性突发顺序输入:此引脚必须保持在稳定状态(这
讯号未注册或锁定) 。它必须连接到高电平或低电平。
低 - 线性突发计数器( 68K / PowerPC等) 。
高 - 交错突发计数器( 486 / 1960 /奔腾) 。
同步地址输入:这些输入注册和必备
满足建立和保持时间。
同步地址输入:必须将这些引脚连接到两个LSB
的地址总线,用于正确脉冲串操作。这些输入
注册和必须满足建立和保持时间。
同步字节写输入: “X”指的是被写入的字节(字节
A,B , C,D ) 。 SGW覆盖SBX 。
同步芯片使能:低电平有效使能芯片。
否定高 - 块ADSP或取消选择芯片时是ADSC
断言。
同步芯片使能:高有效的深度扩展。
同步芯片使能:低电平有效的深度扩展。
全球同步写:此信号写入的字节都不管
在SBX和SW信号的状态。如果只有一个字节的写信号SBX是
在使用时,将该引脚为高电平。
同步写:该信号只写那些已经字节
使用字节写SBX引脚选择。如果只有一个字节的写信号SBX
正在使用,配合该引脚为低电平。
睡眠模式:此高电平有效的异步信号放置到RAM
最低功耗模式。在ZZ引脚禁用RAM的内部时钟
时,放置在该模式。当ZZ被取消时, RAM保持在
低功耗模式,直到被命令来读取或写入。数据
的完整性得以维持,在返回到正常操作。
核心供电。
I / O电源。
地面上。
无连接:有芯片的连接。
89
31
K
LBO
输入
输入
32, 33, 34, 35, 44, 45, 46,
47, 48, 49, 50, 81, 82, 99, 100
36, 37
SA
SA1 , SA0
输入
输入
93, 94, 95, 96
(一) (二) (三) (四)
98
SBX
SE1
输入
输入
97
92
88
SE2
SE3
SGW
输入
输入
输入
87
SW
输入
64
ZZ
输入
15, 41, 65, 91
4, 11, 20, 27, 54, 61, 70, 77
5, 10, 17, 21, 26, 40,
55, 60, 67, 71, 76, 90
14, 16, 38, 39, 42, 43, 66
VDD
VDDQ
VSS
NC
供应
供应
供应
摩托罗拉快速SRAM
MCM63P736MCM63P818
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    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    MCM63P818ZP133R
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    终端采购配单精选

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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    MCM63P818ZP133R
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    MCM63P818ZP133R
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    终端采购配单精选

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联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
MCM63P818ZP133R
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