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摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MCM63F733A / D
超前信息
MCM63F733A
128K ×32位流通型
BurstRAM同步
快速静态RAM
该MCM63F733A是4M位同步快速静态RAM的设计,亲
韦迪一个破裂的,高性能的,二级缓存为在PowerPC 和
其它高性能的微处理器。它是作为32个128K字
每个位,制造高性能硅栅CMOS技术。
该器件集成的输入寄存器,一个2位的地址计数器,和高速
SRAM在一个单片电路,减少零件在高速缓存中的数据计算
RAM的应用程序。同步设计允许与精确的周期控制
使用外部时钟( K)的。 CMOS电路,降低了整体功率变
消耗的综合功能,提高可靠性。
地址( SA) ,数据输入( DQX ) ,并且除了输出所有的控制信号
使能( G)和线性突发顺序( LBO )的时钟(K )通过控制
正边沿触发的同相寄存器。
连发可以与任何ADSP ADSC或输入引脚启动。随后爆
地址可在内部由MCM63F733A (突发序列生成的
操作依赖于杠杆收购的状态)和反对的线性或交错模式
由脉冲串地址前进(ADV )输入管脚控制。
写周期是内部自定时的通过的上升沿发起
时钟( K)的输入。这个特性消除了复杂的片写脉冲的产生
并且提供了用于输入信号增加的定时的灵活性。
同步字节写( SBX ) ,全球同步写( SGW ) ,和同步的
理性写使能(SW)被提供给允许写入任一单个字节或
到所有的字节。的四个字节被指定为“a” , “b”的, “ c”和“ d”按钮。 SBa型控制
DQA , SBB控制DQB等各个字节写入,如果选择字节
写SBX被认定有SW 。所有字节写入如果任SGW断言
或者,如果所有的SBX和SW断言。
对于读周期,流通的SRAM允许输出数据简单地自由流动
从存储器阵列。
该MCM63F733A从3.3 V核心供电,所有输出工作
运行在2.5 V或3.3 V电源。所有的输入和输出JEDEC
标准JESD8-5兼容。
MCM63F733A - 10 = 10 ns访问/ 13 ns的周期( 75兆赫)
MCM63F733A - 11 = 11 ns访问/ 15 ns的周期( 66兆赫)
3.3 V + 10 % / - 5 %的核心,电源供应器, 2.5 V或3.3 V的I / O电源
ADSP , ADSC和ADV突发控制引脚
可选的突发排序顺序(线性/交织)
内部自定时写周期
字节写和全局写控制
单周期取消
休眠模式( ZZ )
100引脚TQFP封装
TQ包装
TQFP
CASE 983A -01
在PowerPC是IBM公司,经许可使用的商标。
本文件包含的新产品信息。在此说明和信息,如有变更,恕不另行通知。
REV 2
3/20/98
摩托罗拉公司1998年
摩托罗拉快速SRAM
MCM63F733A
1
功能框图
LBO
ADV
K
ADSC
ADSP
K2
BURST
计数器
CLR
2
2
17
128K ×32阵列
SA
SA1
SA0
地址
注册
17
15
SGW
SW
注册
a
32
32
SBA
SBB
注册
b
4
注册
c
DATA- IN
注册
K
SBC
SBD
注册
d
K2
SE1
SE2
SE3
G
启用
注册
DQA - DQD
MCM63F733A
2
摩托罗拉快速SRAM
引脚分配
SA
SA
SE1
SE2
SBD
SBC
SBB
SBA
SE3
VDD
VSS
K
SGW
SW
G
ADSC
ADSP
ADV
SA
SA
NC
DQC
DQC
VDDQ
VSS
DQC
DQC
DQC
DQC
VSS
VDDQ
DQC
DQC
NC
VDD
NC
VSS
DQD
DQD
VDDQ
VSS
DQD
DQD
DQD
DQD
VSS
VDDQ
DQD
DQD
NC
100 99 98 97 9695 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
1
80
2
79
3
78
4
77
5
76
6
75
7
74
8
73
9
72
10
71
11
70
12
69
13
68
14
67
15
66
16
65
17
64
18
63
19
62
20
61
21
60
22
59
23
58
24
57
25
56
26
55
27
54
28
53
29
52
30
51
31 32 33 34 35 36 3738 39 40 41 42 43 44 4546 47 48 49 50
LBO
SA
SA
SA
SA
SA1
SA0
NC
NC
VSS
VDD
NC
NC
SA
SA
SA
SA
SA
SA
SA
NC
DQB
DQB
VDDQ
VSS
DQB
DQB
DQB
DQB
VSS
VDDQ
DQB
DQB
VSS
NC
VDD
ZZ
DQA
DQA
VDDQ
VSS
DQA
DQA
DQA
DQA
VSS
VDDQ
DQA
DQA
NC
摩托罗拉快速SRAM
MCM63F733A
3
引脚说明
引脚位置
85
符号
ADSC
TYPE
输入
描述
同步地址状态控制器:低电平有效,任何中断
持续的爆发和锁存新的外部地址。用于启动一个
读,写,或芯片取消。
同步地址状态处理器:低有效,任何中断
持续的爆发和锁存新的外部地址。用于启动一个
新的READ ,WRITE或芯片取消(例外 - 芯片不取消
当ADSP断言不会发生, SE1高) 。
同步推进地址:地址递增计数
根据选择的计数器类型(线性/交织) 。
同步数据的I / O : “ x”指的字节被读取或写入
(字节A,B , C,D ) 。
84
ADSP
输入
83
(a) 51, 52, 53, 56, 57, 58, 59, 62, 63
(b) 68, 69, 72, 73, 74, 75, 78, 79, 80
(c) 1, 2, 3, 6, 7, 8, 9, 12, 13
(d) 18, 19, 22, 23, 24, 25, 28, 29, 30
86
89
31
ADV
DQX
输入
I / O
G
K
LBO
输入
输入
输入
异步输出使能输入。
时钟:这个信号寄存器的地址,数据和所有的控制信号
除G, LBO和ZZ 。
线性突发顺序输入:此引脚可以悬空;它会默认为
交错。
低 - 线性突发计数器( 68K / PowerPC等) 。
高 - 交错突发计数器( 486 / 1960 /奔腾) 。
同步地址输入:这些输入注册和必备
满足建立和保持时间。
同步地址输入:这些引脚必须连接到两个
地址总线进行适当突发操作的位。这些输入
注册和必须满足建立和保持时间。
同步字节写输入: “ x”指的字节被写入
(字节A,B , C,D ) 。 SGW覆盖SBX 。
同步芯片使能:低电平有效使能芯片。
否定高 - 块ADSP或取消选择芯片时是ADSC
断言。
同步芯片使能:高有效的深度扩展。
同步芯片使能:低电平有效的深度扩展。
全球同步写:此信号写入的字节都不管
在SBX和SW信号的状态。如果只有一个字节的写信号SBX是
在使用时,将该引脚为高电平。
同步写:该信号只写那些已经字节
使用字节写SBX引脚选择。如果只有一个字节的写信号SBX
正在使用,配合该引脚为低电平。
睡眠模式:此高电平有效的异步信号放置到RAM
最低功耗模式。在ZZ引脚禁用RAM的内部时钟
时,放置在该模式。当ZZ被取消时, RAM保持在
低功耗模式,直到被命令来读取或写入。数据
的完整性得以维持,在返回到正常操作。
核心供电。
I / O电源。
地面上。
无连接:有芯片的连接。
32, 33, 34, 35, 44, 45, 46,
47, 48, 49, 50, 81, 82, 99, 100
36, 37
SA
SA1 , SA0
输入
输入
93, 94, 95, 96
(一) (二) (三) (四)
98
SBX
SE1
输入
输入
97
92
88
SE2
SE3
SGW
输入
输入
输入
87
SW
输入
64
ZZ
输入
15, 41, 65, 91
4, 11, 20, 27, 54, 61, 70, 77
5, 10, 17, 21, 26, 40,
55, 60, 67, 71, 76, 90
14, 16, 38, 39, 42, 43, 66
VDD
VDDQ
VSS
NC
供应
供应
供应
MCM63F733A
4
摩托罗拉快速SRAM
真值表
(见注1至5)
下一个周期
DESELECT
DESELECT
DESELECT
DESELECT
DESELECT
开始阅读
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暂停阅读
暂停阅读
开始写
继续写
继续写
挂起写
挂起写
地址
二手
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
当前
当前
当前
当前
NEXT
NEXT
当前
当前
SE1
1
0
0
X
X
0
0
X
X
1
1
X
X
1
1
0
X
1
X
1
SE2
X
X
0
X
0
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
1
X
X
X
X
SE3
X
1
X
1
X
0
0
X
X
X
X
X
X
X
X
0
X
X
X
X
ADSP
X
0
0
1
1
0
1
1
1
X
X
1
1
X
X
1
1
X
1
X
ADSC
0
X
X
0
0
X
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
1
1
1
1
ADV
X
X
X
X
X
X
X
0
0
0
0
1
1
1
1
X
0
0
1
1
G3
X
X
X
X
X
X
X
1
0
1
0
1
0
1
0
X
X
X
X
X
DQX
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DQ
高-Z
DQ
高-Z
DQ
高-Z
DQ
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
写2,4
X
X
X
X
X
X
注意事项:
1, X =无关。 1 =逻辑高电平。 0 =逻辑低。
2.写被定义为1)任何SBX和SW低,或2)的SGW低。
3. G是一个异步信号而不是由时钟K.G。驱动总线立即( tGLQX )以下G变低采样。
4.按照读周期是写入周期,G之前,必须写周期的开始被否定,以确保正确的写数据准备时间。
G也可以必须保持在完成写周期,以确保正确的写数据保持时间的否定。
异步真值表
手术
取消
ZZ
L
L
L
L
H
G
L
H
X
X
X
I / O状态
数据输出( DQX )
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
线性突发地址表
( LBO = VSS )
第一个地址(外部)
X . . . X00
X . . . X01
X . . . X10
X . . . X11
第二个地址(内部)
X . . . X01
X . . . X10
X . . . X11
X . . . X00
3地址(内部)
X . . . X10
X . . . X11
X . . . X00
X . . . X01
第四地址(内部)
X . . . X11
X . . . X00
X . . . X01
X . . . X10
摩托罗拉快速SRAM
MCM63F733A
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联系人:夏先生 朱小姐
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电话:021-51875986/51872153
联系人:陈小姐 张先生
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联系人:陈佳隆
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电话:13798269714
联系人:刘生
地址:广东省深圳市福田区福华路京海花园18楼
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联系人:郑小姐
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MOT
20+
5600
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