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由MCM6343 / D
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MCM6343
256K ×16位3.3 V异步
快速静态RAM
该MCM6343是组织为4,194,304位的静态随机存取存储器
262,144字的16位。静态设计，无需外部时钟
或定时选通。
该MCM6343装有芯片使能（E） ，写使能（W），并输出
使能（ G）引脚，允许更大的系统灵活性和消除总线CON-
张力问题。独立的字节使能控制（ LB和UB ）允许个体
字节写入和读出。的LB控制所述低位比特DQ0到DQ7 ，而UB
控制高位DQ8到DQ15 。
该MCM6343可在400万， 44引脚小外形封装SOJ
和44引脚TSOP II型封装。
采用3.3 V单
±
0.3 V电源
快速访问时间： 12/15 NS
平等的地址和芯片使能存取时间
所有的输入和输出为TTL兼容
数据字节控制
全静态操作
电力操作： 250/240/230 mA最大，交流活动
商业与标准工业温度选项： - 40 + 85°C
框图
G
产量
启用
卜FF器
9
A
18
地址
缓冲器
9
ROW
COLUMN
解码器解码器
8
高字节输出使能
低字节输出使能
8
高
字节
产量
卜FF器
高
字节
写
司机
8
YJ包装
400万SOJ
CASE 919-01
TS封装
TSOP II型
CASE 924A -02
引脚分配
A
A
A
A
A
E
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VDD
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
W
A
A
A
A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
A
A
G
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VDD
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A
A
A
A
A
E
芯片
启用
卜FF器
256K ×16
位
内存
ARRAY
16
SENSE
安培
8
8
W
写
启用
卜FF器
低
字节
产量
卜FF器
8
低
字节
写
司机
8
A
引脚名称
8
A0 - A17 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。芯片使能
W的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。写使能
-G。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。输出使能
UB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。高字节
磅。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。低字节
DQ0 - DQ15 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。数据输入/输出
VDD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 3.3 V电源供电
VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地
NC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无连接
LB
UB
字节
启用
卜FF器
高字节写使能
低字节写使能
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REV 2
2/10/98
摩托罗拉公司1998年
摩托罗拉快速SRAM
MCM6343
1
DC操作条件和特点
（ VDD = 3.3 V
±
0.3 V ， TA = 0 70 ° C，除非另有说明）
（ TA = - 40至+ 85°C工业温度发售）
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VDD
VIH
VIL
民
3.0
2.2
– 0.5
*
典型值
3.3
—
—
最大
3.6
VDD + 0.3
**
0.8
单位
V
V
V
* VIL （分钟） = - 0.5 V直流; VIL （分） = - 2.0 V AC（脉冲宽度
≤
20纳秒）为我
≤
20.0毫安。
** VIH （最大值） = VDD + 0.3 V直流; VIH （最大值） = VDD + 2.0 V AC（脉冲宽度
≤
20纳秒）为我
≤
20.0毫安。
DC特性
参数
输入漏电流（所有输入， VIN = 0 VDD ）
输出漏电流（E = VIH时，VOUT = 0 VDD ）
输出低电压
输出高电压
（ IOL = + 4.0毫安）
（ IOL = + 100
A)
（ IOH = - 4.0毫安）
（ IOH = - 100
A)
符号
ILKG （I）的
ILKG （ O）
VOL
VOH
民
—
—
—
2.4
VDD - 0.2
最大
±
1.0
±
1.0
0.4
VSS + 0.2
—
单位
A
A
V
V
电源电流
参数
主动交流电源电流
（IOUT = 0 mA时， VCC =最大值）
AC待机电流（ VCC =最大， E = VIH ，
在其他投入，没有其他限制）
MCM6343-12 ： tAVAV = 12纳秒
MCM6343-15 ： tAVAV = 15纳秒
MCM6343-12 ： tAVAV = 12纳秒
MCM6343-15 ： tAVAV = 15纳秒
符号
ICC
ISB1
ISB2
0至70℃
240
230
50
45
5
- 40
+ 85°C
240
55
50
5
单位
mA
mA
mA
CMOS待机电流（E
≥
VCC - 0.2 V ，输入电压
≤
VSS + 0.2 V或
≥
VCC - 0.2 V ）
（ VCC =最大， F = 0兆赫）
电容
（ F = 1.0兆赫，DV = 3.0 V， TA = 25 ° C，而定期取样超过100％测试）
参数
地址输入电容
控制输入电容
输入/输出电容
符号
CIN
CIN
CI / O
典型值
—
—
—
最大
6
6
8
单位
pF
pF
pF
摩托罗拉快速SRAM
MCM6343
3
交流工作条件和特点
（ VCC = 3.3 V
±
0.3 V ， TA = 0 + 70 ° C，除非另有说明）
（ TA = - 40至+ 85°C工业温度发售）
逻辑输入定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 1.50 V
逻辑输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 3.0 V
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2纳秒
输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.50 V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
读周期时序
（见注1 ， 2 ，3）
MCM6343–12
参数
P
读周期时间
地址访问时间
启用访问时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
使能低到输出有效
输出使能低到输出有效
能高到输出高阻
输出使能高到输出高阻
字节使能存取时间
字节使能低到输出有效
高字节到输出高阻
符号
S B升
tAVAV
tAVQV
TELQV
TGLQV
tAXQX
TELQX
TGLQX
TEHQZ
TGHQZ
TBLQV
TBLQX
TBHQZ
民
12
—
—
—
3
3
0
0
0
—
0
0
最大
—
12
12
6
—
—
—
6
6
6
—
6
MCM6343–15
民
15
—
—
—
3
3
0
0
0
—
0
0
最大
—
15
15
7
—
—
—
7
7
7
—
7
单位
U I
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6, 7, 8
6, 7, 8
6, 7, 8
6, 7, 8
6, 7, 8
6, 7, 8
5
笔记
N
4
注意事项：
1， W为高读周期。
2.产品的灵敏度噪声需要适当的接地和电源去耦以及最小化或消除总线
在读写周期竞争的条件。
3.设备不断选择（E
≤
VIL ，G
≤
VIL ） 。
4.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
5.地址有效之前或重合为E变低。
6.在任何给定的电压和温度， tEHQZ最大tELQX分钟， tGHQZ最大tGLQX分钟，既对于给定的设备和从设备
到设备。
7.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
8.转换测量
±
200毫伏的稳态电压。
t
t
时序极限值
RL = 50
产量
Z0 = 50
VL = 1.5 V
定时值的表显示任一最小
或最大限制为每个参数。输入要求一
ments是从外部系统指定点
视图。因此，地址的建立时间被示为最小
因为系统必须至少提供那么多的时间。
另一方面，从存储器响应是
从设备上看指定。因此， AC-
塞斯时间被示为最大，因为该装置
超过该时间后从未提供数据。
图1. AC测试负载
MCM6343
4
摩托罗拉快速SRAM
QQ：2880707522 复制
