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摩托罗拉
半导体技术资料
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由MCM6341 / D
超前信息
MCM6341
128K ×24位静态随机
存取存储器
该MCM6341是组织为3145728位的静态随机存取存储器
131,072字的24位。静态设计,无需外部时钟
或定时选通。
该MCM6341装有芯片使能( E1,E2, E3)和输出使能
(G)中的引脚,从而可获得更大的系统灵活性,并消除了总线争
问题。
该MCM6341可在119焊球PBGA封装。
采用3.3 V单
±
10 %的电力供应
快速访问时间: 10/11/12/15 NS
平等的地址和芯片使能存取时间
所有的输入和输出为TTL兼容
三态输出
电力操作: 280/275/270/260 mA最大,交流活动
商业的温度( 0℃至70 ℃)和
工业温度( - 40 ° C至+ 85°C )选项
框图
A
A
A
A
A
A
A
A
A
ROW
解码器
ZP包装
PBGA
CASE 999-02
引脚名称
一。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址输入
W的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。写使能
-G。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。输出使能
E1 ,E2,E3 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。芯片使能
DQ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。数据输入/输出
NC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无连接
VDD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 3.3 V电源供电
VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地
存储矩阵
DQ
输入
数据
控制
DQ
A
E1
E2
E3
W
G
A
A
列I / O
列解码器
A
A
A
A
A
DQ
DQ
本文件包含的新产品信息。在此说明和信息,如有变更,恕不另行通知。
REV 2
2/18/98
摩托罗拉公司1998年
摩托罗拉快速SRAM
MCM6341
1
引脚分配
1
A
B
C
D
E
DQ
F
G
DQ
H
DQ
J
K
L
M
DQ
N
P
R
T
NC
U
NC
A
A
A
A
W
G
A
A
A
A
NC
NC
DQ
DQ
DQ
VDD
VSS
VDD
NC
VSS
VDD
VSS
NC
VSS
VSS
VSS
NC
VSS
VDD
VSS
NC
VDD
VSS
VDD
NC
DQ
DQ
DQ
DQ
VDD
DQ
DQ
VDD
VSS
VDD
VSS
VSS
VDD
VSS
VDD
VSS
VSS
VSS
VSS
VSS
VDD
VSS
VDD
VDD
VSS
VDD
VSS
DQ
VDD
DQ
DQ
VSS
VDD
VSS
VDD
VSS
DQ
DQ
VSS
VDD
VDD
VSS
VSS
VSS
VDD
VSS
VSS
VDD
DQ
DQ
NC
NC
DQ
DQ
2
A
A
NC
VDD
3
A
A
E2
VSS
4
A
E1
NC
VSS
5
A
A
E3
VSS
6
A
A
NC
VDD
7
NC
NC
DQ
DQ
119焊球PBGA
顶视图
MCM6341
2
摩托罗拉快速SRAM
真值表
( X =无关)
E1
H
X
X
L
L
L
E2
X
L
X
H
H
H
E3
X
X
H
L
L
L
G
X
X
X
H
L
X
W
X
X
X
H
H
L
模式
未选择
未选择
未选择
输出禁用
I / O引脚
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
周期
当前
ISB1 , ISB2
ISB1 , ISB2
ISB1 , ISB2
非洲工业发展十年
非洲工业发展十年
非洲工业发展十年
绝对最大额定值
(见注)
等级
电源电压相对于Vss的
电压相对于VSS的任何引脚
除VDD
输出电流(每个I / O)
功耗
在偏置温度
广告
产业
符号
VDD
VIN,VOUT
IOUT
PD
Tbias
TSTG
价值
- 0.5 + 5.0
- 0.5 VDD + 0.5
±
20
1.0
- 10至+ 85
- 45至+ 90
- 55至+ 150
单位
V
V
mA
W
°C
°C
该器件包含电路保护
输入不受损坏,由于高静电压
年龄或电场;然而,建议
采取正常的预防措施,以避免AP-
任何电压的褶皱比最大高
额定电压为这些高阻抗电路。
该CMOS存储器电路已
专为满足DC与AC规范
表中所示,热平衡后
已经建立。该电路是在一个测试
插座或安装在印刷电路板和
至少为500每线性英尺横向气流
分保持不变。
储存温度 - 塑料
注:如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备
超标。功能操作应仅限于推荐能操作
阿婷条件。暴露于高于推荐电压
长时间可能会影响器件的可靠性。
摩托罗拉快速SRAM
MCM6341
3
DC操作条件和特点
( VDD = 3.3 V
±
10 % , TA = 0 + 70 ° C,除非另有说明)
( TA = - 40至+ 85°C工业温度发售)
推荐工作条件
参数
电源电压(工作电压范围)
输入高电压
输入低电压
符号
VDD
VIH
VIL
3.0
2.2
– 0.5
*
典型值
3.3
最大
3.6
VDD + 0.3 **
0.8
单位
V
V
V
* VIL (分钟) = - 0.5 V直流; VIL (分) = - 2.0 V AC(脉冲宽度
2.0纳秒) 。
** VIH (最大值) = VDD + 0.3 V直流; VIH (最大值) = VDD + 2.0 V AC(脉冲宽度
2.0纳秒) 。
DC特性
(见注)
参数
输入漏电流(所有输入, VIN = 0 VDD )
输出漏电流(E = VIH时,VOUT = 0 VDD )
输出低电压( IOL = + 8.0毫安)
输出高电压( IOH = - 4.0毫安)
符号
ILKG (I)的
ILKG ( O)
VOL
VOH
2.4
最大
±
1.0
±
1.0
0.4
单位
A
A
V
V
注: E1 , E2和E3都用E本数据表中表示。 E2为极性相反的E1和E3的。
电源电流
(见注)
参数
主动交流电源电流
(IOUT = 0 mA时, VDD =最大值)
MCM6341–10
MCM6341–11
MCM6341–12
MCM6341–15
MCM6341–10
MCM6341–11
MCM6341–12
MCM6341–15
符号
国际直拨电话
0至70℃
280
275
270
260
50
50
50
45
20
- 40
+ 85°C
290
285
280
270
55
55
55
50
20
单位
mA
AC待机电流( VDD =最大值, E = VIH ,
在其他投入,没有其他限制)
ISB1
mA
CMOS待机电流(E
VDD - 0.2 V ,输入电压
VSS + 0.2 V或
VDD - 0.2 V )
(VDD =最大值中,f = 0兆赫)
ISB2
mA
注: E1 , E2和E3都用E本数据表中表示。 E2为极性相反的E1和E3的。
电容
( F = 1.0兆赫,DV = 3.0 V, TA = 25 ° C,而定期取样超过100%测试)
参数
输入电容
输入/输出电容
所有的输入,除了时钟和DQS
E,G ,W
DQ
符号
CIN
CCK
CI / O
典型值
4
5
5
最大
6
8
8
单位
pF
pF
MCM6341
4
摩托罗拉快速SRAM
交流工作条件和特点
( VDD = 3.3 V
±
10 % , TA = 0 + 70 ° C,除非另有说明)
( TA = - 40至+ 85°C工业温度发售)
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 3.0 V
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2纳秒
输入定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输出定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
读周期时序
(见注1 , 2 ,3)
MCM6341–10
参数
P
读周期时间
地址访问时间
启用访问时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
使能低到输出有效
输出使能低到输出有效
能高到输出高阻
输出使能高到输出高阻
符号
S B升
tAVAV
tAVQV
TELQV
TGLQV
tAXQX
TELQX
TGLQX
TEHQZ
TGHQZ
10
3
3
0
0
0
最大
10
10
5
5
5
MCM6341–11
11
3
3
0
0
0
最大
11
11
6
6
6
MCM6341–12
12
3
3
0
0
0
最大
12
12
6
6
6
MCM6341–15
15
3
3
0
0
0
最大
15
15
7
7
7
单位
U I
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6, 7, 8
6, 7, 8
6, 7, 8
6, 7, 8
5
笔记
N
4
注意事项:
1, W为高读周期。
2.产品的灵敏度噪声需要适当的接地和电源去耦以及最小化或消除总线
在读写周期竞争的条件。
3. E1 , E2和E3都用E本数据表中表示。 E2为极性相反的E1和E3的。
4.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
5.地址有效之前或重合为E变低。
6.在任何给定的电压和温度, tEHQZ最大tELQX分钟, tGHQZ最大tGLQX分钟,既对于给定的设备和从设备
到设备。
7.转换测量
±
200毫伏的稳态电压。
8.这个参数进行采样,而不是100 %测试。
9.设备不断选择(E
VIL ,G
VIL ) 。
t
t
RL = 50
产量
Z0 = 50
VL = 1.5 V
图1. AC测试负载
摩托罗拉快速SRAM
MCM6341
5
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MOT
00
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