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摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MCM6323A / D
产品预览
MCM6323A
64K ×16位3.3 V异步
快速静态RAM
该MCM6323A是组织了1,048,576位静态随机存取存储器
作为16位的65536个词语。静态设计,无需外部时钟
或定时选通信号;的CMOS电路,可降低功耗,提供了用于
更高的可靠性。
该MCM6323A装有芯片使能(E) ,写使能(W),并输出
使能(G)中的引脚,从而可获得更大的系统灵活性,并消除了总线争
问题。独立的字节使能控制( LB和UB )允许单个字节是
写入和读取。的LB控制8 DQA位,而UB控制8 DQB位。
该MCM6323A是一个400万的小外形J-引线( SOJ )封装提供
年龄和44引脚TSOP II型封装在铜引线框架的优化
印刷电路板(PCB)的可靠性。
采用3.3 V单
±
0.3 V电源
快速存取时间: 10 ,12,15纳秒
平等的地址和芯片使能存取时间
所有的输入和输出为TTL兼容
数据字节控制
全静态操作
电力操作: 140/135/130 mA最大,交流活动
工业温度选项: - 40 + 85°C
产品型号: SCM6323AYJ10A
框图
G
产量
启用
卜FF器
7
地址
缓冲器
9
ROW
COLUMN
解码器解码器
8
高字节输出使能
低字节输出使能
8
字节
产量
卜FF器
字节
司机
8 DQB
8
YJ包装
400万SOJ
CASE 919-01
TS封装
44–LEAD
TSOP II型
CASE 924A -01
引脚分配
A
A
A
A
A
E
DQA
DQA
DQA
DQA
VDD
VSS
DQA
DQA
DQA
DQA
W
A
A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
A
A
G
UB
LB
DQB
DQB
DQB
DQB
VSS
VDD
DQB
DQB
DQB
DQB
NC
A
A
A
A
NC
A
16
E
芯片
启用
卜FF器
64K ×16
内存
ARRAY
16
SENSE
安培
8
8
A
A
NC
W
启用
卜FF器
字节
产量
卜FF器
8
字节
司机
8 DQA
8
引脚名称
一。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。芯片使能
W的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。写使能
-G。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。输出使能
UB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。高字节
磅。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。低字节
DQA 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。较低的数据输入/输出
DQB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。上的数据输入/输出
VDD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 3.3 V电源供电
VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地
NC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无连接
8
LB
UB
字节
启用
卜FF器
高字节写使能
低字节写使能
本文件包含有关正在开发的新产品信息。摩托罗拉保留权利
修改或终止本产品,恕不另行通知。
REV 1
10/17/97
摩托罗拉1997年公司
摩托罗拉快速SRAM
MCM6323A
1
真值表
( X =无关)
E
H
L
L
L
L
L
L
L
L
G
X
H
X
L
L
L
X
X
X
W
X
H
X
H
H
H
L
L
L
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
模式
未选择
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写入
字写
VDD电流
ISB1 , ISB2
非洲工业发展十年
非洲工业发展十年
非洲工业发展十年
非洲工业发展十年
非洲工业发展十年
非洲工业发展十年
非洲工业发展十年
非洲工业发展十年
DQA的
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
高-Z
DIN
DQB的
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
绝对最大额定值
(见注)
等级
电源电压
任何引脚电压
每个引脚输出电流
封装功耗
在偏置温度
工作温度
储存温度
Commerial
产业
Commerial
产业
符号
VDD
VIN
IOUT
PD
Tbias
TA
TSTG
价值
- 0.5 + 4.6
- 0.5 VDD + 0.5
±
20
.75
- 10至+ 85
- 45至+ 90
0至+ 70
- 40至+ 85
- 55至+ 150
单位
V
V
mA
W
°C
°C
°C
该器件包含电路保护
输入不受损坏,由于高静电压
年龄或电场;然而,建议
采取正常的预防措施,以避免应用程序
任何电压的阳离子比最大高
额定电压为这些高阻抗税务局局长
cuits 。
该CMOS存储器电路已经DE-
签署,以满足DC和AC规格
表中所示,热平衡后
已经建立。该电路是在一个测试
插座或安装在印刷电路板
和至少为500英尺长的横向空气流
每分钟保持。
注意事项:
如果绝对最大额定值可能会出现1永久性设备损坏
超标。功能操作应仅限于推荐能操作
阿婷条件。暴露于高于扩展电压推荐
的时间段可能会影响器件的可靠性。
2.所有电压参考VSS 。
3.功耗能力将取决于封装的特性和使用
环境。
MCM6323A
2
摩托罗拉快速SRAM
DC操作条件和特点
( VDD = 3.3 V
±
0.3 V , TA = 0 70 ° C,除非另有说明)
( TA = - 40至+ 85°C工业温度发售)
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VDD
VIH
VIL
3.0
2.2
– 0.5
*
典型值
3.3
最大
3.6
VDD + 0.3
**
0.8
单位
V
V
V
* VIL (分钟) = - 0.5 V直流; VIL (分) = - 2.0 V AC(脉冲宽度
20纳秒)为我
20.0毫安。
** VIH (最大值) = VDD + 0.3 V直流; VIH (最大值) = VDD + 2.0 V AC(脉冲宽度
20纳秒)为我
20.0毫安。
DC特性
参数
输入漏电流(所有输入, VIN = 0 VDD )
输出漏电流(E = VIH时,VOUT = 0 VDD )
输出低电压
输出高电压
( IOL = + 4.0毫安)
( IOL = + 100
A)
( IOH = - 4.0毫安)
( IOH = - 100
A)
符号
ILKG (I)的
ILKG ( O)
VOL
VOH
2.4
VDD - 0.2
最大
±
1.0
±
1.0
0.4
VSS + 0.2
单位
A
A
V
V
电源电流
(见注1 )
参数
活动交流电源电流(IOUT = 0 mA时)
( VDD =最大值, F = FMAX )
AC待机电流(E = VIH , VDD =最大值,
F = FMAX )
CMOS待机电流( VDD =最大值, F = 0兆赫,
E
VDD - 0.2 V ,输入电压
VSS + 0.2 V ,
or
VDD - 0.2 V )
商用
产业
商用
产业
商用
产业
符号
非洲工业发展十年
ISB1
ISB2
6323A–10
140
150
40
45
5
5
6323A–12
135
140
35
40
5
5
6323A–15
130
135
30
35
5
5
单位
mA
mA
mA
笔记
2
2
注意事项:
1.典型电流= 25°C @ 3.3 V.
2.参考交流工作条件和特点进行输入和定时( VIH / VIL , TR / TF ,脉冲电平0 3.0V, VIH = 3.0 V, VIL = 0 V) 。
电容
( F = 1.0兆赫,DV = 3.0 V, TA = 25 ° C,而定期取样超过100%测试)
参数
地址输入电容
控制输入电容
输入/输出电容
符号
CIN
CIN
CI / O
典型值
最大
6
6
8
单位
pF
pF
pF
摩托罗拉快速SRAM
MCM6323A
3
交流工作条件和特点
( VDD = 3.3 V
±
0.3 V , TA = 0 + 70 ° C,除非另有说明)
( TA = - 40至+ 85°C工业温度发售)
逻辑输入定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 1.50 V
逻辑输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 3.0 V
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2纳秒
输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.50 V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
读周期时序
(见注1 , 2 , 3 , 4 )
MCM6323A–10
参数
P
读周期时间
地址访问时间
启用访问时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
使能低到输出有效
输出使能低到输出有效
能高到输出高阻
输出使能高到输出高阻
字节使能存取时间
字节使能低到输出有效
高字节到输出高阻
符号
S B升
tAVAV
tAVQV
TELQV
TGLQV
tAXQX
TELQX
TGLQX
TEHQZ
TGHQZ
TBLQV
TBLQX
TBHQZ
10
3
3
0
0
0
最大
10
10
4
4
4
4
5
MCM6323A–12
12
3
3
0
0
0
最大
12
12
5
5
5
5
5
MCM6323A–15
15
3
3
0
0
0
最大
15
15
6
6
6
6
5
单位
U I
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6, 7, 8
6, 7, 8
6, 7, 8
6, 7, 8
6, 7, 8
6, 7, 8
6
笔记
N
5
注意事项:
1, W为高读周期。
2.对于通用I / O的应用,最小化或消除总线争用条件是必须在读写周期。
3.设备不断选择(E = VIL ,G = VIL和LB和/或UB = VIL) 。
4.地址有效之前或重合为E变低。
5.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
6.转变是从稳态电压测量200 mV的。
7.在任何给定的电压和温度, tEHQZ (最大) < tELQX ( min),而tGHQZ (最大值) < tGLQX (分钟) ,无论对于一个给定的设备和从
设备到设备。
8.这个参数进行采样,而不是100 %测试。
MCM6323A
4
摩托罗拉快速SRAM
产量
Z0 = 50
RL = 50
1.5 V
30 pF的
图1.等效交流测试负载
2.0
1.5
增量时间延迟(ns )
1.0
产量
CL
0.5
0
– 0.5
0
20
40
60
80
100
集总电容, CL (PF )
@ T = 25 ℃, VDD = 3.3 V
图2.集总容性负载和典型的降额曲线
增量时间延迟(ns )
+0.2
+0.1
0
–0.1
–0.2
– 0.3
3.0
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
产量
增量时间延迟(ns )
+0.3
+0.3
+0.2
+0.1
0
–0.1
– 0.2
–50
30 pF的
–25
0
25
50
75
100
Vdd的(V)的
@ T = 25°C
T( ℃)
@ VDD = 3.3 V
图3.降额在整个温度和电压
摩托罗拉快速SRAM
MCM6323A
5
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    -
    -
    -
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联系人:Sante Zhang/Mollie
地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯
MCM6323ATS12R
FREESCALE
19+
2500
TSOP44
假一罚万,全新原装库存现货,可长期订货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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