摩托罗拉
半导体技术资料
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由MCM6249 / D
1M ×4位静态随机
存取存储器
该MCM6249是组织为4,194,304位静态随机存取存储器
4比特的1048576词语，使用高性能硅栅制造
CMOS技术。静态设计，无需外部时钟或定时
选通，而CMOS电路减少了功耗，并提供了
更高的可靠性。
该MCM6249装有芯片使能（E）和输出使能（G）的引脚，
允许更大的系统灵活性，并消除总线争用的问题。
任一输入端，高电平时，将强制输出为高阻抗。
该MCM6249可在400万， 32引脚表面贴装封装SOJ 。
采用5 V单
±
10 ％的电力供应
快速访问时间： 20/25/35 NS
平等的地址和芯片使能存取时间
所有的输入和输出为TTL兼容
三态输出
电力操作： 190/175/160 mA最大，交流活动
MCM6249
WJ包装
400万SOJ
CASE 857A -02
引脚分配
A7
A8
A9
A17
A6
E
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A1
A0
A5
A4
A19
G
DQ3
VSS
VCC
DQ2
A2
A16
A15
A14
A3
NC
框图
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
ROW
解码器
存储矩阵
1024行×
4096柱
DQ0
VCC
VSS
DQ1
W
A13
A18
A10
A11
A12
10
11
12
13
14
15
16
引脚名称
DQ0
输入
数据
控制
DQ3
A18
A17 A16 A15 A14 A19
A3
A2
A1
A0
DQ0
E
列I / O
列解码器
A0 - A19 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地址输入
W的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。写使能
-G。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。输出使能
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。芯片使能
DQ0 - DQ3 。 。 。 。 。 。 。 。数据输入/输出
NC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无连接
VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5 V电源
VSS 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。地
W
G
DQ3
转4
5/95
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉快速SRAM
MCM6249
1
真值表
（ X =无关）
E
H
L
L
L
G
X
H
L
X
W
X
H
H
L
模式
未选择
输出禁用
读
写
I / O引脚
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
周期
—
—
读
写
当前
ISB1 ， ISB2
ICCA
ICCA
ICCA
绝对最大额定值
（见注）
等级
电源电压相对于Vss的
电压相对于VSS的任何引脚
除了VCC
输出电流（每个I / O）
功耗
在偏置温度
工作温度
储存温度 - 塑料
符号
VCC
VIN，VOUT
IOUT
PD
Tbias
TA
价值
- 0.5 + 7.0
- 0.5 VCC + 0.5
±
20
1.0
- 10至+ 85
0至+ 70
单位
V
V
mA
W
°C
°C
该器件包含电路保护
输入不受损坏，由于高静
电压或电场;然而，它是AD-
vised正常的预防措施，以避免
施加任何电压的比马克西更高
妈妈的额定电压为这些高阻抗
电路。
该CMOS存储器电路已经DE-
签署，以满足DC和AC规格
表中所示，热平衡后
已经建立。该电路是在一个测试
插座或安装在印刷电路板
和横向的空气至少500线性的流
每分钟英尺得以保持。
TSTG
- 55至+ 150
°C
注：如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备
超标。功能操作应仅限于推荐能操作
阿婷条件。暴露于高于推荐电压
长时间可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件和特点
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， TA = 0 + 70 ° C，除非另有说明）
推荐工作条件
参数
电源电压（工作电压范围）
输入高电压
输入低电压
* VIL （分钟） = - 0.5 V直流; VIL （分） = - 2.0 V AC（脉冲宽度
≤
2.0纳秒） 。
符号
VCC
VIH
VIL
民
4.5
2.2
– 0.5
*
典型值
5.0
—
—
最大
5.5
VCC + 0.3
0.8
单位
V
V
V
DC特性
参数
输入漏电流（所有输入， VIN = 0至VCC ）
输出漏电流（E = VIH时，VOUT = 0 VCC ）
输出低电压（ IOL = + 8.0毫安）
输出高电压（ IOH = - 4.0毫安）
符号
ILKG （I）的
ILKG （ O）
VOL
VOH
民
—
—
—
2.4
最大
±
1.0
±
1.0
0.4
—
单位
A
A
V
V
电源电流
参数
活动交流电源电流（IOUT = 0 mA时，
VCC =最大值）
AC待机电流（ VCC =最大，
E = VIH ，没有其他限制
其他投入）
MCM6249-20 ： tAVAV = 20纳秒
MCM6249-25 ： tAVAV = 25纳秒
MCM6249-35 ： tAVAV = 35纳秒
MCM6249-20 ： tAVAV = 20纳秒
MCM6249-25 ： tAVAV = 25纳秒
MCM6249-35 ： tAVAV = 35纳秒
符号
ICC
民
—
—
—
—
—
—
—
典型值
175
160
145
50
40
35
10
最大
190
175
160
60
50
40
15
单位
mA
ISB1
mA
CMOS待机电流（E
≥
VCC - 0.2 V ，输入电压
≤
VSS + 0.2 V或
≥
VCC - 0.2 V） （ VCC =最大， F = 0兆赫）
ISB2
mA
MCM6249
2
摩托罗拉快速SRAM
电容
（ F = 1.0兆赫，DV = 3.0 V， TA = 25 ° C，而定期取样超过100％测试）
参数
输入电容
输入/输出电容
所有的输入，除了时钟和DQS
E，G ，W
DQ
符号
CIN
CCK
CI / O
典型值
4
5
5
最大
6
8
8
单位
pF
pF
交流工作条件和特点
（ VCC = 5.0 V
±
10 ％ ， TA = 0 + 70 ° C，除非另有说明）
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 3.0 V
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2纳秒
输入定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输出定时测量参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5 V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图1a
读周期时序
（见注1 ）
MCM6249–20
参数
读周期时间
地址访问时间
启用访问时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
使能低到输出有效
输出使能低到输出有效
能高到输出高阻
输出使能高到输出高阻
电时间
关机时间
符号
tAVAV
tAVQV
TELQV
TGLQV
tAXQX
TELQX
TGLQX
TEHQZ
TGHQZ
tELICCH
tEHICCL
民
20
—
—
—
5
5
0
0
0
0
—
最大
—
20
20
6
—
—
—
9
9
—
20
MCM6249–25
民
25
—
—
—
5
5
0
0
0
0
—
最大
—
25
25
8
—
—
—
10
10
—
25
MCM6249–35
民
35
—
—
—
5
5
0
0
0
0
—
最大
—
35
35
10
—
—
—
12
12
—
35
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5, 6, 7
5, 6, 7
5, 6, 7
5, 6, 7
4
笔记
2, 3
注意事项：
1， W为高读周期。
2.产品的灵敏度噪声需要适当的接地和电源去耦以及最小化或消除总线CON-的
在读写周期张力条件。
3.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
4.地址有效之前或重合为E变低/ E要高。
5.在任何给定的电压和温度， tEHQZ最大tELQX分钟， tGHQZ最大tGLQX分钟，既对于给定的设备和从设备
到设备。
6.转换测量
±
500毫伏的稳态电压与图1B的载荷。
7.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
8.设备不断选择（E
≤
VIL ，G
≤
VIL ） 。
t
t
时序极限值
+5V
RL = 50
产量
Z0 = 50
VL = 1.5 V
产量
255
5 pF的
480
定时值的表显示任一最小
或最大限制为每个参数。重新输入
quirements从外部系统所指定
观点看法。因此，地址的建立时间被示为
最低限度，因为该系统必须至少提供
那么多的时间。另一方面，响应从
存储器是从设备指定点
视图。因此，接入时间被示为最大
由于该设备从未更新版本提供的数据比
时间。
(a)
(b)
图1. AC测试负载
摩托罗拉快速SRAM
MCM6249
3
写周期1
（W控制，见注1 ， 2 ，3）
MCM6249–20
参数
写周期时间
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
数据有效到写结束
数据保持时间
写低到数据高阻
写高到输出有效
写恢复时间
符号
tAVAV
tAVWL
tAVWH
tWLWH ，
TWLEH
tDVWH
tWHDX
TWLQZ
TWHQX
tWHAX ALE低
民
20
0
15
15
10
0
0
5
0
最大
—
—
—
—
—
—
9
—
—
MCM6249–25
民
25
0
17
17
10
0
0
5
0
最大
—
—
—
—
—
—
10
—
—
MCM6249–35
民
35
0
20
20
15
0
0
5
0
最大
—
—
—
—
—
—
15
—
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5,6,7
5,6,7
笔记
4
注意事项：
1.电子低和W低的重叠期间，写操作。
2.产品的灵敏度噪声需要适当的接地和电源去耦以及最小化或消除总线CON-的
在读写周期张力条件。
3.若G的推移或之后W变为低电平低电平一致时，输出将保持在高阻抗状态。
4.所有的写周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
5.转换测量
±
500毫伏的稳态电压与图1B的载荷。
6.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
7.在任何给定的电压和温度， tWLQZ最大值< tWHQX分钟都对于给定的设备和从设备到设备。
写周期1
（W控制，见注1 ， 2 ，3）
tAVAV
A（地址）
tAVWH
E（ CHIP ENABLE ）
tWLWH
TWLEH
W（写使能）
tAVWL
D（ DATA IN ）
TWLQZ
Q（ DATA OUT ）
高-Z
高-Z
tDVWH
数据有效
TWHQX
tWHDX
tWHAX ALE低
摩托罗拉快速SRAM
MCM6249
5
QQ：2881677436 复制
